一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠避免在減少亮點(diǎn)缺陷的過程中，對陣列基板上過多薄膜層的破壞。所述方法包括形成像素電極層圖案的同時(shí)形成將相鄰兩個(gè)像素電極層圖案電連接的導(dǎo)通層。還包括，在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板表面形成光刻膠層；通過一次曝光顯影工藝，形成第一光刻膠去除區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域。其中，第一光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)導(dǎo)通層的位置；對第一光刻膠去除區(qū)域的導(dǎo)通層進(jìn)行刻蝕，形成用于避免相鄰兩個(gè)像素單元的像素電極層圖案電連接的隔斷區(qū)域，最后在隔斷區(qū)域內(nèi)，形成與相鄰兩個(gè)像素電極層圖案非電連接的金屬線圖案。
【專利說明】
一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002](111111 11-8118181:01- 11^111(1 0781^1 01鄧1奶，薄膜晶體管-液晶顯示器)作為一種平板顯示裝置，因其具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對較低等特點(diǎn)，而越來越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。
[0003]11^1-1X0包括相互對盒設(shè)置的彩膜基板和陣列基板，在陣列基板和彩膜基板中設(shè)置有液晶層，通過控制液晶層中液晶分子的偏轉(zhuǎn)，以實(shí)現(xiàn)對光線強(qiáng)弱的控制而達(dá)到顯示圖像的目的。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，陣列基板的結(jié)構(gòu)可以如圖匕所示，包括多條橫縱交叉的柵線10和數(shù)據(jù)線11。所述柵線10和所述數(shù)據(jù)線11交叉界定多個(gè)呈矩陣形式排列的像素單元12，每個(gè)像素單元12內(nèi)設(shè)置由像素電極層104。陣列基板沿八-八’方向的剖視圖如圖化所示，自下而上包括多層薄膜層結(jié)構(gòu)，例如，柵極101、柵極絕緣層102、半導(dǎo)體有源層103、像素電極層104、源漏金屬層105。具體的，可以通過在基板上依次形成薄膜層、光刻膠，然后采用掩膜、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝制備上述薄膜層結(jié)構(gòu)。
[0005]然而，在生產(chǎn)加工過程中，由于受到外部環(huán)境或者受到生產(chǎn)工藝的影響，導(dǎo)致應(yīng)當(dāng)被刻蝕掉的薄膜層殘留于基板上。例如，位于兩個(gè)相鄰像素單元12之間區(qū)域的半導(dǎo)體有源層103或像素電極層104(對應(yīng)光刻膠完全去除區(qū)域)應(yīng)當(dāng)被完全刻蝕掉。然而，在曝光顯影的過程中，由于上述光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠受前層鍍膜工藝及自身工藝影響，導(dǎo)致光刻膠無法完全曝光而形成多余的光刻膠保留區(qū)域。在此基礎(chǔ)上，通過后續(xù)的制作工藝，就會在兩個(gè)相鄰像素單元12之間形成如圖所示的像素電極層104的殘留部分(構(gòu)成導(dǎo)通層20),或如圖1(1所示的半導(dǎo)體有源層103的殘留部分(構(gòu)成導(dǎo)通層20)。這樣一來，相鄰的兩個(gè)像素單元12中的像素電極層104被電連接，當(dāng)其中一個(gè)像素單元12受控進(jìn)行顯示時(shí)，與其相鄰并電連接的像素單元12也被點(diǎn)亮，從而造成了不受控的亮像素點(diǎn)(亮點(diǎn)缺陷)的產(chǎn)生，對顯示效果和產(chǎn)品質(zhì)量造成了不利的影響。
[0006]為了解決上述問題，一般采用激光焊接或切割工藝對存在亮點(diǎn)缺陷的像素點(diǎn)進(jìn)行修復(fù)。具體的，通過光學(xué)檢測儀器對陣列基板進(jìn)行檢測，當(dāng)發(fā)現(xiàn)亮點(diǎn)缺陷后，可以對上述導(dǎo)通層20進(jìn)行切割，以使得相鄰的兩個(gè)像素單元12不被電連接。然而由于像素電極層104的厚度較薄，降低了光學(xué)檢測的識別度，導(dǎo)致漏檢率升高。并且在實(shí)施上述修復(fù)工藝的同時(shí)會對已經(jīng)形成的其它薄膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行破壞，例如位于像素電極層104表面的鈍化層、公共電極層等(圖中未示出從而降低亮點(diǎn)缺陷的修復(fù)效果，并對產(chǎn)品的質(zhì)量造成影響。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，能夠避免在減少亮點(diǎn)缺陷的過程中，對陣列基板上過多薄膜層的破壞。
[0008]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0009]本發(fā)明實(shí)施例的一方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括形成多個(gè)呈矩陣形式排列的像素電極層圖案的方法，在采用形成所述像素電極層圖案的方法時(shí)，還形成將相鄰兩個(gè)所述像素電極層圖案電連接的導(dǎo)通層，還包括:
[0010]在形成有所述導(dǎo)通層的基板表面形成光刻膠層；
[0011]通過一次曝光顯影工藝，形成第一光刻膠去除區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，所述第一光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)所述導(dǎo)通層的位置，所述光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)形成有所述導(dǎo)通層的基板表面的其它區(qū)域；
[0012]刻蝕所述第一光刻膠去除區(qū)域的所述導(dǎo)通層，形成用于避免相鄰兩個(gè)所述像素電極層圖案電連接的隔斷區(qū)域；并對所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層進(jìn)行剝離；
[0013]在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板表面形成金屬層；
[0014]通過一次構(gòu)圖工藝在所述隔斷區(qū)域內(nèi)，形成與相鄰兩個(gè)所述像素電極層圖案非電連接的金屬線圖案。
[0015]本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，提供一種陣列基板，包括多個(gè)呈矩陣形式排列的像素電極層圖案，還包括:
[0016]用于避免相鄰兩個(gè)所述像素電極層圖案電連接的隔斷區(qū)域；以及位于所述隔斷區(qū)域內(nèi)，與相鄰兩個(gè)所述像素電極層圖案非電連接的金屬線圖案。
[0017]本發(fā)明實(shí)施例的有一方面，提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種陣列基板。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。所述陣列基板的制備方法包括在襯底基板上形成多個(gè)呈矩陣形式排列的像素電極層圖案的方法。然而現(xiàn)有技術(shù)中，由于制備工藝或者運(yùn)輸、儲藏等因素，在采用上述方法對像素電極層圖案進(jìn)行制備的過程中，還可以形成將相鄰兩個(gè)像素電極層圖案電連接的導(dǎo)通層。這樣一來，相鄰的兩個(gè)像素電極層圖案對應(yīng)的像素單元被電連接，當(dāng)其中一個(gè)像素單元受控進(jìn)行顯示時(shí)，與其相鄰并電連接的像素單元也被點(diǎn)亮，從而造成了不受控的亮像素點(diǎn)(亮點(diǎn)缺陷)的產(chǎn)生，對顯示效果和產(chǎn)品質(zhì)量造成了不利的影響。因此，本發(fā)明在上述制備方法的基礎(chǔ)上，還包括:首先，在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板表面形成光刻膠層；接著，通過一次曝光顯影工藝，形成第一光刻膠去除區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域。其中，第一光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)導(dǎo)通層的位置；光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)形成有導(dǎo)通層的基板表面的其它區(qū)域。接下來，對所述第一光刻膠去除區(qū)域的導(dǎo)通層進(jìn)行刻蝕，形成用于避免相鄰兩個(gè)像素單元的像素電極層圖案電連接的隔斷區(qū)域，并對光刻膠保留區(qū)域的光刻膠進(jìn)行剝離。接著，在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板表面形成金屬層；最后通過構(gòu)圖工藝在隔斷區(qū)域內(nèi)，形成與相鄰兩個(gè)像素電極層圖案非電連接的金屬線圖案。這樣一來，由于對導(dǎo)通層進(jìn)行切斷處理，避免了兩個(gè)相鄰像素電極層圖案之間的電連接，減小了亮點(diǎn)缺陷的產(chǎn)生。并且上述切斷處理時(shí)在形成金屬線圖案之前完成的，因此對陣列基板通過后續(xù)制作工藝形成的薄膜層結(jié)構(gòu)不會造成破壞和影響。從而能夠避免在減少亮點(diǎn)缺陷的過程中，對陣列基板上過多薄膜層的破壞。提高了亮點(diǎn)缺陷修復(fù)效果，以及產(chǎn)品的質(zhì)量。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1&為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0021]圖化為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖化為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種具有導(dǎo)通層的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖1(1為現(xiàn)有技術(shù)提供的另一種具有導(dǎo)通層的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制備方法流程圖；
[0025]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的制備方法流程圖；
[0026]圖如-4？為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制備過程中各個(gè)階段的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種陣列基板的制備方法流程圖；
[0028]圖6^61！為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的制備過程中各個(gè)階段的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]附圖標(biāo)記:
[0030]01-襯底基板；10-柵線；11-數(shù)據(jù)線；12-像素單元；101-柵極；102-柵極絕緣層；103-半導(dǎo)體有源層；104-像素電極層；105-源漏金屬層；106-隔斷區(qū)域；1061-凹槽；1062-絕緣部；107-引線過孔；108-引線；109-鈍化層；110-公共電極層；20-導(dǎo)通層；30-光刻膠層汸-第一光刻膠去除區(qū)域；8-光刻膠保留區(qū)域；0第二光刻膠去除區(qū)域。

【具體實(shí)施方式】
[0031]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，可以包括形成如圖匕所示的多個(gè)呈矩陣形式排列的像素電極層104圖案的方法，在采用形成上述像素電極層104圖案的方法時(shí)，還形成將相鄰兩個(gè)像素電極層104圖案電連接的導(dǎo)通層20，如圖2所示，上述陣列基板的制備方法還可以包括:
[0033]3101、在形成有導(dǎo)通層20的基板表面形成光刻膠層30。
[0034]3102、通過一次曝光顯影工藝，形成第一光刻膠去除區(qū)域八和光刻膠保留區(qū)域8，第一光刻膠去除區(qū)域八對應(yīng)上述導(dǎo)通層20的位置，光刻膠保留區(qū)域8對應(yīng)形成有導(dǎo)通層20的基板表面的其它區(qū)域。
[0035]3103、刻蝕第一光刻膠去除區(qū)域八的導(dǎo)通層20，形成用于避免相鄰兩個(gè)像素電極層104圖案電連接的隔斷區(qū)域106。并對光刻膠保留區(qū)域8的光刻膠層進(jìn)行剝離。
[0036]3104、在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板表面形成金屬層。
[0037]3105、通過一次構(gòu)圖工藝在上述隔斷區(qū)域106內(nèi)，形成與相鄰兩個(gè)像素電極層104圖案非電連接的金屬線圖案。具體的，可以將隔斷區(qū)域106的寬度設(shè)置為大于金屬線圖案的寬度，以保證金屬線圖案不會與位于其兩側(cè)的像素電極層104的圖案電連接。
[0038]需要說明的是，第一、上述導(dǎo)通層20可以如圖1(3所示，由像素電極層104的殘留部分構(gòu)成；或，如圖1(1所示的，還可以由半導(dǎo)體有源層103的殘留部分構(gòu)成；或，還可以同時(shí)由像素電極層104的殘留部分以及半導(dǎo)體有源層103的殘留部分構(gòu)成。
[0039]其中，上述殘留部分產(chǎn)生的原因有多種，例如，在曝光顯影的過程中，由于相鄰兩個(gè)像素單元12之間的光刻膠表面被灰塵覆蓋，導(dǎo)致光刻膠無法完全曝光而形成多余的光刻膠保留區(qū)域?；蛘?，由于曝光工藝的缺陷導(dǎo)致兩個(gè)相鄰像素單元12之間的光刻膠未被完全曝光，同樣形成了多余的光刻膠保留區(qū)域。又或者，由于顯影工藝的缺陷導(dǎo)致兩個(gè)相鄰像素單元12之間的光刻膠未被完全顯影掉，而形成了多余的光刻膠保留區(qū)域，等等因素。在此基礎(chǔ)上，通過后續(xù)的制作工藝，就會在兩個(gè)相鄰像素單元12之間形成上述殘留部分。
[0040]第二、上述金屬層可以包括用于形成柵線10的柵極金屬層；或，用于形成數(shù)據(jù)線11的源漏金屬層105。
[0041]具體的，如圖匕所示，上述陣列基板的每一個(gè)像素單元12可以包括一個(gè)薄膜晶體管(111111 1^21118181:01'，簡稱。所述薄膜晶體管是一種具有開關(guān)特性的半導(dǎo)體單元，例如可以是非晶硅型薄膜晶體管、或低溫多晶硅型薄膜晶體管、或氧化物型薄膜晶體管、或有機(jī)物型薄膜晶體管等，在此不做限定。
[0042]所述薄膜晶體管可以是頂柵型，也可以是底柵型，在此不作限定。其中，頂柵、底柵是相對所述柵極101和柵絕緣層102的位置而定的。
[0043]例如，如圖化所示，相對襯底基板01即透明基板，當(dāng)柵極101靠近所述襯底基底，柵絕緣層102遠(yuǎn)離所述襯底基板01時(shí)，為底柵型薄膜晶體管。這時(shí)，由于上述金屬層位于柵極絕緣層102的表面，而并非靠近襯底基板01的一側(cè)，所以該金屬層可以為構(gòu)成數(shù)據(jù)線11的源漏金屬層105。
[0044]又例如，當(dāng)柵極101遠(yuǎn)離所述襯底基板01，柵絕緣層102靠近所述襯底基板時(shí)，為頂柵型薄膜晶體管。這時(shí)，由于金屬層位于柵極絕緣層102的表面，因此，該金屬層可以為構(gòu)成柵極101的柵極金屬層。
[0045]本發(fā)明以下實(shí)施例均是以具有底柵型薄膜晶體管的陣列基板為例進(jìn)行的說明。
[0046]第三、本發(fā)明實(shí)施例中的光刻膠層，在經(jīng)過掩膜版的曝光顯影后，可以是曝光區(qū)域的光刻膠層在顯影過程中被去除，未曝光區(qū)域的光刻膠在顯影過程中被保留。也可以采用一種反性光刻膠層，即在曝光區(qū)域的光刻膠層在顯影過程中被保留，而未曝光區(qū)域的光刻膠在顯影過程中被去除。本發(fā)明對此不作限制。但是以下實(shí)施例，均是以曝光區(qū)域的光刻膠層在顯影過程中被去除，未曝光區(qū)域的光刻膠在顯影過程中被保留為例進(jìn)行的說明。
[0047]第四、在本發(fā)明中，構(gòu)圖工藝，可指包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時(shí)還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機(jī)等形成圖形的工藝。可根據(jù)本發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。其中，本發(fā)明實(shí)施例中的一次構(gòu)圖工藝，是以通過一次掩膜曝光工藝形成不同的曝光區(qū)域，然后對不同的曝光區(qū)域進(jìn)行多次刻蝕、灰化等去除工藝最終得到預(yù)期圖案為例進(jìn)行的說明。
[0048]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，包括在襯底基板上形成多個(gè)呈矩陣形式排列的像素電極層圖案的方法。然而現(xiàn)有技術(shù)中，由于制備工藝或者運(yùn)輸、儲藏等因素，在采用上述方法對像素電極層圖案進(jìn)行制備的過程中，還可以形成將相鄰兩個(gè)像素電極層圖案電連接的導(dǎo)通層。這樣一來，相鄰的兩個(gè)像素電極層圖案對應(yīng)的像素單元被電連接，當(dāng)其中一個(gè)像素單元受控進(jìn)行顯示時(shí)，與其相鄰并電連接的像素單元也被點(diǎn)亮，從而造成了不受控的亮像素點(diǎn)(亮點(diǎn)缺陷)的產(chǎn)生，對顯示效果和產(chǎn)品質(zhì)量造成了不利的影響。因此，本發(fā)明在上述制備方法的基礎(chǔ)上，還包括:首先，在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板表面形成光刻膠層；接著，通過一次曝光顯影工藝，形成第一光刻膠去除區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域。其中，第一光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)導(dǎo)通層的位置；光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)形成有導(dǎo)通層的基板表面的其它區(qū)域。接下來，對所述第一光刻膠去除區(qū)域的導(dǎo)通層進(jìn)行刻蝕，形成用于避免相鄰兩個(gè)像素單元的像素電極層圖案電連接的隔斷區(qū)域，并對光刻膠保留區(qū)域的光刻膠進(jìn)行剝離。接著，在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板表面形成金屬層；最后通過構(gòu)圖工藝在隔斷區(qū)域內(nèi)，形成與相鄰兩個(gè)像素電極層圖案非電連接的金屬線圖案。這樣一來，由于對導(dǎo)通層進(jìn)行切斷處理，避免了兩個(gè)相鄰像素電極層圖案之間的電連接，減小了亮點(diǎn)缺陷的產(chǎn)生。并且上述切斷處理工藝是在形成金屬線圖案之前完成的，因此對陣列基板通過后續(xù)制作工藝形成的薄膜層結(jié)構(gòu)不會造成破壞和影響。從而能夠避免在減少亮點(diǎn)缺陷的過程中，對陣列基板上過多薄膜層的破壞。提高了亮點(diǎn)缺陷修復(fù)效果，以及產(chǎn)品的質(zhì)量。
[0049]實(shí)施例一
[0050]在上述通過一次曝光顯影工藝，在形成第一光刻膠去除區(qū)域八和光刻膠保留區(qū)域8的步驟之后，在上述刻蝕第一光刻膠去除區(qū)域八的導(dǎo)通層20的步驟之前，所述方法可以包括:
[0051]第一光刻膠去除區(qū)域八對應(yīng)預(yù)形成的隔斷區(qū)域106，所述光刻膠保留區(qū)域8對應(yīng)形成有導(dǎo)通層20的基板表面的其它區(qū)域。
[0052]以下對形成有上述隔斷區(qū)域106的陣列基板的制備方法進(jìn)行詳細(xì)的描述，如圖3所示，包括:
[0053]3201、如圖43所示，在形成有導(dǎo)通層20的基板表面(此外，該基板還包括在襯底基板01上依次形成有未示出的柵極101、半導(dǎo)體有源層103、像素電極層104)形成光刻膠層30。
[0054]3202、如圖仙所示，通過一次曝光顯影工藝，形成第一光刻膠去除區(qū)域八和光刻膠保留區(qū)域8，第一光刻膠去除區(qū)域八對應(yīng)預(yù)形成的隔斷區(qū)域106，光刻膠保留區(qū)域8對應(yīng)形成有導(dǎo)通層20的基板表面的其它區(qū)域。
[0055]3203、如圖40所示，刻蝕第一光刻膠去除區(qū)域4的像素電極層104的殘留部分(導(dǎo)通層20)以及部分位于柵極101表面的部分柵極絕緣層102，形成用于避免相鄰兩個(gè)像素電極層104圖案電連接的隔斷區(qū)域106 ；并如圖4(1所示，對上述光刻膠保留區(qū)域8的光刻膠層30進(jìn)行剝離。
[0056]3204、如圖46所不，在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板表面形成源漏金屬層105(金屬層)。
[0057]3205、如圖4？所示，通過一次構(gòu)圖工藝(例如涂覆光刻膠后，進(jìn)行一次掩膜曝光工藝，然后進(jìn)行顯影、刻蝕、剝離等工藝)在隔斷區(qū)域106內(nèi)，形成與相鄰兩個(gè)像素電極層104圖案非電連接的數(shù)據(jù)線11的圖案(金屬線圖案)。
[0058]可以看出上述隔斷區(qū)域106內(nèi)的導(dǎo)通層20(像素電極層104的殘留部分)被完全去除。并且位于隔斷區(qū)域106內(nèi)的數(shù)據(jù)線11和位于其兩側(cè)的像素電極層104的圖案均不會電連接。這樣一來，可以保證數(shù)據(jù)線11能夠正常接收數(shù)據(jù)信號，以使得陣列基板能夠正常工作，并且還可以通過隔斷區(qū)域106避免在減少亮點(diǎn)缺陷的過程中，對陣列基板上過多薄膜層的破壞。
[0059]需要說明的是，第一、上述步驟3203中在刻蝕第一光刻膠去除區(qū)域的導(dǎo)通層20時(shí)，還對部分柵極絕緣層102進(jìn)行了刻蝕。這樣一來，可以使得數(shù)據(jù)線11圖案與位于其兩側(cè)的像素電極層104圖案之間具有一定的段差，增加了數(shù)據(jù)線11與像素電極層104之間的距離，從而可以有效避免數(shù)據(jù)線11與像素電極層104之間的信號串?dāng)_。當(dāng)然，當(dāng)上述金屬層采用柵極金屬層時(shí)，上述方案同樣可以有效避免柵線10與像素電極層104之間的信號串?dāng)_。此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要對段差的高度進(jìn)行控制，例如為了提高防止信號串?dāng)_的效果，可以將段差的高度設(shè)置為大于等于數(shù)據(jù)線11或柵線10的厚度?；蛘撸瑸榱藴p小顯示面板的厚度，可以減小上述段差的高度。本發(fā)明對此不作限制。
[0060]第二、上述實(shí)施例是以導(dǎo)通層20由像素電極層104的殘留部分構(gòu)成為例進(jìn)行的說明。當(dāng)導(dǎo)通層20由半導(dǎo)體有源層103的殘留部分構(gòu)成時(shí)同理可得。此處不再贅述。
[0061]實(shí)施例二
[0062]在上述通過一次曝光顯影工藝，形成第一光刻膠去除區(qū)域八和光刻膠保留區(qū)域8的步驟之后，在上述刻蝕第一光刻膠去除區(qū)域4的導(dǎo)通層20的步驟之前，所述方法可以包括:
[0063]上述第一光刻膠去除區(qū)域八對應(yīng)預(yù)形成的凹槽1061的圖案，光刻膠保留區(qū)域8對應(yīng)形成有上述導(dǎo)通層20的基板表面的其它區(qū)域。所述預(yù)形成的隔斷區(qū)域106包括兩個(gè)上述凹槽1061以及位于兩個(gè)所述凹槽1061之間的絕緣部1062。
[0064]以下對形成有上述隔斷區(qū)域106的陣列基板的制備方法進(jìn)行詳細(xì)的描述，如圖5所示，包括:
[0065]3301、如圖63所不，在形成有導(dǎo)通層20的基板表面(此外，該基板還包括在襯底基板01上依次形成有未示出的柵極101，以及柵線10、柵極絕緣層102、半導(dǎo)體有源層103、像素電極層104)形成光刻膠層30。其中導(dǎo)通層20由半導(dǎo)體有源層104的殘留部分構(gòu)成。
[0066]3302、如圖66所示，通過一次曝光顯影工藝，形成第一光刻膠去除區(qū)域八、光刻膠保留區(qū)域8以及第二光刻膠去除區(qū)域0，上述第一光刻膠去除區(qū)域八對應(yīng)預(yù)形成的凹槽1061的圖案，第二光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)預(yù)形成的引線過孔107的圖案，光刻膠保留區(qū)域8對應(yīng)形成有上述導(dǎo)通層20的基板表面的其它區(qū)域。
[0067]其中，所述預(yù)形成的隔斷區(qū)域106包括兩個(gè)上述凹槽1061以及位于兩個(gè)所述凹槽1061之間的絕緣部1062，如圖6。所示。
[0068]3303、如圖6。所示，刻蝕第一光刻膠去除區(qū)域八的半導(dǎo)體有源層103的殘留部分(導(dǎo)通層20)。形成用于避免相鄰兩個(gè)像素電極層104圖案電連接的隔斷區(qū)域106?？涛g第二光刻膠去除區(qū)域的柵極金屬層102，形成上述引線過孔107的圖案。并如圖6(1所示，對上述光刻膠保留區(qū)域8的光刻膠層30進(jìn)行剝離。
[0069]3304、如圖66所不，在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板表面形成源漏金屬層105(金屬層)。
[0070]3305、如圖6？所示，通過一次構(gòu)圖工藝(例如涂覆光刻膠后，進(jìn)行一次掩膜曝光工藝，然后進(jìn)行顯影、刻蝕、剝離等工藝)在隔斷區(qū)域106內(nèi)，形成與相鄰兩個(gè)像素電極層104圖案非電連接的數(shù)據(jù)線11的圖案(金屬線圖案)。即在絕緣部1062的表面形成上述數(shù)據(jù)線11的圖案。此外，還可以在上述引線過孔107內(nèi)形成引線108。通過上述引線過孔107，位于陣列基板引線區(qū)域的引線108與陣列基板上的柵線10電連接。
[0071]3306、如圖所示，在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板表面，形成鈍化層109。
[0072]3307、在鈍化層109的表面通過構(gòu)圖工藝形成公共電極層110。
[0073]可以看出，通過上述隔斷區(qū)域106的兩個(gè)凹槽1061將部分導(dǎo)通層20完全去除，以使得相鄰兩個(gè)像素電極層104圖案處于非電連接的狀態(tài)，并且數(shù)據(jù)線11位于隔斷區(qū)域106的絕緣部1062的表面，并與其兩側(cè)的像素電極層104的圖案均不會電連接。這樣一來，可以保證數(shù)據(jù)線11能夠正常接收數(shù)據(jù)信號，以使得陣列基板能夠正常工作，并且還可以通過隔斷區(qū)域106避免在減少亮點(diǎn)缺陷的過程中，對陣列基板上過多薄膜層的破壞。
[0074]需要說明的是，第一、上述實(shí)施例的方案中，在形成凹槽1061的同時(shí)可以完成引線過孔107的制備，因此能夠簡化制作工藝。并且該方法同樣適用于實(shí)施例一。
[0075]第二、實(shí)施例二提供的方案中，像素電極層104與公共電極層110異層設(shè)置。位于陣列基板最上方的公共電極層110可以為狹縫狀，而靠近襯底基板01的像素電極層104可以為平面狀。米用上述陣列基板構(gòu)成的顯不裝置為八0-3030111161181011813界11x111118，簡稱為八03，高級超維場開關(guān))型顯示裝置。八0-303技術(shù)通過同一平面內(nèi)公共電極層110邊緣所產(chǎn)生的平行電場以及像素電極層104與公共電極層110間產(chǎn)生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)像素電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。同樣，上述公共電極層110的制備方法，同樣適用于實(shí)施例一。
[0076]此外，在實(shí)施例一和實(shí)施例二，當(dāng)將公共電極層110制作于與陣列基板相對盒的彩膜基板上時(shí)，構(gòu)成的顯示裝置為他111社1(3，扭曲向列)型顯示裝置。不同的是，例型顯示裝置，采用垂直電場原理的液晶顯示器，通過被相對布置在彩膜基板上的公共電極層110和在陣列基板上的像素電極層104之間形成垂直電場來驅(qū)動求轉(zhuǎn)向列模式的液晶。例型顯示裝置具有大孔徑比的優(yōu)點(diǎn)，但是具有約90。的窄視角的缺點(diǎn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員，可以根據(jù)實(shí)際需要對公共電極層110的設(shè)置進(jìn)行選擇。
[0077]第三、上述實(shí)施例是以導(dǎo)通層20由半導(dǎo)體有源層103的殘留部分構(gòu)成為例進(jìn)行的說明。當(dāng)導(dǎo)通層20由像素電極層104的殘留部分構(gòu)成時(shí)同理可得。此處不再贅述。
[0078]第四、對比實(shí)施例一和實(shí)施例二中的隔斷區(qū)域106，可以看出實(shí)施例一中，在制作隔斷區(qū)域106時(shí)，需要對大部分導(dǎo)通層20進(jìn)行刻蝕，刻蝕時(shí)間長，但刻蝕精度要求低，防止相鄰兩個(gè)像素電極層104電連接的效果好。而實(shí)施例二中，在制作隔斷區(qū)域106時(shí)，僅需要對一小部分導(dǎo)通層20進(jìn)行刻蝕以形成凹槽1061，因此刻蝕速度快，但是對刻蝕的精度要求高，防止相鄰兩個(gè)像素電極層104電連接的效果較低于實(shí)施例一。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要對制作隔斷區(qū)域106的方案進(jìn)行選擇。
[0079]進(jìn)一步的，上述隔斷區(qū)域106的寬度范圍可以為12 9 III?20 9 111。這樣一來，能夠保證金屬線(數(shù)據(jù)線11或柵線10)有足夠的布線空間，避免與位于其兩側(cè)的像素電極層104發(fā)生信號串?dāng)_的不良現(xiàn)象。
[0080]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖匕所示包括多個(gè)呈矩陣形式排列的像素電極層104圖案，還包括:
[0081]用于避免相鄰兩個(gè)像素電極層104圖案電連接的隔斷區(qū)域106 ；以及位于該隔斷區(qū)域內(nèi)，與相鄰兩個(gè)像素電極層106圖案非電連接的金屬線圖案。
[0082]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括多個(gè)呈矩陣形式排列的像素電極層圖案，還包括用于避免相鄰兩個(gè)像素電極層圖案電連接的隔斷區(qū)域；以及位于該隔斷區(qū)域內(nèi)，與相鄰兩個(gè)像素電極層圖案非電連接的金屬線圖案。這樣一來，即使現(xiàn)有技術(shù)中，由于制備工藝或者運(yùn)輸、儲藏等因素，在進(jìn)行像素電極層圖案進(jìn)行制備的過程中，還可以形成將相鄰兩個(gè)像素電極層圖案電連接的導(dǎo)通層。導(dǎo)致相鄰的兩個(gè)像素電極層圖案對應(yīng)的像素單元被電連接，當(dāng)其中一個(gè)像素單元受控進(jìn)行顯示時(shí)，與其相鄰并電連接的像素單元也被點(diǎn)亮，從而造成了不受控的亮像素點(diǎn)(亮點(diǎn)缺陷)的產(chǎn)生，對顯示效果和產(chǎn)品質(zhì)量造成了不利的影響。本發(fā)明能夠通過隔斷區(qū)域?qū)?dǎo)通層進(jìn)行切斷處理，避免了兩個(gè)相鄰像素電極層圖案之間的電連接，減小了亮點(diǎn)缺陷的產(chǎn)生。并且在金屬線圖案制備之前完成隔斷區(qū)域的設(shè)置，因此對陣列基板通過后續(xù)制作工藝形成的薄膜層結(jié)構(gòu)不會造成破壞和影響。從而能夠避免在減少亮點(diǎn)缺陷的過程中，對陣列基板上過多薄膜層的破壞。提高了亮點(diǎn)缺陷修復(fù)效果，以及產(chǎn)品的質(zhì)量。
[0083]具體的，所述隔斷區(qū)域106可以如圖4。所示，
[0084]隔斷區(qū)域106內(nèi)的導(dǎo)通層20 (像素電極層的殘留部分)被完全去除，隔斷區(qū)域106內(nèi)僅設(shè)置有金屬線圖案(例如數(shù)據(jù)線11的圖案并且位于隔斷區(qū)域106內(nèi)的數(shù)據(jù)線11和位于其兩側(cè)的像素電極層104的圖案均不會電連接。這樣一來，可以保證數(shù)據(jù)線11能夠正常接收數(shù)據(jù)信號，以使得陣列基板能夠正常工作，并且還可以通過隔斷區(qū)域106避免在減少亮點(diǎn)缺陷的過程中，對陣列基板上過多薄膜層的破壞。
[0085]或者，隔斷區(qū)域106可以如圖6(1所示，
[0086]隔斷區(qū)域106包括兩個(gè)凹槽1061，以及位于兩個(gè)凹槽1061之間的絕緣部1062，金屬線圖案(例如數(shù)據(jù)線11的圖案)位于絕緣部1062的表面。可以看出，通過上述隔斷區(qū)域106的兩個(gè)凹槽1061將部分導(dǎo)通層20完全去除，以使得相鄰兩個(gè)像素電極層104圖案處于非電連接的狀態(tài)，并且數(shù)據(jù)線11位于隔斷區(qū)域106的絕緣部1062的表面，并與其兩側(cè)的像素電極層104的圖案均不會電連接。這樣一來，可以保證數(shù)據(jù)線11能夠正常接收數(shù)據(jù)信號，以使得陣列基板能夠正常工作，并且還可以通過隔斷區(qū)域106避免在減少亮點(diǎn)缺陷的過程中，對陣列基板上過多薄膜層的破壞。
[0087]本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種陣列基板。具有與前述實(shí)施例中的陣列基板相同的有益效果。由于陣列基板的詳細(xì)結(jié)構(gòu)以及有益效果已在前述實(shí)施例中做了詳細(xì)的描述，此處不再贅述。
[0088]在本發(fā)明實(shí)施例中，顯示裝置具體可以包括液晶顯示裝置，例如該顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機(jī)或平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
[0089]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板的制備方法，包括形成多個(gè)呈矩陣形式排列的像素電極層圖案的方法，在采用形成所述像素電極層圖案的方法時(shí)，還形成將相鄰兩個(gè)所述像素電極層圖案電連接的導(dǎo)通層，其特征在于，還包括: 在形成有所述導(dǎo)通層的基板表面形成光刻膠層； 通過一次曝光顯影工藝，形成第一光刻膠去除區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，所述第一光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)所述導(dǎo)通層的位置，所述光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)形成有所述導(dǎo)通層的基板表面的其它區(qū)域； 刻蝕所述第一光刻膠去除區(qū)域的所述導(dǎo)通層，形成用于避免相鄰兩個(gè)所述像素電極層圖案電連接的隔斷區(qū)域；并對所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層進(jìn)行剝離； 在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板表面形成金屬層； 通過一次構(gòu)圖工藝在所述隔斷區(qū)域內(nèi)，形成與相鄰兩個(gè)所述像素電極層圖案非電連接的金屬線圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述通過一次曝光顯影工藝，形成第一光刻膠去除區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域的步驟之后，所述刻蝕所述第一光刻膠去除區(qū)域的所述導(dǎo)通層的步驟之前，所述方法包括: 所述第一光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)預(yù)形成的所述隔斷區(qū)域，所述光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)形成有所述導(dǎo)通層的基板表面的其它區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述通過一次曝光顯影工藝，形成第一光刻膠去除區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域的步驟之后，所述刻蝕所述第一光刻膠去除區(qū)域的所述導(dǎo)通層的步驟之前，所述方法包括: 所述第一光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)預(yù)形成的凹槽的圖案，所述光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)形成有所述導(dǎo)通層的基板表面的其它區(qū)域；所述預(yù)形成的隔斷區(qū)域包括兩個(gè)所述凹槽以及位于兩個(gè)所述凹槽之間的絕緣部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述金屬層包括柵極金屬層或源漏金屬層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述陣列基板包括柵極絕緣層的情況下，在刻蝕所述第一光刻膠去除區(qū)域的所述導(dǎo)通層的同時(shí)，對部分所述柵極絕緣層進(jìn)行刻蝕。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在進(jìn)行所述通過一次曝光顯影工藝，形成第一光刻膠去除區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域的步驟的同時(shí)，所述方法還包括: 形成第二光刻膠去除區(qū)域，所述第二光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)預(yù)形成的引線過孔的圖案； 對所述第二光刻膠去除區(qū)域的所述柵極絕緣層進(jìn)行刻蝕，以形成所述引線過孔的圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述通過構(gòu)圖工藝在對應(yīng)所述隔斷區(qū)域的位置處形成金屬線圖案的步驟之后，所述方法還包括: 在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板表面，形成鈍化層； 在所述鈍化層的表面通過構(gòu)圖工藝形成公共電極層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制備方法，其特征在于， 所述隔斷區(qū)域的寬度范圍為12 μ m?20 μ m。
9.一種陣列基板，包括多個(gè)呈矩陣形式排列的像素電極層圖案，其特征在于，還包括: 用于避免相鄰兩個(gè)所述像素電極層圖案電連接的隔斷區(qū)域；以及位于所述隔斷區(qū)域內(nèi)，與相鄰兩個(gè)所述像素電極層圖案非電連接的金屬線圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述隔斷區(qū)域內(nèi)僅設(shè)置有所述金屬線圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述隔斷區(qū)域包括兩個(gè)凹槽，以及位于兩個(gè)所述凹槽之間的絕緣部，所述金屬線圖案位于所述絕緣部的表面。
12.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9-11任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L21/77GK104362152SQ201410472064
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年9月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月16日
【發(fā)明者】李春, 王晏酩, 宋瑞濤, 吳濤, 孫宏偉 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司