技術(shù)編號(hào):7059685
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi)了一種新型LED芯片的制作方法,包括MESA光刻和NP光刻,MESA光刻為對(duì)外延片表面蒸鍍ITO層后涂光刻膠再進(jìn)行MESA光刻形成具有MESA圖層的光刻膠層,然后對(duì)ITO層進(jìn)行ITO蝕刻以及對(duì)外延片表面進(jìn)行向下蝕刻;最后去除具有MESA圖層的光刻膠層;NP光刻具體為在ITO層和N-GaN層臺(tái)階上蒸鍍SiO2層后涂布光刻膠,再對(duì)光刻膠層進(jìn)行NP光刻形成具有NP圖層的光刻膠層;然后對(duì)所述SiO2層進(jìn)行蝕刻;再然后在SiO2層蝕刻掉的區(qū)域形成P電極和N...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。