薄膜晶體管開(kāi)關(guān)及其制備方法、陣列基板、顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，公開(kāi)一種薄膜晶體管開(kāi)關(guān)及其制備方法、陣列基板、顯示面板，薄膜晶體管開(kāi)關(guān)包括柵電極、柵電極絕緣層、有源層、源漏電極以及絕緣層，源漏電極包括第一電極和第二電極，絕緣層位于第一電極和第二電極之間；柵電極、柵電極絕緣層、有源層沿與陣列基板厚度方向垂直的方向排列；第一電極、絕緣層、第二電極位于有源層背離柵電極絕緣層的一側(cè)，第一電極、絕緣層、第二電極沿陣列基板的厚度方向排列、且第二電極位于第一電極背離陣列基板襯底基板的一側(cè)。沿柵電極、柵電極絕緣層以及有源層排列方向，上述薄膜晶體管的柵電極絕緣層、有源層、第二電極的寬度不受曝光機(jī)分辨率的影響可以做的較小，便于提高像素單元的開(kāi)口率。
【專利說(shuō)明】
薄膜晶體管開(kāi)關(guān)及其制備方法、陣列基板、顯示面板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種薄膜晶體管開(kāi)關(guān)及其制備方法、陣列基板、顯示面板。

【背景技術(shù)】
[0002]在顯示【技術(shù)領(lǐng)域】中，液晶顯示面板中像素單元的開(kāi)口區(qū)域時(shí)影響其顯示品質(zhì)提高的重要因素。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，液晶顯示面板的每一個(gè)像素單元中設(shè)有一個(gè)薄膜晶體管開(kāi)關(guān)TFT，其中，薄膜晶體管開(kāi)關(guān)中的源電極和漏電極通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成，且源電極和漏電極及兩者之間的溝道沿與陣列基板厚度方向垂直的方向排列。
[0004]上述TFT中，在源電極和漏電極的排列方向上，TFT的尺寸包括源電極的寬度、漏電極的寬度、以及源電極和漏電極之間的溝道的寬度。由于TFT制備時(shí)受曝光機(jī)分辨率的限制，源電極與漏電極之間的溝道的寬度不能做的太小，因此，TFT在與陣列基板厚度方向垂直的方向上的寬度不能做的太小，不利于提高像素單元的開(kāi)口率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管開(kāi)關(guān)及其制備方法、陣列基板、顯示面板，該薄膜晶體管開(kāi)關(guān)在陣列基板厚度方向垂直的方向上的寬度不受曝光機(jī)分辨率的影響，便于提高像素單元的開(kāi)口率。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:
[0007]—種陣列基板的薄膜晶體管開(kāi)關(guān)，包括柵電極、柵電極絕緣層、有源層、源漏電極以及絕緣層，所述源漏電極包括第一電極和第二電極，所述絕緣層位于所述第一電極和所述第二電極之間；所述柵電極、柵電極絕緣層、有源層沿與所述陣列基板厚度方向垂直的方向依次排列；所述第一電極、絕緣層、第二電極位于所述有源層背離所述柵電極絕緣層的一偵牝所述第一電極、絕緣層、第二電極沿所述陣列基板的厚度方向依次排列、且所述第二電極位于所述第一電極背離所述陣列基板襯底基板的一側(cè)。
[0008]上述薄膜晶體管開(kāi)關(guān)中，柵電極、柵電極絕緣層、有源層沿垂直于陣列基板厚度方向的方向排列，第一電極、絕緣層、第二電極沿陣列基板的厚度方向排列，因此，第一電極、第二電極、以及第一電極和第二電極之間的溝道沿陣列基板的厚度方向排列。上述薄膜晶體管在像素單元內(nèi)沿柵電極、柵電極絕緣層以及有源層排列方向上的寬度主要受柵電極絕緣層的寬度、有源層的寬度、第二電極的寬度的影響，而柵電極絕緣層、有源層、第二電極在沿垂直于陣列基板方向上的寬度不受曝光機(jī)分辨率的影響，因此，上述薄膜晶體管中，柵電極絕緣層、有源層、第一電極和第二電極在沿柵電極、柵電極絕緣層以及有源層排列方向上的寬度可以做的較小，便于提高像素單元的開(kāi)口率。
[0009]優(yōu)選地，所述第一電極為漏電極，所述第二電極為源電極。
[0010]優(yōu)選地，所述第一電極為源電極，所述第二電極為漏電極。
[0011]本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括襯底基板，還包括上述技術(shù)方案中提供的任意一種薄膜晶體管開(kāi)關(guān)，所述薄膜晶體管開(kāi)關(guān)設(shè)置于所述襯底基板上。
[0012]本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括上述技術(shù)方案中提供的陣列基板。
[0013]本發(fā)明還提供了一種上述技術(shù)方案中提供的任一種薄膜晶體管開(kāi)關(guān)的制備方法，包括:
[0014]在襯底基板上形成柵電極的圖形；
[0015]沿與所述襯底基板厚度方向垂直的方向，在柵電極的一側(cè)形成柵電極絕緣層的圖形；
[0016]沿與所述襯底基板厚度方向垂直的方向，在柵電極絕緣層背離所述柵電極的一側(cè)形成有源層的圖形；
[0017]沿與所述襯底基板厚度方向垂直的方向，在有源層背離所述柵電極的一側(cè)形成第一電極的圖形；
[0018]沿與所述襯底基板的厚度方向，在第一電極背離所述襯底基板的一側(cè)形成絕緣層的圖形；
[0019]沿與所述襯底基板的厚度方向，在絕緣層背離所述第一電極的一側(cè)形成第二電極的圖形。
[0020]優(yōu)選地，所述在襯底基板上形成柵電極的圖形，具體包括:
[0021 ] 在襯底基板上形成柵金屬層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵線的圖形和柵電極的圖形。
[0022]優(yōu)選地，所述沿與所述襯底基板厚度方向垂直的方向，在柵電極的一側(cè)形成柵電極絕緣層的圖形，具體包括:
[0023]在柵線的圖形和所述柵電極的圖形上形成柵絕緣層，并且沿與襯底基板厚度方向垂直的方向上，在柵電極的一側(cè)通過(guò)構(gòu)圖工藝形成一用于設(shè)置第一電極、第二電極以及絕緣層的鏤空區(qū)域，柵絕緣層位于柵電極與鏤空區(qū)域之間的部分形成柵電極絕緣層的圖形。
[0024]優(yōu)選地，當(dāng)所述第一電極為漏電極、且所述第二電極為源電極時(shí)，所述沿與所述襯底基板厚度方向垂直的方向，在有源層背離所述柵電極的一側(cè)形成第一電極的圖形，具體包括:
[0025]在所述柵絕緣層上形成數(shù)據(jù)金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線的圖形和漏電極的圖形。
[0026]優(yōu)選地，所述沿與所述襯底基板的厚度方向，在第一電極背離所述襯底基板的一側(cè)形成絕緣層的圖形，具體包括:
[0027]在所述數(shù)據(jù)線圖形和漏電極的圖形上形成鈍化層，所述鈍化層位于所述鏤空區(qū)域內(nèi)的部分形成所述絕緣層。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1為本發(fā)明一種實(shí)施例提供的薄膜晶體管開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2為本發(fā)明一種實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖3為本發(fā)明一種實(shí)施例提供的薄膜晶體管開(kāi)關(guān)制備方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0031]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0032]請(qǐng)參考圖1。如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的薄膜晶體管開(kāi)關(guān)包括柵電極1、柵電極絕緣層2、有源層3、源漏電極以及絕緣層5，源漏電極包括第一電極4和第二電極6，絕緣層5位于第一電極4和第二電極6之間；柵電極1、柵電極絕緣層2、有源層3沿與陣列基板厚度方向垂直的方向排列，即如圖1中所示，柵電極1、柵電極絕緣層2、有源層3沿與陣列基板襯底基板8的厚度方向垂直的方向排列；第一電極4、絕緣層5、第二電極6位于有源層3背離柵電極絕緣層2的一側(cè)，第一電極4、絕緣層5、第二電極6沿陣列基板的厚度方向排列、且第二電極6位于第一電極4背離陣列基板襯底基板8的一側(cè)。
[0033]上述薄膜晶體管開(kāi)關(guān)中，如圖1所示，柵電極1、柵電極絕緣層2、有源層3沿垂直于陣列基板厚度方向的方向排列，第一電極4、絕緣層5、第二電極6沿陣列基板的厚度方向排列，因此，第一電極4、第二電極6、以及第一電極4和第二電極6之間的溝道沿陣列基板的厚度方向排列。如圖2所示，上述薄膜晶體管在像素單元內(nèi)的寬度D主要受柵電極絕緣層2的寬度D3、有源層3的寬度D2、第二電極6的寬度Dl的影響；當(dāng)柵電極I由柵線11中與有源層3正對(duì)的部位形成時(shí)，如圖1所示，上述薄膜晶體管在像素單元內(nèi)的寬度D為柵電極絕緣層2的寬度D3、有源層3的寬度D2、第二電極6的寬度Dl之和，由于柵電極絕緣層2、有源層3、第二電極6在沿垂直于陣列基板方向上的寬度不受曝光機(jī)分辨率的影響，因此，上述薄膜晶體管中，柵電極絕緣層2、有源層3、第二電極6在沿柵電極1、柵電極絕緣層2以及有源層3排列方向上的寬度可以做的較小，便于提高像素單元的開(kāi)口率。
[0034]—種優(yōu)選實(shí)施方式中，上述第一電極4為漏電極,第二電極6為源電極。
[0035]當(dāng)然，還可以是第一電極4為源電極，第二電極6為漏電極。
[0036]請(qǐng)繼續(xù)參考圖1，本發(fā)明的一種實(shí)施例中還提供了一種陣列基板，包括襯底基板8，還包括上述實(shí)施方式中提供的任意一種薄膜晶體管開(kāi)關(guān)，薄膜晶體管開(kāi)關(guān)設(shè)置于襯底基板8上。
[0037]如圖2和圖2所示，由于上述薄膜晶體管在像素單元內(nèi)的寬度D主要受柵電極絕緣層2的寬度D3、有源層3的寬度D2、第二電極6的寬度Dl的影響；當(dāng)柵電極I由柵線11中與有源層3正對(duì)的部位形成時(shí)，如圖1所示，上述薄膜晶體管在像素單元內(nèi)的寬度D為柵電極絕緣層2的寬度D3、有源層3的寬度D2、第二電極6的寬度Dl之和，由于柵電極絕緣層2、有源層3、第二電極6在沿垂直于陣列基板方向上的寬度不受曝光機(jī)分辨率的影響，因此，上述薄膜晶體管中，柵電極絕緣層2、有源層3、第二電極6在沿垂直于陣列基板方向上的寬度可以做的較小，便于提高像素單元的開(kāi)口率。
[0038]本發(fā)明的一種實(shí)施例中還提供了一種顯示面板，包括上述實(shí)施例中提供的陣列基板。
[0039]如圖3所示，本發(fā)明的一種實(shí)施例中提供了一種上述實(shí)施例中提供的任一種薄膜晶體管開(kāi)關(guān)的制備方法，包括:
[0040]步驟S301，在襯底基板上形成柵電極的圖形；
[0041]步驟S302，沿與襯底基板厚度方向垂直的方向，在柵電極的一側(cè)形成柵電極絕緣層的圖形；
[0042]步驟S303，沿與襯底基板厚度方向垂直的方向，在柵電極絕緣層背離柵電極的一側(cè)形成有源層的圖形；
[0043]步驟S304，沿與襯底基板厚度方向垂直的方向，在有源層背離柵電極的一側(cè)形成第一電極的圖形；
[0044]步驟S305，沿與襯底基板的厚度方向，在第一電極背離襯底基板的一側(cè)形成絕緣層的圖形；
[0045]步驟S306，沿與襯底基板的厚度方向，在絕緣層背離第一電極的一側(cè)形成第二電極的圖形。
[0046]優(yōu)選地,上述步驟S301具體包括:
[0047]在襯底基板上形成柵金屬層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵線的圖形和柵電極的圖形。具體地，柵電極的圖形為柵線圖形的一部分，具體為柵線圖形中與后續(xù)步驟中制備的有源層圖形正對(duì)部位的圖形，能夠進(jìn)一步減小薄膜晶體管開(kāi)關(guān)在像素單元中沿與襯底基板厚度方向垂直、且與柵線圖形垂直的方向的寬度。
[0048]一種優(yōu)選實(shí)施方式中，上述步驟S302可以具體包括:
[0049]在柵線的圖形和柵電極的圖形上形成柵絕緣層，并且沿與襯底基板厚度方向垂直的方向上，在柵電極的一側(cè)通過(guò)構(gòu)圖工藝形成一用于設(shè)置第一電極、第二電極以及絕緣層的鏤空區(qū)域，柵絕緣層位于柵電極與鏤空區(qū)域之間的部分形成柵電極絕緣層的圖形。柵電極絕緣層直接由柵絕緣層形成，能夠簡(jiǎn)化陣列基板的制備工藝。
[0050]一種優(yōu)選實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)谝浑姌O為漏電極、且第二電極為源電極時(shí)，上述步驟S304可以具體包括:
[0051]在柵絕緣層上形成數(shù)據(jù)金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線7的圖形和漏電極的圖形。上述工藝中，漏電極與數(shù)據(jù)線直接通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成，形成的漏電極直接與數(shù)據(jù)線電連接，能夠簡(jiǎn)化陣列基板的制備工藝。
[0052]一種優(yōu)選實(shí)施方式中，上述步驟S305可以具體包括:
[0053]在數(shù)據(jù)線圖形和漏電極的圖形上形成鈍化層，鈍化層位于鏤空區(qū)域內(nèi)的部分形成絕緣層。
[0054]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板的薄膜晶體管開(kāi)關(guān)，包括柵電極、柵電極絕緣層、有源層、源漏電極以及絕緣層，其特征在于，所述源漏電極包括第一電極和第二電極，所述絕緣層位于所述第一電極和所述第二電極之間；所述柵電極、柵電極絕緣層、有源層沿與所述陣列基板厚度方向垂直的方向依次排列；所述第一電極、絕緣層、第二電極位于所述有源層背離所述柵電極絕緣層的一側(cè)，所述第一電極、絕緣層、第二電極沿所述陣列基板的厚度方向依次排列、且所述第二電極位于所述第一電極背離所述陣列基板襯底基板的一側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述第一電極為漏電極，所述第二電極為源電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述第一電極為源電極，所述第二電極為漏電極。
4.一種陣列基板，包括襯底基板，其特征在于，還包括如權(quán)利要求1?3任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管開(kāi)關(guān)，所述薄膜晶體管開(kāi)關(guān)設(shè)置于所述襯底基板上。
5.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求4所述的陣列基板。
6.—種如權(quán)利要求1?3任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管開(kāi)關(guān)的制備方法,其特征在于,包括: 在襯底基板上形成柵電極的圖形； 沿與所述襯底基板厚度方向垂直的方向，在柵電極的一側(cè)形成柵電極絕緣層的圖形；沿與所述襯底基板厚度方向垂直的方向，在柵電極絕緣層背離所述柵電極的一側(cè)形成有源層的圖形； 沿與所述襯底基板厚度方向垂直的方向，在有源層背離所述柵電極的一側(cè)形成第一電極的圖形； 沿與所述襯底基板的厚度方向，在第一電極背離所述襯底基板的一側(cè)形成絕緣層的圖形； 沿與所述襯底基板的厚度方向，在絕緣層背離所述第一電極的一側(cè)形成第二電極的圖形。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成柵電極的圖形，具體包括: 在襯底基板上形成柵金屬層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵線的圖形和柵電極的圖形。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述沿與所述襯底基板厚度方向垂直的方向，在柵電極的一側(cè)形成柵電極絕緣層的圖形，具體包括: 在柵線的圖形和所述柵電極的圖形上形成柵絕緣層，并且沿與襯底基板厚度方向垂直的方向上，在柵電極的一側(cè)通過(guò)構(gòu)圖工藝形成一用于設(shè)置第一電極、第二電極以及絕緣層的鏤空區(qū)域，柵絕緣層位于柵電極與鏤空區(qū)域之間的部分形成柵電極絕緣層的圖形。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，當(dāng)所述第一電極為漏電極、且所述第二電極為源電極時(shí)，所述沿與所述襯底基板厚度方向垂直的方向，在有源層背離所述柵電極的一側(cè)形成第一電極的圖形，具體包括: 在所述柵絕緣層上形成數(shù)據(jù)金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線的圖形和漏電極的圖形。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述沿與所述襯底基板的厚度方向，在第一電極背離所述襯底基板的一側(cè)形成絕緣層的圖形，具體包括: 在所述數(shù)據(jù)線圖形和漏電極的圖形上形成鈍化層，所述鈍化層位于所述鏤空區(qū)域內(nèi)的部分形成所述絕緣層。
【文檔編號(hào)】H01L21/336GK104391412SQ201410584222
【公開(kāi)日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2014年10月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月27日
【發(fā)明者】王武, 邱海軍, 尚飛, 王國(guó)磊 申請(qǐng)人:重慶京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司