技術(shù)特征：
1.一種增強(qiáng)型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括半絕緣襯底、緩沖層、GaN層、AlGaN層、源極、柵極以及漏極，AlGaN與GaN界面處形成很薄的2DEG；源極和漏極均通過歐姆接觸與GaN層、AlGaN層相連；其特征在于：所述GaN層在靠近電極一側(cè)有一部分區(qū)域?yàn)镻型摻雜GaN，對(duì)應(yīng)于自源極至部分柵極所覆蓋的區(qū)域，P型摻雜GaN與2DEG為直接接觸，滿足在柵壓為零時(shí)P型摻雜GaN與2DEG界面處勢(shì)壘的阻擋作用使器...