新型led芯片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種新型LED芯片的制作方法，包括MESA光刻和NP光刻，MESA光刻為對外延片表面蒸鍍ITO層后涂光刻膠再進(jìn)行MESA光刻形成具有MESA圖層的光刻膠層，然后對ITO層進(jìn)行ITO蝕刻以及對外延片表面進(jìn)行向下蝕刻；最后去除具有MESA圖層的光刻膠層；NP光刻具體為在ITO層和N-GaN層臺階上蒸鍍SiO2層后涂布光刻膠，再對光刻膠層進(jìn)行NP光刻形成具有NP圖層的光刻膠層；然后對所述SiO2層進(jìn)行蝕刻；再然后在SiO2層蝕刻掉的區(qū)域形成P電極和N電極；最后去除所述具有NP圖層的光刻膠層。本發(fā)明的方法有效降低生產(chǎn)成本，縮短生產(chǎn)周期，提高良品率。
【專利說明】新型LED芯片的制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED制作及應(yīng)用領(lǐng)域，尤其涉及一種新型LED芯片的制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]LED芯片是一種節(jié)能環(huán)保產(chǎn)品，它是一種發(fā)光二極管，其工作原理是將電能轉(zhuǎn)化為光能，具有低能耗、亮度高、壽命長，其發(fā)展備受看好，初期其應(yīng)用只是在實(shí)驗(yàn)研發(fā)階段。近些年隨著科技發(fā)展，其生產(chǎn)制造工藝逐漸成熟，逐步進(jìn)入工廠大批量量產(chǎn)，其應(yīng)用也更加廣泛。
[0003]LED芯片的成品構(gòu)造如圖1所示。LED芯片生產(chǎn)過程是在外延片(2寸)上做出單顆芯片，單顆芯片尺寸小，肉眼分辨不清，其制造過程需要通過光刻板實(shí)現(xiàn)。制造過程為在外延片上涂一層光刻膠，將光刻板覆蓋在光刻膠上進(jìn)行曝光，光刻板上有精密的圖案可以透光，通過光刻膠感光后性狀發(fā)生變化，將光刻板圖案復(fù)制到外延片上，需要進(jìn)行四次光刻，形成芯片的構(gòu)造，在芯片上蒸鍍金屬電極，最后進(jìn)行特殊處理生產(chǎn)出單顆芯粒。目前LED產(chǎn)品正在普及與推廣，然而生產(chǎn)成本高、生產(chǎn)周期長、良品率低導(dǎo)致LED產(chǎn)品價(jià)格比普通光器件價(jià)格高，這是限制其發(fā)展的主要因素。
[0004]具體的，在現(xiàn)有技術(shù)中，要形成圖1所示的LED芯片，需要對形成在藍(lán)寶石基底的外延片依次如圖2所示的MESA光刻(S01)、TCL光刻(S02)、NP光刻(S03)、PASSIVAT10N光亥|J(S04)的四道光刻工藝過程，最終實(shí)現(xiàn)將光刻板圖案復(fù)制在產(chǎn)品上。結(jié)合圖3a-圖3h，每個光刻的具體操作過程如下:
l、Mesa光刻
參見圖3a_圖3b，需要說明的是，不同光刻過程用不同光刻板，光刻板上的圖案不相同，圖案的不同位置透光程度不一致。Mesa光刻是在外延片上涂布一層3um厚的正光刻膠001，將Mesa光刻板002放在外延片上，使用曝光機(jī)進(jìn)行曝光，曝光后的外延片進(jìn)行烘烤后，放入顯影液中顯影，由于Mesa光刻板002的特性，曝光時(shí)有的區(qū)域見光有的未見光，光會影響光刻膠性能，正光刻膠見光部分會溶解到顯影液中，未見光部分不溶，因此可將光刻板圖案復(fù)制在外延片的正光刻膠上，然后將外延片進(jìn)行硬烤處理。然后使用ICP設(shè)備，利用干法蝕刻將未有正光刻膠保護(hù)的外延片蝕刻，形成臺階003，最后使用去膠液將光刻膠去除。
[0005]2、TCL 光刻
參見圖3c-圖3d，在Mesa光刻后的外延片上使用ΙΤ0蒸鍍設(shè)備，在外延片上蒸鍍一層ΙΤ0層004，使用TCL光刻板，將TCL光刻板005上的圖案復(fù)制在外延片上，曝光時(shí)注意要調(diào)節(jié)TCL光刻板005的位置，TCL光刻是在MESA光刻后的基礎(chǔ)上作業(yè)，防止出現(xiàn)圖案偏移問題。曝光顯影硬烤后，將外延片放入ΙΤ0蝕刻液中蝕刻，蝕刻未被正光刻膠覆蓋的ΙΤ0，最后使用去膠液將光刻膠去除。
[0006]三、NP光刻
參見圖3e-圖3f，在外延片表面涂布一層負(fù)光刻膠006，使用NP光刻板007，將NP光刻板007上的圖案復(fù)制在外延片上，曝光時(shí)注意要調(diào)節(jié)NP光刻板007的位置，NP光刻是在MESA光刻后的基礎(chǔ)上作業(yè)，防止出現(xiàn)圖案偏移問題。進(jìn)行曝光顯影后，使用金屬蒸鍍機(jī)在外延片表面蒸鍍鉻鉬金008，使用撕金機(jī)將多余的金屬粘掉，最后最后使用去膠液將光刻膠去除。
[0007]四、Passivat1n 光刻
參見圖3g-圖3h，使用PECVD設(shè)備在外延片表面蒸鍍一層Si02009，然后在外延片表面涂布一層正光刻膠001,使用Passivat1n光刻，將Passivat1n光刻板010上的圖案復(fù)制在外延片上，曝光時(shí)注意要調(diào)節(jié)Passivat1n光刻板的位置,Passivat1n光刻是在MESA光刻后的基礎(chǔ)上作業(yè)，防止出現(xiàn)圖案偏移問題，進(jìn)行曝光顯影。使用Β0Ε蝕刻液將未被正光刻膠覆蓋的Si02蝕刻掉，最后使用去膠液將光刻膠去除。經(jīng)過上述四道光刻，后產(chǎn)品圖案以在芯片表面形成，最后經(jīng)過特殊處理和后道流轉(zhuǎn)，合格的芯片生產(chǎn)完成。
[0008]但是采用上述四導(dǎo)工藝，不利于節(jié)省成本，且生產(chǎn)周期長、不便于規(guī)模化生產(chǎn)，同時(shí)光刻工位不良是影響成品率的主要因素，因四導(dǎo)工藝，光刻次數(shù)過多，良品率低，從而導(dǎo)致LED產(chǎn)品價(jià)格比普通光器件價(jià)格高，如此限制其大量快速的發(fā)展。
[0009]因此，有必要提供一種新的LED芯片的制作方法，以解決上述技術(shù)問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的多個方面提供一種新型LED芯片的制作方法，能有效降低生產(chǎn)成本，縮短生廣周期，提聞良品率。
[0011]本發(fā)明提供了一種新型LED芯片的制作方法，第一步，MESA光刻；所述MESA光刻包括，
首先，在外延片表面蒸鍍ΙΤ0層；
其次，在所述ΙΤ0層表面涂布一層光刻膠，并通過MESA光刻板對形成在所述ΙΤ0層上的光刻膠層進(jìn)行MESA光刻，從而形成具有MESA圖層的光刻膠層；
再其次，以所述具有MESA圖層的光刻膠層作為掩膜對所述ΙΤ0層進(jìn)行ΙΤ0蝕刻；然后，以所述具有MESA圖層的光刻膠層作為掩膜進(jìn)一步對所述外延片表面進(jìn)行向下蝕刻，從而露出N-GaN層臺階；
最后，去除所述具有MESA圖層的光刻膠層，從而露出P-GaN層上的經(jīng)ΙΤ0蝕刻后的ΙΤ0
層；
第二步，NP光刻；所述NP光刻包括，
首先，在P-GaN層上的經(jīng)ΙΤ0蝕刻后的ΙΤ0層和N_GaN層臺階上蒸鍍Si02層；
其次，在所述Si02層表面涂布一層光刻膠，并通過NP光刻板對形成在所述Si02層上的光刻膠層進(jìn)行NP光刻，從而形成具有NP圖層的光刻膠層；
再其次，以所述具有NP圖層的光刻膠層作為掩膜對所述Si02層進(jìn)行蝕刻，從而分別將P-GaN層上的經(jīng)ΙΤ0蝕刻后的ΙΤ0層和N_GaN層臺階上沒有所述具有NP圖層的光刻膠層覆蓋的區(qū)域的Si02層蝕刻掉；
然后，在Si02層蝕刻掉的所述區(qū)域?qū)?yīng)形成P電極和N電極；
最后，去除所述具有NP圖層的光刻膠層。
[0012]在上述技術(shù)方案中，所述向下蝕刻的操作采用的是干法蝕刻方法，所述干法蝕刻方法采用的是ICP蝕刻設(shè)備。
[0013]在上述技術(shù)方案中，在MESA光刻前還包括提供一藍(lán)寶石基底，并依次在所述藍(lán)寶石基底上形成N-GaN層和P-GaN層，所述N_GaN層和P_GaN層共同構(gòu)成所述外延片。
[0014]在上述技術(shù)方案中，所述MESA光刻板和/或所述NP光刻板包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域。
[0015]在上述技術(shù)方案中，所述ΙΤ0層表面涂布的為正光刻膠，在所述ΙΤ0層表面均勻涂布一層3um正光刻膠，并通過MESA光刻板覆蓋形成在所述ΙΤ0層上的光刻膠層進(jìn)行曝光、烘烤以及顯影后，從而形成具有MESA圖層的光刻膠層；
所述Si02層表面涂布的光刻膠為負(fù)光刻膠；在所述Si02層表面均勻涂布一層3um負(fù)光刻膠，并通過NP光刻板對形成在所述Si02層上的光刻膠層進(jìn)行曝光、烘烤以及顯影后，從而形成具有NP圖層的光刻膠層。
[0016]作為上述方案的改進(jìn)，在所述具有MESA圖層的光刻膠層作為掩膜對所述ΙΤ0層進(jìn)行ΙΤ0蝕刻，其使用ΙΤ0蝕刻液將未被所述具有MESA圖層的光刻膠層覆蓋的ΙΤ0層蝕刻掉。
[0017]在上述技術(shù)方案中，在所述具有MESA圖層的光刻膠層，通過去膠液將所述具有MESA圖層的光刻膠層去除；在所述具有NP圖層的光刻膠層，通過去膠液將所述具有NP圖層的光刻膠層去除。
[0018]在上述技術(shù)方案中，所述在P-GaN層上的經(jīng)ΙΤ0蝕刻后的ΙΤ0層和N_GaN層臺階上蒸鍍Si02層，其使用PECVD設(shè)備在P-GaN層上的經(jīng)ΙΤ0蝕刻后的ΙΤ0層和N_GaN層臺階上蒸鍍形成所述Si02層；在所述具有NP圖層的光刻膠層中，使用Β0Ε蝕刻液將未被所述具有NP圖層的光刻膠層覆蓋的Si02層蝕刻掉。
[0019]在上述技術(shù)方案中，Si02層蝕刻掉的所述區(qū)域?qū)?yīng)形成P電極和N電極中，其使用金屬蒸鍍機(jī)在Si02層蝕刻掉的所述區(qū)域表面對應(yīng)蒸鍍鉻鉬金，再使用撕金機(jī)將多余的金屬粘掉，從而形成所述P電極和N電極。
[0020]在上述技術(shù)方案中，在所述外延片表面蒸鍍ΙΤ0層，所述ΙΤ0層蒸鍍厚度為2300A ；在對所述ΙΤ0層進(jìn)行ΙΤ0蝕刻時(shí)，使ΙΤ0層內(nèi)縮寬度為2 um -5um ;在對所述外延片表面進(jìn)行向下蝕刻時(shí)，蝕刻深度為1.4 um -1.6um ;在ΙΤ0層和N_GaN層臺階上蒸鍍Si02時(shí)，Si02層蒸鍍厚度為2300A ;在經(jīng)ΙΤ0蝕刻后的ΙΤ0層和N_GaN層臺階上沒有所述具有NP圖層的光刻膠層覆蓋的區(qū)域的Si02層蝕刻掉時(shí)，進(jìn)行蝕刻使Si02層內(nèi)縮寬度為1 um _5um。
[0021]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明公開的新型LED芯片的制作方法具有如下有益效果:
1、將MESA光刻和TCL光刻整合、NP光刻和PASSIVAT1N光刻整合，降低光刻次數(shù)，化學(xué)試劑使用量減半，生產(chǎn)成本可降低30%。
[0022]2、通過優(yōu)化光刻工藝次數(shù)，只需要MESA光刻和NP光刻兩道工藝，可縮短生產(chǎn)周期，更便于規(guī)?；a(chǎn)。
[0023]3、LED芯片工藝復(fù)雜，光刻工位不良是影響成品率的主要因素，通過降低光刻次數(shù)，減少造成不良的幾率，生產(chǎn)過程更容易管控，過程不良大幅降低，產(chǎn)品良率提高5%。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1是LED芯片結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是LED芯片現(xiàn)有制作方法的流程示意圖；
圖3是現(xiàn)有制作方法具體操作過程示意圖； 圖4是本發(fā)明實(shí)施例中一種新型LED芯片的制作方法的流程示意圖；
圖5是圖4中MESA光刻流程示意圖；
圖6a-6c是圖5中MESA光刻具體操作過程示意圖；
圖7是圖4中NP光刻流程示意圖；
圖8a-8c是圖7中NP光刻具體操作過程示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0025]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明了，本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】并參照附圖，對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在以下說明中，省略了對公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述，以避免不必要地混淆本發(fā)明的概念。
[0026]參見圖4，是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種新型LED芯片的制作方法的結(jié)構(gòu)示意圖。該新型LED芯片的制作方法主要包括兩道工藝，即只需要兩步，MESA光刻和NP光刻。
[0027]第一步:MESA光刻，參見圖5以及圖6a_6c，所述MESA光刻具體的會經(jīng)過以下小步驟依次逐一完成:
首先，在外延片表面蒸鍍ΙΤ0層1 ;
其中，在MESA光刻前會提供一藍(lán)寶石基底，并依次在所述藍(lán)寶石基底上形成N-GaN層和P-GaN層，所述N-GaN層和P_GaN層共同構(gòu)成所述外延片。在所述外延片表面蒸鍍ΙΤ0層1的蒸鍍厚度為2300A。
[0028]其次，在所述ΙΤ0層1表面涂布一層光刻膠2，所述光刻膠2為正光刻膠，并通過MESA光刻板3對形成在所述ΙΤ0層1上的光刻膠層進(jìn)行MESA光刻，從而形成具有MESA圖層的光刻膠層4 ；
具體為在所述ΙΤ0層表面均勻涂布一層3um正光刻膠，并通過MESA光刻板覆蓋形成在所述ΙΤ0層上的光刻膠層進(jìn)行曝光、烘烤以及顯影后，從而形成具有MESA圖層的光刻膠層4 ;其中，所述的MESA光刻板包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域。
[0029]再其次，以所述具有MESA圖層的光刻膠層4作為掩膜對所述ΙΤ0層1進(jìn)行ΙΤ0蝕刻；其中，使用ΙΤ0蝕刻液將未被所述具有MESA圖層的光刻膠層覆蓋的ΙΤ0層蝕刻掉。且對所述ΙΤ0層進(jìn)行ΙΤ0蝕刻時(shí)使ΙΤ0層內(nèi)縮寬度為2 um -5um ；
然后，以所述具有MESA圖層的光刻膠層4作為掩膜進(jìn)一步對所述外延片表面進(jìn)行向下蝕刻，從而露出N-GaN層臺階5 ;其中，所述向下蝕刻的操作采用的是干法蝕刻方法，所述干法蝕刻方法采用的是ICP蝕刻設(shè)備進(jìn)行處理。對所述外延片表面進(jìn)行向下蝕刻深度為1.4um -1.6um ；
最后，去除所述具有MESA圖層的光刻膠層4，從而露出P-GaN層上的經(jīng)ΙΤ0蝕刻后的ΙΤ0層1 ;其中，通過去膠液將所述具有MESA圖層的光刻膠層4去除。
[0030]第二步:NP光刻，參見圖7以及圖8a_8c所述NP光刻具體的會經(jīng)過以下小步驟依次逐一完成:
首先，在P-GaN層上的經(jīng)ΙΤ0蝕刻后的ΙΤ0層1和N_GaN層臺階5上蒸鍍Si02層6，其中，使用PECVD設(shè)備在P-GaN層上的經(jīng)ITO蝕刻后的ITO層1和N_GaN層臺階5上蒸鍍形成所述Si02層6 ;且所述Si02層6蒸鍍厚度為2300A ；
其次，在所述Si02層6表面涂布一層光刻膠7，并通過NP光刻板8對形成在所述Si02層6上的光刻膠層7進(jìn)行NP光刻，從而形成具有NP圖層的光刻膠層9 ;其中所述的光刻膠為負(fù)光刻膠。
[0031]再其次，以所述具有NP圖層的光刻膠層9作為掩膜對所述Si02層6進(jìn)行蝕刻，從而分別將P-GaN層上的經(jīng)ΙΤ0蝕刻后的ΙΤ0層1和N_GaN層臺階5上沒有所述具有NP圖層的光刻膠層覆蓋的區(qū)域的Si02層蝕刻掉；其中，使用Β0Ε蝕刻液將未被所述具有NP圖層的光刻膠層9覆蓋的Si02層蝕刻掉。且對所述Si02層6進(jìn)行蝕刻使Si02層內(nèi)縮寬度為1 um -5um。
[0032]然后，在Si02層蝕刻掉的所述區(qū)域?qū)?yīng)形成P電極和N電極；
具體為使用金屬蒸鍍機(jī)在Si02層蝕刻掉的所述區(qū)域表面對應(yīng)蒸鍍鉻鉬金10，使用撕金機(jī)將多余的金屬粘掉，從而形成所述P電極和N電極。
[0033]最后，去除所述具有NP圖層的光刻膠層。其中，通過去膠液將所述具有NP圖層的光刻膠層去除。
[0034]綜上所述，經(jīng)過MESA光刻和NP光刻后產(chǎn)品圖案以在芯片表面形成，最后經(jīng)過特殊處理和后道流轉(zhuǎn)，合格的芯片生產(chǎn)完成。
[0035]如此，本發(fā)明的新型LED芯片的制作方法會帶來如下有益效果:
1、將MESA光刻和TCL光刻整合、NP光刻和PASSIVAT1N光刻整合，降低光刻次數(shù)，化學(xué)試劑使用量減半，生產(chǎn)成本可降低30%。
[0036]2、通過優(yōu)化光刻工藝次數(shù)，只需要MESA光刻和NP光刻兩道工藝，可縮短生產(chǎn)周期，更便于規(guī)?；a(chǎn)。
[0037]3、LED芯片工藝復(fù)雜，光刻工位不良是影響成品率的主要因素，通過降低光刻次數(shù)，減少造成不良的幾率，生產(chǎn)過程更容易管控，過程不良大幅降低，產(chǎn)品良率提高5%。
[0038]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的上述【具體實(shí)施方式】僅僅用于示例性說明或解釋本發(fā)明的原理，而不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。因此，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。此外，本發(fā)明所附權(quán)利要求旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求范圍和邊界、或者這種范圍和邊界的等同形式內(nèi)的全部變化和修改例。
【權(quán)利要求】
1.一種新型LED芯片的制作方法，其特征在于，包括步驟: SUMESA光刻；包括步驟: 511、在外延片表面蒸鍍ITO層； 512、在所述ITO層表面涂布一層光刻膠，并通過MESA光刻板對形成在所述ITO層上的光刻膠層進(jìn)行MESA光刻，從而形成具有MESA圖層的光刻膠層； 513、以所述具有MESA圖層的光刻膠層作為掩膜對所述ITO層進(jìn)行ITO蝕刻； 514、以所述具有MESA圖層的光刻膠層作為掩膜進(jìn)一步對所述外延片表面進(jìn)行向下蝕亥Ij，從而露出N-GaN層臺階； 515、去除所述具有MESA圖層的光刻膠層，從而露出P-GaN層上的經(jīng)ITO蝕刻后的ITO層； S2、NP光刻；包括步驟: 521、在P-GaN層上的經(jīng)ITO蝕刻后的ITO層和N-GaN層臺階上蒸鍍S12層； 522、在所述S12層表面涂布一層光刻膠，并通過NP光刻板對形成在所述S12層上的光刻膠層進(jìn)行NP光刻，從而形成具有NP圖層的光刻膠層； 523、以所述具有NP圖層的光刻膠層作為掩膜對所述S12層進(jìn)行蝕刻，從而分別將P-GaN層上的經(jīng)ITO蝕刻后的ITO層和N-GaN層臺階上沒有所述具有NP圖層的光刻膠層覆蓋的區(qū)域的S12層蝕刻掉； 524、在S12層蝕刻掉的所述區(qū)域?qū)?yīng)形成P電極和N電極； 525、去除所述具有NP圖層的光刻膠層。
2.如權(quán)利要求1所述的新型LED芯片的制作方法，其特征在于，所述向下蝕刻的操作采用的是干法蝕刻方法，所述干法蝕刻方法采用的是ICP蝕刻設(shè)備。
3.如權(quán)利要求1所述的新型LED芯片的制作方法，其特征在于，在MESA光刻前還包括步驟:提供一藍(lán)寶石基底，并依次在所述藍(lán)寶石基底上形成N-GaN層和P-GaN層，所述N-GaN層和P-GaN層共同構(gòu)成所述外延片。
4.如權(quán)利要求1所述的新型LED芯片的制作方法，其特征在于，所述MESA光刻板和/或所述NP光刻板包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域。
5.如權(quán)利要求4所述的新型LED芯片的制作方法，其特征在于，所述步驟S12中的光刻膠為正光刻膠，所述步驟S22的光刻膠為負(fù)光刻膠； 所述步驟S12具體為:在所述ITO層表面均勻涂布一層3um正光刻膠，并通過MESA光刻板覆蓋形成在所述ITO層上的光刻膠層進(jìn)行曝光、烘烤以及顯影后，從而形成具有MESA圖層的光刻膠層； 所述步驟S22具體為:在所述S12層表面均勻涂布一層3um負(fù)光刻膠，并通過NP光刻板對形成在所述S12層上的光刻膠層進(jìn)行曝光、烘烤以及顯影后，從而形成具有NP圖層的光刻膠層。
6.如權(quán)利要求1所述的新型LED芯片的制作方法，其特征在于，在所述S13中，使用ITO蝕刻液將未被所述具有MESA圖層的光刻膠層覆蓋的ITO層蝕刻掉。
7.如權(quán)利要求1所述的新型LED芯片的制作方法，其特征在于，在所述步驟S15中，通過去膠液將所述具有MESA圖層的光刻膠層去除；在所述步驟S25中，通過去膠液將所述具有NP圖層的光刻膠層去除。
8.如權(quán)利要求1所述的新型LED芯片的制作方法，其特征在于，在所述步驟S21，使用PECVD設(shè)備在P-GaN層上的經(jīng)ITO蝕刻后的ITO層和N-GaN層臺階上蒸鍍形成所述S12層；在所述S23中，使用BOE蝕刻液將未被所述具有NP圖層的光刻膠層覆蓋的S12層蝕刻掉。
9.如權(quán)利要求1所述的新型LED芯片的制作方法，其特征在于，在所述步驟S24中，使用金屬蒸鍍機(jī)在S12層蝕刻掉的所述區(qū)域表面對應(yīng)蒸鍍鉻鉬金，使用撕金機(jī)將多余的金屬粘掉，從而形成所述P電極和N電極。
10.如權(quán)利要求1所述的新型LED芯片的制作方法，其特征在于， 在所述步驟Sll中，ITO層蒸鍍厚度為2300A ； 在所述步驟S13中，對所述ITO層進(jìn)行ITO蝕刻使ITO層內(nèi)縮寬度為2 um -5um ； 在所述步驟S14中,對所述外延片表面進(jìn)行向下蝕刻深度為1.4 um -1.6um ； 在所述步驟S21中，S12層蒸鍍厚度為2300A ； 在所述步驟S23中，對所述S12層進(jìn)行蝕刻使S12層內(nèi)縮寬度為I um _5um。
【文檔編號】H01L33/00GK104362226SQ201410517850
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月30日
【發(fā)明者】高俊民, 許鍵, 吳偉東, 李愛玲, 成濤, 王占偉, 于海蓮 申請人:山東成林光電技術(shù)有限責(zé)任公司