一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠有效提高存儲(chǔ)電容。該陣列基板包括襯底基板和依次位于所述襯底基板上的同層設(shè)置的柵線(xiàn)和公共電極、柵極絕緣層、有源層、同層設(shè)置的源極和漏極，所述陣列基板還包括像素電極，所述像素電極和所述有源層同層設(shè)置。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器是一種常用的顯示裝置，其具有輕薄和低功耗等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于顯示、通信、多媒體等多個(gè)【技術(shù)領(lǐng)域】。
[0003]具體地，液晶顯示器包括陣列基板，陣列基板的結(jié)構(gòu)如圖1所示，陣列基板包括襯底基板I’以及依次設(shè)置于襯底基板I’上的同層設(shè)置的柵極2’和公共電極3’，柵極絕緣層4’，有源層5’，同層設(shè)置的源極6’、漏極V和數(shù)據(jù)線(xiàn)8’，鈍化層9’和像素電極10’。其中，像素電極10’、鈍化層9’、柵極絕緣層4’和公共電極3’構(gòu)成存儲(chǔ)電容，存儲(chǔ)電容的作用在于維持液晶顯示器的顯示畫(huà)面的穩(wěn)定。
[0004]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板上的存儲(chǔ)電容較小，不利于顯示畫(huà)面的穩(wěn)定。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠有效提高存儲(chǔ)電容。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，采用如下技術(shù)方案:
[0007]—種陣列基板，包括襯底基板和依次位于所述襯底基板上的同層設(shè)置的柵線(xiàn)和公共電極、柵極絕緣層、有源層、同層設(shè)置的數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極和漏極，所述陣列基板還包括像素電極，所述像素電極和所述有源層同層設(shè)置。
[0008]所述漏極覆蓋所述有源層靠近所述像素電極的一端以及所述像素電極靠近所述有源層的一端，并填充在所述有源層和所述像素電極之間。
[0009]所述有源層包括金屬氧化物半導(dǎo)體，所述像素電極為金屬氧化物半導(dǎo)體經(jīng)金屬化處理形成，其中，用于形成所述像素電極的金屬氧化物半導(dǎo)體與所述有源層包括的金屬氧化物半導(dǎo)體的材料相同。
[0010]所述有源層包括歐姆接觸區(qū)和位于所述歐姆接觸區(qū)之間的用于作為溝道的溝道區(qū)，所述陣列基板還包括位于所述溝道區(qū)上的刻蝕阻擋結(jié)構(gòu)。
[0011]所述有源層包括兩個(gè)所述歐姆接觸區(qū)，所述源極覆蓋一個(gè)所述歐姆接觸區(qū)，所述漏極覆蓋另一個(gè)所述歐姆接觸區(qū)以及所述像素電極靠近所述有源層的一端，并填充在所述有源層和所述像素電極之間。
[0012]所述公共電極包括與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)平行的部分和與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)垂直的部分。
[0013]所述陣列基板還包括位于同層設(shè)置的所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、所述源極和所述漏極上的鈍化層以及位于所述鈍化層上的透明電極，所述透明電極位于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述公共電極上方。
[0014]非顯示區(qū)域內(nèi)的所述透明電極包括三個(gè)相互獨(dú)立的透明導(dǎo)電部分，其中第一個(gè)透明導(dǎo)電部分通過(guò)過(guò)孔連接所述柵線(xiàn)，第二個(gè)透明導(dǎo)電部分通過(guò)過(guò)孔連接所述公共電極，第三個(gè)透明導(dǎo)電部分通過(guò)過(guò)孔連接所述數(shù)據(jù)線(xiàn)。
[0015]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括襯底基板和依次位于襯底基板上的同層設(shè)置的柵線(xiàn)和公共電極、柵極絕緣層、有源層、同層設(shè)置的數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極和漏極，陣列基板還包括像素電極，像素電極和有源層同層設(shè)置，現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板上的存儲(chǔ)電容為像素電極、鈍化層、柵極絕緣層和公共電極形成的電容，而本發(fā)明實(shí)施例中像素電極和公共電極之間的僅設(shè)置有柵極絕緣層，存儲(chǔ)電容為像素電極、柵極絕緣層和公共電極形成的電容，從而能夠有效提高存儲(chǔ)電容，改善顯示裝置的顯示效果。
[0016]此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括以上任一種實(shí)施方式所述的陣列基板。
[0017]為了進(jìn)一步解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法，采用如下技術(shù)方案:
[0018]一種陣列基板的制作方法包括:
[0019]在襯底基板上形成包括柵線(xiàn)和公共電極的圖形；
[0020]在形成了包括所述柵線(xiàn)和所述公共電極的圖形的所述襯底基板上，形成柵極絕緣層；
[0021]在形成了所述柵極絕緣層的所述襯底基板上，形成包括有源層和像素電極的圖形，所述像素電極和所述有源層同層設(shè)置；
[0022]在形成了包括所述像素電極的圖形的所述襯底基板上，形成包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極和漏極的圖形。
[0023]所述在形成了柵極絕緣層的所述襯底基板上，形成包括有源層和像素電極的圖形，所述像素電極和所述有源層同層設(shè)置，包括:
[0024]在形成了所述柵極絕緣層的所述襯底基板上，沉積一層金屬氧化物半導(dǎo)體層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括所述有源層和像素電極預(yù)結(jié)構(gòu)的圖形；
[0025]對(duì)所述像素電極預(yù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行金屬化處理，形成所述像素電極。
[0026]所述金屬化處理包括在100-300°C還原性氣氛中對(duì)所述像素電極預(yù)結(jié)構(gòu)中的金屬氧化物半導(dǎo)體處理30-120min。
[0027]所述還原性氣氛包括氫氣或者含氫等離子體。
[0028]所述在形成了所述柵極絕緣層的所述襯底基板上，沉積一層金屬氧化物半導(dǎo)體層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括所述有源層和像素電極預(yù)結(jié)構(gòu)的圖形，包括:
[0029]在形成了所述柵極絕緣層的所述襯底基板上，沉積一層金屬氧化物半導(dǎo)體層；
[0030]在形成了所述金屬氧化物半導(dǎo)體層的所述襯底基板上，形成一層刻蝕阻擋層；
[0031]在形成了所述刻蝕阻擋層的所述襯底基板上，涂覆一層光刻膠；
[0032]通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成光刻膠完全保留區(qū)、光刻膠部分保留區(qū)和光刻膠完全去除區(qū)，所述光刻膠完全保留區(qū)對(duì)應(yīng)于所述有源層中用于作為溝道的溝道區(qū)所在區(qū)域，所述光刻膠部分保留區(qū)對(duì)應(yīng)于所述有源層中的歐姆接觸區(qū)所在區(qū)域和所述像素電極所在區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)于其他區(qū)域；
[0033]刻蝕去除無(wú)所述光刻膠覆蓋區(qū)域的所述刻蝕阻擋層和所述金屬氧化物半導(dǎo)體層；
[0034]通過(guò)灰化工藝去除所述光刻膠部分保留區(qū)，同時(shí)所述光刻膠完全保留區(qū)的厚度減?。?br> [0035]將去除所述光刻膠部分保留區(qū)后暴露的所述刻蝕阻擋層去除；
[0036]剝離所述光刻膠，形成包括所述有源層、所述像素電極預(yù)結(jié)構(gòu)和所述刻蝕阻擋結(jié)構(gòu)的圖形，所述刻蝕阻擋結(jié)構(gòu)位于所述有源層中用于作為溝道的溝道區(qū)上；
[0037]所述對(duì)所述像素電極預(yù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行金屬化處理，形成所述像素電極的同時(shí)，對(duì)所述有源層中用于形成所述歐姆接觸區(qū)的區(qū)域進(jìn)行金屬化處理，形成所述歐姆接觸區(qū)，其中所述溝道區(qū)上覆蓋有所述刻蝕阻擋結(jié)構(gòu)，所述溝道區(qū)未被金屬化處理，以形成包括所述歐姆接觸區(qū)和所述溝道區(qū)的所述有源層。
[0038]所述陣列基板的制作方法還包括:
[0039]在形成了包括所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、所述源極和所述漏極的圖形的所述襯底基板上，形成鈍化層；
[0040]在形成了所述鈍化層的所述襯底基板上，形成包括透明電極的圖形，所述透明電極位于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述公共電極上方。
[0041]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，該陣列基板的制作方法包括:在襯底基板上形成包括柵線(xiàn)和公共電極的圖形，形成柵極絕緣層，形成包括有源層的圖形，形成包括像素電極的圖形，像素電極和有源層同層設(shè)置，形成包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極和漏極的圖形?，F(xiàn)有技術(shù)中陣列基板上的存儲(chǔ)電容為像素電極、鈍化層、柵極絕緣層和公共電極形成的電容，而采用本發(fā)明實(shí)施例的制作方法制作的陣列基板上的像素電極和公共電極之間的僅設(shè)置有柵極絕緣層，存儲(chǔ)電容為像素電極、柵極絕緣層和公共電極形成的電容，從而能夠有效提高存儲(chǔ)電容，改善顯示裝置的顯示效果。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0042]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0043]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板的截面不意圖；
[0044]圖2為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的平面示意圖；
[0045]圖3為本發(fā)明實(shí)施例中圖2沿A-A’方向的截面示意圖；
[0046]圖4為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的制作過(guò)程示意圖；
[0047]圖5為本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的制作流程圖；
[0048]圖6為本發(fā)明實(shí)施例中在形成了柵極絕緣層的襯底基板上，形成包括同層設(shè)置的有源層和像素電極的圖形的制作過(guò)程示意圖；
[0049]圖7為本發(fā)明實(shí)施例中在形成了柵極絕緣層的襯底基板上，形成包括同層設(shè)置的有源層和像素電極的圖形的具體流程圖。
[0050]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0051]10—襯底基板； 20—柵線(xiàn)； 21—公共電極；
[0052]30一柵極絕緣層；40—有源層；41 一歐姆接觸區(qū)；
[0053]42—溝道區(qū)；50—像素電極；60—數(shù)據(jù)線(xiàn)；
[0054]61—源極；62—漏極； 70—鈍化層；
[0055]80—刻蝕阻擋結(jié)構(gòu)；90—透明電極；31—金屬氧化物半導(dǎo)體層；
[0056]
[0057]32—刻蝕阻擋層；33—光刻膠；331—光刻膠完全保留區(qū)；
[0058]
[0059]332—光刻膠部分保留區(qū)；333—光刻膠完全去除區(qū)。
[0060]

【具體實(shí)施方式】
[0061]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0062]實(shí)施例一
[0063]如圖2和圖3所示，該陣列基板包括襯底基板10和依次位于襯底基板10上的同層設(shè)置的柵線(xiàn)20和公共電極21、柵極絕緣層30(圖2是陣列基板的平面示意圖，圖2中無(wú)法看到柵極絕緣層30)、有源層40、同層設(shè)置的數(shù)據(jù)線(xiàn)60、源極61和漏極62，該陣列基板還包括像素電極50，像素電極50和有源層40同層設(shè)置。此時(shí)，存儲(chǔ)電容為像素電極50、柵極絕緣層30和公共電極21形成的電容，而現(xiàn)有技術(shù)中存儲(chǔ)電容為像素電極、鈍化層、柵極絕緣層和公共電極形成的電容，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例中的存儲(chǔ)電容中的絕緣層僅為柵極絕緣層30，從而使得像素電極50、柵極絕緣層30和公共電極21形成的存儲(chǔ)電容較大，從而能夠有效改善顯示裝置的顯示效果。此外，由于像素電極50和有源層40同層設(shè)置，因此，漏極62覆蓋有源層40靠近像素電極50的一端以及像素電極50靠近有源層40的一端，并填充在有源層40和像素電極50之間，以實(shí)現(xiàn)漏極62與像素電極50的連接。
[0064]如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例中的公共電極21包括與數(shù)據(jù)線(xiàn)60平行的部分和與數(shù)據(jù)線(xiàn)60垂直的部分，此種設(shè)計(jì)能夠有效減小公共電極21的電阻，改善陣列基板的性能。
[0065]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板上未設(shè)置有柵極，而是使有源層40位于柵線(xiàn)20上方，柵線(xiàn)20上的信號(hào)即可實(shí)現(xiàn)對(duì)有源層40的控制，進(jìn)而控制源極和漏極之間是否導(dǎo)通，本領(lǐng)域技術(shù)人員也可以在陣列基板上設(shè)置柵極，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不進(jìn)行限定。
[0066]進(jìn)一步地，由于金屬氧化物半導(dǎo)體具有較高的遷移率，因此，本發(fā)明實(shí)施例中的有源層40包括金屬氧化物半導(dǎo)體。為了簡(jiǎn)化陣列基板的制作方法，本發(fā)明實(shí)施例中的像素電極50為金屬氧化物半導(dǎo)體經(jīng)金屬化處理形成的結(jié)構(gòu)，且用于形成像素電極50的金屬氧化物半導(dǎo)體與作為有源層40的金屬氧化物半導(dǎo)體的材料相同。示例性地，上述金屬氧化物半導(dǎo)體可以為InGaZnO、InGaO, ITZO、AlZnO中的一種或者多種。
[0067]進(jìn)一步地，如圖3所示，有源層40包括歐姆接觸區(qū)41和位于歐姆接觸區(qū)41之間的用于作為溝道的溝道區(qū)42，其中，歐姆接觸區(qū)41可通過(guò)對(duì)有源層40中用于作為歐姆接觸區(qū)41的區(qū)域進(jìn)行金屬化處理形成。此時(shí)，陣列基板還包括位于溝道區(qū)42上的刻蝕阻擋結(jié)構(gòu)80?？涛g阻擋結(jié)構(gòu)80的作用在于:在金屬化處理過(guò)程中保證溝道區(qū)42的金屬氧化物半導(dǎo)體不被金屬化處理。
[0068]示例性地，有源層40包括兩個(gè)歐姆接觸區(qū)41時(shí)，源極61覆蓋一個(gè)歐姆接觸區(qū)41，漏極62覆蓋另一個(gè)歐姆接觸區(qū)41以及像素電極50靠近有源層40的一端，并填充在有源層40和像素電極50之間，以實(shí)現(xiàn)漏極62和像素電極50的連接。
[0069]此外，如圖2和圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板還包括位于同層設(shè)置的數(shù)據(jù)線(xiàn)60、源極61和漏極62上的鈍化層70以及位于鈍化層70上的透明電極90，透明電極90位于數(shù)據(jù)線(xiàn)60和公共電極21上方。一方面，能夠減小數(shù)據(jù)線(xiàn)60和像素電極50之間形成的耦合電容，從而減小數(shù)據(jù)線(xiàn)60和像素電極50之間的串?dāng)_。非顯示區(qū)域內(nèi)的透明電極90包括多個(gè)相互獨(dú)立的透明導(dǎo)電部分，每個(gè)透明導(dǎo)電部分通過(guò)過(guò)孔連接下方的導(dǎo)線(xiàn)。示例性地，非顯示區(qū)域內(nèi)的透明電極90包括三個(gè)相互獨(dú)立的透明導(dǎo)電部分，其中第一個(gè)透明導(dǎo)電部分通過(guò)過(guò)孔連接?xùn)啪€(xiàn)20，將柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供給柵線(xiàn)，第二個(gè)透明導(dǎo)電部分通過(guò)過(guò)孔連接公共電極21，將公共電極信號(hào)提供給公共電極21，第三個(gè)透明導(dǎo)電部分通過(guò)過(guò)孔連接數(shù)據(jù)線(xiàn)60，從而將數(shù)據(jù)信號(hào)提供給數(shù)據(jù)線(xiàn)60。
[0070]另一方面，由于像素電極50上覆蓋有鈍化層70和透明電極90，當(dāng)液晶盒內(nèi)部存在金屬性異物時(shí)，金屬性異物不會(huì)使得像素電極50和彩膜基板上的公共電極直接導(dǎo)通，不會(huì)影響顯示裝置的顯示效果。
[0071 ] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括襯底基板和依次位于襯底基板上的同層設(shè)置的柵線(xiàn)和公共電極、柵極絕緣層、有源層、同層設(shè)置的數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極和漏極，陣列基板還包括像素電極，像素電極和有源層同層設(shè)置，現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板上的存儲(chǔ)電容為像素電極、鈍化層、柵極絕緣層和公共電極形成的電容，而本發(fā)明實(shí)施例中像素電極和公共電極之間的僅設(shè)置有柵極絕緣層，存儲(chǔ)電容為像素電極、柵極絕緣層和公共電極形成的電容，從而能夠有效提高存儲(chǔ)電容，改善顯示裝置的顯示效果。
[0072]此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括以上任一種實(shí)施方式所述的陣列基板。該顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、有機(jī)發(fā)光顯示面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0073]實(shí)施例二
[0074]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，該陣列基板的制作方法用于制作實(shí)施例一中所述的陣列基板，具體地，陣列基板的制作過(guò)程如圖4所示，具體包括圖5所示的各個(gè)步驟。
[0075]步驟S501、在襯底基板10上形成包括柵線(xiàn)20和公共電極21的圖形。
[0076]首先，在襯底基板10上沉積一層?xùn)艠O金屬層；其次，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵線(xiàn)20和公共電極21的圖形。需要說(shuō)明的是，如無(wú)特別強(qiáng)調(diào)，本申請(qǐng)中的構(gòu)圖工藝包括:涂覆光刻膠、使用具有相應(yīng)圖案的掩膜板遮蓋、曝光、顯影、刻蝕和剝離光刻膠。
[0077]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例中未在陣列基板上形成柵極，本領(lǐng)域技術(shù)人員也可以在形成柵線(xiàn)20的同時(shí)形成柵極，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不進(jìn)行限定。
[0078]步驟S502、在形成了包括柵線(xiàn)20和公共電極21的圖形的襯底基板10上，形成柵極絕緣層30。
[0079]步驟S503、在形成了柵極絕緣層30的襯底基板10上，形成包括有源層40和像素電極50的圖形，像素電極50和有源層40同層設(shè)置。
[0080]首先，在形成了柵極絕緣層30的襯底基板10上，沉積一層金屬氧化物半導(dǎo)體層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括有源層40和像素電極預(yù)結(jié)構(gòu)的圖形。
[0081]其次，對(duì)像素電極預(yù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行金屬化處理，形成像素電極50。具體地，金屬化處理包括在100-300 °C還原性氣氛中對(duì)像素電極預(yù)結(jié)構(gòu)中的金屬氧化物半導(dǎo)體處理30-120min,還原性氣氛包括氫氣或者含氫等離子體。在金屬化處理過(guò)程中，將氫兀素?fù)诫s入金屬氧化物半導(dǎo)體中，從而使得金屬氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)化為導(dǎo)體。
[0082]步驟S504、在形成了包括像素電極50的圖形的襯底基板10上，形成包括數(shù)據(jù)線(xiàn)60、源極61和漏極62的圖形。
[0083]首先，在形成了包括像素電極50的圖形的襯底基板10上沉積一層數(shù)據(jù)線(xiàn)金屬層；其次，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線(xiàn)60、源極61和漏極62的圖形。
[0084]進(jìn)一步地，步驟S503中在形成了柵極絕緣層30的襯底基板10上，沉積一層金屬氧化物半導(dǎo)體層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括有源層40和像素電極預(yù)結(jié)構(gòu)的圖形的制作過(guò)程如圖6所示,具體包括如圖7所示的步驟。
[0085]步驟S701、在形成了柵極絕緣層30的襯底基板10上，沉積一層金屬氧化物半導(dǎo)體層31。
[0086]步驟S702、在形成了金屬氧化物半導(dǎo)體層31的襯底基板10上，形成一層刻蝕阻擋層32。
[0087]步驟S703、在形成了刻蝕阻擋層32的襯底基板10上，涂覆一層光刻膠33。
[0088]步驟S704、通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成光刻膠完全保留區(qū)331、光刻膠部分保留區(qū)332和光刻膠完全去除區(qū)333。
[0089]其中，光刻膠完全保留區(qū)331對(duì)應(yīng)于有源層中用于作為溝道的溝道區(qū)所在區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)332對(duì)應(yīng)于有源層中的歐姆接觸區(qū)所在區(qū)域和像素電極所在區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)333對(duì)應(yīng)于其他區(qū)域。
[0090]在構(gòu)圖工藝中優(yōu)選使用灰階掩膜板，該灰階掩膜板包括完全不透光區(qū)、半透光區(qū)和完全透光區(qū)，完全不透光區(qū)對(duì)應(yīng)于有源層中用于作為溝道的溝道區(qū)所在區(qū)域，顯影后光刻膠33完全保留，形成光刻膠完全保留區(qū)331，半透光區(qū)對(duì)應(yīng)于有源層中的歐姆接觸區(qū)和像素電極所在區(qū)域，顯影后光刻膠33部分保留，形成光刻膠部分保留區(qū)332，完全透光區(qū)對(duì)應(yīng)于其他區(qū)域，顯影后光刻膠33完全去除，形成光刻膠完全去除區(qū)333。
[0091]步驟S705、刻蝕去除光刻膠完全去除區(qū)333的刻蝕阻擋層32和金屬氧化物半導(dǎo)體層31。
[0092]步驟S706、通過(guò)灰化工藝去除部分光刻膠部分保留區(qū)332，同時(shí)光刻膠完全保留區(qū)331的厚度減薄。
[0093]步驟S707、將去除光刻膠部分保留區(qū)332后暴露的刻蝕阻擋層32去除。
[0094]步驟S708、剝離光刻膠33，形成包括有源層、像素電極預(yù)結(jié)構(gòu)和刻蝕阻擋結(jié)構(gòu)的圖形，刻蝕阻擋結(jié)構(gòu)位于有源層中用于作為溝道的溝道區(qū)上。
[0095]此時(shí)，對(duì)像素電極預(yù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行金屬化處理，形成像素電極的同時(shí)，對(duì)有源層中歐姆接觸區(qū)所在區(qū)域進(jìn)行金屬化處理，形成歐姆接觸區(qū)，其中溝道區(qū)上覆蓋有刻蝕阻擋結(jié)構(gòu)，使得溝道區(qū)未被金屬化處理，以形成包括歐姆接觸區(qū)和溝道區(qū)的有源層。
[0096]此外，陣列基板的制作方法還包括在形成了包括數(shù)據(jù)線(xiàn)60、源極61和漏極62的圖形的襯底基板10上，形成鈍化層70，以及在形成了鈍化層70的襯底基板10上，形成包括透明電極90的圖形，透明電極90位于數(shù)據(jù)線(xiàn)和公共電極21上方，從而對(duì)數(shù)據(jù)線(xiàn)60和像素電極50之間的電場(chǎng)具有屏蔽作用，能夠有效減小數(shù)據(jù)線(xiàn)60和像素電極50之間的串?dāng)_。非顯示區(qū)域內(nèi)的透明電極90還可以通過(guò)過(guò)孔與其他導(dǎo)線(xiàn)層相連，從而將外部信號(hào)傳輸至各導(dǎo)線(xiàn)層。
[0097]此外，在陣列基板上形成各個(gè)膜層之前還包括清洗的步驟，以提高陣列基板的質(zhì)量。
[0098]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，該陣列基板的制作方法包括:在襯底基板上形成包括柵線(xiàn)和公共電極的圖形，形成柵極絕緣層，形成包括有源層的圖形，形成包括像素電極的圖形，像素電極和有源層同層設(shè)置，形成包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極和漏極的圖形?，F(xiàn)有技術(shù)中陣列基板上的存儲(chǔ)電容為像素電極、鈍化層、柵極絕緣層和公共電極形成的電容，而采用本發(fā)明實(shí)施例的制作方法制作的陣列基板上的像素電極和公共電極之間的僅設(shè)置有柵極絕緣層，存儲(chǔ)電容為像素電極、柵極絕緣層和公共電極形成的電容，從而能夠有效提高存儲(chǔ)電容，改善顯示裝置的顯示效果。
[0099]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括襯底基板和依次位于所述襯底基板上的同層設(shè)置的柵線(xiàn)和公共電極、柵極絕緣層、有源層、同層設(shè)置的數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極和漏極，其特征在于， 所述陣列基板還包括像素電極，所述像素電極和所述有源層同層設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述有源層包括金屬氧化物半導(dǎo)體，所述像素電極為金屬氧化物半導(dǎo)體經(jīng)金屬化處理形成，其中，用于形成所述像素電極的金屬氧化物半導(dǎo)體與所述有源層包括的金屬氧化物半導(dǎo)體的材料相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于， 所述有源層包括歐姆接觸區(qū)和位于所述歐姆接觸區(qū)之間的用于作為溝道的溝道區(qū)，所述陣列基板還包括位于所述溝道區(qū)上的刻蝕阻擋結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于， 所述源極和漏極分別設(shè)置在位于所述溝道區(qū)兩側(cè)的所述歐姆接觸區(qū)上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于， 所述像素電極與靠近所述像素電極一側(cè)的歐姆接觸層之間間隔設(shè)置，且所述漏極還填充在所述間隔之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述公共電極包括與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)平行的部分和與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)垂直的部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于， 還包括位于同層設(shè)置的所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、所述源極和所述漏極上的鈍化層以及位于所述鈍化層上的透明電極，所述透明電極位于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述公共電極上方。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于， 非顯示區(qū)域內(nèi)的所述透明電極包括三個(gè)相互獨(dú)立的透明導(dǎo)電部分，其中第一個(gè)透明導(dǎo)電部分通過(guò)過(guò)孔連接所述柵線(xiàn)，第二個(gè)透明導(dǎo)電部分通過(guò)過(guò)孔連接所述公共電極，第三個(gè)透明導(dǎo)電部分通過(guò)過(guò)孔連接所述數(shù)據(jù)線(xiàn)。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的陣列基板。
10.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上形成包括柵線(xiàn)和公共電極的圖形； 在形成了包括所述柵線(xiàn)和所述公共電極的圖形的所述襯底基板上，形成柵極絕緣層； 在形成了所述柵極絕緣層的所述襯底基板上，形成包括有源層和像素電極的圖形，所述像素電極和所述有源層同層設(shè)置； 在形成了包括所述像素電極的圖形的所述襯底基板上，形成包括數(shù)據(jù)線(xiàn)、源極和漏極的圖形。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述在形成了柵極絕緣層的所述襯底基板上，形成包括有源層和像素電極的圖形，所述像素電極和所述有源層同層設(shè)置，包括: 在形成了所述柵極絕緣層的所述襯底基板上，沉積一層金屬氧化物半導(dǎo)體層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括所述有源層和像素電極預(yù)結(jié)構(gòu)的圖形； 對(duì)所述像素電極預(yù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行金屬化處理，形成所述像素電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述金屬化處理包括在100-300°C還原性氣氛中對(duì)所述像素電極預(yù)結(jié)構(gòu)中的金屬氧化物半導(dǎo)體處理30-120min。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述還原性氣氛包括氫氣或者含氫等離子體。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述在形成了所述柵極絕緣層的所述襯底基板上，沉積一層金屬氧化物半導(dǎo)體層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括所述有源層和像素電極預(yù)結(jié)構(gòu)的圖形，包括: 在形成了所述柵極絕緣層的所述襯底基板上，沉積一層金屬氧化物半導(dǎo)體層； 在形成了所述金屬氧化物半導(dǎo)體層的所述襯底基板上，形成一層刻蝕阻擋層； 在形成了所述刻蝕阻擋層的所述襯底基板上，涂覆一層光刻膠； 通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成光刻膠完全保留區(qū)、光刻膠部分保留區(qū)和光刻膠完全去除區(qū)，所述光刻膠完全保留區(qū)對(duì)應(yīng)于所述有源層中用于作為溝道的溝道區(qū)所在區(qū)域，所述光刻膠部分保留區(qū)對(duì)應(yīng)于所述有源層中的歐姆接觸區(qū)所在區(qū)域和所述像素電極所在區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)于其他區(qū)域； 去除無(wú)所述光刻膠覆蓋區(qū)域的所述刻蝕阻擋層和所述金屬氧化物半導(dǎo)體層； 去除所述光刻膠部分保留區(qū)，同時(shí)所述光刻膠完全保留區(qū)的厚度減薄； 將去除所述光刻膠部分保留區(qū)后暴露的所述刻蝕阻擋層去除； 剝離所述光刻膠，形成包括所述有源層、所述像素電極預(yù)結(jié)構(gòu)和所述刻蝕阻擋結(jié)構(gòu)的圖形，所述刻蝕阻擋結(jié)構(gòu)位于所述有源層中用于作為溝道的溝道區(qū)上； 所述對(duì)所述像素電極預(yù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行金屬化處理，形成所述像素電極的同時(shí)，對(duì)所述有源層中用于形成所述歐姆接觸區(qū)的區(qū)域進(jìn)行金屬化處理，形成所述歐姆接觸區(qū)，其中所述溝道區(qū)上覆蓋有所述刻蝕阻擋結(jié)構(gòu)，所述溝道區(qū)未被金屬化處理，以形成包括所述歐姆接觸區(qū)和所述溝道區(qū)的所述有源層。
15.根據(jù)權(quán)利要求10-14任一項(xiàng)所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括: 在形成了包括所述數(shù)據(jù)線(xiàn)、所述源極和所述漏極的圖形的所述襯底基板上，形成鈍化層； 在形成了所述鈍化層的所述襯底基板上，形成包括透明電極的圖形，所述透明電極位于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述公共電極上方。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK104269414SQ201410498785
【公開(kāi)日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2014年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月25日
【發(fā)明者】王盛 申請(qǐng)人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司