陣列基板及其制作方法、液晶顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于液晶顯示領(lǐng)域，公開(kāi)了一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置，所述方法包括：在柵絕緣層上形成金屬氧化物半導(dǎo)體層和蝕刻阻擋層；對(duì)蝕刻阻擋層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，在所述蝕刻阻擋層上形成源電極接觸區(qū)過(guò)孔、漏電極接觸區(qū)過(guò)孔以及圍繞待形成的源漏電極圖案的隔離區(qū)；在所述蝕刻阻擋層上形成源漏電極層；在對(duì)所述源漏電極層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝形成源漏電極圖案的過(guò)程中，去除金屬氧化物半導(dǎo)體層與所述隔離區(qū)對(duì)應(yīng)的部分，以使所述金屬氧化物半導(dǎo)體層在與所述隔離區(qū)對(duì)應(yīng)的位置斷開(kāi)。本發(fā)明需要去除的金屬氧化物半導(dǎo)體層僅是位于隔離區(qū)的，避免了大面積刻蝕蝕刻阻擋層造成的資源浪費(fèi)。
【專利說(shuō)明】陣列基板及其制作方法、液晶顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，平板顯示器已取代笨重的CRT顯示器日益深入人們的日 常生活中。目前，常用的平板顯示器包括IXD(Liquid Crystal Display:液晶顯示器）和 0LED(0rganic Light-Emitting Diode:有機(jī)發(fā)光二極管）顯示器。尤其是IXD平板顯示 器，由于其具有體積小、重量輕、厚度薄、功耗低、無(wú)輻射等特點(diǎn)，近年來(lái)得到了迅速地發(fā)展， 在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)中占據(jù)了主導(dǎo)地位，在各種大中小尺寸的產(chǎn)品上得到了廣泛的應(yīng) 用，幾乎涵蓋了當(dāng)今信息社會(huì)的主要電子產(chǎn)品，如液晶電視、電腦、手機(jī)、PDA、GPS、車(chē)載顯 示、投影顯示、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、電子手表、計(jì)算器、電子儀器、儀表、公共顯示和虛幻顯示 等多個(gè)領(lǐng)域。
[0003] 在成像過(guò)程中，IXD顯示器中每一液晶像素點(diǎn)都由集成在TFT陣列基板中的薄膜 晶體管（Thin Film Transistor:簡(jiǎn)稱TFT)來(lái)驅(qū)動(dòng)，再配合外圍驅(qū)動(dòng)電路，實(shí)現(xiàn)圖像顯示； 有源矩陣驅(qū)動(dòng)式〇LED(Active Matrix Organic Light Emission Display，簡(jiǎn)稱AM0LED)顯 示器中由TFT基板中的TFT驅(qū)動(dòng)OLED面板中對(duì)應(yīng)的OLED像素，再配合外圍驅(qū)動(dòng)電路，實(shí)現(xiàn) 圖像顯示。在上述顯示器中，TFT是控制發(fā)光的開(kāi)關(guān)，是實(shí)現(xiàn)液晶顯示器和0LED顯示器大 尺寸的關(guān)鍵，直接關(guān)系到高性能平板顯示器的發(fā)展方向。
[0004] 在現(xiàn)有平板顯示器生產(chǎn)技術(shù)中，已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的TFT主要有非晶硅TFT、多晶硅 TFT、單晶硅TFT等，用于制備平板顯示器中陣列基板使用最多的是非晶硅TFT。目前，隨著 技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了金屬氧化物TFT，金屬氧化物TFT具有載流子遷移率高的優(yōu)點(diǎn)，使得TFT 可以做的很小，而使平板顯示器的分辨率越高，顯示效果越好；同時(shí)用金屬氧化物TFT還具 有特性不均現(xiàn)象少、材料和工藝成本降低、工藝溫度低、可利用涂布工藝、透明率高、帶隙大 等優(yōu)點(diǎn)，備受:業(yè)界關(guān)注。
[0005] 目前，制作金屬氧化物TFT -般采用六次光刻工藝，主要是因?yàn)樵诳涛g源漏金屬 電極時(shí)會(huì)腐蝕掉金屬氧化物半導(dǎo)體層，因此一般在金屬氧化物半導(dǎo)體層上面增加一次刻蝕 阻擋層，以便保護(hù)金屬氧化物半導(dǎo)體層在刻蝕源漏金屬電極的過(guò)程中不被源漏金屬的刻蝕 液腐蝕。一般來(lái)說(shuō)，在制作金屬氧化物TFT過(guò)程中所用掩模板的數(shù)量越少，生產(chǎn)效率越高， 成本就越低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 為了解決現(xiàn)有制作金屬氧化物TFT過(guò)程中效率較低，成本較高的問(wèn)題，本發(fā)明提 供了一種陣列基板及其制作方法、液晶顯示裝置。
[0007] 本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種陣列基板的制作方法，包括：
[0008] 在柵絕緣層上形成金屬氧化物半導(dǎo)體層和蝕刻阻擋層；
[0009] 對(duì)蝕刻阻擋層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，在所述蝕刻阻擋層上形成源電極接觸區(qū)過(guò)孔、 漏電極接觸區(qū)過(guò)孔以及圍繞待形成的源漏電極圖案的隔離區(qū)；
[0010] 在所述蝕刻阻擋層上形成源漏電極層；
[0011] 在對(duì)所述源漏電極層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝形成源漏電極圖案的過(guò)程中，去除金屬氧 化物半導(dǎo)體層與所述隔離區(qū)對(duì)應(yīng)的部分，以使所述金屬氧化物半導(dǎo)體層在與所述隔離區(qū)對(duì) 應(yīng)的位置斷開(kāi)。
[0012] 本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括：
[0013] 形成在基板上的柵電極、柵絕緣層；
[0014] 形成在柵絕緣層上的金屬氧化物半導(dǎo)體層和蝕刻阻擋層；
[0015] 形成在所述蝕刻阻擋層上的源漏電極層；
[0016] 所述蝕刻阻擋層形成有圍繞源漏電極圖案的隔離區(qū)，所述金屬氧化物半導(dǎo)體層在 與所述隔離區(qū)對(duì)應(yīng)的位置斷開(kāi)。
[0017] 本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括所述的陣列基板。
[0018] 本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明制作陣列基板形成的金屬氧化物半導(dǎo)體層在形成蝕 刻阻擋層之前不進(jìn)行刻蝕，對(duì)蝕刻阻擋層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成源、漏電極接觸區(qū)過(guò)孔以及圍 繞待形成的源漏電極圖案的隔離區(qū)，在形成源漏電極層之后通過(guò)一次構(gòu)圖工藝去除隔離區(qū) 的金屬氧化物半導(dǎo)體，以使所述金屬氧化物半導(dǎo)體層在與所述隔離區(qū)對(duì)應(yīng)的位置斷開(kāi)。本 發(fā)明需要去除的金屬氧化物半導(dǎo)體層僅是位于隔離區(qū)的，為此，蝕刻阻擋層在源漏電極圖 案之外的區(qū)域的刻蝕只需刻蝕隔離區(qū)位置對(duì)應(yīng)的部分，也避免了大面積刻蝕蝕刻阻擋層造 成的資源浪費(fèi)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019] 圖1為本發(fā)明一種實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020] 圖2為本發(fā)明形成陣列基板的第一次構(gòu)圖工藝的示意圖；
[0021] 圖3為本發(fā)明形成陣列基板的第二次構(gòu)圖工藝的示意圖；
[0022] 圖4為本發(fā)明形成陣列基板的第三次構(gòu)圖工藝的示意圖；
[0023] 圖5為本發(fā)明形成陣列基板的第四次構(gòu)圖工藝的示意圖；
[0024] 圖6為本發(fā)明形成陣列基板的第五次構(gòu)圖工藝的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0025] 為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具 體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0026] 本發(fā)明提供了一種陣列基板的制作方法，該方法包括如下步驟：
[0027] S101 :在柵絕緣層上形成金屬氧化物半導(dǎo)體層和蝕刻阻擋層；
[0028] S102:對(duì)蝕刻阻擋層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，對(duì)蝕刻阻擋層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，在所述 蝕刻阻擋層上形成源電極接觸區(qū)過(guò)孔、漏電極接觸區(qū)過(guò)孔以及圍繞待形成的源漏電極圖案 的隔離區(qū)；
[0029] S103 :在所述蝕刻阻擋層上形成源漏電極層；
[0030] S104:在對(duì)所述源漏電極層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝形成源漏電極圖案的過(guò)程中，去除 金屬氧化物半導(dǎo)體層與所述隔離區(qū)對(duì)應(yīng)的部分，以使所述金屬氧化物半導(dǎo)體層在與所述隔 離區(qū)對(duì)應(yīng)的位置斷開(kāi)。
[0031] 本發(fā)明制作陣列基板形成的金屬氧化物半導(dǎo)體層在形成蝕刻阻擋層之前不進(jìn)行 刻蝕，對(duì)蝕刻阻擋層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成源、漏電極接觸區(qū)過(guò)孔以及圍繞待形成的源漏電極 圖案的隔離區(qū)，在形成源漏電極層之后通過(guò)一次構(gòu)圖工藝去除隔離區(qū)的金屬氧化物半導(dǎo) 體，以使所述金屬氧化物半導(dǎo)體層在與所述隔離區(qū)對(duì)應(yīng)的位置斷開(kāi)。本發(fā)明需要去除的金 屬氧化物半導(dǎo)體層僅是位于隔離區(qū)的，為此，蝕刻阻擋層在源漏電極圖案之外的區(qū)域的刻 蝕只需刻蝕隔離區(qū)位置對(duì)應(yīng)的部分，也避免了大面積刻蝕蝕刻阻擋層造成的資源浪費(fèi)。
[0032] 步驟S101之前還包括形成柵電極和柵絕緣層的步驟，如圖2和3所示，在基板1 上形成柵金屬膜，對(duì)所述柵金屬膜通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成柵電極圖案。在形成柵電極2之 后，在所述柵電極上形成柵絕緣層3。形成柵絕緣層3之后，在柵絕緣層上形成金屬氧化物 半導(dǎo)體層4和位于金屬氧化物半導(dǎo)體層4上的蝕刻阻擋層5?，F(xiàn)有工藝在該步驟需要對(duì)金 屬氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，需要進(jìn)行一次光刻操作。而本發(fā)明在該步驟中不對(duì)金屬氧化 物半導(dǎo)體層4進(jìn)行刻蝕，直接在金屬氧化物半導(dǎo)體層4上形成蝕刻阻擋層5。
[0033] 步驟S102中，對(duì)蝕刻阻擋層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，在所述蝕刻阻擋層上形成源電極 接觸區(qū)過(guò)孔、漏電極接觸區(qū)過(guò)孔以及圍繞待形成的源漏電極圖案的隔離區(qū)。其中，源漏電極 圖案的隔離區(qū)是指圍繞在源漏電極圖案周?chē)⑴c源漏電極圖案相隔離的區(qū)域。該步驟對(duì)蝕 刻阻擋層進(jìn)行構(gòu)圖工藝可以采用刻蝕等構(gòu)圖工藝，構(gòu)圖工藝之后在蝕刻阻擋層上形成源電 極接觸區(qū)過(guò)孔、漏電極接觸區(qū)過(guò)孔以及隔離區(qū)。
[0034] 步驟S103中，在所述蝕刻阻擋層上形成源漏電極層，利用構(gòu)圖工藝形成源漏電極 層。形成源漏電極層的構(gòu)圖工藝可以采用現(xiàn)有的刻蝕工藝。
[0035] 步驟S104中，在對(duì)所述源漏電極層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝形成源漏電極圖案的過(guò)程 中，圍繞在源漏電極圖案的隔離區(qū)中具有金屬氧化物半導(dǎo)體，隔離區(qū)的金屬氧化物半導(dǎo)體 是與其他區(qū)域的金屬氧化物半導(dǎo)體連接在一起的。該步驟通過(guò)一次構(gòu)圖工藝去除金屬氧化 物半導(dǎo)體層與所述隔離區(qū)對(duì)應(yīng)的部分，以使所述金屬氧化物半導(dǎo)體層在與所述隔離區(qū)對(duì)應(yīng) 的位置斷開(kāi)。
[0036] 優(yōu)選地，該步驟在通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成源漏電極圖案的過(guò)程中，是通過(guò)源漏電 極刻蝕介質(zhì)去除金屬氧化物半導(dǎo)體層與所述隔離區(qū)對(duì)應(yīng)的部分，以使所述金屬氧化物半導(dǎo) 體層在與所述隔離區(qū)對(duì)應(yīng)的位置斷開(kāi)。由于金屬氧化物半導(dǎo)體層在隔離區(qū)被暴露出來(lái)，為 此通過(guò)源漏電極刻蝕介質(zhì)去除隔離區(qū)的金屬氧化物半導(dǎo)體，此時(shí)就可以形成與金屬氧化物 半導(dǎo)體層相隔離的源漏電極圖案。本發(fā)明需要去除的金屬氧化物半導(dǎo)體層僅是位于隔離區(qū) 的，為此，蝕刻阻擋層在源漏電極圖案之外的區(qū)域的刻蝕只需刻蝕隔離區(qū)位置對(duì)應(yīng)的部分， 也避免了大面積刻蝕蝕刻阻擋層造成的資源浪費(fèi)。
[0037] 在步驟S104之后還包括如下步驟：
[0038] S105 :形成接觸過(guò)孔圖案；在使所述金屬氧化物半導(dǎo)體層在與所述隔離區(qū)對(duì)應(yīng)的 位置斷開(kāi)之后，還包括：
[0039] 在所述源漏電極層上形成保護(hù)層，對(duì)所述保護(hù)層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝形成用于連接 像素電極和所述漏電極的接觸過(guò)孔圖案。
[0040] S106:形成像素電極圖案。在所述源漏電極層上形成保護(hù)層，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形 成用于連接像素電極和所述漏電極的接觸過(guò)孔圖案的步驟之后包括：
[0041] 在所述保護(hù)層上形成導(dǎo)電層，對(duì)所述導(dǎo)電層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝形成像素電極圖 案。
[0042] 圖2-6給出了形成陣列基板的流程圖，具體工藝流程包括：
[0043] 步驟1、在基板上采用濺射或熱蒸發(fā)的方法依次沉積厚度約為2000 ~ 1 0000入 的柵金屬膜。柵金屬膜可以選用Cr、W、Cu、Ti、Ta、Mo等金屬或合金，由多層金屬組成的柵 金屬層也能滿足需要。通過(guò)一次普通的光刻工藝后，形成柵電極2，如圖3所示。
[0044] 步驟2、在完成步驟1的基板上通過(guò)PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法）方法 連續(xù)沉積厚度為2000 ~ 8000 A的柵絕緣層3,柵絕緣層3可以選用氧化物、氮化物或者 氧氮化合物，所述PECVD方法中形成氧化硅對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體采用SiH4, N20 ;所述PECVD方法 中形成氮化物或氧氮化合物對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體是SiH4、NH3、N2或SiH 2Cl2、NH3、N2 ;然后在柵絕 緣層上通過(guò)濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積上厚度約為1 00 ~ 2000 A的金屬氧化物半導(dǎo)體層4， 金屬氧化物半導(dǎo)體層可以是采用非晶IGZO、HIZO、IZO、a-InZnO、a-InZnO、ZnO: F、ln203: Sn、 In203:Mo、Cd2Sn04、ZnO:Al、Ti0 2:Nb、Cd-Sn-Ο或其他金屬氧化物制成，接著再通過(guò)PECVD方 法沉積厚度為5 00 ~ 4000 A的蝕刻阻擋層5,蝕刻阻擋層可以選用氧化物、氮化物或者 氧氮化合物，硅的氧化物對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4, N20 ;氮化物或者氧氮化合物對(duì)應(yīng)氣 體是SiH4, NH3, N2或SiH2Cl2, NH3, N2 ;蝕刻阻擋層也可以使用A1203，或者雙層的阻擋結(jié)構(gòu)。 然后通過(guò)一次普通的光刻工藝后形成源、漏電極的接觸區(qū)過(guò)孔及圍繞在源漏電極圖案周?chē)?的隔離區(qū)10,如圖3所示。
[0045] 步驟3、在完成步驟2的基板上采用濺射或熱蒸發(fā)的方法依次沉積上厚度為 2000 ~ 1 0000A的源漏金屬膜。源漏金屬膜可以選用Cr、W、Cu、Ti、Ta、Mo等金屬或合金， 由多層金屬組成的柵金屬層也能滿足需要。通過(guò)一次普通的光刻工藝形成源電極6、漏電 極7及數(shù)據(jù)線，在刻蝕源漏金屬電極時(shí)利用刻蝕源漏金屬電極的介質(zhì)刻蝕掉圍繞在源漏電 極圖案的隔離區(qū)10對(duì)應(yīng)位置的金屬氧化物半導(dǎo)體，如圖4所示。
[0046] 步驟4、在完成步驟3的基板上通過(guò)PECVD方法沉積厚度為5 00 ~ 3000人的金 屬氧化物保護(hù)層8,金屬氧化物保護(hù)層8可以選用單層的氧化硅或氮化硅與氧化硅的復(fù)合 結(jié)構(gòu)，或者氮化硅/氮氧化硅/氧化硅的三層結(jié)構(gòu)，氧化硅、氮氧化硅、氮化硅對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣 體可以為 N20, SiH4 AO, SiH4, NH3, N2 ;SiH4, NH3, N2 或 SiH2Cl2, NH3, N2。通過(guò)一次普通的光刻 工藝形成漏電極的接觸過(guò)孔11，如圖5所示。在所述源漏電極層上形成保護(hù)層，對(duì)所述保護(hù) 層通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成用于連接像素電極和所述漏電極的接觸過(guò)孔12。
[0047] 步驟5、在完成步驟4的基板上通過(guò)濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積上厚度100 ~ 2000 A透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層可以是IT0或者IZ0,或者其他的透明金屬氧化物；對(duì)透 明導(dǎo)電層通過(guò)一次光刻工藝形成像素電極9,其截面圖如圖6所示
[0048] 在步驟5之后完成TFT陣列之后的陣列基板的平面圖如圖1所示。
[0049] 本發(fā)明制作金屬氧化物TFT采用了五次光刻工藝，巧妙地設(shè)計(jì)TFT的結(jié)構(gòu)，使用普 通的掩膜版減少一次光刻工藝，主要是使用源漏極層的圖案作為透明金屬氧化物半導(dǎo)體層 的掩膜版，形成半導(dǎo)體層圖案。這樣設(shè)計(jì)不但減少一次光刻工藝，同時(shí)還還避免了蝕刻阻擋 層的大面積刻蝕工藝，有利于提高生產(chǎn)效率。使用本發(fā)明設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，完成金屬氧化物半導(dǎo)體 層的沉積之后直接沉積刻蝕蝕刻阻擋層，這樣有利于形成良好的界面，有利于提升金屬氧 化物半導(dǎo)體測(cè)性能。
[0050] 本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括：
[0051] 形成在基板上的柵電極、柵絕緣層；
[0052] 形成在柵絕緣層上的金屬氧化物半導(dǎo)體層和蝕刻阻擋層；
[0053] 形成在所述蝕刻阻擋層上的源漏電極層，
[0054] 所述蝕刻阻擋層形成有圍繞源漏電極圖案的隔離區(qū)，所述金屬氧化物半導(dǎo)體層在 與所述隔離區(qū)對(duì)應(yīng)的位置斷開(kāi)。
[0055] 優(yōu)選地，在所述源漏電極層上形成有保護(hù)層，所述保護(hù)層形成有用于連接像素電 極和所述漏電極的接觸過(guò)孔圖案。
[0056] 優(yōu)選地，所述蝕刻阻擋層上還形成有數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述源漏電極圖案中 的源極連接。
[0057] 本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括所述的陣列基板。該顯示裝置使用了如上述 實(shí)施例所述的任意一種背光模組。所述顯示裝置可以為：液晶面板、電子紙、0LED面板、手 機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品 或部件。
[0058] 上述技術(shù)方案制作的陣列基板是通過(guò)源漏電極刻蝕介質(zhì)去除隔離區(qū)的金屬氧化 物半導(dǎo)體，從而減少了一次光刻工藝。而且本發(fā)明需要去除的金屬氧化物半導(dǎo)體僅是位于 隔離區(qū)的，為此，蝕刻阻擋層在源漏電極圖案之外的區(qū)域的刻蝕只需刻蝕隔離區(qū)對(duì)應(yīng)的部 分，也避免了大面積刻蝕蝕刻阻擋層造成的資源浪費(fèi)。
[0059] 以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員 來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也 應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括： 在柵絕緣層上形成金屬氧化物半導(dǎo)體層和蝕刻阻擋層； 對(duì)蝕刻阻擋層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，在所述蝕刻阻擋層上形成源電極接觸區(qū)過(guò)孔、漏電 極接觸區(qū)過(guò)孔以及圍繞待形成的源漏電極圖案的隔離區(qū)； 在所述蝕刻阻擋層上形成源漏電極層； 在對(duì)所述源漏電極層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝形成源漏電極圖案的過(guò)程中，去除金屬氧化物 半導(dǎo)體層與所述隔離區(qū)對(duì)應(yīng)的部分，以使所述金屬氧化物半導(dǎo)體層在與所述隔離區(qū)對(duì)應(yīng)的 位置斷開(kāi)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于：在對(duì)所述源漏電極層進(jìn)行一次構(gòu)圖 工藝形成源漏電極圖案的過(guò)程中，是通過(guò)源漏電極刻蝕介質(zhì)去除金屬氧化物半導(dǎo)體層與所 述隔離區(qū)對(duì)應(yīng)的部分。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在柵絕緣層上形成 金屬氧化物半導(dǎo)體層和蝕刻阻擋層的步驟之前，還包括： 在基板上形成柵金屬膜，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成柵電極圖案； 在所述柵電極上形成柵絕緣層； 在所述柵絕緣層上形成金屬氧化物半導(dǎo)體層，所述蝕刻阻擋層形成在所述金屬氧化物 半導(dǎo)體層上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述形成源漏電極層的 步驟包括： 在所述蝕刻阻擋層上形成金屬膜，對(duì)所述金屬膜進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝形成源漏電極圖 案、數(shù)據(jù)線圖案。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在使所述金屬氧化物半 導(dǎo)體層在與所述隔離區(qū)對(duì)應(yīng)的位置斷開(kāi)之后，還包括： 在所述源漏電極層上形成保護(hù)層，對(duì)所述保護(hù)層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝形成用于連接像素 電極和所述漏電極的接觸過(guò)孔圖案。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述源漏電極層 上形成保護(hù)層，對(duì)所述保持層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝形成用于連接像素電極和所述漏電極的接 觸過(guò)孔圖案的步驟之后包括： 在所述保護(hù)層上形成導(dǎo)電層，對(duì)所述導(dǎo)電層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝形成像素電極圖案。
7. -種陣列基板，其特征在于，包括： 形成在基板上的柵電極、柵絕緣層； 形成在柵絕緣層上的金屬氧化物半導(dǎo)體層和蝕刻阻擋層； 形成在所述蝕刻阻擋層上的源漏電極層； 所述蝕刻阻擋層形成有圍繞源漏電極圖案的隔離區(qū)，所述金屬氧化物半導(dǎo)體層在與所 述隔離區(qū)對(duì)應(yīng)的位置斷開(kāi)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于：在所述源漏電極層上形成有保護(hù)層， 所述保護(hù)層形成有用于連接像素電極和所述漏電極的接觸過(guò)孔圖案。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于：所述蝕刻阻擋層上還形成有數(shù)據(jù)線， 所述數(shù)據(jù)線與所述源漏電極圖案中的源極連接。
10. -種顯示裝置，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求7-9任何一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK104269413SQ201410486673
【公開(kāi)日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2014年9月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月22日
【發(fā)明者】劉翔 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司