一種有機發(fā)光二極管陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種有機發(fā)光二極管陣列基板及其制作方法、顯示裝置，該有機發(fā)光二極管陣列基板包括：柵線和數(shù)據(jù)線，以及由所述柵線和所述數(shù)據(jù)線限定的多個像素單元，每個所述像素單元包括發(fā)光的第一區(qū)域和不發(fā)光的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域設(shè)置有有機發(fā)光二極管，所述第二區(qū)域設(shè)置有與所述數(shù)據(jù)線并聯(lián)的導(dǎo)電單元，所述導(dǎo)電單元與所述有機發(fā)光二極管的陰極同層設(shè)置。本發(fā)明中，通過設(shè)置于像素單元的不發(fā)光區(qū)域的導(dǎo)電單元與數(shù)據(jù)線并聯(lián)，以降低數(shù)據(jù)線的電阻，從而降低壓降對有機發(fā)光二極管顯示裝置的影響。
【專利說明】一種有機發(fā)光二極管陣列基板及其制作方法、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機發(fā)光二極管(OLED)顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種有機發(fā)光二極管陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]透明顯示作為一種全新的顯示技術(shù)，可以讓觀察者透過顯示屏幕看到屏幕后方的背景，這種新穎的顯示效果拓寬了顯示器的應(yīng)用領(lǐng)域，可以被應(yīng)用于手機，筆記本電腦，展示櫥窗，冰箱門，車載顯示器及廣告牌等顯示裝置上。
[0003]請參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的透明OLED顯示面板的像素結(jié)構(gòu)示意圖，該像素結(jié)構(gòu)包括:發(fā)光區(qū)域10和不發(fā)光的透明區(qū)域20，其中，不透明的薄膜晶體管(TFT)陣列和有機發(fā)光二極管設(shè)置于發(fā)光區(qū)域中。陰極層11為半透明陰極，同時位于發(fā)光區(qū)域10和不發(fā)光的透明區(qū)域20，在不發(fā)光的透明區(qū)域20中還設(shè)置有縱向的金屬數(shù)據(jù)線(data line)21,金屬數(shù)據(jù)線21的存在降低了透明OLED顯示面板的透過率。為解決該問題，可通過減小金屬數(shù)據(jù)線21的寬度，或者采用透明金屬氧化物(如氧化銦錫(ITO))替代金屬材料制作數(shù)據(jù)線，以提升透明OLED顯示面板的透過率。然而，減小金屬數(shù)據(jù)線的寬度，或者采用透明金屬氧化物制作數(shù)據(jù)線，均會造成數(shù)據(jù)線的電阻變大，從而造成OLED顯示器件的壓降(IRdrop)增加，影響OLED顯示面板的顯示效果。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供一種有機發(fā)光二極管陣列基板及其制作方法、顯示裝置，以降低透明有機發(fā)光二極管陣列基板中數(shù)據(jù)線的電阻。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種有機發(fā)光二極管陣列基板，包括:
[0006]柵線和數(shù)據(jù)線，以及由所述柵線和所述數(shù)據(jù)線限定的多個像素單元，每個所述像素單元包括發(fā)光的第一區(qū)域和不發(fā)光的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域設(shè)置有有機發(fā)光二極管，所述第二區(qū)域設(shè)置有與所述數(shù)據(jù)線并聯(lián)的導(dǎo)電單元，所述導(dǎo)電單元與所述有機發(fā)光二極管的陰極同層設(shè)置。
[0007]優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)線與所述導(dǎo)電單元通過至少兩個過孔并聯(lián)。
[0008]優(yōu)選地，所述有機發(fā)光二極管陣列基板還包括:隔離部，所述陰極和所述導(dǎo)電單元通過所述隔離部絕緣隔離。
[0009]優(yōu)選地，所述隔離部為口字型，所述導(dǎo)電單元位于所述隔離部之中。
[0010]優(yōu)選地，所述隔離部的高度高于所述陰極和所述導(dǎo)電單元的高度。
[0011 ] 優(yōu)選地，所述隔離部與所述陰極及所述導(dǎo)電單元的高度差位于2?5微米范圍內(nèi)。
[0012]優(yōu)選地，所述隔離部的截面為柱狀倒梯形。
[0013]本發(fā)明還提供一種有機發(fā)光二極管陣列基板的制作方法，包括:
[0014]形成柵線和數(shù)據(jù)線，以及由所述柵線和所述數(shù)據(jù)線限定的多個像素單元的步驟，其中，每個所述像素單元包括發(fā)光的第一區(qū)域和不發(fā)光的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域形成有有機發(fā)光二極管，所述第二區(qū)域形成有與所述數(shù)據(jù)線并聯(lián)的導(dǎo)電單元，所述導(dǎo)電單元與所述有機發(fā)光二極管的陰極同層設(shè)置。
[0015]優(yōu)選地，所述形成多個像素單元的步驟包括:
[0016]提供一襯底；
[0017]在所述襯底上形成有機發(fā)光二極管的陽極和像素定義層，并在對應(yīng)數(shù)據(jù)線的位置形成貫通所述像素定義層的過孔；
[0018]在所述陽極上形成有機發(fā)光二極管的有機層；
[0019]在所述像素定義層上形成隔離部；
[0020]形成一層陰極金屬層，所述陰極金屬層的高度低于所述隔離部的高度，所述隔離部將所述陰極金屬層隔離成兩部分，一部分作為有機發(fā)光二極管的陰極，一部分作為導(dǎo)電單元，所述導(dǎo)電單元通過所述過孔與所述數(shù)據(jù)線連接。
[0021]本發(fā)明還提供一種有機發(fā)光二極管顯示裝置，包括上述有機發(fā)光二極管陣列基板。
[0022]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0023]通過設(shè)置于像素單元的不發(fā)光區(qū)域的導(dǎo)電單元與數(shù)據(jù)線并聯(lián)，以降低數(shù)據(jù)線的電阻，從而降低壓降對有機發(fā)光二極管顯示裝置的影響。
[0024]此外，可以通過將現(xiàn)有的整層設(shè)置的陰極層絕緣隔開，位于像素單元的發(fā)光區(qū)域的部分作為有機發(fā)光二極管的陰極，位于不發(fā)光區(qū)域的部分作為導(dǎo)電單元，實現(xiàn)起來較為簡單，成本較低。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的透明OLED顯示面板的像素結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2為本發(fā)明一實施例的OLED陣列基板的俯視圖；
[0027]圖3為本發(fā)明一實施例的像素單元的俯視放大圖；
[0028]圖4為本發(fā)明一實施例的OLED陣列基板的剖面圖；
[0029]圖5為本發(fā)明另一實施例的OLED陣列基板的剖面圖。
[0030]附圖標記:
[0031]圖1:
[0032]發(fā)光區(qū)域10
[0033]不發(fā)光的透明區(qū)域20
[0034]數(shù)據(jù)線21
[0035]陰極層11
[0036]圖2-圖 5:
[0037]襯底101
[0038]緩沖層102
[0039]有源層103
[0040]柵絕緣層104
[0041]柵極105
[0042]層間絕緣層106
[0043]源漏極107
[0044]鈍化層108
[0045]平坦化層109
[0046]數(shù)據(jù)線110
[0047]像素定義層111
[0048]過孔112
[0049]隔離部113
[0050]陽極114
[0051]有機層115
[0052]陰極層的第一部分116
[0053]導(dǎo)電單元117
[0054]柵線120
[0055]發(fā)射光的第一區(qū)域130
[0056]不發(fā)光的第二區(qū)域140
[0057]供電線150

【具體實施方式】
[0058]為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實施例進行詳細描述。
[0059]為解決現(xiàn)有的透明OLED陣列基板中數(shù)據(jù)線的電阻大的問題，請參考圖2和圖3，本發(fā)明實施例提供一種OLED陣列基板，包括:供電線150、柵線120和數(shù)據(jù)線110，以及由所述柵線120和數(shù)據(jù)線110限定的多個像素單元100，每一所述像素單元100包括:發(fā)射光的第一區(qū)域130和不發(fā)光的第二區(qū)域140，所述第一區(qū)域130設(shè)置有有機發(fā)光二極管(圖中僅示出有機發(fā)光二極管的陰極116)，所述第二區(qū)域140設(shè)置有與所述數(shù)據(jù)線110并聯(lián)的導(dǎo)電單元117，所述導(dǎo)電單元117與所述有機發(fā)光二極管的陰極116同層設(shè)置。其中，供電線150用于為有機發(fā)光二極管的陽極供電。
[0060]本發(fā)明實施例中，通過設(shè)置于像素單元100的不發(fā)光區(qū)域的導(dǎo)電單元117與數(shù)據(jù)線110并聯(lián)，以降低數(shù)據(jù)線110的電阻，從而降低壓降對有機發(fā)光二極管顯示裝置的影響。
[0061]本發(fā)明實施例的像素單元還可以包括薄膜晶體管，薄膜晶體管設(shè)置于發(fā)射光的第一區(qū)域130,薄膜晶體管與有機發(fā)光二極管連接,用于驅(qū)動有機發(fā)光二極管發(fā)光。
[0062]此外，本發(fā)明實施例的OLED陣列基板還可以包括像素定義層。
[0063]本實施例中，優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)線110與所述導(dǎo)電單元117通過至少兩個過孔112并聯(lián)。
[0064]所述陰極116和導(dǎo)電單元117同層且可以同材料設(shè)置，通常采用金屬材料制成。優(yōu)選地，所述陰極116和導(dǎo)電單元117可以采用半透明金屬材料制成，使得不發(fā)光的第二區(qū)域140為半透明區(qū)域，以實現(xiàn)透明顯示。具體可以采用Ag，Mg，Al等金屬中的一種或其合金制成，所述陰極116和導(dǎo)電單元117的高度可以為10-30納米(nm)。
[0065]為提高透明OLED陣列基板的透過率，優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)線110可以采用透明金屬氧化物材料制成，如ITO或IZO(氧化銦鋅)等。透明金屬氧化物材料制成的數(shù)據(jù)線可以與所述有機發(fā)光二極管的陽極位于同一層。當所述陽極為包括金屬氧化物層和金屬反射層的多層結(jié)構(gòu)的陽極時，所述數(shù)據(jù)線還可以與陽極的金屬氧化物層通過一次構(gòu)圖工藝同時形成。
[0066]另外，所述數(shù)據(jù)線也可以采用金屬材料制成。優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)線可以與所述薄膜晶體管的源漏極采用一次構(gòu)圖工藝同時形成，即數(shù)據(jù)線與采用與所述薄膜晶體管的源漏極相同的金屬材料制成，此時，所述數(shù)據(jù)線與所述薄膜晶體管的源漏極位于同一層。
[0067]本發(fā)明實施例中，所述有機發(fā)光二極管陣列基板還可以包括:隔離部，所述陰極116和所述導(dǎo)電單元117可以通過所述隔離部113絕緣隔離。
[0068]優(yōu)選地，如圖2和圖3所示所述隔離部113為口字型，所述導(dǎo)電單元117位于所述隔離部113之中，被所述隔離部113圍住。
[0069]優(yōu)選地，所述隔離部113的高度高于所述陰極116和所述導(dǎo)電單元117的高度，所述隔離部113與所述陰極116及所述導(dǎo)電單元117的高度差可以位于2?5um范圍內(nèi)。
[0070]本發(fā)明實施例中，可以先形成隔離部113，然后再采用open mask(共同層金屬掩膜板)等工藝形成一層陰極金屬層，由于所述陰極金屬層的高度低于所述隔離部113的高度，所述金屬層能夠被隔離部113絕緣隔開，在像素單元100的第一區(qū)域130形成有機發(fā)光二極管的陰極116，在像素單元100的第二區(qū)域140形成導(dǎo)電單元117。優(yōu)選地，所述隔離部113的截面為柱狀倒梯形。
[0071]由于利用現(xiàn)有的陰極層的一部分用以減小數(shù)據(jù)線110的電阻，實現(xiàn)起來較為簡單，成本較低。
[0072]當然，本發(fā)明的其他實施例中，也可以采用構(gòu)圖工藝形成隔離分開的陰極及所述導(dǎo)電單元。
[0073]請參考圖4，圖4為本發(fā)明一實施例的OLED陣列基板的剖面圖，所述OLED陣列基板包括:
[0074]襯底101 ;
[0075]緩沖層102，覆蓋于所述襯底101之上；
[0076]有源層103，設(shè)置于所述緩沖層102之上；
[0077]柵絕緣層104，覆蓋于所述有源層103之上；
[0078]柵極105，設(shè)置于所述柵絕緣層104之上；
[0079]層間絕緣層106，覆蓋于所述柵極105之上；
[0080]源漏極107，設(shè)置于所述層間絕緣層106之上；
[0081]鈍化層108，覆蓋于所述源漏極107之上；
[0082]平坦化層109，覆蓋于所述鈍化層108之上；
[0083]數(shù)據(jù)線110，設(shè)置于所述平坦化層109之上；
[0084]像素定義層111，設(shè)置于所述數(shù)據(jù)線110之上，所述像素定義層111上開設(shè)有至少兩個過孔112 ；
[0085]隔離部113，設(shè)置于所述像素定義層111之上，隔離部113為口字型，截面為柱狀倒梯形；
[0086]陽極114，設(shè)置于所述平坦化層109之上，與所述數(shù)據(jù)線110同層設(shè)置；
[0087]有機層115，設(shè)置于所述陽極114之上；
[0088]陰極116，設(shè)置于所述有機層115之上；
[0089]導(dǎo)電單元117，與所述陰極116同層同材料設(shè)置，設(shè)置于所述像素定義層111之上，陰極116和導(dǎo)電單元117通過隔離部113絕緣隔開，導(dǎo)電單元117通過貫通像素定義層111的過孔112與所述數(shù)據(jù)線110并聯(lián)。
[0090]其中，有源層103、柵絕緣層104、柵極105、層間絕緣層106及源漏極107構(gòu)成像素單元的薄膜晶體管。陽極114、有機層115和陰極116構(gòu)成像素單元的有機發(fā)光二極管。
[0091]請參考圖5，圖5為本發(fā)明另一實施例的OLED陣列基板的剖面圖，所述OLED陣列基板包括:
[0092]襯底101 ;
[0093]緩沖層102，覆蓋于所述襯底101之上；
[0094]有源層103，設(shè)置于所述緩沖層102之上；
[0095]柵絕緣層104，覆蓋于所述有源層103之上；
[0096]柵極105，設(shè)置于所述柵絕緣層104之上；
[0097]層間絕緣層106，覆蓋于所述柵極105之上；
[0098]源漏極107，設(shè)置于所述層間絕緣層106之上；
[0099]數(shù)據(jù)線110，設(shè)置于所述層間絕緣層106之上，與所述源漏及107同層同材料設(shè)置；
[0100]鈍化層108，覆蓋于所述源漏極107和所述數(shù)據(jù)線110之上；
[0101]平坦化層109，覆蓋于所述鈍化層108之上；
[0102]像素定義層111，設(shè)置于所述平坦化層109之上；
[0103]隔離部113，設(shè)置于所述像素定義層之上，隔離部113為口字型，截面為柱狀倒梯形；
[0104]陽極114，設(shè)置于所述平坦化層109之上；
[0105]有機層115，設(shè)置于所述陽極114之上；
[0106]陰極116，設(shè)置于所述有機層115之上；
[0107]導(dǎo)電單元117，與所述陰極116同層同材料設(shè)置，設(shè)置于所述像素定義層111之上，陰極116和導(dǎo)電單元117通過隔離部113絕緣隔開，導(dǎo)電單元117通過貫通像素定義層111、平坦化層109、鈍化層108的過孔112與所述數(shù)據(jù)線110并聯(lián)。
[0108]其中，有源層103、柵絕緣層104、柵極105、層間絕緣層106及源漏極107構(gòu)成像素單元的薄膜晶體管。陽極114、有機層115和陰極116構(gòu)成像素單元的有機發(fā)光二極管。
[0109]上述兩實施例中，薄膜晶體管均為頂柵結(jié)構(gòu)，當然，在本發(fā)明的其他實施例中，薄膜晶體管還可以為底柵結(jié)構(gòu)。
[0110]本發(fā)明實施例還提供一種有機發(fā)光二極管顯示裝置，包括上述任一實施例中的有機發(fā)光二極管陣列基板。
[0111]本發(fā)明實施例還提供一種有機發(fā)光二極管陣列基板的制作方法，包括:
[0112]形成柵線和數(shù)據(jù)線，以及由所述柵線和所述數(shù)據(jù)線限定的多個像素單元的步驟，其中，每個所述像素單元包括發(fā)光的第一區(qū)域和不發(fā)光的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域形成有有機發(fā)光二極管，所述第二區(qū)域形成有與所述數(shù)據(jù)線并聯(lián)的導(dǎo)電單元，所述導(dǎo)電單元與所述有機發(fā)光二極管的陰極同層設(shè)置。
[0113]本發(fā)明實施例中，通過設(shè)置于像素單元的不發(fā)光區(qū)域的導(dǎo)電單元與數(shù)據(jù)線并聯(lián)，以降低數(shù)據(jù)線的電阻，從而降低壓降對有機發(fā)光二極管顯示裝置的影響。
[0114]優(yōu)選地，所述形成多個像素單元的步驟包括:
[0115]提供一襯底；
[0116]在所述襯底上形成有機發(fā)光二極管的陽極和像素定義層，并在對應(yīng)數(shù)據(jù)線的位置形成貫通所述像素定義層的過孔；
[0117]在所述陽極上形成有機發(fā)光二極管的有機層；
[0118]在所述像素定義層上形成隔離部；
[0119]形成一層陰極金屬層，所述陰極金屬層的高度低于所述隔離部的高度，所述隔離部將所述陰極金屬層隔離成兩部分，一部分作為有機發(fā)光二極管的陰極，一部分作為導(dǎo)電單元，所述導(dǎo)電單元通過所述過孔與所述數(shù)據(jù)線連接。
[0120]本發(fā)明實施例中，利用現(xiàn)有的陰極層的一部分用以減小數(shù)據(jù)線的電阻，實現(xiàn)起來較為簡單，成本較低。
[0121]在一具體實施例中，所述形成多個像素單元的步驟包括:
[0122]Sll:提供一襯底；
[0123]S12:在所述襯底上形成薄膜晶體管；
[0124]S13:在形成有所述薄膜晶體管的襯底上形成數(shù)據(jù)線和有機發(fā)光二極管的陽極；
[0125]S14:形成像素定義層和隔離部，并在對應(yīng)數(shù)據(jù)線的位置形成至少兩個貫通所述像素定義層的過孔；
[0126]S15:在所述陽極的上方形成所述有機發(fā)光二極管的有機層；
[0127]S16:形成陰極金屬層，所述陰極金屬層被所述隔離部隔離成兩部分，一部分作為所述有機發(fā)光二極管的陰極，一部分通過所述過孔與所述數(shù)據(jù)線并聯(lián)。
[0128]本實施例中，所述數(shù)據(jù)線可以采用透明金屬氧化物材料制成。
[0129]在另一具體實施例中，所述形成多個像素單元的步驟包括:
[0130]S21:提供一襯底；
[0131]S22:在所述襯底上形成薄膜晶體管和數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述薄膜晶體管的源漏極通過一次構(gòu)圖工藝形成；
[0132]S23:形成覆蓋所述薄膜晶體管和所述數(shù)據(jù)線的鈍化層和平坦化層；
[0133]S24:形成有機發(fā)光二極管的陽極；
[0134]S25:形成像素定義層和隔離部，并在對應(yīng)數(shù)據(jù)線的位置形成至少兩個貫通所述像素定義層、所述平坦化層及所述鈍化層的過孔；
[0135]S26:在所述陽極的上方形成所述有機發(fā)光二極管的有機層；
[0136]S27:形成陰極金屬層，所述陰極金屬層被所述隔離部隔離成兩部分，一部分作為所述有機發(fā)光二極管的陰極，一部分通過所述過孔與所述數(shù)據(jù)線并聯(lián)。
[0137]本實施例中，所述數(shù)據(jù)線采用與所述薄膜晶體管的源漏極相同的金屬材料制成。
[0138]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有機發(fā)光二極管陣列基板，包括:柵線和數(shù)據(jù)線，以及由所述柵線和所述數(shù)據(jù)線限定的多個像素單元，每個所述像素單元包括發(fā)光的第一區(qū)域和不發(fā)光的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域設(shè)置有有機發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二區(qū)域設(shè)置有與所述數(shù)據(jù)線并聯(lián)的導(dǎo)電單元，所述導(dǎo)電單元與所述有機發(fā)光二極管的陰極同層設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的所述有機發(fā)光二極管陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線與所述導(dǎo)電單元通過至少兩個過孔并聯(lián)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的所述有機發(fā)光二極管陣列基板，其特征在于，還包括:隔離部，所述陰極和所述導(dǎo)電單元通過所述隔離部絕緣隔離。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的所述有機發(fā)光二極管陣列基板，其特征在于，所述隔離部為口字型，所述導(dǎo)電單元位于所述隔離部之中。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的所述有機發(fā)光二極管陣列基板，其特征在于，所述隔離部的高度高于所述陰極和所述導(dǎo)電單元的高度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的所述有機發(fā)光二極管陣列基板，其特征在于，所述隔離部與所述陰極及所述導(dǎo)電單元的高度差位于2?5微米范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的所述有機發(fā)光二極管陣列基板，其特征在于，所述隔離部的截面為柱狀倒梯形。
8.一種有機發(fā)光二極管陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 形成柵線和數(shù)據(jù)線，以及由所述柵線和所述數(shù)據(jù)線限定的多個像素單元的步驟，其中，每個所述像素單元包括發(fā)光的第一區(qū)域和不發(fā)光的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域形成有有機發(fā)光二極管，所述第二區(qū)域形成有與所述數(shù)據(jù)線并聯(lián)的導(dǎo)電單元，所述導(dǎo)電單元與所述有機發(fā)光二極管的陰極同層設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光二極管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述形成多個像素單元的步驟包括: 提供一襯底； 在所述襯底上形成有機發(fā)光二極管的陽極和像素定義層，并在對應(yīng)數(shù)據(jù)線的位置形成貫通所述像素定義層的過孔； 在所述陽極上形成有機發(fā)光二極管的有機層； 在所述像素定義層上形成隔離部； 形成一層陰極金屬層，所述陰極金屬層的高度低于所述隔離部的高度，所述隔離部將所述陰極金屬層隔離成兩部分，一部分作為有機發(fā)光二極管的陰極，一部分作為導(dǎo)電單元，所述導(dǎo)電單元通過所述過孔與所述數(shù)據(jù)線連接。
10.一種有機發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-7任一項所述的有機發(fā)光二極管陣列基板。
【文檔編號】H01L51/56GK104253148SQ201410491588
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2014年9月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月23日
【發(fā)明者】張粲, 劉利賓 申請人:京東方科技集團股份有限公司