一種制備有機(jī)發(fā)光器件的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種制備有機(jī)發(fā)光器件的方法，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，解決了現(xiàn)有的摻雜層形成工藝及設(shè)備復(fù)雜，摻雜均勻性差、效果不佳的問題。一種制備有機(jī)發(fā)光器件的方法，包括形成空穴注入功能層、空穴傳輸功能層、發(fā)光功能層、電子傳輸功能層以及電子注入功能層，其中，所述空穴注入功能層、空穴傳輸功能層、發(fā)光功能層、電子傳輸功能層以及電子注入功能層中至少一層為摻雜層，所述摻雜層包括基質(zhì)材料和摻雜材料；至少一層摻雜層的形成方法包括：依次沉積基質(zhì)材料和摻雜材料，形成相鄰的基質(zhì)材料層和摻雜材料層；加熱所述基質(zhì)材料層和摻雜材料層。
【專利說明】一種制備有機(jī)發(fā)光器件的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種制備有機(jī)發(fā)光器件的方法。

【背景技術(shù)】
[0002] OLED(Organic Light Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管）顯示器是新一代的顯示 器，與液晶顯示器相比，具有自發(fā)光，響應(yīng)速度快，寬視角等優(yōu)點(diǎn)，可以用于柔性顯示，透明 顯示，3D顯示等。
[0003] 0LED顯示器包括：0LED陣列基板以及有機(jī)發(fā)光器件；其中有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)如 圖1所示，包括：陽極1、陰極7以及有機(jī)功能層10 ;其中有機(jī)功能層10還可以進(jìn)一步細(xì)分 為：空穴注入功能層（HIL層）2、空穴傳輸功能層（HTL層）3、發(fā)光功能層（EML層）4、電子傳 輸功能層（ETL層）5以及電子注入功能層（EIL層）6等。其中，發(fā)光功能層主要用于發(fā)光， 其他功能層均為導(dǎo)電層，其主要的工作原理是有機(jī)功能層在陽極和陰極所形成電場(chǎng)的驅(qū)動(dòng) 下，通過載流子注入和復(fù)合而發(fā)光。
[0004] 其中，有機(jī)功能層一般為摻雜層，即包括摻雜材料及基質(zhì)材料，通過在基質(zhì)材料中 添加摻雜材料，提高基質(zhì)材料的性能。例如，空穴注入功能層為摻雜層，摻雜材料一般為 ?4-1^觸(2,3,5,6-四氟-7,7'，8,8'-四氰二甲基對(duì)苯醌），基質(zhì)材料一般為21^(：(鈦菁 鋅），通過在基質(zhì)材料中添加摻雜材料增強(qiáng)基質(zhì)材料的導(dǎo)電性。
[0005] 現(xiàn)行的用于制備有機(jī)發(fā)光的P/N型摻雜層的方法通常為共蒸發(fā)的方法，即利用兩 個(gè)蒸發(fā)源分別對(duì)摻雜材料和基質(zhì)材料加熱使得摻雜材料和基質(zhì)材料蒸發(fā)混合，因此共蒸發(fā) 是通過控制二者的蒸發(fā)速率比來控制摻雜比例，但影響蒸發(fā)速率的條件比較多，比如材料 的蒸發(fā)面積、材料體積等，因此蒸發(fā)速率難控制，摻雜材料和基質(zhì)材料的混合均勻性較差， 摻雜效果不佳。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種制備有機(jī)發(fā)光器件的方法，解決摻雜層摻雜均勻性差、 效果不佳的問題。
[0007] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：
[0008] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種制備有機(jī)發(fā)光器件的方法，包括形成空穴注入功能層、 空穴傳輸功能層、發(fā)光功能層、電子傳輸功能層以及電子注入功能層，其中，所述空穴注入 功能層、空穴傳輸功能層、發(fā)光功能層、電子傳輸功能層以及電子注入功能層中至少一層為 摻雜層，所述摻雜層包括基質(zhì)材料和摻雜材料；至少一層摻雜層的形成方法包括：
[0009] 依次沉積基質(zhì)材料和摻雜材料，形成相鄰的基質(zhì)材料層和摻雜材料層；
[0010] 加熱所述基質(zhì)材料層和摻雜材料層。
[0011] 可選的，所述依次沉積基質(zhì)材料和摻雜材料，形成相鄰的基質(zhì)材料層和摻雜材料 層具體為：
[0012] 沉積基質(zhì)材料，形成一層基質(zhì)材料層；
[0013] 在所述基質(zhì)材料層上面沉積摻雜材料，形成一層摻雜材料層。
[0014] 可選的，所述依次沉積基質(zhì)材料和摻雜材料，形成相鄰的基質(zhì)材料層和摻雜材料 層具體為：
[0015] 依次間隔的沉積基質(zhì)材料和摻雜材料，形成多層間隔的基質(zhì)材料層和摻雜材料 層。
[0016] 可選的，所述依次間隔的沉積基質(zhì)材料和摻雜材料，形成多層間隔的基質(zhì)材料層 和摻雜材料層具體為 ：
[0017] 沉積基質(zhì)材料，形成第一基質(zhì)材料層；
[0018] 在所述第一基質(zhì)材料層上面沉積摻雜材料，形成摻雜材料層；
[0019] 在所述摻雜材料層上沉積基質(zhì)材料，形成第二基質(zhì)材料層。
[0020] 可選的，所述加熱溫度為50_350°C。
[0021] 可選的，依次沉積至少兩層摻雜層的基質(zhì)材料和摻雜材料，一次加熱沉積的所述 至少兩層摻雜層的基質(zhì)材料和摻雜材料。
[0022] 可選的，所述至少兩層摻雜層為空穴注入功能層以及空穴傳輸功能層；形成所述 空穴注入功能層以及空穴傳輸功能層具體包括：
[0023] 沉積空穴注入功能層的基質(zhì)材料和摻雜材料，形成空穴注入功能層的基質(zhì)材料層 和摻雜材料層；
[0024] 沉積空穴傳輸功能層的基質(zhì)材料和摻雜材料，形成空穴傳輸功能層的基質(zhì)材料層 和摻雜材料層；
[0025] -次加熱沉積的空穴注入功能層以及空穴傳輸功能層的基質(zhì)材料層和摻雜材料 層。
[0026] 可選的，所述至少兩層摻雜層為電子傳輸功能層以及電子注入功能層；形成所述 電子傳輸功能層以及電子注入功能層具體包括：
[0027] 沉積電子傳輸功能層的基質(zhì)材料和摻雜材料，形成電子傳輸功能層的基質(zhì)材料層 和摻雜材料層；
[0028] 沉積電子注入功能層的基質(zhì)材料和摻雜材料，形成電子注入功能層的基質(zhì)材料層 和摻雜材料層；
[0029] -次加熱沉積的電子傳輸功能層以及電子注入功能層的基質(zhì)材料層和摻雜材料 層。
[0030] 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種制備有機(jī)發(fā)光器件的方法，所述方法通過依次沉積基質(zhì) 材料和摻雜材料，形成相鄰的基質(zhì)材料層和摻雜材料層，并加熱所述基質(zhì)材料層和摻雜材 料層以形成摻雜層，其可以用于形成有機(jī)發(fā)光顯示器中各功能層，且通過加熱使得摻雜材 料和基質(zhì)材料的原子在高溫下擴(kuò)散，摻雜層中基質(zhì)材料和摻雜材料的摻雜均勻性好，且工 藝簡(jiǎn)單。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0031] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0032] 圖1為現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光器件示意圖；
[0033] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種空穴注入功能層示意圖；
[0034] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種依次間隔的沉積基質(zhì)材料和摻雜材料的方法示 意圖；
[0035] 圖4為圖3所示的方法形成的空穴注入功能層示意圖；
[0036] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種依次間隔的沉積基質(zhì)材料和摻雜材料的方法 示意圖；
[0037] 圖6為圖5所示的方法形成的空穴注入功能層示意圖；
[0038] 圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成空穴注入功能層以及空穴傳輸功能層；
[0039] 圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成電子傳輸功能層以及電子注入功能層方法 示意圖；
[0040] 圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有機(jī)發(fā)光器件的制作方法示意圖。
[0041] 附圖標(biāo)記：
[0042] 1-陽極；2-空穴注入功能層；3-空穴傳輸功能層；4-發(fā)光功能層；5-電子傳輸 功能層；6-電子注入功能層；7-陰極；10-有機(jī)功能層；21-基質(zhì)材料層；22-摻雜材料層； 211-第一基質(zhì)材料層；212-第二基質(zhì)材料層；213-第三基質(zhì)材料層；221-第一摻雜材料 層；222-第二摻雜材料層。

【具體實(shí)施方式】
[0043] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于 本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0044] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種制備有機(jī)發(fā)光器件的方法，包括形成空穴注入功能層、 空穴傳輸功能層、發(fā)光功能層、電子傳輸功能層以及電子注入功能層，其中，空穴注入功能 層、空穴傳輸功能層、發(fā)光功能層、電子傳輸功能層以及電子注入功能層中至少一層為摻雜 層，摻雜層包括基質(zhì)材料和摻雜材料；至少一層摻雜層的形成方法包括：
[0045] 依次沉積基質(zhì)材料和摻雜材料，形成相鄰的基質(zhì)材料層和摻雜材料層；
[0046] 加熱基質(zhì)材料層和摻雜材料層。
[0047] 需要說明的是，摻雜層即通過至少兩種不同的材料形成的膜層，其一般至少包括 基質(zhì)材料和摻雜材料。如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例以有機(jī)功能層包括空穴注入功能層2、空 穴傳輸功能層3、發(fā)光功能層4、電子傳輸功能層5以及電子注入功能層6為例，其中，空穴 注入功能層2、空穴傳輸功能層3、發(fā)光功能層4、電子傳輸功能層5以及電子注入功能層6 均可以摻雜層。當(dāng)然，有機(jī)功能層還可以包括其他薄膜或?qū)咏Y(jié)構(gòu)，本發(fā)明實(shí)施例以上述有機(jī) 功能層為例進(jìn)行詳細(xì)說明。且空穴注入功能層、空穴傳輸功能層、發(fā)光功能層、電子傳輸功 能層以及電子注入功能層也可以是非摻雜層，即空穴注入功能層、空穴傳輸功能層、發(fā)光功 能層、電子傳輸功能層以及電子注入功能層中至少一層為摻雜層，本發(fā)明實(shí)施例主要以各 功能層為摻雜層，具體說明摻雜層的制作方法。
[0048] 至少一層摻雜層的形成方法包括：依次沉積基質(zhì)材料和摻雜材料，形成相鄰的基 質(zhì)材料層和摻雜材料層；加熱基質(zhì)材料層和摻雜材料層。具體的，由于空穴注入功能層、空 穴傳輸功能層、發(fā)光功能層、電子傳輸功能層以及電子注入功能層可以是摻雜層，也可以是 非摻雜層，則至少一層摻雜層的形成方法包括：依次沉積基質(zhì)材料和摻雜材料，形成相鄰的 基質(zhì)材料層和慘雜材料層；加熱基質(zhì)材料層和慘雜材料層，可以是對(duì)空穴注入功能層、空穴 傳輸功能層、發(fā)光功能層、電子傳輸功能層以及電子注入功能層中的摻雜層都采用本發(fā)明 實(shí)施例提供的方法形成，也可以是對(duì)摻雜層中的部分摻雜層采用本發(fā)明實(shí)施例提供的方法 形成。
[0049] 由于一般形成有機(jī)功能層的材料為有機(jī)材料，即空穴注入功能層、空穴傳輸功能 層、發(fā)光功能層、電子傳輸功能層以及電子注入功能層的摻雜材料和基質(zhì)材料為有機(jī)材料， 則當(dāng)加熱依次沉積的基質(zhì)材料層和摻雜材料層，摻雜材料和基質(zhì)材料的原子在高溫下擴(kuò) 散，實(shí)現(xiàn)摻雜的目的，且原子擴(kuò)散形成的摻雜層中基質(zhì)材料和摻雜材料均勻，摻雜效果好。
[0050] 依次沉積基質(zhì)材料和摻雜材料，形成相鄰的基質(zhì)材料層和摻雜材料層，其中，基質(zhì) 材料和摻雜材料的沉積先后順序不作具體限定，可以是先沉積基質(zhì)材料形成基質(zhì)材料層， 再沉積摻雜材料形成摻雜材料層；也可以是先沉積摻雜材料形成摻雜材料層，再沉積基質(zhì) 材料形成基質(zhì)材料層。依次沉積基質(zhì)材料和摻雜材料，是為了形成相鄰的基質(zhì)材料層和摻 雜材料層，這樣當(dāng)加熱所述基質(zhì)材料層和摻雜材料層時(shí)有利于基質(zhì)材料和摻雜材料的擴(kuò) 散。
[0051] 具體的，依次沉積基質(zhì)材料和摻雜材料可以是在鍍膜機(jī)內(nèi)依次蒸鍍，形成相鄰的 基質(zhì)材料層和摻雜材料層。加熱基質(zhì)材料層和摻雜材料層可以通過各種方法進(jìn)行，包括但 不限于用使用加熱板、烘箱、紅外燈、閃光燈和激光加熱。
[0052] 本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制備有機(jī)發(fā)光顯示器件的方法，所述方法通過依次沉積 基質(zhì)材料和摻雜材料，形成相鄰的基質(zhì)材料層和摻雜材料層，并加熱所述基質(zhì)材料層和摻 雜材料層以形成摻雜層，其可以用于形成有機(jī)發(fā)光顯示器中各功能層，且通過加熱使得摻 雜材料和基質(zhì)材料的原子在高溫下擴(kuò)散，摻雜的均勻性好，且摻雜的工藝簡(jiǎn)單。
[0053] 可選的，加熱溫度為50_350°C。當(dāng)然，根據(jù)不同功能層其基質(zhì)材料和摻雜材料不 同，其優(yōu)選的加熱溫度也不同，具體的不同功能層的最佳溫度在所述功能層材料的玻璃化 轉(zhuǎn)變點(diǎn)（T g)附近。
[0054] 可選的，依次沉積基質(zhì)材料和摻雜材料，形成相鄰的基質(zhì)材料層和摻雜材料層具 體為：
[0055] 沉積基質(zhì)材料，形成一層基質(zhì)材料層；
[0056] 在基質(zhì)材料層上面沉積摻雜材料，形成一層摻雜材料層。
[0057] 具體的，如圖2所示，在陽極1上沉積基質(zhì)材料形成基質(zhì)材料層21 ;在基質(zhì)材料層 21上沉積摻雜材料形成摻雜材料層22,通過對(duì)基質(zhì)材料層21和摻雜材料層22加熱以形成 空穴注入功能層2。
[0058] 如圖2中僅以形成空穴注入功能層，且先沉積基質(zhì)材料為例，其他功能層可以參 照上述方法。
[0059] 可選的，依次沉積基質(zhì)材料和摻雜材料，形成相鄰的基質(zhì)材料層和摻雜材料層具 體為：
[0060] 依次間隔的沉積基質(zhì)材料和摻雜材料，形成多層間隔的基質(zhì)材料層和摻雜材料 層。
[0061] 依次間隔的沉積基質(zhì)材料和摻雜材料，即可以是沉積基質(zhì)材料，形成一層基質(zhì)材 料層；在基質(zhì)材料層上面沉積摻雜材料，形成一層摻雜材料層；在摻雜材料層上面沉積基 質(zhì)材料，形成一層基質(zhì)材料層，依次循環(huán)形成多層間隔的基質(zhì)材料層和摻雜材料層。
[0062] 具體的，依次間隔的沉積基質(zhì)材料和摻雜材料，形成多層間隔的基質(zhì)材料層和摻 雜材料層，可以是如圖3、圖4所示，包括：
[0063] 步驟301、沉積基質(zhì)材料，形成第一基質(zhì)材料層（211)。
[0064] 步驟302、在所述第一基質(zhì)材料層（211)上面沉積摻雜材料，形成第一摻雜材料層 (221)。
[0065] 步驟303、在所述第一摻雜材料層（221)上面沉積基質(zhì)材料，形成第二基質(zhì)材料層 (212)。
[0066] 步驟304、在所述第二基質(zhì)材料層（212)上面沉積摻雜材料，形成第二摻雜材料層 (222)。
[0067] 步驟305、在所述第二摻雜材料層（222)上面沉積基質(zhì)材料，形成第三基質(zhì)材料層 (213)。
[0068] 即間隔的沉積基質(zhì)材料和摻雜材料層，形成相鄰間隔的三層基質(zhì)材料層和兩層摻 雜材料層。當(dāng)然，多層基質(zhì)材料層和摻雜材料層可以是基質(zhì)材料層和摻雜材料層的層數(shù)相 同，也可以是不相同。圖3所示的以三層基質(zhì)材料層和兩層摻雜材料層為例進(jìn)行說明。 [0069] 優(yōu)選的，如圖5、圖6所示，所述依次間隔的沉積基質(zhì)材料和摻雜材料，形成多層間 隔的基質(zhì)材料層和慘雜材料層具體為：
[0070] 步驟501、沉積基質(zhì)材料，形成第一基質(zhì)材料層（211)。
[0071] 步驟502、在所述第一基質(zhì)材料層（211)上面沉積摻雜材料，形成摻雜材料層 (22)。
[0072] 步驟503、在所述摻雜材料層（22)上面沉積基質(zhì)材料，形成第二基質(zhì)材料層 (212)。
[0073] 即間隔的沉積基質(zhì)材料和摻雜材料層，形成相鄰間隔的兩層基質(zhì)材料層和一層摻 雜材料層，如圖6所示，摻雜材料層22位于兩層基質(zhì)材料層（第一基質(zhì)材料層211和第二 基質(zhì)材料層212)之間。
[0074] 可選的，依次沉積至少兩層摻雜層的基質(zhì)材料和摻雜材料，一次加熱沉積的所述 至少兩層摻雜層的基質(zhì)材料以及沉積的摻雜材料。
[0075] 即可以是依次沉積空穴注入功能層、空穴傳輸功能層、發(fā)光功能層、電子傳輸功能 層以及電子注入功能層中至少兩層功能層的基質(zhì)材料和摻雜材料，通過一次加熱，形成所 述至少兩層功能層，以減少加熱的次數(shù)，簡(jiǎn)化制作工藝。
[0076] 優(yōu)選的，本發(fā)明實(shí)施例以形成空穴注入功能層、空穴傳輸功能層、電子傳輸功能層 以及電子注入功能層為采用本發(fā)明實(shí)施例提供的方法為例。
[0077] 可選的，如圖7所示，形成空穴注入功能層以及空穴傳輸功能層具體包括：
[0078] 步驟701、沉積空穴注入功能層的基質(zhì)材料和摻雜材料，形成空穴注入功能層的基 質(zhì)材料層和摻雜材料層。
[0079] 步驟702、沉積空穴傳輸功能層的基質(zhì)材料和摻雜材料，形成空穴傳輸功能層的基 質(zhì)材料層和摻雜材料層。
[0080] 步驟703、一次加熱沉積的空穴注入功能層以及空穴傳輸功能層的基質(zhì)材料層和 摻雜材料層。
[0081] 即形成空穴注入功能層以及空穴傳輸功能層采用一次加熱，相對(duì)于分別加熱形成 空穴注入功能層和空穴傳輸功能層，減少了一次加熱的次數(shù)。
[0082] 可選的，如圖8所示，形成電子傳輸功能層以及電子注入功能層具體包括：
[0083] 步驟801、沉積電子傳輸功能層的基質(zhì)材料和摻雜材料，形成電子傳輸功能層的基 質(zhì)材料層和摻雜材料層。
[0084] 步驟802、沉積電子注入功能層的基質(zhì)材料和摻雜材料，形成電子注入功能層的基 質(zhì)材料層和摻雜材料層。
[0085] 步驟803、一次加熱沉積的電子傳輸功能層以及電子注入功能層的基質(zhì)材料層和 摻雜材料層。
[0086] 即形成電子傳輸功能層以及電子注入功能層采用一次加熱，相對(duì)于分別加熱形成 電子傳輸功能層以及電子注入功能層，減少了一次加熱的次數(shù)。
[0087] 下面，本發(fā)明將列舉一具體實(shí)施例，說明本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光器件的制 作方法，如圖9所示，所述方法包括：
[0088] 步驟901、在襯底上沉積ΙΤ0形成陽極。
[0089] 具體的，可以通過濺射的方法沉積ΙΤ0形成陽極。當(dāng)然，陽極也可以通過沉積其他 材料形成。
[0090] 步驟902、在所述陽極上沉積ZnPc (鈦菁鋅）形成基質(zhì)材料層，再沉積F4-TCNQ (2， 3,5,6_四氟_7,7'，8,8'-四氰二甲基對(duì)苯醌）形成摻雜材料層，并加熱所述基質(zhì)材料層 和所述摻雜材料層。
[0091] 具體的，在可以是利用激光照射所述基質(zhì)材料層和所述摻雜材料層，以使得基質(zhì) 材料和摻雜材料完成摻雜。通過上述步驟902可形成空穴注入功能層。
[0092] 步驟903、沉積NPB(N，N'-二苯基-N，N，-雙（1-萘基-聯(lián)苯_4,4，-二 胺）形成空穴注入功能層。
[0093] 具體的，通過上述步驟903可形成空穴傳輸功能層。需要說明的是，上述空穴注入 功能層為非摻雜層。
[0094] 步驟904、沉積Alq3(8-羥基喹啉鋁）形成發(fā)光功能層以及電子傳輸功能層。
[0095] 具體的，發(fā)光功能層和電子傳輸功能層可以是通過沉積Alq3 (8-羥基喹啉鋁）一 次形成，即通過上述步驟904可形成發(fā)光功能層以及電子傳輸功能層。需要說明的是，上述 空穴注入功能層以及電子傳輸功能層為非摻雜層。
[0096] 步驟905、沉積LiF (氟化鋰）形成電子注入功能層。
[0097] 具體的，通過上述步驟905可形成電子注入功能層。需要說明的是，上述電子注入 功能層為非摻雜層。
[0098] 步驟906、沉積A1 (鋁）形成陰極。
[0099] 具體可以是通過沉積金屬材料，形成金屬薄膜，以用作陰極。
[0100] 上述實(shí)施例中空穴注入功能層為摻雜層，其他功能層為非摻雜層，本發(fā)明僅以上 述為例進(jìn)行詳細(xì)說明，其他功能層也可以是摻雜層，其制作方法可以參照上述空穴注入功 能層的制作方法。本發(fā)明實(shí)施例提供的制作方法不局限于上述具體的步驟，且本發(fā)明實(shí)施 例提供的有機(jī)發(fā)光器件的制作方法，可直接用于制作有機(jī)發(fā)光顯示器。
[0101] 以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何 熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵 蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種制備有機(jī)發(fā)光器件的方法，包括形成空穴注入功能層、空穴傳輸功能層、發(fā)光功 能層、電子傳輸功能層以及電子注入功能層，其特征在于，所述空穴注入功能層、空穴傳輸 功能層、發(fā)光功能層、電子傳輸功能層以及電子注入功能層中至少一層為摻雜層，所述摻雜 層包括基質(zhì)材料和摻雜材料；至少一層摻雜層的形成方法包括： 依次沉積基質(zhì)材料和摻雜材料，形成相鄰的基質(zhì)材料層和摻雜材料層； 加熱所述基質(zhì)材料層和摻雜材料層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述依次沉積基質(zhì)材料和摻雜材料，形成 相鄰的基質(zhì)材料層和慘雜材料層具體為： 沉積基質(zhì)材料，形成一層基質(zhì)材料層； 在所述基質(zhì)材料層上面沉積摻雜材料，形成一層摻雜材料層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述依次沉積基質(zhì)材料和摻雜材料，形成 相鄰的基質(zhì)材料層和慘雜材料層具體為： 依次間隔的沉積基質(zhì)材料和摻雜材料，形成多層間隔的基質(zhì)材料層和摻雜材料層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述依次間隔的沉積基質(zhì)材料和摻雜材 料，形成多層間隔的基質(zhì)材料層和摻雜材料層具體為： 沉積基質(zhì)材料，形成第一基質(zhì)材料層； 在所述第一基質(zhì)材料層上面沉積摻雜材料，形成摻雜材料層； 在所述摻雜材料層上沉積基質(zhì)材料，形成第二基質(zhì)材料層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述加熱溫度為50-350°C。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，依次沉積至少兩層摻雜層的基 質(zhì)材料和摻雜材料，一次加熱沉積的所述至少兩層摻雜層的基質(zhì)材料和摻雜材料。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述至少兩層摻雜層為空穴注入功能層 以及空穴傳輸功能層；形成所述空穴注入功能層以及空穴傳輸功能層具體包括： 沉積空穴注入功能層的基質(zhì)材料和摻雜材料，形成空穴注入功能層的基質(zhì)材料層和摻 雜材料層； 沉積空穴傳輸功能層的基質(zhì)材料和摻雜材料，形成空穴傳輸功能層的基質(zhì)材料層和摻 雜材料層； 一次加熱沉積的空穴注入功能層以及空穴傳輸功能層的基質(zhì)材料層和摻雜材料層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述至少兩層摻雜層為電子傳輸功能層 以及電子注入功能層；形成所述電子傳輸功能層以及電子注入功能層具體包括： 沉積電子傳輸功能層的基質(zhì)材料和摻雜材料，形成電子傳輸功能層的基質(zhì)材料層和摻 雜材料層； 沉積電子注入功能層的基質(zhì)材料和摻雜材料，形成電子注入功能層的基質(zhì)材料層和摻 雜材料層； 一次加熱沉積的電子傳輸功能層以及電子注入功能層的基質(zhì)材料層和摻雜材料層。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK104157797SQ201410386522
【公開日】2014年11月19日 申請(qǐng)日期:2014年8月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月7日
【發(fā)明者】閆光, 孫力 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司