有機發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
【專利摘要】公開了一種有機發(fā)光二極管顯示器及其制造方法。有機發(fā)光二極管顯示器包括：基板；面對基板并包括光被透過的透射區(qū)域和光不被透過的吸收區(qū)域的封裝基板；在基板和封裝基板之間的密封劑；以及在基板和封裝基板之間的像素單元，包括分別包括有機發(fā)光元件的多個像素。封裝基板的吸收區(qū)域包括光反應性晶體。
【專利說明】有機發(fā)光二極管顯示器及其制造方法

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機發(fā)光二極管（OLED)顯示器。

【背景技術】
[0002] 顯示裝置是顯示圖像的裝置，包括OLED的顯示裝置受到關注。
[0003] 由于不像液晶顯示器，OLED顯示器具有自發(fā)光特性，不采用單獨的光源，因此包括 OLED的整個顯示裝置的厚度和重量可以減小，以改善顯示裝置的柔性特性。此外，OLED顯 不器具有商品質的特性，諸如低功耗、商殼度和商反應速度。
[0004] OLED顯示器是便攜式的，從而能夠在室外使用，并且被制造為具有減小的重量和 厚度，以便滿足上述目標。
[0005] 然而，當在室外觀看圖像時，存在因為太陽光被OLED顯示器內的金屬反射層反射 而使對比度和可視性變差的問題。


【發(fā)明內容】

[0006] 本發(fā)明提供一種減少外部光的反射而不增加有機發(fā)光二極管（OLED)顯示器的厚 度的OLED顯不器。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的OLED顯示器包括：基板；面對基板并包括透射區(qū)域 和吸收區(qū)域的封裝基板；在基板和封裝基板之間的密封劑；以及在基板和封裝基板之間的 像素單元，包括分別包括有機發(fā)光元件的多個像素。吸收區(qū)域包括光反應性晶體。
[0008] 光反應性晶體可以包括AgCl、AgBr和AgI中的至少一種。
[0009] 光反應性晶體的大小可以在從約50埃（A)至約300A的范圍內。
[0010] 透射區(qū)域可以對應于每個有機發(fā)光元件的有機發(fā)射層的區(qū)域。
[0011] 吸收區(qū)域可以包圍透射區(qū)域。
[0012] 像素單元可以進一步包括薄膜晶體管、像素限定層和被限定在像素限定層中的開 口。有機發(fā)光兀件可以包括連接到薄膜晶體管的第一電極、第一電極上的有機發(fā)射層和有 機發(fā)射層上的第二電極。像素限定層中的開口可以暴露有機發(fā)光元件的第一電極，并且有 機發(fā)射層可以在像素限定層中的開口內，并在由開口暴露的第一電極上。
[0013] 吸收區(qū)域可以對應于像素限定層。
[0014] 透射區(qū)域可以對應于開口。
[0015] OLED顯示器可以進一步包括觸摸板，觸摸板包括被分別設置在封裝基板的相對表 面上并彼此絕緣且交叉的第一檢測線和第二檢測線。
[0016] OLED顯示器可以進一步包括觸摸板，觸摸板包括都被設置在封裝基板的同一表面 上并彼此絕緣且交叉的第一檢測線和第二檢測線。
[0017] 在本發(fā)明的一個或多個示例性實施例中，當形成包括具有光反應性晶體的封裝基 板的OLED顯示器時，可以減少或有效地防止由于外部光所導致的可視性降低，而不增加 OLED顯示器的厚度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018] 通過參考附圖進一步詳細描述本公開的示例性實施例，本公開的上述和和其他特 征將變得更加明顯，附圖中：
[0019] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光二極管（OLED)顯示器的示例性實施例的示意性剖 視圖。
[0020] 圖2是根據(jù)本發(fā)明的OLED顯示器的示例性實施例的示意性俯視圖。
[0021] 圖3是根據(jù)本發(fā)明的OLED顯示器的一個像素的示例性實施例的等效電路。
[0022] 圖4是根據(jù)本發(fā)明的OLED顯示器的俯視圖。
[0023] 圖5是沿圖4的線V-V截取的剖視圖。

【具體實施方式】
[0024] 下面將參考其中示出本發(fā)明的示例性實施例的附圖更完整地描述本發(fā)明。如本領 域技術人員將意識到的那樣，所描述的示例性實施例可以以各種不同的方式修改，所有這 些都不脫離本發(fā)明的精神或范圍。
[0025] 附圖和描述應被視為在本質上是說明性的，而不是限制性的。在整個說明書中，相 同的附圖標記指代相同的元件。
[0026] 此外，由于為說明方便起見圖中所示的各個結構部件的尺寸和厚度被任意示出， 本發(fā)明并不必須限于所示出的尺寸和厚度。
[0027] 在圖中，層、膜、面板、區(qū)域等的厚度為清楚起見被放大。在圖中，為了更好地理解 并便于描述，一些層和區(qū)域的厚度被夸大。將會理解的是，當諸如層、膜、區(qū)域或基板的元件 被提到位于另一元件"上"時，該元件可以直接位于另一元件上，或者也可以存在中間元件。
[0028] 將理解的是，雖然術語第一、第二、第三等可在本文中用來描述各種元件、部件、區(qū) 域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應該受這些術語的限制。這 些術語僅用來區(qū)分一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一個元件、部件、區(qū)域、層或部分。因 此，下面討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部 分，而不脫離本發(fā)明的教導。
[0029] 出于易于描述的目的，在本文中可以使用諸如"下"和"上"等的空間相對的詞語 來描述如圖中所示的一個元件或特征相對于另一個元件或特征的關系。將理解的是，除了 圖中描述的方位之外，空間相對的詞語意在包含裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如 果圖中裝置被翻轉，則被描述為在其它元件或特征"下"的元件會被定向為在其它元件或特 征"上"。因此，示例性術語"下"可以包含上和下兩種方位。裝置可被另外定向（例如旋轉 90度或者以其它方位），并且本文使用的空間相對描述符可以進行相應的解釋。
[0030] 本文使用的術語僅用于描述特定實施例的目的，并不旨在限制本發(fā)明。如本文所 用，單數(shù)形式的"一個"和"該"旨在也包括復數(shù)形式，除非上下文另有明確說明。將進一步 理解的是，當在說明書中使用時，術語"包括"和/或"包含"表明存在所列出的特征、整數(shù)、 操作、元件和/或部件，但不排除存在或添加一個或多個其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、 部件和/或它們的組。
[0031] 考慮到測量中的問題和與特定量的測量相關的誤差（也就是測量系統(tǒng)的限制）， 本文所用的"大約"或"近似"包括所列出的值，并且也意味著處于該特定值的由本領域普 通技術人員所確定的可接受偏差范圍內。例如，"大約"可以意味著處于所列出的值的一個 或多個標準偏差內，或處于±30%、20%、10%、5%內。
[0032] 除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有此發(fā)明所屬技 術領域的普通技術人員所通常理解的相同含義。將進一步理解，例如那些在常用字典中定 義的術語應該被解釋為具有與它們在相關領域的背景中的含義一致的含義，而不以理想化 或過于正式的意義來解釋，除非在本文中明確地如此定義。
[0033] 本文中所描述的所有方法可以以適當?shù)捻樞驁?zhí)行，除非本文另有說明或者否則和 上下文明顯矛盾。任何和所有示例或示例性語言（例如"諸如"）的使用僅僅是為了更好地 說明本發(fā)明，并不構成對本發(fā)明的范圍的限制，除非另有要求。說明書中的任何語言都不應 該被解釋為指示本文所用的任何未要求保護的元件對于實施發(fā)明來說是必要的。
[0034] 在下文中，將參考附圖詳細描述本發(fā)明。
[0035] 當在室外觀看有機發(fā)光二極管（OLED)顯示器的圖像時，存在因為太陽光被OLED 顯示器內的金屬反射層反射而使對比度和可視性變差的問題。
[0036] 為了解決該問題，圓偏振板被設置在OLED顯示器上。然而，在OLED顯示器上設置 偏振板時，包括了諸如三乙酰纖維素（TAC)的粘合層和保護層，這增加了OLED顯示器的厚 度和剛性。因此，對增加OLED顯示器的柔性有限制。此外，因為多層被層疊，所以存在由于 工藝而導致的形成由外來顆粒等引起的缺陷的可能性增加的問題。因此，仍然需要在室外 環(huán)境中具有改善的可視性并提高柔性的改進的OLED顯示器。
[0037] 另外，在附圖中示出了其中像素包括兩個薄膜晶體管（TFT)和一個電容器的"2TR ICap"結構的有源矩陣（AM)型OLED顯示器。然而，本發(fā)明并不限于此。因此，OLED顯示器 可以具有各種結構，其中像素可以包括多個TFT和至少一個電容器，可以進一步設置配線， 并且常規(guī)的配線可省略。這里，像素是指顯示圖像的最小單元，并且OLED顯示器通過多個 像素顯示圖像。
[0038] 現(xiàn)在，將參考附圖詳細描述根據(jù)本發(fā)明的OLED顯示器的示例性實施例。
[0039] 圖1是根據(jù)發(fā)明的OLED顯示器的示意性剖視圖，圖2是根據(jù)發(fā)明的OLED顯示器 的不意性俯視圖。
[0040] 如圖1所示，OLED顯示器包括彼此面對的基板100和封裝基板200,并且基板100 和封裝基板200由密封劑300彼此結合。
[0041] 包括各自包括薄膜晶體管和有機發(fā)光元件的多個像素的像素單元400和被配置 為驅動像素單元400的驅動器500被設置在基板100上。
[0042] 基板100可以是例如包括玻璃、石英、陶瓷或聚合物材料的透明絕緣基板，或包括 不銹鋼的金屬基板。聚合物材料可以包括從絕緣有機材料中選擇的有機材料，如聚醚砜 (PES)、聚丙烯酸酯（PAR)、聚醚酰亞胺（PEI)、聚萘（PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚 苯硫醚（PPS)、聚芳酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯（PC)、三乙酰纖維素（TAC)和乙酸丙酸纖維素 (CAP)。
[0043] 驅動器500包括驅動像素單元400的驅動電路。驅動電路可以與像素一起被集成 在基板上，或可作為集成電路（IC)芯片被安裝在基板100上。驅動器500由多條信號線電 連接到像素單元400,并且像素單元400的每個像素由通過多條信號線傳輸?shù)尿寗有盘柨?制，從而顯示圖像。
[0044] 參考圖2,封裝基板200包括透射光的透射部分和反射光的吸收部分。封裝基板 200包括硼硅酸鹽玻璃，硼硅酸鹽玻璃包括光反應性晶體55。光反應性晶體55可包括AgCl、 AgBr和AgI中的至少一種，并以結晶狀態(tài)被包括在封裝基板200中。
[0045] 封裝基板200的透射部分位于光從像素單元發(fā)射從而顯示圖像的顯示區(qū)域Tl處， 并且封裝基板200的吸收部分位于圍繞發(fā)射光的區(qū)域的非顯示區(qū)域T2處。顯示區(qū)域Tl可 以是與設置在像素單元的每個像素中的有機發(fā)光元件的發(fā)射層相對應的區(qū)域。在封裝基板 200的位于顯示區(qū)域Tl處的部分中，光反應性晶體55可以被省略。
[0046] 在照射光時Ag離子被轉變成Ag原子的同時，吸收部分T2的光反應性晶體55吸 收光，從而阻擋光。此外，如果沒有照射光，則Ag原子再次與Cl、Br或I原子結合以形成光 反應性晶體，從而實現(xiàn)光透射狀態(tài)，但是不存在外部光，使得外部光不被透射。
[0047] 當僅使用AgCl作為光反應性晶體時，大約190納米（nm)附近的紫外（UV)線可以 被吸收。然而，當包括AgBr時，基本上可見區(qū)域的整個可見光可被吸收。
[0048] 如果光反應性晶體的大小小于約50埃（A)，則光反應性晶體和光發(fā)生反應，使得 沒有光吸收效果。如果光反應性晶體的大小超過約300A,則產生散射。在一個示例性實 施例中，光反應性晶體的大小在大于約50A并小于約300A的范圍內。
[0049] 晶體的大小通過熱處理成為可能。在示例性實施例中，晶體可以通過使用激光或 通過焦耳加熱金屬來形成。當執(zhí)行利用焦耳加熱的熱處理時，焦耳熱可以通過使用觸摸屏 的導線而形成。
[0050] 密封劑300按照基板100和封裝基板200的邊緣設置，以包圍基板100和封裝基 板200之間的像素單元400,并沿基板100與封裝基板200形成閉合且密封的空間，從而保 護像素單元400免受外部環(huán)境影響。
[0051] 接下來將參考圖1和圖2描述OLED顯示器的像素。
[0052] 圖3是根據(jù)本發(fā)明的OLED顯示器的一個像素的示例性實施例的等效電路。
[0053] 如圖3所示，OLED顯示器的像素包括多條信號線，以及連接到信號線并以矩陣形 式布置的多個像素PX。
[0054] 信號線包括用于傳輸掃描信號（或柵極信號）的多條掃描線（即柵極線）121、用 于傳輸數(shù)據(jù)信號的多條數(shù)據(jù)線171、以及用于傳輸驅動電壓ELVDD的多條驅動電壓線172。 掃描線121在行方向上彼此平行，并且數(shù)據(jù)線171和驅動電壓線172在列方向上彼此平行。 像素PX中的每一個包括開關薄膜晶體管Ts、驅動薄膜晶體管TcU存儲電容器Cst和OLED 70〇
[0055] 開關薄膜晶體管Ts具有控制端、輸入端和輸出端?？刂贫诉B接到掃描線121，輸入 端連接到數(shù)據(jù)線171，并且輸出端連接到驅動薄膜晶體管TcL開關薄膜晶體管Ts響應于施 加到掃描線121的掃描信號，將施加到數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)津寗颖∧ぞw管TcL
[0056] 驅動薄膜晶體管Td也有控制端、輸入端和輸出端?？刂贫诉B接到開關薄膜晶體管 Ts，輸入端連接到驅動電壓線172,并且輸出端連接到0LED。驅動薄膜晶體管Td使輸出電 流ILD流動，其幅度根據(jù)控制端與輸出端之間施加的電壓而變化。
[0057]存儲電容器Cst連接在驅動薄膜晶體管Td的控制端和輸入端之間。存儲電容器 Cst充入被施加到驅動薄膜晶體管Td的控制端的數(shù)據(jù)信號，并在開關薄膜晶體管Ts被關斷 后維持該數(shù)據(jù)信號。
[0058] OLED70具有連接到驅動薄膜晶體管Td的輸出端的陽極和連接到公共電壓ELVSS 的陰極。OLED70通過根據(jù)驅動薄膜晶體管Td的輸出電流ILD發(fā)出具有不同強度的光來顯 示圖像。
[0059] 接下來將參考圖4和圖5描述圖3所示的OLED顯示器的像素的詳細結構。
[0060] 圖4是根據(jù)本發(fā)明的OLED顯示器的示例性實施例的俯視圖，并且圖5是沿圖4的 線V-V截取的剖視圖。
[0061] 如圖4和圖5所示，緩沖層120被設置在OLED顯示器的基板100上。
[0062] 緩沖層120可以具有氮化硅（SiNx)的單層結構，或彼此層疊的氮化硅（SiNx)和 氧化硅（Si02)的雙層結構。
[0063] 緩沖層120防止諸如雜質或水分的不必要的元素滲透到OLED顯示器的部件，并幫 助對表面進行平坦化。
[0064] 開關半導體135a和驅動半導體135b被設置在緩沖層120上，并彼此隔開。
[0065] 這些半導體（開關半導體135a和驅動半導體135b)可以包括多晶硅或氧化物半 導體。
[0066]氧化物半導體可以包括從基于鈦（Ti)、鉿（Hf)、鋯（Zr)、鋁（A1)、鉭（Ta)、鍺 (Ge)、鋅（Zn)、鎵（Ga)、錫（Sn)或銦（In)的氧化物、以及它們的諸如氧化鋅（ZnO)、氧化銦 鎵鋅（InGaZnCM)、氧化銦鋅（Zn-In-O)、氧化鋅錫（Zn-Sn-O)、氧化銦鎵（In-Ga-O)、氧化銦 錫（In-Sn-O)、氧化銦鋯（In-Zr-O)、氧化銦鋯鋅（In-Zr-Zn-O)、氧化銦鋯錫（In-Zr-Sn-O)、 氧化銦鋯鎵（In-Zr-Ga-O)、氧化銦鋁（In-Al-O)、氧化銦鋅鋁（In-Zn-Al-O)、氧化 銦錫鋁（In-Sn-Al-O)、氧化銦鋁鎵（In-Al-Ga-O)、氧化銦鉭（In-TA-O)、氧化銦鉭 鋅（In-Ta-Zn-O)、氧化銦鉭錫（In-Ta-Sn-O)、氧化銦鉭鎵（In-Ta-Ga-O)、氧化銦 鍺（In-Ge-O)、氧化銦鍺鋅（In-Ge-Zn-O)、氧化銦鍺錫（In-Ge-Sn-O)、氧化銦鍺鎵 (In-Ge-Ga-O)、氧化鈦銦鋅（Ti-In-Zn-O)和氧化鉿銦鋅（Hf-In-Zn-O)的復合氧化物中選 擇的一種。如果半導體（開關半導體135a和驅動半導體135b)包括氧化物半導體，則可以 添加單獨的保護層（未示出），以保護氧化物半導體免受諸如高溫的外部環(huán)境的影響。 [0067] 開關半導體135a和驅動半導體135b被分別劃分為溝道區(qū)1355、以及被分別設置 在溝道區(qū)1355側面的源區(qū)1356和漏區(qū)1357。半導體中的雜質根據(jù)包括半導體的薄膜晶體 管的類型而變化，并且可以是N型雜質或P型雜質。
[0068] 開關半導體135a和驅動半導體135b的溝道區(qū)1355可以包括未摻雜的多晶娃，即 本征半導體，并且開關半導體135a和驅動半導體135b的源區(qū)1356和漏區(qū)1357可以包括 摻有導電雜質的多晶硅，即雜質半導體。
[0069] 柵絕緣膜140被設置在開關半導體135a和驅動半導體135b上。
[0070] 柵絕緣膜140可以是單層，或包括氮化硅和氧化硅中的至少一種的多層。
[0071] 掃描線121、驅動柵電極125b和第一存儲電容器板128被設置在柵絕緣膜140上。
[0072]柵極線121可以是圖3的第一信號線，并在橫向（例如行或水平）方向上延伸，以 傳輸掃描信號。柵極線121包括從柵極線121的主要部分向開關半導體135a突出的開關 柵電極125a。驅動柵電極125b從第一存儲電容器板128向驅動半導體135b突出。開關柵 電極125a和驅動柵電極125b分別與溝道區(qū)1355重疊。
[0073] 層間絕緣膜160被設置在掃描線121、驅動柵電極125b和第一存儲電容器板128 上。
[0074] 和柵絕緣膜140相似，層間絕緣膜160可包括氮化硅或氧化硅。
[0075]源接觸孔61和漏接觸孔62被限定在層間絕緣膜160和柵絕緣膜140中，以暴露 源區(qū)1356和漏區(qū)1357,并且存儲器接觸孔63被限定在層間絕緣膜160中，以暴露第一存儲 電容器板128的一部分。
[0076] 包括開關源電極176a的數(shù)據(jù)線171、包括驅動源電極176b和第二存儲電容器板 178的驅動電壓線172、驅動漏電極177b以及連接到第一存儲電容器板128的開關漏電極 177a被設置在層間絕緣膜160上。數(shù)據(jù)線171可以是圖3的第二信號線，并且驅動電壓線 172可以是第二信號線。
[0077]數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號，并在和柵極線121交叉的方向上延伸。驅動電壓線172 傳輸驅動電壓，與數(shù)據(jù)線171分開，并在和數(shù)據(jù)線171相同的方向上延伸。
[0078] 開關源電極176a從數(shù)據(jù)線171的主要部分向開關半導體135a突出，并且驅動源 電極176b從驅動電壓線172的主要部分向驅動半導體135b突出。開關源電極176a和驅 動源電極176b通過源接觸孔61被分別連接到源區(qū)1356。開關漏電極177a相對于開關柵 電極125a面對開關源電極176a，驅動漏電極177b相對于驅動柵電極125b面對驅動源電 極176b，并且開關漏電極177a和驅動漏極電極177b通過漏接觸孔62被分別連接到漏區(qū) 1357。
[0079] 開關漏電極177a延伸并通過被限定在層間絕緣膜160中的存儲器接觸孔63電連 接到第一存儲電容器板128和驅動柵電極125b。
[0080] 第二存儲電容器板178從驅動電壓線172的主要部分突出，并且與第一存儲電容 器板128重疊。因此，第一存儲電容器板128和第二存儲電容器板178通過使用層間絕緣 膜160作為它們之間的介電材料而形成存儲電容器Cst。
[0081] 開關半導體135a、開關柵電極125a、開關源電極176a和開關漏電極177a形成開 關薄膜晶體管Ts，并且驅動半導體135b、驅動柵電極125b、驅動源電極176b和驅動漏電極 177b形成驅動薄膜晶體管TcL
[0082] 保護膜180被設置在開關源電極176a、驅動源電極176b、開關漏電極177a和驅動 漏電極177b上。
[0083] 第一電極710被設置在保護膜180上。
[0084] 第一電極710通過被限定在層間絕緣膜160中的接觸孔181電連接到驅動薄膜晶 體管Td的驅動漏電極177b，從而是OLED70的陽極。
[0085] 第一電極710可以包括諸如氧化銦錫（ITO)、氧化銦鋅（IZO)、氧化鋅（ZnO)或氧 化銦（In203)的透明導電材料，或諸如鋰（Li)、鈣（Ca)、氟化鋰/鈣（LiF/Ca)、氟化鋰/鋁 (LiF/Al)、鋁（Al)、銀（Ag)、鎂（Mg)或金（Au)的反射性金屬，但不限于此。
[0086] 像素限定層190被設置在第一電極710的邊緣部分和保護膜180上。開口 195被 限定在像素限定層190中，暴露第一電極710。
[0087]像素限定層190可以包括諸如聚丙烯酸酯樹脂或聚酰亞胺樹脂的樹脂或者硅基 無機材料等。
[0088] 有機發(fā)射層720被設置在像素限定層190的開口 195中。有機發(fā)射層720可以包 括發(fā)射層以及包括空穴注入層（HIL)、空穴傳輸層（HTL)、電子傳輸層（ETL)和電子注入層 (EIL)中的一個或多個的多層。如果有機發(fā)射層720包括所有上述層，則HIL可以位于用作 陽極的第一電極710上，并且HTL、發(fā)射層、ETL和EIL可以被順序層疊在第一電極710上。 [0089] 有機發(fā)射層720可包括用于發(fā)射紅光的紅有機發(fā)射層、用于發(fā)射綠光的綠有機發(fā) 射層和用于發(fā)射藍光的藍有機發(fā)射層。紅有機發(fā)射層、綠有機發(fā)射層和藍有機發(fā)射層被分 別設置在OLED顯示器的紅、綠和藍像素中，從而顯示彩色圖像。
[0090] 在一個示例性實施例中，有機發(fā)射層720的紅有機發(fā)射層、綠有機發(fā)射層和藍有 機發(fā)射層可以被分別層疊在紅像素、綠像素和藍像素上，并且可以針對相應的像素設置紅 濾色器、綠濾色器和藍濾色器，從而顯示彩色圖像。在另一示例性實施例中，用于發(fā)射白光 的白有機發(fā)射層可以被共同設置在所有的紅、綠和藍像素上，并且可以針對相應的像素設 置紅濾色器、綠濾色器和藍濾色器，從而顯示彩色圖像。如果白有機發(fā)射層和濾色器被用來 顯示彩色圖像，則在制造OLED顯示器的方法中，用于在相應像素例如紅、綠和藍像素上沉 積紅、綠和藍有機發(fā)射層的沉積掩膜可以被省略。
[0091] 在該示例性實施例中描述的白有機發(fā)射層可以被形成為一個有機發(fā)射層或被層 疊的多個有機發(fā)射層，以發(fā)射白光。在一個示例性實施例中，例如，作為多個有機發(fā)射層，至 少一個黃有機發(fā)射層和至少一個藍有機發(fā)射層可以被組合以發(fā)射白光，至少一個青有機發(fā) 射層和至少一個紅有機發(fā)射層可以被組合以發(fā)射白光，或者至少一個品紅有機發(fā)射層和至 少一個綠有機發(fā)射層可以被組合以發(fā)射白光。
[0092] 第二電極730被設置在像素限定層190和有機發(fā)射層720上。第二電極730可 以包括諸如ITO、IZO、ZnO或In203的透明導電材料，或諸如鋰（Li)、鈣（Ca)、氟化鋰/鈣 (LiF/Ca)、氟化鋰/鋁（LiF/Al)、鋁（A1)、銀（Ag)、鎂（Mg)或金（Au)的反射性金屬。第二 電極730成為OLED70的陰極。第一電極710、有機發(fā)射層720和第二電極730共同形成 OLED70,OLED70也可以被稱為OLED顯示器的有機發(fā)光元件。
[0093] 間隔件360被設置在第二電極730上。間隔件360在基板100和封裝基板200之 間維持預定間隔。
[0094] 封裝基板200位于間隔件360上，并且OLED70被密封在基板100、封裝基板200 和間隔件360之間。
[0095] 如圖1和圖2所示，封裝基板200包括透射部分和吸收部分，吸收部分包括光反應 性晶體。吸收部分位于諸如包括像素限定層190的非顯示區(qū)域T2處，并且透射部分位于諸 如包括被限定在像素限定層190中的開口 195的顯示區(qū)域Tl處。
[0096] 多條第一檢測線（Tx) 800和第二檢測線（Rx) 900被設置在封裝基板200的一個表 面上或兩個相對表面上。
[0097] 為了更好地理解并便于描述，封裝基板200的由密封劑300密封的一個表面被稱 為下表面，而沒有被密封并暴露于外部的相對的另一表面被稱為上表面。
[0098] 第一檢測線（Tx)SOO和第二檢測線（Rx)900彼此絕緣，且在俯視圖中，第一檢測線 (Tx)SOO和第二檢測線（Rx)各自是細長的，并彼此交叉，從而形成用于觸摸檢測的觸摸板。 在包括第一檢測線（Tx) 800和第二檢測線（Rx)的作為電容型觸摸板的觸摸板中，如果觸摸 電壓被施加到彼此交叉的第二檢測線（Rx) 900和第一檢測線（TX) 800,并且沿封裝基板的 任何一個位置被施加有通過諸如手指或筆的輸入裝置實現(xiàn)的觸摸，則產生電壓降，從而確 定觸摸的位置坐標。
[0099] 對于第一檢測線（Tx)SOO和第二檢測線（Rx)，相對于封裝基板200,第二檢測線 (Rx) 900被設置在封裝基板200的上表面上，并且第一檢測線（Tx) 800被設置在封裝基板 200的下表面上。另外，雖然未示出，但第一檢測線（Tx)SOO和第二檢測線（Rx)可以借助它 們之間的絕緣層都被設置在封裝基板200的上表面200上。
[0100] 如上所述，如果在OLED顯示器中省略附加的基板，并且第一檢測線（Tx)SOO和第 二檢測線（Rx)被設置在單個封裝基板200的一個表面或兩個表面上，則OLED顯示器的制 造工藝可以被簡化，且其整體厚度可以薄。
【權利要求】
1. 一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括： 基板； 面對所述基板的封裝基板，包括透光的透射區(qū)域和不透光的吸收區(qū)域； 位于所述基板和所述封裝基板之間的密封劑；和 位于所述基板和所述封裝基板之間的像素單元，包括分別包括有機發(fā)光元件的多個像 素， 其中所述封裝基板的所述吸收區(qū)域包括光反應性晶體。
2. 根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中 所述光反應性晶體包括AgCl、A濁r和Agl中的至少一種。
3. 根據(jù)權利要求2所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中 所述光反應性晶體的大小在從50埃至300埃的范圍內。
4. 根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中 所述封裝基板的透射區(qū)域對應于所述像素單元的每個有機發(fā)光元件的有機發(fā)射層的 區(qū)域。
5. 根據(jù)權利要求4所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中 所述封裝基板的吸收區(qū)域包圍所述透射區(qū)域。
6. 根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中 所述像素單元進一步包括： 薄膜晶體管，和 像素限定層，且在所述像素限定層中限定開口，并且 所述有機發(fā)光元件包括： 連接到所述薄膜晶體管的第一電極； 被設置在所述第一電極上的有機發(fā)射層；和 被設置在所述有機發(fā)射層上的第二電極， 其中 所述像素限定層中的開口暴露所述有機發(fā)光元件的第一電極，并且 所述有機發(fā)射層位于所述像素限定層中的開口內，并位于由所述開口暴露的所述第一 電極上。
7. 根據(jù)權利要求6所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中 所述封裝基板的吸收區(qū)域對應于所述像素單元的像素限定層。
8. 根據(jù)權利要求6所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中 所述封裝基板的透射區(qū)域對應于被限定在所述像素單元的像素限定層中的開口。
9. 根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，進一步包括觸摸板，所述觸摸板包 括： 被分別設置在所述封裝基板的相對表面上并彼此絕緣且交叉的第一檢測線和第二檢 測線。
10. 根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，進一步包括觸摸板，所述觸摸板包 括： 都被設置在所述封裝基板的同一表面上并彼此絕緣且交叉的第一檢測線和第二檢測 線。
11. 一種制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法，包括： 提供彼此面對的基板和封裝基板； 在所述基板和所述封裝基板之間提供包括分別包括有機發(fā)光元件的多個像素的像素 單元，和 由密封劑彼此結合所述基板和所述封裝基板，W密封所述基板和所述封裝基板之間的 像素單元； 其中 所述封裝基板包括透光的透射區(qū)域和不透光的吸收區(qū)域，并且 所述封裝基板的吸收區(qū)域包括光反應性晶體。
12. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中 所述光反應性晶體包括AgCl、A濁r和Agl中的至少一種。
13. 根據(jù)權利要求12所述的方法，其中 所述光反應性晶體的大小在從50埃至300埃的范圍內。
14. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中 所述封裝基板的透射區(qū)域對應于所述像素單元的每個有機發(fā)光元件的有機發(fā)射層的 區(qū)域。
【文檔編號】H01L51/56GK104347817SQ201410385591
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年8月7日 優(yōu)先權日:2013年8月7日
【發(fā)明者】韓棅旭 申請人:三星顯示有限公司