發(fā)光二極管器件及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管器件及其制作方法，其通過加熱可直接安裝于電路板上進行使用，無需采用回流焊接設備。該發(fā)光二極管器件，包括：LED芯片，其具有相對的上表面和下表面及連接所述上、下表面的側壁，其中下表面上設有第一電極和第一電極，所述第一電極和第二電極之間具有一間隙，實現(xiàn)兩電極間的電性隔離；封裝材料層，覆蓋所述LED芯片的上表面，用于保護和支撐所述LED芯片；絕緣層，填充所述間隙，并向所述第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面上，其厚度大于所述第一、第二電極的厚度；焊料電極層，覆蓋所述LED芯片的第一、第二電極，當該發(fā)光二極管器件安裝于電路板時，直接使用該焊料電極層進行連接。
【專利說明】發(fā)光二極管器件及其制作方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體照明領域，具體為一種白光發(fā)光二極管器件及其制作方法。

【背景技術】
[0002]發(fā)光二極管(英文為Light Emitting D1de,簡稱LED)系利用半導體的P_N結電致發(fā)光原理制成的一種半導體發(fā)光器件。LED具有環(huán)保、亮度高、功耗低、壽命長、工作電壓低、易集成化等優(yōu)點，是繼白熾燈、熒光燈和高強度放電(英文縮寫為HID)燈之后的第四代新光源。
[0003]請參看附圖1，為現(xiàn)有的一種白光發(fā)光二極管器件100，其包括倒裝LED芯片110和封裝材料體120，封裝材料體120覆蓋倒裝LED芯片的110的上表面和側壁，底面露出LED芯片的第一電極112和第二電極114。該白光發(fā)光二極管器件一般安裝于電路板進行使用，但在安裝時需加入焊錫采用龐大的回流焊接設備進行焊接，工藝復雜，成本高。


【發(fā)明內容】

[0004]針對上述問題，本發(fā)明提了一種發(fā)光二極管器件及其制作方法，其通過加熱可直接安裝于電路板上進行使用，無需再加入焊料進行回流焊接。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的第一個方面，發(fā)光二極管器件，包括:LED芯片,其具有相對的上表面和下表面及連接所述上、下表面的側壁，其中下表面上設有第一電極和第一電極，所述第一電極和第二電極之間具有一間隙，實現(xiàn)兩電極間的電性隔離；封裝材料層，覆蓋所述LED芯片的上表面，用于保護和支撐所述LED芯片；絕緣層，填充所述間隙，并向所述第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面上，其厚度大于所述第一、第二電極的厚度；焊料電極層，覆蓋所述LED芯片的第一、第二電極，并與所述絕緣層齊平，當該發(fā)光二極管器件安裝于電路板時，通過該焊料電極層進行連接。
[0006]優(yōu)選地，所述LED芯片的第一、第二電極的間隙為100 μ πΓ200 μ m。
[0007]優(yōu)選地，所述LED芯片的第一、第二電極分別具有兩個端部，其中第一端部所述LED芯片下表面接觸，第二端部與所述焊料電極層接觸，所述第一電極的第二端部與第二電極的第二端部齊平。
[0008]優(yōu)選地，所述第一、第二電極和絕緣層在LED芯片上的投影占滿整個芯片的下表面。
[0009]優(yōu)選地，所述絕緣層的寬度為300 μ πΓ400 μ m。
[0010]優(yōu)選地，所述絕緣層覆蓋所述LED芯片的第一、第二電極的面積占所述第一、第二電極的表面的10%飛0%。優(yōu)選地，所述絕緣層為防焊性的材料。
[0011]優(yōu)選地，所述封裝材料層的厚度為250 μ πΓ2000 μ m。
[0012]優(yōu)選地，所述焊料電極層與絕緣層構成一個整平的表面，其完全覆蓋所述LED芯片的下表面。
[0013]在本發(fā)明的一個較佳實施例中，所述封裝材料層還覆蓋所述LED芯片的側壁，并向所述芯片外四周延伸露出部分底表面，該底面與所述LED芯片的第一、第二電極離遠下表面的一側表面齊平。更佳的，所述焊料電極層還覆蓋所述封裝材料層的露出的底表面。
[0014]在本發(fā)明的另一個較佳實施例中，所述發(fā)光二極管器件還包括一絕緣性反射層，其覆蓋所述封裝材料層的底表面及部分所述LED芯片的第一、第二電極。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的第二個方面，發(fā)光二極管器件的制作方法，包括步驟:提供LED芯片，其具有相對的上表面和下表面及連接所述上、下表面的側壁，其中下表面上設有第一電極和第一電極，所述第一電極和第二電極之間具有一間隙，實現(xiàn)兩電極間的電性隔離；將所述LED芯片排列在一臨時載體上,所述LED芯片的第一表面朝上；在所述LED芯片的第一表面上形成一封裝材料層，用于保護和支撐所述LED芯片；去除所述臨時載體，并翻轉所述器件使得所述LED芯片的第一、第二電極朝上；采用網(wǎng)印方式，在所述LED芯片的第二表面上形成一絕緣層，其填充所述第一、第二電極之間的間隙，并向所述第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面上，其厚度大于所述第一、第二電極的厚度；采用網(wǎng)印方式在所述LED芯片的第一、第二電極上形成焊料電極層，其與所述絕緣層齊平，構成發(fā)光二極管器件，當該發(fā)光二極管器件安裝于電路板時，通過所述焊料電極層進行連接。
[0016]優(yōu)選地，在形成所述焊料電極層前，先形成一絕緣性反射層，其覆蓋所述封裝材料層的底表面及部分所述LED芯片的第一、第二電極。
[0017]優(yōu)選地，所述臨時載體為一粘性薄膜。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的第三個方面，發(fā)光二極管器件的制作方法，包括步驟:提供一 LED外延晶片，其具有一生長襯底和形成在所述生長襯底之上的發(fā)光外延疊層，定義所述生長襯底一側表面為第一表面，遠離生長襯底的一側表面為第二表面；將所述外延晶片的發(fā)光外延疊層單兀化，并在第二表面制作第一、第二電極，形成一系列LED芯片單兀,所述第一、第二電極之間具有一間隙；提供一臨時載體，將前述處理完的LED外延晶片粘接在所述臨時載體上，所述第一表面朝上；去除所述LED外延晶片的生長襯底；在所述LED外延晶片的第一表面上涂布封裝材料層；去除所述臨時載體，并翻轉所述LED外延晶片使得所述第一、第二電極朝上；采用網(wǎng)印方式，在所述LED外延晶片的第二表面上形成一絕緣層，其填充所述第一、第二電極之間的間隙，并向所述第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面上，其厚度大于所述第一、第二電極的厚度；采用網(wǎng)印方式在所述LED芯片的第一、第二電極上形成焊料電極層，其與所述絕緣層齊平；將所述LED外延晶片單一化，形成發(fā)光二極管器件，當該發(fā)光二極管器件安裝于電路板中時，通過所述焊料電極層進行連接。
[0019]優(yōu)選地，所述形成的絕緣層覆蓋所述第一、第二電極的面積占所述第一、第二電極的總表面的10%?60%。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的第四個方面，發(fā)光二極管器件的制作方法，包括步驟:提供一 LED外延晶片，其具有一生長襯底和形成在所述生長襯底之上的發(fā)光外延疊層，定義所述生長襯底一側表面為第一表面，遠離生長襯底的一側表面為第二表面；在所述LED外延晶片的第二表面上形成一封裝材料層；去除所述生長襯底，將所述外延晶片的發(fā)光外延疊層單元化，并在第一表面制作第一、第二電極，形成一系列LED芯片單兀,所述第一、第二電極之間具有一間隙；采用網(wǎng)印方式，在所述LED外延晶片的第一表面上形成一絕緣層，其填充所述第一、第二電極之間的間隙，并向所述第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面上，其厚度大于所述第一、第二電極的厚度；采用網(wǎng)印方式在所述LED芯片的第一、第二電極上形成焊料電極層，其與所述絕緣層齊平；將所述LED外延晶片單一化，形成發(fā)光二極管器件，當該發(fā)光二極管器件安裝于電路板中時，直接使用所述焊料電極層進行連接。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的第五個方面，一種發(fā)光二極管器件的安裝結構，其具有前述任意一種發(fā)光二極管器件和一電路板，所述發(fā)光二極管器件通過所述焊料電極層進行連接與電極板連接。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的第六個方面，一種發(fā)光二極管器件的安裝方法，包括步驟:提供一電路板；將前述任意一種發(fā)光二極管器件排放于該電路板上，其中所述焊料電極層與電路板接觸，加熱所述電路板，使所述焊料電極層熔化并固化連接所述電路板。
[0023]優(yōu)選地，預設加熱溫度和加熱時間，在加熱所述電路板時一次升溫到于該預設溫度進行加熱，達到該預設時間后斷開加熱。在本發(fā)明中，在LED芯片的第一電極和第二電極之間加入絕緣層后制作焊料電極層，可以使LED器件不需在使用錫膏直接在加熱的電路板上熱壓貼著，不用使用龐大的回流焊設備。進一步地，在芯片電極周圍與封裝材料層底部使用高反射絕緣層包覆，強化芯片與封裝材料層之間黏附機械強度的同時增加亮度反射效果及焊料電極層的貼著良率。
[0024]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權利要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現(xiàn)和獲得。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本發(fā)明的實施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構成對本發(fā)明的限制。此外，附圖數(shù)據(jù)是描述概要，不是按比例繪制。
[0026]圖1為一種現(xiàn)有白光發(fā)光二極管器件的側面剖視圖。
[0027]圖2為本發(fā)明實施例1的立體示意圖。
[0028]圖3為本發(fā)明實施例1的剖視圖。
[0029]圖4為沿圖3中面A-A的剖面圖。
[0030]圖5為圖2所示發(fā)光二極管器件的仰視圖。
[0031]圖6為圖2所示LED器件的安裝示意圖。
[0032]圖7為圖2所示LED器件的安裝結構示意圖。
[0033]圖8為本發(fā)明實施例2的剖視圖。
[0034]圖擴14顯示了圖8所示LED器件的一種制作方法。
[0035]圖15?18顯示了圖8所示LED器件的另一種制作方法。
[0036]圖19為本發(fā)明實施例3的剖視圖。
[0037]圖2(Γ24顯示了圖19所示LED器件的一種制作方法。
[0038]圖中各標號表示如下:
100、200、300、500:LED 器件；
110、210、310、410、510:LED 芯片；
112、212、312、412、512 =LED 芯片的第一電極；
114、214、314、414、514 =LED 芯片的第二電極； 120、220、320、420、420:封裝材料層；
230,330,530:絕緣層；
210a,310a:LED芯片的上表面；
210b,310b:LED芯片的下表面；
210c,310c:LED芯片的側壁；
240、340、540:焊料電極層；
260:電路板；
261:基板；
262:電路層；
350:絕緣性反射層；
360、460:臨時載體；
400 =LED外延晶片；
400a、500a:LED外延晶片的第一表面；
400b,500b:LED外延晶片的第二表面。

【具體實施方式】
[0039]下面結合示意圖對本發(fā)明的LED器件及其制作方法進行詳細的描述，借此對本發(fā)明如何應用技術手段來解決技術問題，并達成技術效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。需要說明的是，只要不構成沖突，本發(fā)明中的各個實施例以及各實施例中的各個特征可以相互結合，所形成的技術方案均在本發(fā)明的保護范圍之內。
[0040]圖2和圖3顯示了本發(fā)明的第一個較佳實施例。
[0041]請參看附圖2，一種LED器件200，包括LED芯片210、封裝材料層220和焊料電極層240，其中封裝材料層220覆蓋LED芯片210的上表面和側壁，焊料電極層240覆蓋在芯片210的下表面及封裝材料層220的底表面。
[0042]請參看附圖3，LED芯片210的下表面210b具有第一電極212和第二電極214，兩者之間具有一個間隙，其間隙的寬度Dl可為ΙΟΟμπι?200 μ m，在本實施例中選150 μ m。絕緣層230填充該間隙并向第一電極212、第二電極214延伸，覆蓋其靠近間隙的部分表面上，厚度大于第一、第二電極的厚度。該絕緣層230可選用防焊漆層，寬度D2為25(Γ600μπι。請參看附圖4，第一、第二電極和絕緣層230在LED芯片上的投影占滿整個芯片的下表面。
[0043]封裝材料層220覆蓋在LED芯片210的上表面210a和側壁210c，并向芯片外四周延伸，露出部分底表面222,該底面222與LED芯片的第一、第二電極離遠下表面的一端表面齊平。該封裝材料層220的材料可為硅膠，一般為了取得白光可直接加入熒光粉。為了提高取光效率，可增加封裝材料層220的厚度，在本實施例中，可取25(Γ2000μπι。
[0044]焊料電極層240直接覆蓋在LED芯片210的第一電極、第二電極的表面和封裝材料層露出的底表面222，材料可選用錫膏。焊料電極層240與絕緣層230構成一個整平的表面。請看參看圖5，焊料電極層240與絕緣層完全覆蓋LED器件200的下表面。
[0045]在本實施例，在LED芯片的第一電極和第二電極之間加入絕緣層后形成焊料電極層，可以使后續(xù)LED器件不需再涂布錫膏，直接在加熱的電路板上熱壓貼著，可不用使用龐大的回流焊設備，下面結合附圖6?7對其安裝方法和安裝結構進行說明。
[0046]請參看附圖6，提供一電路板260，至少具有基板261和電路層262，將前述LED器件200排放于該電路板上，加熱電路板260，貼合、下壓LED器件200使焊料電極層240固化連接所述電路板。，在加熱所述電路板，先預設加熱溫度和加熱時間，一次性升溫到于該預設溫度進行加熱，達到該預設時間后斷開加熱。其安裝結構如圖7所示。
[0047]圖8顯示了本發(fā)明的第二個較佳實施例。
[0048]請參看附圖8，本實施例與實施例1的區(qū)別主要在于:在LED芯片第一、第二電極的部分下表面和封裝材料層的底表面322包覆一層絕緣性反射層，較佳的采用高反射的白漆即可，其同時可起到防焊作用。下面結合附圖擴14對LED器件的制作方法做詳細說明。
[0049]首先，請參看附圖9，提供LED芯片310，其具有相對的上表面和下表面及連接該上、下表面的側壁，其中下表面上設有通過一間隙間隔的第一電極和第一電極，將該LED芯片310排列在一臨時載體360上，LED芯片310的第一表面朝上，其中該臨時載體350可采用粘性薄膜。一般可在臨時載體350排列一系列的芯片310，在圖擴14中為了簡化附圖，僅示出了兩個LED芯片。
[0050]請參看附圖10，在該LED芯片的第一表面上涂布一層硅膠作為封裝材料層320，可在娃膠內摻入突光粉。
[0051]請參看附圖11，去除該臨時載體360，此時露出LED芯片的第二表面及封裝材料層320的部分底表面，翻轉整個樣品使得LED芯片的電極312、314朝上。
[0052]請參看附圖12，采用網(wǎng)印方式，在LED芯片的第二表面上形成絕緣層330，該絕緣層330填充第一、第二電極之間的間隙，并向第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面312a和314a上,厚度大于第一、第二電極的厚度。
[0053]請參看附圖13，采用網(wǎng)印方式，在封裝材料層320的底表面322及LED芯片的第一、第二電極的部分表面312b、314b及絕緣層330的表面覆蓋一層高反射漆料作為絕緣性反射層350,預留第一電極和第二電極的部分表面312c、314c露出來,用于作電性連接。
[0054]請參看附圖14，采用網(wǎng)印方式在LED芯片第一、第二電極預留的表面312c和314c上形成焊料電極層340，該焊料電極層330同時覆蓋封裝材料層320的底表面322。至此，整個樣品遠離出光面的一側表面為一平整表面。
[0055]最后，對該樣品進行切割形成一系列LED器件，當將LED器件安裝于電路板中時，直接使用焊料電極層340進行連接即可。
[0056]在本實施例中，在芯片電極周圍與封裝材料層底部使用高反射漆料包覆，強化芯片與封裝材料層之間黏著機械強度外，同時增加亮度反射效果與焊料電極層貼著良率。
[0057]圖15?圖18顯示了圖8所示LED器件的另一種制作方法，該方法采用晶片級進行制作。下面結合附圖進行說明。
[0058]請參看圖15，提供一 LED外延晶片400，該LED外延晶片400具有生長襯底401和形成在生長襯底之上的發(fā)光外延疊層402,其中生長襯底一側表面400a為第一表面,遠離生長襯底的一側表面400b為第二表面。
[0059]請參看附圖16，將LED外延晶片400的發(fā)光外延疊層402單元化，并在第二表面400b上制作第一、第二電極，形成一系列LED芯片單元410，其中第一、第二電極之間具有間隙。
[0060]請參看附圖17，提供一臨時載體460，將前面處理完的LED外延晶片粘接在臨時載體460上，第一表面400a朝上，去除LED外延晶片的生長襯底401，露出發(fā)光外延疊層402的表面，在該表面上涂布膠硅作為封裝材料層420。
[0061]請參看附圖18，去除臨時載體460，并翻轉LED外延晶片使得第一、第二電極朝上，后續(xù)采用圖12?14所示的方式繼續(xù)制作絕緣層、絕緣性反射層及焊料電極層，并進行切割形成一系列LED器件。
[0062]圖19顯示了本發(fā)明的第三個較佳實施例。
[0063]請參看附圖19，本實施例與實施例1的主要區(qū)別在于:封裝材料層520僅覆蓋LED芯片520的上表面。下面結合附圖2(Γ24和制作方法對本實施例進行詳細說明。
[0064]請參看附圖20，提供一 LED外延晶片，該LED外延晶片具有生長襯底501和形成在生長襯底之上的發(fā)光外延疊層502,其中生長襯底一側表面500a為第一表面,遠離生長襯底的一側表面500b為第二表面。
[0065]請參看附圖21，在LED外延晶片的第二表面500b上形成封裝材料層520。
[0066]請參看附圖22，去除生長襯底501，將外延晶片的發(fā)光外延疊層502單元化，并在第一表面500a制作第一、第二電極,形成一系列LED芯片單兀,第一、第二電極之間具有一間隙。
[0067]請參看附圖23，采用網(wǎng)印方式，在LED外延晶片的第一表面500a上形成一絕緣層530，其填充第一、第二電極之間的間隙，并向所述第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面上，厚度大于所述第一、第二電極的厚度。
[0068]請參看附圖24，采用網(wǎng)印方式，在LED芯片單元的第一、第二電極上形成焊料電極層540，其與絕緣層530構成一個平整表面。
[0069]最后，進行切割，形成一系列LED器件500，當將LED器件500安裝于電路板中時，直接使用焊料電極層540進行連接即可。
[0070]在本實施例，采有晶片級進行制作，簡單化了工藝，同時有效縮小了器件的體積。
[0071]惟以上所述者，僅為本發(fā)明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發(fā)明實施之范圍，即大凡依本發(fā)明申請專利范圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發(fā)明專利涵蓋之范圍內。
【權利要求】
1.發(fā)光二極管器件，包括: LED芯片，其具有相對的上表面和下表面及連接所述上、下表面的側壁，其中下表面上設有第一電極和第一電極，所述第一電極和第二電極之間具有一間隙，實現(xiàn)兩電極間的電性隔離； 封裝材料層，覆蓋所述LED芯片的上表面，用于保護和支撐所述LED芯片； 絕緣層，填充所述間隙，并向所述第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面上，其厚度大于所述第一、第二電極的厚度； 焊料電極層，覆蓋所述LED芯片的第一、第二電極，并與所述絕緣層齊平，當該發(fā)光二極管器件安裝于電路板時，通過該焊料電極層進行連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述LED芯片的第一、第二電極的間隙為100 μ m "200 μ m0
3.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述LED芯片的第一、第二電極分別具有兩個端部，其中第一端部所述LED芯片下表面接觸，第二端部與所述焊料電極層接觸，所述第一電極的第二端部與第二電極的第二端部齊平。
4.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述第一、第二電極和絕緣層在LED芯片上的投影占滿整個芯片的下表面。
5.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述絕緣層的寬度為250 μ m?600 μ m。
6.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述絕緣層覆蓋所述LED芯片的第一、第二電極的面積占所述第一、第二電極的表面的109Γ60%。
7.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述絕緣層為防焊性材料。
8.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述絕緣層為高反射絕緣材料。
9.根據(jù)權利要求1所術的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述封裝材料層還覆蓋所述LED芯片的側壁，并向所述芯片外四周延伸露出部分底表面，該底面與所述LED芯片的第一、第二電極離遠LED芯片下表面的一端表面齊平。
10.根據(jù)權利要求9所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述焊料電極層還覆蓋所述封裝材料層露出的底表面。
11.根據(jù)權利要求9所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:還包括一絕緣性反射層，其覆蓋所述封裝材料層的底表面及部分所述LED芯片的第一、第二電極，所述焊料電極層覆蓋該絕緣性反射。
12.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述封裝材料層的厚度為250 μ m ?2000 μ m。
13.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述焊料電極層與絕緣層構成一個整平的表面，其完全覆蓋所述LED芯片的下表面。
14.發(fā)光二極管器件的制作方法，包括步驟: 提供LED芯片，其具有相對的上表面和下表面及連接所述上、下表面的側壁，其中下表面上設有第一電極和第一電極，所述第一電極和第二電極之間具有一間隙，實現(xiàn)兩電極間的電性隔離； 將所述LED芯片排列在一臨時載體上,所述LED芯片的上表面朝上； 在所述LED芯片的上表面上形成一封裝材料層，用于保護和支撐所述LED芯片； 去除所述臨時載體，并翻轉所述器件使得所述LED芯片的第一、第二電極朝上； 采用網(wǎng)印方式，在所述LED芯片的下表面上形成一絕緣層，其填充所述第一、第二電極之間的間隙，并向所述第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面上，厚度大于所述第一、第二電極的厚度； 采用網(wǎng)印方式在所述LED芯片的第一、第二電極上形成焊料電極層，其與所述絕緣層齊平，構成發(fā)光二極管器件，當該發(fā)光二極管器件安裝于電路板時，通過所述焊料電極層進行連接。
15.根據(jù)權利要求14所述發(fā)光二極管器件的制作方法，其特征在于:在形成所述焊料電極層前，先形成一絕緣性反射層，其覆蓋所述封裝材料層的底表面及部分所述LED芯片的第一、第二電極。
16.根據(jù)權利要求14所述發(fā)光二極管器件的制作方法，其特征在于:所述臨時載體為一粘性薄膜。
17.發(fā)光二極管器件的制作方法，包括步驟: 提供一 LED外延晶片，其具有一生長襯底和形成在所述生長襯底之上的發(fā)光外延疊層，定義所述生長襯底一側表面為第一表面，遠離生長襯底的一側表面為第二表面； 將所述外延晶片的發(fā)光外延疊層單元化，并在第二表面制作第一、第二電極，形成一系列LED芯片單元，所述第一、第二電極之間具有一間隙； 提供一臨時載體，將前述處理完的LED外延晶片粘接在所述臨時載體上，所述第一表面朝上； 去除所述LED外延晶片的生長襯底； 在所述LED外延晶片的第一表面上涂布封裝材料層； 去除所述臨時載體，并翻轉所述LED外延晶片使得所述第一、第二電極朝上； 采用網(wǎng)印方式，在所述LED外延晶片的第二表面上形成一絕緣層，其填充所述第一、第二電極之間的間隙，并向所述第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面上，其厚度大于所述第一、第二電極的厚度； 采用網(wǎng)印方式在所述LED芯片的第一、第二電極上形成焊料電極層，其與所述絕緣層齊平； 將所述LED外延晶片單一化，形成發(fā)光二極管器件，當該發(fā)光二極管器件安裝于電路板中時，通過所述焊料電極層進行連接。
18.發(fā)光二極管器件的制作方法，包括步驟: 提供一 LED外延晶片，其具有一生長襯底和形成在所述生長襯底之上的發(fā)光外延疊層，定義所述生長襯底一側表面為第一表面，遠離生長襯底的一側表面為第二表面； 在所述LED外延晶片的第二表面上形成一封裝材料層； 去除所述生長襯底，將所述外延晶片的發(fā)光外延疊層單元化，并在第一表面制作第一、第二電極，形成一系列LED芯片單兀,所述第一、第二電極之間具有一間隙； 采用網(wǎng)印方式，在所述LED外延晶片的第一表面上形成一絕緣層，其填充所述第一、第二電極之間的間隙，并向所述第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面上，其厚度大于所述第一、第二電極的厚度； 采用網(wǎng)印方式在所述LED芯片的第一、第二電極上形成焊料電極層，其與所述絕緣層齊平； 將所述LED外延晶片單一化，形成發(fā)光二極管器件，當該發(fā)光二極管器件安裝于電路板中時，通過所述焊料電極層進行連接。
19.一種發(fā)光二極管器件的安裝結構，其包括權利要求f 14中的任何一項所述的發(fā)光二極管器件和一電路板，所述發(fā)光二極管器件通過所述焊料電極層進行連接與電極板連接。
20.一種發(fā)光二極管器件的安裝方法，包括步驟: 提供一電路板； 將權利要求廣14中的任何一項所述的發(fā)光二極管器件排放于該電路板上，其中所述焊料電極層與電路板接觸， 加熱所述電路板，使所述焊料電極層熔化并固化連接所述電路板。
21.根據(jù)權利要求20所述的發(fā)光二極管器件的安裝方法，其特征在于:預設加熱溫度和加熱時間，在加熱所述電路板時一次升溫到于該預設溫度進行加熱，達到該預設時間后斷開加熱。
【文檔編號】H01L33/62GK104183686SQ201410454696
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2014年9月9日 優(yōu)先權日:2014年9月9日
【發(fā)明者】黃苡叡, 卓佳利, 林科闖, 林素慧, 徐宸科 申請人:廈門市三安光電科技有限公司