陣列基板及其制造方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例公開了一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，涉及顯示領(lǐng)域，能夠提高像素邊緣透過率，從而改善顯示效果。本發(fā)明提供的陣列基板，包括：像素電極和公共電極，還包括：輔助公共電極，所述輔助公共電極的設(shè)置位置與相鄰兩個像素電極之間的間隔位置相對應(yīng)，并與所述公共電極電連接。
【專利說明】陣列基板及其制造方法、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]FFS(Fringe Field Switching,邊緣場開關(guān)技術(shù))顯示模式是平面場模式的一種，具有透過率高、畫面清晰的優(yōu)點。
[0003]如圖1所示，為一種FFS模式顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，在陣列基板上制作數(shù)據(jù)線1后，形成絕緣層，其上形成公共電極2，再形成絕緣層3，在絕緣層3之上形成像素電極4，彩膜基板上形成有黑矩陣7和彩膜6，陣列基板和彩膜基板之間夾設(shè)有液晶層5。其中，像素電極4制作成狹縫結(jié)構(gòu)，在像素電極4和公共電極3之間形成驅(qū)動電場8驅(qū)動液晶，從而實現(xiàn)圖像顯示。但是眾所周知，對于FFS顯示模式的顯示裝置，其在像素的邊緣，驅(qū)動電場相對于像素內(nèi)的驅(qū)動電場弱很多，液晶分子幾乎不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，所以在像素邊緣透過率較低，影響顯示效果。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，能夠提高像素邊緣透過率，從而改善顯示效果。
[0005]為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種陣列基板，包括:像素電極和公共電極，還包括:輔助公共電極，所述輔助公共電極的設(shè)置位置與相鄰兩個像素電極之間的間隔位置相對應(yīng)，并與所述公共電極電連接。
[0007]可選地，所述輔助公共電極為長條狀。
[0008]優(yōu)選地，所述陣列基板，還包括:數(shù)據(jù)線；所述輔助公共電極位于所述數(shù)據(jù)線上方的對應(yīng)位置處。
[0009]進一步地，所述的陣列基板，還包括:柵線；與所述柵線相對應(yīng)的位置處也設(shè)置有所述輔助公共電極。
[0010]優(yōu)選地，所述輔助公共電極與所述像素電極同層設(shè)置。
[0011]可選地，所述像素電極和所述公共電極之間設(shè)置有絕緣層；所述輔助公共電極通過貫穿所述絕緣層的過孔與所述公共電極電連接。
[0012]可選地，所述像素電極為狹縫電極。
[0013]可選地，所述公共電極為板式電極。
[0014]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括權(quán)利要求任一項所述的陣列基板。
[0015]本發(fā)明還提供一種陣列基板制造方法，包括形成像素電極的工序，以及形成公共電極的工序，還包括:形成輔助公共電極的工序，所述輔助公共電極的設(shè)置位置與相鄰兩個像素電極之間的間隔位置相對應(yīng)，并與所述公共電極電連接。
[0016]本發(fā)明實施例提供的陣列基板及其制造方法、顯示裝置，在相鄰兩個像素電極之間的間隔位置還額外設(shè)置有輔助公共電極，且該輔助公共電極與公共電極電連接，這樣，除像素電極和公共電極之間形成電場外，像素電極還能與輔助公共電極形成額外的輔助電場驅(qū)動像素邊緣的液晶分子，所以像素邊緣的驅(qū)動電場會變強，液晶分子偏轉(zhuǎn)更充分，透過率更高，因而本實施例技術(shù)方案能夠提高像素邊緣的透過率，改善顯示效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0018]圖1為現(xiàn)有FFS模式顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖3為本發(fā)明實施例一種【具體實施方式】中像素電極和輔助公共電極所在層的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖4為本發(fā)明實施例提供的FFS模式顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖5為現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā)明實施例提供的顯示裝置的透過率分布比較模擬圖。
[0023]附圖標(biāo)記
[0024]1-數(shù)據(jù)線，2-公共電極，3-絕緣層，4-像素電極，5-液晶，6-彩膜，7-黑矩陣，8-驅(qū)動電場，9-輔助公共電極，10-過孔。

【具體實施方式】
[0025]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。
[0026]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，如圖2所示，該陣列基板包括:像素電極4和公共電極2，除此之外該陣列基板還包括:輔助公共電極9，輔助公共電極9的設(shè)置位置與相鄰兩個像素電極4之間的間隔位置相對應(yīng)，并與公共電極2電連接。
[0027]本發(fā)明實施例提供的陣列基板，適用于平面場模式的顯示裝置如FFS、IPS (InPlane Switching,平面開關(guān)技術(shù))、ADS (Advanced-Super Dimens1nal Switching,高級超維場開關(guān)技術(shù))等，在相鄰兩個像素之間的間隔位置額外設(shè)置輔助公共電極9，并且該輔助公共電極9與公共電極2相連接，這樣除像素電極和公共電極之間形成電場外，像素電極還與輔助公共電極形成額外的輔助電場(如圖2中的虛線所示)驅(qū)動像素邊緣的液晶分子，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實施例技術(shù)方案能夠提高像素邊緣的透過率，改善顯示效果。
[0028]可選地，上述的輔助公共電極9為長條狀。輔助公共電極9設(shè)置在任意兩個像素電極之間，呈長條狀，且長度方向與像素電極的邊緣平行。
[0029]本實施例輔助公共電極9的設(shè)置位置對應(yīng)在兩個像素之間的位置。其中優(yōu)選地，上述陣列基板還包括:數(shù)據(jù)線1 ;而輔助公共電極9位于數(shù)據(jù)線1上方的對應(yīng)位置處。進一步優(yōu)選地，陣列基板還包括:柵線(圖中未示出)，與柵線相對應(yīng)的位置處也設(shè)置有輔助公共電極9。
[0030]優(yōu)選地，上述輔助公共電極9與像素電極4同層設(shè)置，制備時可與像素電極4同步形成，不需要額外增加工序。
[0031]一種具體的實施方式中，輔助公共電極9與像素電極4同層設(shè)置，該輔助公共電極9位于相鄰像素電極4之間的間隔位置，如圖3所示，該輔助公共電極9為沿數(shù)據(jù)線延伸方向和沿柵線延伸方向形成的縱橫交錯的格子圖案，像素電極4位于格子的中間。
[0032]具體地，像素電極4和公共電極2之間設(shè)置有絕緣層3 ;輔助公共電極9通過貫穿絕緣層3的過孔10與公共電極2電連接。上述像素電極4為狹縫電極；公共電極3可以為板式電極，也可以為狹縫電極。
[0033]本實施例提供的陣列基板，適用于平面場模式的顯示裝置如FFS、IPS、ADS等，能夠提高像素邊緣的透過率，避免顯示不均，提高顯示效果。
[0034]如圖4所示，本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，其包括上述任意一種陣列基板，陣列基板該顯示裝置還包括彩膜基板，彩膜基板上設(shè)置有彩膜6和黑矩陣7，陣列基板和彩膜基板之間夾設(shè)有液晶5。所述顯示裝置像素邊緣的透過率與像素中心的透過率差值變小，顯示均勻度提升，從而可獲得更高的顯示品質(zhì)。所述顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0035]本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板制造方法，包括形成像素電極的工序，以及形成公共電極的工序，還包括:形成輔助公共電極的工序，所述輔助公共電極的設(shè)置位置與相鄰兩個像素電極之間的間隔位置相對應(yīng)，并與所述公共電極電連接。
[0036]本實施例輔助公共電極的圖形可參照上述說明，在此不再贅述。優(yōu)選地，形成素電極的工序與所述形成輔助公共電極的工序同步完成，不需要因為輔助公共電極而額外增加工序。
[0037]以圖2為例，下面對本發(fā)明實施例提供的陣列基板制造方法進行詳細說明；在基板上制作數(shù)據(jù)線1后，形成絕緣層；其上形成公共電極2，再形成絕緣層3，在絕緣層3之上形成像素電極4，兩像素之間還同步形成有一額外的輔助公共電極9，并通過絕緣層3上的過孔10連接于公共電極2。因為輔助公共電極9距離像素電極4更近，所以像素邊緣電場會變強，液晶分子偏轉(zhuǎn)更充分，透過率更高。
[0038]附:現(xiàn)有方案(沒有設(shè)置有輔助公共電極9)與本申請方案(設(shè)置有輔助公共電極9)的透過率分布模擬試驗的對比結(jié)果圖，如圖5所示。其中曲線A為本方案的透過率分布模擬，曲線B為現(xiàn)有方案的透過率分布模擬。圖5的縱向坐標(biāo)標(biāo)示相對亮度，對曲線A而言，橫向坐標(biāo)標(biāo)不圖1中方框區(qū)域A的橫向，對曲線B而言，橫向坐標(biāo)標(biāo)7]^圖2和圖4中方框區(qū)域A’的橫向。可以看出，本方案光透過區(qū)更靠近數(shù)據(jù)線1的方向，所以有更高的透過率，具體模擬顯示試驗表明整體像素透過率提升4.5%。
[0039]本實施例提供的陣列基板制造方法，適用于平面場模式的顯示裝置如FFS、IPS、ADS等，在像素電極時同步在相鄰像素電極之間的間隔區(qū)域設(shè)置輔助的公共電極，能夠提高像素邊緣的透過率，避免顯示不均，提高顯示效果，并且不需要額外增加工序。
[0040]本說明書中的各個實施例均采用遞進的方式描述，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處。尤其，對于方法實施例而言，由于其基本相似于設(shè)備實施例，所以描述得比較簡單，相關(guān)之處相互參見即可。
[0041]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護范圍為準。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括:像素電極和公共電極，其特征在于，還包括:輔助公共電極，所述輔助公共電極的設(shè)置位置與相鄰兩個像素電極之間的間隔位置相對應(yīng)，并與所述公共電極電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述輔助公共電極為長條狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，還包括:數(shù)據(jù)線； 所述輔助公共電極位于所述數(shù)據(jù)線上方的對應(yīng)位置處。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括:柵線； 與所述柵線相對應(yīng)的位置處也設(shè)置有所述輔助公共電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于， 所述輔助公共電極與所述像素電極同層設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極和所述公共電極之間設(shè)置有絕緣層； 所述輔助公共電極通過貫穿所述絕緣層的過孔與所述公共電極電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于， 所述像素電極為狹縫電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于， 所述公共電極為板式電極。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-8任一項所述的陣列基板。
10.一種陣列基板制造方法，包括形成像素電極的工序，以及形成公共電極的工序，其特征在于，還包括: 形成輔助公共電極的工序，所述輔助公共電極的設(shè)置位置與相鄰兩個像素電極之間的間隔位置相對應(yīng)，并與所述公共電極電連接。
【文檔編號】H01L27/12GK104280963SQ201410592074
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年10月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月29日
【發(fā)明者】王振偉, 王凱旋, 方業(yè)周, 朱紅, 于洪俊 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司