陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示裝置【技術領域】,公開了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置,用以提高顯示裝置中背光源的利用率,且簡化了制備工藝。其中,陣列基板包括:柵絕緣層;位于柵絕緣層上的有源層、像素電極層、沿數(shù)據(jù)線方向間隔分布的多個太陽能電池、以及設置于相鄰兩個太陽能電池之間的連接線,多個連接線用于將多個太陽能電池串聯(lián),且像素電極層、多個連接線以及每一個太陽能電池的P型半導體、N型半導體位于同一層;位于像素電極層上的絕緣層;位于絕緣層上的源、漏極層;位于源、漏極層上的鈍化層;以及位于鈍化層上的電極層。
【專利說明】陣列基板及其制備方法、顯示裝置
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示裝置【技術領域】,特別是涉及一種陣列基板、陣列基板的制備方法 和顯示裝置。
【背景技術】
[0002] 背光源是顯示裝置的主要組成部分,但是由于顯示面板開口率、原材料透過率等 因素的影響,背光源發(fā)出的光線只有少部分能透過顯示面板,一部分將被黑色矩陣遮擋住。
[0003] 為了有效利用被黑色矩陣遮住的這部分光,現(xiàn)有技術中采用將太陽能電池集成在 顯示面板上的方法,以將這部分能量轉換成電能,但是,現(xiàn)有技術中,將太陽能電池集成在 顯示面板上時,所形成的太陽能電池是上下重疊式的PN結太陽能電池,雖然這種結構也能 有效的提高背光源的利用率,但是結構和工藝都較復雜。
【發(fā)明內容】
[0004] 本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法,用以提高顯示裝置中背光源的利用率, 且簡化了制備工藝。
[0005] 另外,本發(fā)明還提供了一種顯示裝置,具有較高的背光源利用率。
[0006] 為達到上述目的,本發(fā)明提供以下技術方案:
[0007] 本發(fā)明提供了一種陣列基板,包括:
[0008] 柵絕緣層;
[0009] 位于所述柵絕緣層上的有源層、像素電極層、沿數(shù)據(jù)線方向間隔分布的多個太陽 能電池、以及設置于相鄰兩個太陽能電池之間的連接線,多個所述連接線用于將所述多個 太陽能電池串聯(lián),且所述像素電極層、多個所述連接線以及每一個太陽能電池的P型半導 體、N型半導體位于同一層;
[0010] 位于所述像素電極層上的絕緣層;
[0011] 位于所述絕緣層上的源、漏極層;
[0012] 位于所述源、漏極層上的鈍化層;
[0013] 以及位于所述鈍化層上的電極層。
[0014] 本發(fā)明提供的陣列基板,將太陽能電池與陣列基板結合,可以有效利用背光源被 黑色矩陣遮擋住的光線,太陽能電池將這部分光線轉化成電能;同時由于太陽能電池中的 P型半導體和N型半導體是同層設置,可以節(jié)省制備工藝。
[0015] 所以,本發(fā)明提供的陣列基板,可以提高顯示裝置中背光源的光能利用率,且制備 工藝簡單。
[0016] 在一些可選的實施方式中,所述電極層為公共電極層。
[0017] 在一些可選的實施方式中,所述有源層的制備材料為非晶硅。
[0018] 在一些可選的實施方式中,所述像素電極層的材料為ΙΤΟ、ΙΖ0的單層膜,或者為 ΙΤ0、ΙΖ0所構成的復合膜。
[0019] 本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制備方法,包括:
[0020] 在柵絕緣層上形成有源層;
[0021] 形成沿數(shù)據(jù)線方向分布的多個P型半導體和多個N型半導體,且所述多個P型半 導體和所述多個N型半導體位于同一層,一 P型半導體和一 N型半導體形成太陽能電池;
[0022] 通過沉積和構圖工藝形成像素電極對應的圖案、以及連接線對應的圖案,所述連 接線用于將多個太陽能電池串聯(lián);
[0023] 在所述像素電極上形成絕緣層;
[0024] 在所述絕緣層上形成源、漏極層;
[0025] 在所述源、漏極層上形成鈍化層;
[0026] 在所述鈍化層上形成電極層。
[0027] 在一些可選的實施方式中,所述步驟:形成沿數(shù)據(jù)線方向分布的多個P型半導體 和多個N型半導體,具體包括:通過半導體摻雜工藝形成P形半導體和N型半導體。
[0028] 在一些可選的實施方式中,所述有源層的制備材料為非晶硅。
[0029] 在一些可選的實施方式中,所述像素電極的材料為ΙΤΟ、ΙΖ0的單層膜,或者為 ΙΤ0、ΙΖ0所構成的復合膜。
[0030] 本發(fā)明還提供了一種顯示裝置,包括:背光源,還包括:上述任一項所述的陣列基 板。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0031] 圖1為本發(fā)明實施例提供的陣列基板結構示意圖;
[0032] 圖2為本發(fā)明實施例提供的陣列基板制備方法流程圖。
【專利附圖】
【附圖說明】 [0033]
[0034] 1-柵絕緣層 2-Ρ型半導體
[0035] 3-Ν型半導體 4-連接線
[0036] 5-絕緣層 6-源、漏極層
【具體實施方式】
[0037] 下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完 整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例,而不是全部的實施例。基 于本發(fā)明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其 他實施例,都屬于本發(fā)明專利保護的范圍。
[0038] 實施例一
[0039] 如圖1所示,圖1為本發(fā)明實施例提供的陣列基板結構示意圖,本發(fā)明提供了一種 陣列基板,包括:
[0040] 柵絕緣層1 ;
[0041] 位于柵絕緣層1上的有源層、像素電極層、沿數(shù)據(jù)線方向間隔分布的多個太陽能 電池、以及設置于相鄰兩個太陽能電池之間的連接線4,多個連接線4用于將多個太陽能電 池串聯(lián),且像素電極層、多個連接線4以及每一個太陽能電池的Ρ型半導體2、Ν型半導體3 位于同一層;
[0042] 位于像素電極層上的絕緣層5 ;
[0043] 位于絕緣層上的源、漏極層6 ;
[0044] 位于源、漏極層6上的鈍化層;
[0045] 以及位于鈍化層上的電極層。
[0046] 本發(fā)明提供的陣列基板,將太陽能電池與陣列基板結合,可以有效利用背光源被 黑色矩陣遮擋住的光線,太陽能電池將這部分光線轉化成電能;同時由于太陽能電池中的 P型半導體和N型半導體是同層設置,可以節(jié)省制備工藝。
[0047] 所以,本發(fā)明提供的陣列基板,可以提高顯示裝置中背光源的光能利用率,且制備 工藝簡單。
[0048] 上述電極層為公共電極層。即形成的陣列基板主要應用于ADS模式的顯示裝置 中。
[0049] 為了便于制備,優(yōu)選的,有源層的制備材料為非晶硅。
[0050] 上述像素電極層的材料為ΙΤΟ、ΙΖ0的單層膜,或者為ΙΤΟ、ΙΖ0所構成的復合膜。
[0051] 實施例二
[0052] 如圖2所示,圖2為本發(fā)明實施例提供的陣列基板制備方法流程圖,本發(fā)明實施例 提供了一種陣列基板的制備方法,包括:
[0053] 步驟S101 :在柵絕緣層上形成有源層;
[0054] 步驟S102 :形成沿數(shù)據(jù)線方向分布的多個P型半導體和多個N型半導體,且多個P 型半導體和多個N型半導體位于同一層,一 P型半導體和一 N型半導體形成太陽能電池;
[0055] 步驟S103 :通過沉積和構圖工藝形成像素電極對應的圖案、以及連接線對應的圖 案,連接線用于將多個太陽能電池串聯(lián);形成的連接線的材料和像素電極層的材料相同。
[0056] 步驟S104 :在像素電極上形成絕緣層;
[0057] 步驟S105 :在絕緣層上形成源、漏極層;
[0058] 步驟S106 :在源、漏極層上形成鈍化層;
[0059] 步驟S107 :在鈍化層上形成電極層。
[0060] 上述制備方法中,將P型半導體和N型半導體制備于同一層,節(jié)省了在P型半導體 和N型半導體之間制備絕緣層的步驟。故簡化了制備工藝。
[0061] 一種具體的實施方式中,電極層為公共電極層。
[0062] 進一步的,上述步驟S102中:形成沿數(shù)據(jù)線方向分布的多個P型半導體和多個N 型半導體,具體包括:通過半導體摻雜工藝形成P形半導體和N型半導體。即直接在有源層 中通過摻雜工藝形成P形半導體和N型半導體。
[0063] -種【具體實施方式】中,有源層的制備材料為非晶娃。
[0064] 上述像素電極的材料為ΙΤΟ、ΙΖ0的單層膜,或者為ΙΤΟ、ΙΖ0所構成的復合膜。
[0065] 實施例三
[0066] 本發(fā)明實施例提供了一種顯示裝置,包括:背光源,還包括:如實施例一所述的陣 列基板。由于本發(fā)明實施例一提供的陣列基板,提高了顯示裝置中背光源的利用率,且簡化 了制備工藝。所以,本發(fā)明實施例三提供的顯示裝置,具有較高的背光源利用率。
[0067] 顯然,本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣,倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍 之內,則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。
【權利要求】
1. 一種陣列基板,其特征在于,包括: 柵絕緣層; 位于所述柵絕緣層上的有源層、像素電極層、沿數(shù)據(jù)線方向間隔分布的多個太陽能電 池、以及設置于相鄰兩個太陽能電池之間的連接線,多個所述連接線用于將所述多個太陽 能電池串聯(lián),且所述像素電極層、多個所述連接線以及每一個太陽能電池的P型半導體、N 型半導體位于同一層; 位于所述像素電極層上的絕緣層; 位于所述絕緣層上的源、漏極層; 位于所述源、漏極層上的鈍化層; 以及位于所述鈍化層上的電極層。
2. 如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述電極層為公共電極層。
3. 如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述有源層的制備材料為非晶硅。
4. 如權利要求1?3任一項所述的陣列基板,其特征在于,所述像素電極層的材料為 ITO、IZO的單層膜,或者為ITO、IZO所構成的復合膜。
5. -種陣列基板的制備方法,其特征在于,包括: 在柵絕緣層上形成有源層; 形成沿數(shù)據(jù)線方向分布的多個P型半導體和多個N型半導體,且所述多個P型半導體 和所述多個N型半導體位于同一層,一 P型半導體和一 N型半導體形成太陽能電池; 通過沉積和構圖工藝形成像素電極對應的圖案、以及連接線對應的圖案,所述連接線 用于將多個太陽能電池串聯(lián); 在所述像素電極上形成絕緣層; 在所述絕緣層上形成源、漏極層; 在所述源、漏極層上形成鈍化層; 在所述鈍化層上形成電極層。
6. 如權利要求5所述的方法,其特征在于,所述電極層為公共電極層。
7. 如權利要求5所述的方法,其特征在于,所述步驟:形成沿數(shù)據(jù)線方向分布的多個P 型半導體和多個N型半導體,具體包括:通過半導體摻雜工藝形成P形半導體和N型半導 體。
8. 如權利要求5所述的方法,其特征在于,所述有源層的制備材料為非晶硅。
9. 如權利要求5?8任一項所述的方法,其特征在于,所述像素電極的材料為ITO、IZO 的單層膜,或者為ITO、IZO所構成的復合膜。
10. -種顯示裝置,包括:背光源,其特征在于,還包括:如權利要求1?4任一項所述 的陣列基板。
【文檔編號】H01L21/77GK104157656SQ201410367104
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年7月29日 優(yōu)先權日:2014年7月29日
【發(fā)明者】代科, 莫再隆, 石天雷, 樸承翊 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司