玻璃基多芯片封裝的制作方法
【專利摘要】在各實施方式中，玻璃基多芯片封裝包括：可光確定的玻璃基襯底、置于所述可光確定的玻璃基襯底上的至少一個電子元件、和所述可光確定的玻璃基襯底的已被曝光至紫外光的部分，其中所述可光確定的玻璃基襯底的所述部分包括陶瓷。此外，傳感器封裝可以包括額外的電子元件、玻璃觸控面板、和/或印刷電路板。在各實施方式中，制造傳感器封裝裝置包括：接收可光確定的玻璃基襯底、蝕刻所述可光確定的玻璃基襯底，和形成所述可光確定的玻璃基襯底的陶瓷部分。
【專利說明】玻璃基多芯片封裝
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求享有2013年8月15日提交的、題為“GLASS BASED MULTICHIPPACKAGE”的美國臨時申請序列號N0.61/866，093的權(quán)益。美國臨時申請序列號N0.61/866,093以其整體通過引用被合并于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本申請涉及玻璃基多芯片封裝。本申請還涉及包括玻璃基多芯片封裝的電子設(shè)備。本申請此外還涉及玻璃基多芯片封裝的制造工藝。

【背景技術(shù)】
[0004]諸如智能電話、平板電腦、數(shù)字媒體播放器等等的電子設(shè)備越來越多地采用傳感器來控制由該設(shè)備提供的多種功能的操作。例如，光傳感器通常被電子設(shè)備使用，來檢測周圍的照明條件以便控制該設(shè)備的顯示屏的亮度。類似地，光傳感器通常被用在接近和手勢感測應(yīng)用中。接近和手勢感測使得能夠在使用者沒有實際接觸感測裝置所存在于內(nèi)的該設(shè)備的情況下檢測肢體運動(例如，“手勢”)。所檢測到的運動可以隨后被用作該設(shè)備的輸入指令。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]描述了用于制造玻璃基多芯片封裝的各封裝技術(shù)，所述玻璃基多芯片封裝包括一個或多個傳感器或電子器件，諸如光傳感器或光源，其中所述傳感器和/或電子器件被置于可光確定的玻璃基襯底中和/或可光確定的玻璃基襯底上。
[0006]在各實施方式中，所述玻璃基多芯片封裝包括:可光確定的玻璃基襯底、置于所述可光確定的玻璃基襯底上的至少一個電子兀件、和所述可光確定的玻璃基襯底的已被曝光至紫外光的部分，其中所述可光確定的玻璃基襯底的所述部分包括陶瓷。此外，傳感器封裝可以包括額外的復(fù)數(shù)個電子元件、玻璃觸控面板、和/或印刷電路板。在各實施方式中，制造所述傳感器封裝裝置包括接收可光確定的玻璃基襯底、蝕刻所述可光確定的玻璃基襯底、以及形成所述可光確定的玻璃基襯底的陶瓷部分。
[0007]本“
【發(fā)明內(nèi)容】
”被提供以便以簡化的形式引入對下面在“【具體實施方式】”中被進一步描述的概念的選擇。本“
【發(fā)明內(nèi)容】
”并不意在確定所要求保護的主題的關(guān)鍵特征或基本特征，其也不意在被用作確定所要求保護的主題的范圍時的一種輔助。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]詳細(xì)的說明參考著附圖進行描述。在說明書和各圖中的不同例子中對相同附圖標(biāo)記的使用可以表示相近的或相同的特征。
[0009]圖1A為示出了根據(jù)本申請的實例性實施方式的玻璃基多芯片封裝的示意性局部橫截面?zhèn)纫晥D。
[0010]圖1B為示出了根據(jù)本申請的實例性實施方式的玻璃基多芯片封裝的示意性局部橫截面?zhèn)纫晥D。
[0011]圖1C為示出了根據(jù)本申請的實例性實施方式的玻璃基多芯片封裝的俯視圖。
[0012]圖1D為示出了根據(jù)本申請的實例性實施方式的玻璃基多芯片封裝的示意性局部橫截面?zhèn)纫晥D。
[0013]圖1E為示出了根據(jù)本申請的實例性實施方式的玻璃基多芯片封裝的俯視圖。
[0014]圖1F為示出了根據(jù)本申請的實例性實施方式的玻璃基多芯片封裝的示意性局部橫截面?zhèn)纫晥D。
[0015]圖1G為示出了根據(jù)本申請的實例性實施方式的玻璃基多芯片封裝的俯視圖。
[0016]圖1H為示出了根據(jù)本申請的實例性實施方式的玻璃基多芯片封裝的示意性局部橫截面?zhèn)纫晥D。
[0017]圖1I為示出了根據(jù)本申請的實例性實施方式的玻璃基多芯片封裝的示意性局部橫截面?zhèn)纫晥D。
[0018]圖1J為示出了根據(jù)本申請的實例性實施方式的玻璃基多芯片封裝的示意性局部橫截面?zhèn)纫晥D。
[0019]圖1K為示出了根據(jù)本申請的實例性實施方式的玻璃基多芯片封裝的示意性局部橫截面?zhèn)纫晥D。
[0020]圖1L為示出了根據(jù)本申請的實例性實施方式的玻璃基多芯片封裝的示意性局部橫截面?zhèn)纫晥D。
[0021]圖1M為示出了根據(jù)本申請的實例性實施方式的玻璃基多芯片封裝的示意性局部橫截面?zhèn)纫晥D。
[0022]圖1N為示出了根據(jù)本申請的實例性實施方式的玻璃基多芯片封裝的示意性局部橫截面?zhèn)纫晥D。
[0023]圖10為示出了根據(jù)本申請的實例性實施方式的玻璃基多芯片封裝的示意性局部橫截面?zhèn)纫晥D。
[0024]圖1P為示出了根據(jù)本申請的實例性實施方式的玻璃基多芯片封裝的示意性局部橫截面?zhèn)纫晥D。
[0025]圖1Q為示出了根據(jù)本申請的實例性實施方式的玻璃基多芯片封裝的示意性局部橫截面?zhèn)纫晥D。
[0026]圖2為流程圖，其示出了在用于制造諸如圖1A到IQ中所示的傳感器封裝的傳感器封裝的實例性實施方式中的工藝。
[0027]圖3A到3D為示意性局部橫截面?zhèn)纫晥D，示出了根據(jù)圖2中所示的工藝制造玻璃基多芯片封裝，諸如圖1A到IQ中所示的玻璃基多芯片封裝。
[0028]圖4A到4D為示出了玻璃基襯底曝光至紫外光以及玻璃的一部分轉(zhuǎn)變至陶瓷的示意性局部橫截面?zhèn)纫晥D。

【具體實施方式】
[0029]概述
[0030]目前的用于傳感器和其它電子元件的封裝方案非常復(fù)雜，具有復(fù)雜的封裝結(jié)構(gòu)、顯著的加工成本、以及低得不能再低的可靠性。目前的涉及傳感器裝置的方法和材料可以是昂貴的，并且在不顯著增加組裝工藝的復(fù)雜性以及顯著增加與組裝技術(shù)相關(guān)聯(lián)的加工費用的情況下難以集成至典型的電子封裝結(jié)構(gòu)中。此外，許多多芯片光傳感器封裝在各傳感器和/或各電子元件之間缺少光隔離。
[0031]因此，描述了用于制造玻璃基多芯片封裝的封裝技術(shù)，所述玻璃基多芯片封裝包括一個或多個傳感器或電子器件，諸如光傳感器或光源，其中所述傳感器和/或電子器件被置于可光確定的玻璃基襯底中和/或可光確定的玻璃基襯底上。
[0032]在各實施方式中，玻璃基多芯片封裝包括可光確定的(photodefinable)玻璃基襯底、置于可光確定的玻璃基襯底上的至少一個電子兀件、和可光確定的玻璃基襯底的已被曝光至紫外光的部分，其中可光確定的玻璃基襯底的所述部分包括陶瓷。此外，該傳感器封裝可以包括另外的復(fù)數(shù)個電子元件、玻璃觸控面板、和/或印刷電路板。在各實施方式中，制造傳感器封裝裝置包括接收可光確定的玻璃基襯底、蝕刻所述可光確定的玻璃基襯底、和形成所述可光確定的玻璃基襯底的陶瓷部分。
[0033]實例性實施方式
[0034]圖1A到IQ示出了根據(jù)本申請的實例性實施方式的玻璃基多芯片封裝100。如所示出的，該玻璃基多芯片封裝100包括玻璃基襯底102。
[0035]在各實施方式中，玻璃基襯底102包括可光確定的(可光構(gòu)造的)玻璃。可光確定的玻璃可以包括敏化劑，其允許獨特的各向異性的3D特征通過曝光至紫外(UV)光和隨后對曝光至UV光之后形成的陶瓷的烘焙和蝕刻而被形成。在一個實施方式中，接收玻璃基襯底102包括接收可光確定的玻璃襯底，其中所述玻璃襯底是光學(xué)透明的、化學(xué)惰性的、且直到大約450°C熱穩(wěn)定的。此外，玻璃基襯底102可以包括具有比陶瓷狀態(tài)高的熱膨脹系數(shù)的玻璃。在一個實施方式中，玻璃基襯底102可以被曝光至UV光、被烘焙和轉(zhuǎn)變成陶瓷110、并被蝕刻。在曝光和蝕刻工藝期間，不同的特征可以在玻璃基襯底102中被形成，諸如透鏡、孔(例如，用于形成穿過玻璃的通路)、和/或腔。在各實施方式中，玻璃基襯底102的不同部分可以被轉(zhuǎn)變成陶瓷110并且可以被蝕刻或被保持未蝕刻。此外，由蝕刻形成的各特征可以被填充有其它不透明的和/或?qū)щ姷牟牧?。在一個實施方式中，玻璃基襯底102可以被轉(zhuǎn)變成陶瓷狀態(tài)并被保持未蝕刻以便例如形成光隔離元件。
[0036]在各實施方式中，玻璃基多芯片封裝100包括至少一個電子兀件104。在一些實施方式中，電子元件104可以包括集成電路芯片，該集成電路芯片具有形成于其中的復(fù)數(shù)個集成電路和/或復(fù)數(shù)個無源器件(例如，電感器，電容器，和/或電阻器)。在其它實施方式中，電子元件104可以包括傳感器裝置106，諸如光傳感器(例如，諸如光電晶體管或光電二極管的光探測器等)。在一些實施方式中，電子元件104包括光源(例如，發(fā)光裝置108，諸如LED)。其它類型的電子元件也可以被采用(例如，化學(xué)傳感器，生物傳感器，它們的組合，等等)。電子元件104可以被置于玻璃基襯底102上和/或被形成在玻璃基襯底102內(nèi)，諸如在表面上或在玻璃基襯底102中所蝕刻的腔內(nèi)。
[0037]在各實施方式中，玻璃基多芯片封裝100包括互連部122?；ミB部122可以包括被構(gòu)造成在玻璃基襯底102、電子元件104、和/或外部裝置(例如，印刷電路板、玻璃觸控面板等等)之間提供電連接性的互連。在一些實施方式中，互連部122包括至少一個焊料球114。此外，其它類型的互連部122可以被使用，諸如再分布層、金屬觸墊、和/或穿過玻璃的通路。在這些實施方式中，玻璃基多芯片封裝100可以利用多芯片級封裝技術(shù)被制造以便于各裝置的電互連。
[0038]在一些實施方式中，再分布層120被用作玻璃基多芯片封裝100的各電子元件104和其它元件之間的電互連。再分布層120可以包括薄膜金屬(例如，鋁，銅等)重布線和互連系統(tǒng)，該系統(tǒng)將各導(dǎo)電層再分布到接觸墊(例如，UBM觸墊)或可被部署在玻璃基多芯片封裝100的表面上的焊料球114的區(qū)域陣列。
[0039]在一些實施方式中，至少一個焊料球114被形成在玻璃基襯底102上。復(fù)數(shù)個焊料球114可以被形成在玻璃基襯底102上。各焊料球114被設(shè)置成在各電子元件104之間提供機械的和/或電的互連。在一個或多個實施方式中，各焊料球114可以由無鉛的焊料制成，諸如錫-銀-銅(Sn-Ag-Cu)合金焊料(即，SAC)、錫-銀(Sn-Ag)合金焊料、錫-銅(Sn-Cu)合金焊料、等等。
[0040]玻璃基多芯片封裝100還可以包括穿過玻璃的通路118，其穿過玻璃基襯底102從一個表面到遠(yuǎn)側(cè)表面延伸。穿過玻璃的通路118可以包括導(dǎo)電材料，該導(dǎo)電材料提供電子兀件(例如，再分布層)之間的電互連。在一個或多個實施方式中，該導(dǎo)電材料可以包括金屬材料(例如，銅，鋁等)。
[0041]在一個實施方式中并且如圖1A中所示，玻璃基多芯片封裝100包括玻璃基襯底102、至少一個光學(xué)窗口 112、至少一個焊料球114、和至少一個電子元件104。在該實施方式中，玻璃基襯底102包括已被曝光至紫外光且被轉(zhuǎn)變成不透明的陶瓷110的部分。已被轉(zhuǎn)變成陶瓷110的那部分可以用來阻止環(huán)境光的至少一部分到達(dá)傳感器裝置106。玻璃基襯底102的未被轉(zhuǎn)變成陶瓷110的那些部分可以起光學(xué)窗口 112的作用。如圖1A中所示，光學(xué)窗口 112可以包括玻璃窗口。如圖1B中所示，光學(xué)窗口 112可以是透鏡。如圖1A中所示，各電子元件104可以包括置于玻璃基襯底102—側(cè)(例如，包括焊料球114的那側(cè))上的傳感器裝置106和發(fā)光裝置108 (例如，LED)。圖1C示出了玻璃基多芯片封裝100的俯視圖，其示出了具有傳感器裝置106和發(fā)光裝置108的玻璃基襯底102。圖1C中，各虛線代表置于玻璃基多芯片封裝100的底側(cè)上的各電子元件104(例如，傳感器、LED、集成電路芯片裝置)的邊界(例如，邊緣)。
[0042]在一個實施方式中并且如圖1D中所示，玻璃基多芯片封裝100包括具有至少一個光學(xué)窗口 112的玻璃基襯底102、至少一個焊料球114、和至少一個電子元件104(例如，傳感器裝置106和/或發(fā)光裝置108)。在該實施方式中，玻璃基襯底102的一部分可以被激光鉆孔以形成槽116而剩余的部分為玻璃。槽116可以被填充有不透明材料(例如，環(huán)氧樹脂漿料，電鍍的金屬，等等)。圖1E示出了玻璃基多芯片封裝100的俯視圖，其示出了填充有不透明材料的各槽116，所述不透明材料可以起光隔離元件的作用。圖1E中，各虛線代表置于玻璃基多芯片封裝100的底側(cè)上的各電子元件104的邊緣。
[0043]在一個實施方式中并且如圖1F中所示，玻璃基多芯片封裝100包括具有至少一個光學(xué)窗口 112的玻璃基襯底102、和至少一個電子元件104 (例如，傳感器裝置106和/或發(fā)光裝置108)。在該實施方式中，玻璃基襯底102的接近光學(xué)窗口 112的部分可以被曝光至紫外光并被烘焙以便形成陶瓷110的部分。在該實施方式中，陶瓷110的部分圍繞光學(xué)窗口 112，并且光學(xué)窗口 112僅暴露電子器件104的一部分。圖1G示出了玻璃基多芯片封裝100的俯視圖，其示出了圍繞著覆蓋了傳感器裝置106和/或發(fā)光裝置108的光學(xué)窗口 112的陶瓷110的部分。
[0044]在一個實施方式中并且如圖1H中所示，玻璃基多芯片封裝100包括安裝在印刷電路板124上的玻璃基襯底102。在該實施方式中，玻璃基襯底102包括陶瓷110部分和覆蓋著傳感器裝置106與發(fā)光裝置108的光學(xué)窗口 112。玻璃基襯底102可以利用諸如焊料球114陣列的電互連部122安裝在印刷電路板124上。在該實施方式中，各電子元件104可以被安裝至玻璃基襯底102的背面，并且玻璃基襯底102可以利用例如焊料球114陣列被安裝至印刷電路板124。如圖1H中所示，電子元件(一個或多個)104可以被安裝至玻璃基襯底102的背面，玻璃基襯底102又可以被安裝至印刷電路板124。在類似的實施方式中并且如圖1I中所示，玻璃基襯底102可以被安裝至玻璃觸控面板126。在該實施方式中，電子元件(一個或多個)104可以在玻璃基襯底102的一側(cè)上被安裝至玻璃基襯底102，所述一側(cè)遠(yuǎn)離被安裝至玻璃觸控面板126的那側(cè)。
[0045]在一個實施方式中并且如圖1J和IK中所示，玻璃基多芯片封裝100包括具有蝕刻于和/或形成于玻璃基襯底102中的至少一個腔的玻璃基襯底102。在該實施方式中，玻璃基襯底102可以被或可以不被部分地轉(zhuǎn)變成陶瓷110。至少一個電子元件104可以被置于腔中并且被接合至玻璃基襯底102。在圖1J中所示的實施方式中，電子元件104可以由包封材料134包封。在圖1K中所不的實施方式中，各電子兀件104被置于形成于玻璃基襯底102中的各腔中而沒有包封材料134，并且玻璃基襯底102包括至少一個穿過玻璃的通路118，所述通路將各電子元件104電接合至例如再分布層和焊料球114陣列或其它的互連部122。
[0046]在一個實施方式中，玻璃基多芯片封裝100包括無源器件128和具有至少一個電子元件104的玻璃基襯底102，所述電子元件被置于形成于玻璃基襯底102中的腔中。在該實施方式中，傳感器裝置106和/或電子器件104 (例如，集成電路芯片)在玻璃基襯底102的焊料球114的側(cè)上被置于各腔中，并且無源器件128和電子器件104 (例如，集成電路芯片)被置于玻璃基襯底102的與焊料球114側(cè)相反的表面上。電子元件(一個或多個)104和/或無源器件(一個或多個)128可以通過至少一個穿過玻璃的通路118和/或再分布層120被電連接至作為玻璃基多芯片封裝100的一部分的其它電學(xué)器件(一個或多個)。在類似的實施方式中并且在圖1M中所示，玻璃基多芯片封裝100包括無源器件128和玻璃基襯底102，所述玻璃基襯底102具有被置于形成于玻璃基襯底102中的腔中的至少一個電子元件104、和在與焊料球114側(cè)相反的那側(cè)上安裝在玻璃基襯底102上的電子元件104 (例如，倒裝芯片)。電子元件104的一部分可以延伸至形成于玻璃基襯底102中的腔中，并且該腔可以完全穿過玻璃基襯底102延伸(例如，在敞開的腔中的裸片疊層)。圖1N示出了類似的實施方式，其中玻璃基多芯片封裝100包括如在圖1M中所示的類似的電子元件104疊層(例如，裸片疊層)，除了容納各電子元件104的各腔可以被填充有包封材料134 (例如，環(huán)氧樹脂等)之外。在圖1N中所示的實施方式中，焊料球114陣列和/或再分布層120可以至少部分地在包封材料130上方被形成。
[0047]在另一實施方式中并且如在圖1P中所示，玻璃基多芯片封裝100包括至少一個腔被形成于其中的玻璃基襯底102。在該實施方式中，電子元件104可以被置于該腔中并且包封材料130被形成在該腔中和該電子元件104周圍。電子元件104可以被電接合至再分布層120和/或焊料球114陣列。在一些實施方式中，遠(yuǎn)離玻璃基襯底102的具有焊料球114陣列的側(cè)的玻璃基襯底102的那側(cè)可以利用例如磨削或研磨工藝被變薄。
[0048]在一個實施方式中并且如圖1Q中所示，玻璃基多芯片封裝100包括至少一個腔被形成于其中的玻璃基襯底102。至少一個電子元件104可以被置于該腔中和膠合帶132上。膠合帶132可以被放置于玻璃基襯底102的一側(cè)上。電子元件104然后可以被放置于該腔中和該膠合帶132上。膠合帶132可以用來在包封材料130 (例如，絲網(wǎng)印刷的環(huán)氧樹脂)被放置在該腔中時將電子元件104固定在位。其它的材料和元件可以被包括在該實施方式中以便完成玻璃基多芯片封裝100(例如，添加互連部122，焊料球114，額外的電子元件104，等等)。
[0049]實例性制造工藝
[0050]圖2示出了實例性工藝200，該工藝采用傳感器封裝技術(shù)來制造傳感器封裝，諸如在圖1A到IQ中所示的玻璃基多芯片封裝100。圖3A到3D示出了被用來制造多芯片裝置(諸如在圖1A到IQ中所示的玻璃基多芯片封裝100)的實例性玻璃基多芯片封裝300的截面。
[0051]如在圖2中所示的，可光確定的玻璃基襯底被接收或被形成(方框202)。圖3A示出了玻璃襯底302的一部分。在各實施方式中，玻璃襯底302包括可光確定的(可光構(gòu)造的)玻璃?？晒獯_定的玻璃可以包括敏化劑，所述敏化劑允許獨特的各向異性的3D特征通過曝光至紫外光而被形成。在一個實施方式中，接收玻璃襯底302包括接收可光確定的玻璃襯底，其中該玻璃襯底是光學(xué)透明的、是化學(xué)惰性的、并且直到大約450°C是熱穩(wěn)定的。
[0052]可光確定的玻璃基襯底被蝕刻(方框204)。當(dāng)如在圖3B中所示被曝光至紫外光時，可光確定的玻璃襯底302轉(zhuǎn)變成陶瓷，其在需要時可以被蝕刻。在一個實施方式中，玻璃襯底302被曝光至來自標(biāo)準(zhǔn)泛光紫外光系統(tǒng)的光。在一個實施方式中，曝光玻璃襯底302包括使用各種各樣的高能深紫外和中紫外激光(例如，具有大約310nm的波長)。其它類型的可光以被用來曝光玻璃襯底302。
[0053]圖3C不出了至少一部分已被曝光至紫外光的玻璃襯底302。在一些實施方式中，光刻膠層可以被施加到玻璃襯底302以用于為玻璃襯底302形成圖案。在其它的實施方式中，掩模(例如，石英-鉻掩模)可以被用來以所期望的圖案將光投射在玻璃襯底302上。在玻璃襯底302曝光至紫外光之后，玻璃襯底302的該部分可以被烘焙以便將已曝光部分轉(zhuǎn)變成可以被蝕刻的陶瓷304。在一個實施方式中，玻璃襯底302可以在大約500°C的溫度下被烘焙以便允許玻璃襯底302中的光活化劑遷移到一起以形成納米簇。在該實施方式中，溫度可以被升高至第二溫度以便誘導(dǎo)陶瓷在接近各納米簇的玻璃基質(zhì)內(nèi)成核。在烘焙之后，玻璃襯底302的被曝光的各區(qū)域轉(zhuǎn)變成陶瓷(例如，褐色或不透明的陶瓷)。在各實施方式中，陶瓷304被蝕刻。在一個實施方式中，蝕刻陶瓷304可以包括以超聲波浴在氫氟酸(HF)溶液中蝕刻陶瓷。在各實施方式中，玻璃襯底302的未曝光部分基本上未受HF蝕刻工藝的影響。此外，其它類型的蝕刻劑和蝕刻工藝可以被采用(例如，等離子體蝕刻等)。在蝕刻工藝之后，光學(xué)窗口 306(例如，玻璃窗口或透鏡)可以被形成，其可以作為玻璃襯底302的一部分被包括，如在圖3C中所示。在一些實施方式中，玻璃襯底302可以被蝕刻以便形成光學(xué)窗口 306(例如，透鏡、窗口等)、穿過玻璃的通路、或用于填充其它材料(例如，不透明材料等)的槽。
[0054]可光確定的玻璃基襯底的至少一部分被形成為陶瓷(方框206)。在其它的實施方式中，玻璃襯底302的復(fù)數(shù)個部分可以被轉(zhuǎn)變成陶瓷(例如，各陶瓷部分304)，諸如在前面的段落中所描述的。在這些實施方式中，陶瓷304可能不打算被進一步蝕刻，而是陶瓷304被打算起隔離材料作用。在一個實施方式中，玻璃襯底302的已被預(yù)蝕刻的部分被曝光至紫外光并被烘焙以便形成陶瓷304，這里該陶瓷304被用來起光隔離器和/或擋光板的作用。
[0055]預(yù)期的是其它的半導(dǎo)體制造技術(shù)可以被用來完成玻璃基多芯片封裝100制造工藝。例如，光刻膠的進一步剝離、對種子和各阻擋金屬的蝕刻來電隔離各電鍍(plated-up)線、以及鈍化層的沉積可以被包括。例如，未鍍區(qū)域中的種子和阻擋金屬可以被去除從而形成各電互連。
[0056]圖4A到4D示出了將玻璃基襯底102的一部分曝光至紫外光以用于將玻璃基襯底102的一部分轉(zhuǎn)變成陶瓷110的工藝。圖4A描繪了紫外光(UV)強度對玻璃基襯底102的位置的實例性圖表。例如，當(dāng)紫外光強度增大(由各箭頭表示)時，玻璃基襯底102的更大(例如，更深)部分可以被曝光。玻璃基襯底102的被曝光的部分可以在烘焙工藝之后被轉(zhuǎn)變成陶瓷110，這在前面進行了描述并在圖4B中進一步示出。圖4C示出了玻璃基襯底102，其中玻璃基襯底102的被曝光至紫外光并被轉(zhuǎn)變成陶瓷110的部分已利用蝕刻工藝被去除。圖4D示出了其中玻璃基襯底102的一部分已被進一步曝光至紫外光。玻璃基襯底102然后可以再次被烘焙，并且玻璃基襯底102的被轉(zhuǎn)變成陶瓷110的部分于是可以起擋光板的作用。
[0057]結(jié)論
[0058]盡管本主題已用針對結(jié)構(gòu)性特征和/或工藝操作的語言進行描述，將被理解的是所附的權(quán)利要求中所限定的主題并不必限制于上述的具體特征或動作。相反，上述的具體特征或動作是作為實現(xiàn)各權(quán)利要求的實例形式被公開的。
【權(quán)利要求】
1.一種玻璃基多芯片封裝，其包括: 可光確定的玻璃基襯底； 置于所述可光確定的玻璃基襯底上的至少一個電子元件；和 所述可光確定的玻璃基襯底的已被轉(zhuǎn)變成光學(xué)不透明材料的部分。
2.如權(quán)利要求1所述的玻璃基多芯片封裝，其中所述可光確定的玻璃基襯底包括光學(xué)透明的玻璃基襯底。
3.如權(quán)利要求1所述的玻璃基多芯片封裝，其中所述可光確定的玻璃基襯底包括熱穩(wěn)定的玻璃基襯底。
4.如權(quán)利要求1所述的玻璃基多芯片封裝，其中所述電子元件包括集成電路芯片。
5.如權(quán)利要求1所述的玻璃基多芯片封裝，其中所述電子元件包括傳感器。
6.如權(quán)利要求1所述的玻璃基多芯片封裝，其中所述電子元件包括光源。
7.如權(quán)利要求1所述的玻璃基多芯片封裝，還包括至少一個互連部。
8.如權(quán)利要求1所述的玻璃基多芯片封裝，還包括至少一個穿過玻璃的通路。
9.一種電子設(shè)備,其包括: 印刷電路板；和 玻璃基多芯片封裝，所述玻璃基多芯片封裝包括: 可光確定的玻璃基襯底； 置于所述可光確定的玻璃基襯底上的至少一個電子元件；和 所述可光確定的玻璃基襯底的已被轉(zhuǎn)變成光學(xué)不透明材料的部分，其中所述光學(xué)不透明材料包括陶瓷。
10.如權(quán)利要求9所述的電子設(shè)備，其中所述可光確定的玻璃基襯底包括光學(xué)透明的玻璃基襯底。
11.如權(quán)利要求9所述的電子設(shè)備，其中所述可光確定的玻璃基襯底包括熱穩(wěn)定的玻璃基襯底。
12.如權(quán)利要求9所述的電子設(shè)備，其中所述電子元件包括集成電路芯片。
13.如權(quán)利要求9所述的電子設(shè)備，其中所述電子元件包括傳感器。
14.如權(quán)利要求9所述的電子設(shè)備，其中所述電子元件包括光源。
15.如權(quán)利要求9所述的電子設(shè)備，還包括至少一個互連部。
16.如權(quán)利要求9所述的電子設(shè)備，還包括至少一個穿過玻璃的通路。
17.玻璃基多芯片封裝的制造方法，其包括: 接收可光確定的玻璃基襯底； 蝕刻所述可光確定的玻璃基襯底；和 形成所述可光確定的玻璃基襯底的陶瓷部分。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中接收可光確定的玻璃基襯底包括接收光學(xué)透明的玻璃。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中蝕刻所述可光確定的玻璃基襯底包括將所述襯底的至少一部分曝光至紫外光。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，其中蝕刻所述可光確定的玻璃基襯底包括使用氫氟酸。
【文檔編號】H01L23/498GK104377188SQ201410393719
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年8月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月15日
【發(fā)明者】T·周 申請人:馬克西姆綜合產(chǎn)品公司