發(fā)光器件及照明系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種發(fā)光器件，制造該發(fā)光器件的方法，發(fā)光器件封裝件以及照明系統(tǒng)。該發(fā)光器件包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(112)；在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(112)上的包括量子阱(114w)和量子墻(114b)的有源層(114)；在有源層(114)上的未摻雜的最終勢壘層(127)；在未摻雜的最終勢壘層(127)上的AlxInyGa(1-x-y)N基層(0≤x≤1，0≤y≤1)(128)；以及在AlxInyGa(1-x-y)N基層(128)上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(116)。
【專利說明】 發(fā)光器件及照明系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件，制造發(fā)光器件的方法，發(fā)光器件封裝件和照明系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光器件(LED)包括具有將電能轉(zhuǎn)換為光能的特性的p-n結(jié)二極管。p_n結(jié)二極管可以通過使元素周期表的第II1-V族元素結(jié)合而形成。發(fā)光器件可通過調(diào)節(jié)化合物半導(dǎo)體的組成比來表現(xiàn)出各種顏色。
[0003]當(dāng)向LED施加正向電壓時，η層的電子與ρ層的空穴結(jié)合，使得可以釋放與導(dǎo)帶和價帶之間的能隙對應(yīng)的能量。該能量主要實現(xiàn)為熱或光，并且LED將能量作為光發(fā)出。
[0004]例如，氮化物半導(dǎo)體表現(xiàn)出優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和寬的帶隙能量，使得氮化物半導(dǎo)體在光學(xué)器件和高功率電子器件的領(lǐng)域顯著突出。特別地，采用氮化物半導(dǎo)體的藍(lán)光、綠光和UV發(fā)光器件已經(jīng)得到開發(fā)和廣泛使用。
[0005]近來，由于對高效率LED的需求不斷增加，所以對光強(qiáng)度的提高已經(jīng)提出要求。
[0006]為了提高光強(qiáng)度，已經(jīng)進(jìn)行了各種嘗試，例如改進(jìn)有源層的多量子阱(MQW)、改進(jìn)電子阻擋層和改進(jìn)有源層之下的層，但沒有獲得很大效果。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明提供了一種能夠增加光強(qiáng)度的發(fā)光器件，制造該發(fā)光器件的方法，發(fā)光器件封裝件以及照明系統(tǒng)。
[0008]根據(jù)實施方案，提供了一種發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括:第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的包括量子阱和量子墻的有源層；在有源層上的未摻雜的最終勢魚層(undoped last barrier layer);在未摻雜的最終勢魚層上的AlxInyGa(1_x_y)N基層(O ^ X ^ 1,0 ^ y ^ I);以及在 AlxInyGa(1_x_y)N 基層(0彡叉彡 1,0 ^ y ^ I)上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，。
[0009]最終勢壘層包括:在最終量子阱上的第一 InplGa^N層(0〈Pl〈l)，該最終量子阱在量子阱中最靠近第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；在第一 InplGa^1N層上的么1(11111(126&1_(11_(^層(0〈q1、q2〈l);以及在 AUIr^GamwN 層上的第二 Inp2Gai_p2N 層(0〈ρ2〈1)。
[0010]Al^In^Ga^^^N層的能帶隙不同于AlxInyGa(1_x_y)N基層的能帶隙。
[0011]AlqlInq2Ga1^tJ2N層的能帶隙等于或大于AlxInyGa(1_x_y)N基層的能帶隙。
[0012]根據(jù)實施方案的照明系統(tǒng)可以包括具有該發(fā)光器件的發(fā)光單元。
[0013]根據(jù)實施方案，可以提供包括能夠增加光強(qiáng)度的最佳結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件，制造該發(fā)光器件的方法，發(fā)光器件封裝件以及照明系統(tǒng)。
[0014]此外，根據(jù)實施方案，可以提供能夠使施加到量子阱的應(yīng)力最小化并且有效增加量子限制效應(yīng)(quantum confinement effect)的發(fā)光器件,制造該發(fā)光器件的方法,發(fā)光器件封裝件以及照明系統(tǒng)。
[0015]因而，根據(jù)實施方案，可以提供能夠改進(jìn)量子限制效應(yīng)、發(fā)光效率和器件可靠性的發(fā)光器件，制造該發(fā)光器件的方法，發(fā)光器件封裝件以及照明系統(tǒng)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是示出了根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的截面圖。
[0017]圖2是示出了根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的能帶圖的實例的圖。
[0018]圖3是示出了根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的帶隙能量、平面方向晶格常數(shù)與化合物之間的關(guān)系的圖。
[0019]圖4是示出了根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的內(nèi)部量子效率的圖。
[0020]圖5至圖8是示出了根據(jù)實施方案的制造發(fā)光器件的方法的截面圖。
[0021]圖9是示出了根據(jù)實施方案的發(fā)光器件封裝件的截面圖。
[0022]圖10是示出了根據(jù)實施方案的光單元的分解圖。

【具體實施方式】
[0023]在下文中，將參照附圖描述根據(jù)實施方案的發(fā)光器件，制造該發(fā)光器件的方法，發(fā)光器件封裝件以及照明系統(tǒng)。
[0024]在實施方案的描述中，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)層(或膜)被稱作在另一層或襯底“上”時，其可以直接在另一層或襯底上，或者也可以存在插入層。此外，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)層被稱作在另一層“下”時，其可以直接在另一層之下，也可以存在一個或更多個插入層。此外，還應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)層被稱作在兩層“之間”時，其可以是兩層之間唯一的層，或者也可以存在一個或更多個插入層。
[0025](實施方案)
[0026]根據(jù)相關(guān)技術(shù)(“相關(guān)技術(shù)”可以包括在本申請的 申請日期:之時并非在本領(lǐng)域中眾所周知的技術(shù))，發(fā)光器件包括N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層，其可以用作基礎(chǔ)發(fā)光結(jié)構(gòu)，并且包括在有源層與P型半導(dǎo)體層之間的電子阻擋層，使得具有高遷移率的電子被阻擋，從而提聞發(fā)光效率。
[0027]此外，根據(jù)相關(guān)技術(shù)，在最終量子阱與電子阻擋層之間提供最終勢壘，使得向最終量子阱提供量子限制效應(yīng)并且執(zhí)行保護(hù)有源層的功能，由此可以防止電子阻擋層中的Mg摻雜劑滲入到有源層的量子阱中。
[0028]同時,根據(jù)相關(guān)技術(shù),最終勢壘包括最終GaN和InGaN勢壘，并且存在如下問題。
[0029]例如，根據(jù)最終GaN勢魚，通過在相鄰于P型半導(dǎo)體的InGaN量子阱與最終GaN勢壘之間的晶格失配所導(dǎo)致的應(yīng)力，量子阱的內(nèi)場增加，使得量子阱的發(fā)光效率劣化。
[0030]與此相反，根據(jù)最終InGaN勢魚，盡管與最終GaN勢壘相比，減小了在相鄰于P型半導(dǎo)體的InGaN量子阱與最終InGaN勢壘之間的晶格失配，但是最終InGaN勢壘的能帶隙小于最終GaN勢壘的能帶隙，使得量子阱中的電子的量子限制效應(yīng)降低。
[0031]因此，根據(jù)相關(guān)技術(shù)的最終勢壘，具有優(yōu)異量子限制效應(yīng)的結(jié)構(gòu)(最終GaN勢壘)的發(fā)光效率可能由于晶格失配導(dǎo)致的應(yīng)力而劣化，具有減小的晶格失配的結(jié)構(gòu)(最終InGaN勢壘)的量子限制效應(yīng)可能減小，使得器件的電流注入效率劣化，導(dǎo)致技術(shù)上的矛盾。
[0032]為了解決該技術(shù)矛盾，需要開發(fā)能夠在有效地增加量子限制效應(yīng)的同時使施加到量子阱的應(yīng)力最小化的發(fā)光器件。
[0033]圖1是示出了根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的截面圖。
[0034]此外，圖2是示出了根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的能帶圖的實例的圖。圖3是示出了根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的帶隙能量、平面方向晶格常數(shù)與化合物之間的關(guān)系的圖。
[0035]參照圖2，根據(jù)實施方案的發(fā)光器件100可以包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層112、在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層112上的包括量子阱114w和量子墻(wall) 114b的有源層114、在有源層114上的未摻雜的最終勢壘層127、在未摻雜的最終勢壘層127上的AlxInyGa(1_x_y)N(0彡X彡1，0彡y彡I)基層128以及在AlxInyGa(1_x_y)N(0彡x彡1，0彡y彡I)基層128上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層116。AlxInyGa(1_x_y)N(0彡x彡1，O彡y彡I)基層128可以用作電子阻擋層。
[0036]根據(jù)實施方案，未摻雜的最終勢魚層127可以包括第一 InplGa1I1N((Kp,I)層 127a、在第一 InplGa1^plN 層 127a 上的 AlqlInq2Ga1_ql_q2N(0<q1, q2〈l)層 127d、以及在Aiyr^GahwN 層 127d 上的第二 Ιηρ26&1_ρ2Ν(0〈ρ2〈1)層 127c。
[0037]根據(jù)實施方案，提供具有上述結(jié)構(gòu)的未摻雜的最終勢壘層127使得可以改進(jìn)如下所述的量子限制效應(yīng)、發(fā)光效率和器件可靠性。
[0038]參照圖3，Al^In^Ga^^^N層127d的平面方向晶格常數(shù)可以等于或大于量子墻114b的平面方向晶格常數(shù)。例如，當(dāng)量子墻114b為GaN量子墻時，AlJr^Gaif』層的平面方向晶格常數(shù)可以等于或大于GaN量子墻114b的平面方向晶格常數(shù)。
[0039]此外，根據(jù)實施方案，Al^In^Ga^^^N層127d的平面方向晶格常數(shù)可以不同于量子墻114b的平面方向晶格常數(shù)。例如，AlqlInq2Ga1I1I2N層127d的平面方向晶格常數(shù)可以超過量子墻114b的平面方向晶格常數(shù)，但是實施方案不限于此。
[0040]此外，根據(jù)實施方案，AlqlInq2Ga1I1I2N層127d中的In的濃度q2被控制在0.16 ^ q2 ^ 0.2的范圍內(nèi)，并且127d的平面方向晶格常數(shù)被控制為等于或大于量子墻114b的平面方向晶格常數(shù)。
[0041]第一 InplGa1I1N層127a和第二 Inp2Ga1^N層127c的平面方向晶格常數(shù)可以等于或大于量子墻114b的平面方向晶格常數(shù)。
[0042]此外，第一 InplGa^1N層127a和第二 Inp2Ga^2N層127c的平面方向晶格常數(shù)可以不同于量子墻114b的平面方向晶格常數(shù)。例如，第一化如^小層127a和第二 Inp2Gai_p2N層127c的平面方向晶格常數(shù)可以超過量子墻114b的平面方向晶格常數(shù)，但是實施方案不限于此。
[0043]根據(jù)實施方案，最終勢壘層127的第一 InplGa^1NM 127a和第二化如^力層127c中之一的平面方向晶格常數(shù)可以等于或大于有源層的量子墻114b的平面方向晶格常數(shù)，使得可以減輕從最終勢壘層127向量子墻114b施加的應(yīng)力。因而，施加到有源層中的量子阱114w的內(nèi)場減小使得可以增加量子阱中電子和空穴的發(fā)光耦合概率，因此提高了發(fā)光效率。
[0044]因此，根據(jù)實施方案的最終勢壘層127可以使施加到有源層的應(yīng)力最小化，此時，根據(jù)量子力學(xué)可以有效地限制電子。
[0045]此外，第一 InplGa1I1N層127a和第二 Inp2Gapp2N層127c的平面方向晶格常數(shù)可以大于AlqlInq2Ga1I1I2N層127d的平面方向晶格常數(shù)，使得可以減輕從AUIr^Gan^N層127d向量子阱114w施加的應(yīng)力。
[0046]因而，減小施加到有源層114中的量子阱114w的內(nèi)場使得可以增加量子阱中電子和空穴的發(fā)光耦合概率，因此提高了發(fā)光效率。
[0047]因此，根據(jù)實施方案的未摻雜的最終勢壘層127可以使施加到有源層的應(yīng)力最小化，同時，根據(jù)量子力學(xué)可以有效地限制電子。
[0048]此外，第一 InplGa^1N層127a和第二 Inp2Ga^2N層127c的平面方向晶格常數(shù)小于有源層114中的量子阱114w的平面方向晶格常數(shù)，使得電子可以有效地限制在具有相對大晶格常數(shù)的量子阱中。
[0049]此外，根據(jù)實施方案，由于AlqlInq2Ga1^2N層127d沒有摻雜P型摻雜劑，并且AlqlInq2Ga1^2N層127d的沿著表面方向的晶格常數(shù)小于第一 InplGa^1N層127a和第二1111^&1_1^層127c的晶格常數(shù)，所以可以有效地阻擋ρ型摻雜劑從第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層116朝向有源層114滲入，使得可以提高器件的長期可靠性。
[0050]此外，根據(jù)實施方案，因為AlJr^GahwNM 127d沒有摻雜P型摻雜劑，并且AlqlInq2Ga1^2N層127d的沿著表面方向的晶格常數(shù)小于第一 InplGa^1N層127a和第二1111^&1_1^層127c的晶格常數(shù)，所以可以有效地阻擋ρ型摻雜劑從第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層116朝向有源層114滲入，使得可以提高器件的長期可靠性。
[0051]然后，AlJr^Gaif ^2N層127d的能帶隙可以不同于AlxInyGa(1_x_y)N基層128的能帶隙，使得可以更有效地限制量子阱中的電子。
[0052]例如，Al^In^Ga^^^N層127d的能帶隙可以等于或大于AlxInyGa(1_x_y)N基層128的能帶隙，使得可以更有效地限制量子阱中的電子。
[0053]此外，根據(jù)實施方案，由于AlqlInq2Ga1^2N層127d包括Al，使得Alql化如卜#,層127d的能帶隙的能級可以相對較高，AlqlInq2Ga1^N層127d的能帶隙可以大于第一InplGa1I1N 層 127a 和第二 Inp2Ga^p2N 層 127c 的能帶隙。
[0054]此外，AlqlInq2Ga1I1I2N層127d的能帶隙可以大于有源層114的量子墻114b的能帶隙。
[0055]由于第一 InplGapplN層127a和第二 Inp2Ga1I2N層127c的能帶隙大于有源層114的量子阱114w的能帶隙，所以可以有效地限制量子阱中的電子。
[0056]此外，由于未摻雜的最終勢壘層127中的AlJr^GaifpN層127d的能帶隙大于有源層中的量子墻的能帶隙，所以可以有效地限制量子阱中的電子。
[0057]根據(jù)實施方案，AlqlInq2Ga1I1I2N層127d的厚度小于第一 InplGa^1N層127a的厚度或第二 Inp2Ga^2NM 127c的厚度。因而，使層127d所占據(jù)的區(qū)域最小化，使得可以減輕施加到量子阱114w的應(yīng)力。因而，施加到有源層114中的量子阱114w的內(nèi)場減小，使得可以增加量子阱中電子和空穴的發(fā)光耦合概率，因此提高了發(fā)光效率。
[0058]此外，AlqlInq2Gahh2N層127d的厚度在Inm至5nm的范圍內(nèi)。由于當(dāng)AlqlInq2Ga1^2N層127d的厚度小于Inm時，量子力學(xué)的電子限制效應(yīng)劣化，所以Alql Inq2Ga1^2N層127d的厚度可以為Inm或更大。由于當(dāng)AUIr^GaifJ層127d的厚度超過5nm時，從第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層116到有源層114的載流子(空穴)注入效率可能劣化，所以AlqlInq2Ga1^2N層127d的厚度可以為5nm或更小。
[0059]圖4是示出了根據(jù)實施方案E的發(fā)光器件的內(nèi)部量子效率(IQR)和比較例R的IQR的圖。
[0060]比較例R是采用7mm的GaN最終勢壘的實施例。實施方案E是其中未摻雜的最終勢壘層127包括第一 InplGa1I1N層層和第二 Inp2Ga^p2N層127c的試驗實施例。
[0061]在比較例R的情況下，當(dāng)電流為300A/m時，內(nèi)部量子效率為約21 %，但是在實施方案E的情況下，內(nèi)部量子效率為約87%。因而，本實施方案獲得了創(chuàng)新的效果。
[0062]根據(jù)實施方案，可以提供包括能夠增加光強(qiáng)度的最佳結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件，制造該發(fā)光器件的方法，發(fā)光器件封裝件以及照明系統(tǒng)。
[0063]此外，根據(jù)實施方案，可以提供能夠使施加到量子阱的應(yīng)力最小化并且有效增加量子限制效應(yīng)的發(fā)光器件，制造該發(fā)光器件的方法，發(fā)光器件封裝件以及照明系統(tǒng)。
[0064]因而，根據(jù)實施方案，可以提供能夠改進(jìn)量子限制效應(yīng)、發(fā)光效率和器件可靠性的發(fā)光器件，制造該發(fā)光器件的方法，發(fā)光器件封裝件以及照明系統(tǒng)。
[0065]下文中，參照圖5至圖8描述根據(jù)實施方案的制造發(fā)光器件的方法。
[0066]如圖5所示，根據(jù)實施方案的制造發(fā)光器件的方法，可以在襯底5上形成第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層112、有源層114和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層116。可以將第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層112、有源層114和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層116定義為發(fā)光結(jié)構(gòu)110。
[0067]例如，襯底5 可以由 A1203、SiC、S1、GaAs、GaN、ZnO, GaP、InP 和 Ge 中的至少一種形成，但是實施方案不限于此。還可以在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層112與襯底5之間設(shè)置緩沖層(14)。
[0068]例如，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層112可以制備成摻雜有作為第一導(dǎo)電摻雜劑的η型摻雜劑的η型半導(dǎo)體，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層116可以制備成摻雜有作為第二導(dǎo)電摻雜劑的ρ型摻雜劑的P型半導(dǎo)體層。相反，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層112可以制備成ρ型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層116可以制備成η型半導(dǎo)體層。
[0069]例如，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層112可以包括η型半導(dǎo)體層。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層112可以通過利用具有InxAlyGa1IyN (O ^χ^Ι,Ο^γ^Ι,Ο^ x+y ( I)的組成式的半導(dǎo)體材料制備。例如，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層112可以包括選自InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN和InN中的至少一種，并且可以摻雜有η型摻雜劑，例如S1、Ge、Sn、Se或Te。
[0070]有源層114通過經(jīng)由第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層112注入的電子(或空穴)和經(jīng)由第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層注入的空穴(或電子)的復(fù)合而發(fā)射基于根據(jù)構(gòu)成有源層114的材料的能帶的帶隙差的光。有源層114可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子點結(jié)構(gòu)和量子線結(jié)構(gòu)中的至少一種，但是實施方案不限于此。
[0071]有源層114可以包括具有InxAlyGa1^yN(O彡χ彡1，O彡y彡1，O彡x+y彡I)的組成式的半導(dǎo)體材料。如果有源層114具有MQW結(jié)構(gòu)，則有源層114可以具有多個量子阱114w和多個量子墻114b的堆疊結(jié)構(gòu)。
[0072]接下來，根據(jù)實施方案，可以在有源層114上設(shè)置未摻雜的最終勢壘層127，可以在未摻雜的最終勢壘層127上設(shè)置AlxInyGa(1_x_y)N基層(O彡x彡1，OSyS I) 128，并且可以在AlxInyGa(1_x_y)N基層128上設(shè)置第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層116。
[0073]AlxInyGa(1_x_y)N基層128可以執(zhí)行電子阻擋和MQW覆蓋的功能，使得可以提高發(fā)光效率。
[0074]AlxInyGa(1_x_y)N基層128的能帶隙可以大于有源層114的能帶隙。AlxInyGa(1_x_y)N基層128可以形成為超晶格結(jié)構(gòu)，但是實施方案不限于此。
[0075]此外，AlxInyGa(1_x_y)N基層128可以通過離子注入方案摻雜P型雜質(zhì)，使得AlxInyGa(1_x_y)N基層128可以有效地阻擋溢出電子并且可以提高空穴注入效率。
[0076]如圖6所示，根據(jù)實施方案的最終勢壘層127可以包括第一 InplGai_plN(0〈Pl〈I)層 127a、在第一 InplGa1^plN 層 127a 上的 AlqlInq2Ga1_ql_q2N(0<q1, q2〈l)層 127d、以及在Aiyr^GahwN 層 127d 上的第二 Ιηρ26&1_ρ2Ν(0〈ρ2〈1)層 127c。
[0077]127d的平面方向晶格常數(shù)可以等于或大于量子墻114b的平面方向晶格常數(shù)。
[0078]此外，根據(jù)實施方案，AlqlInq2Ga1I1I2N層127d中的In的濃度q2被控制在0.16彡q2彡0.2的范圍內(nèi)，并且AlqlInq2Ga1^2N層127d的平面方向晶格常數(shù)被控制為等于或大于量子墻114b的平面方向晶格常數(shù)。
[0079]此外，第一 InplGa^1N層127a和第二 Inp2Ga^2N層127c的平面方向晶格常數(shù)可以等于或大于量子墻114b的平面方向晶格常數(shù)。
[0080]根據(jù)實施方案，最終勢壘層127的第一 InplGa^1N層UTaaiqlInq2Ga1I1V^ 127d和第二127c中之一的平面方向晶格常數(shù)可以等于或大于有源層中的量子墻114b的平面方向晶格常數(shù)，使得最終勢壘層127可以使施加到有源層的應(yīng)力最小化，同時，可以根據(jù)量子力學(xué)有效限制電子。
[0081]此外，第一 InplGa^NM 127a和第二 Inp2Gapp2N層127c的平面方向晶格常數(shù)可以大于AlqlInq2Ga1I1I2N層127d的平面方向晶格常數(shù)，使得可以減輕從AUIr^Gam^N層127d向量子阱114w施加的應(yīng)力。
[0082]此外，第一 InplGa^1N層127a和第二 Inp2Ga^2N層127c的平面方向晶格常數(shù)小于有源層114的量子阱114w的平面方向晶格常數(shù)，使得電子可以有效地限制在具有相對較大晶格常數(shù)的量子阱中。
[0083]此外，根據(jù)實施方案，由于AlqlInq2Ga1^2N層127d沒有摻雜P型摻雜劑，并且AlqlInq2Ga1^2N層127d的沿著表面方向的晶格常數(shù)小于第一 InplGa^1N層127a和第二1111^&1_1^層127c的晶格常數(shù)，所以可以有效地阻擋ρ型摻雜劑從第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層116朝向有源層114的滲入，使得可以提高器件的長期可靠性。
[0084]此外，根據(jù)實施方案，因為AlJr^GahwNM 127d沒有摻雜P型摻雜劑，并且AlqlInq2Ga1^2N層127d的沿著表面方向的晶格常數(shù)小于第一 InplGa^1N層127a和第二1111^&1_1^層127c的晶格常數(shù)，所以可以有效地阻擋ρ型摻雜劑從第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層116朝向有源層114的滲入，使得可以提高器件的長期可靠性。
[0085]然后，Al^In^Ga^^^N層127d的能帶隙可以等于或大于AlxInyGa(1_x_y)N基層128的能帶隙，使得可以更有效地限制量子阱中的電子。
[0086]此外，根據(jù)實施方案，由于Alql Inq2Ga1^2N層127d包括Al，使得AlJr^Gaif ^2N層127d的能帶隙的能級可以相對高，AlqlInq2Ga1^2N層127d的能帶隙可以大于第一InplGa1I1N 層 127a 和第二 Inp2Ga^p2N 層 127c 的能帶隙。
[0087]此外，AlqlInq2Ga1I1I2N層127d的能帶隙可以大于有源層114的量子墻114b的能帶隙。
[0088]由于第一 InplGa^1NM 127a和第二 Inp2Ga^2NM 127c的能帶隙大于有源層114的量子阱114w的能帶隙，所以可以有效地限制量子阱中的電子。
[0089]此外，由于未摻雜的最終勢壘層127中的AlJr^GaifpN層127d的能帶隙大于有源層中的量子墻的能帶隙，所以可以有效地限制量子阱中的電子。
[0090]根據(jù)實施方案，AlqlInq2Ga1^N層127d的厚度小于第一 InplGapplN層127a或第二 Inp2Ga^p2N 層 127c 的厚度。
[0091]此夕卜，Al^In^Ga^^^N層127d的厚度在Inm至5nm的范圍內(nèi)。
[0092]接下來，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層116可以包括ρ型半導(dǎo)體層。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層116可以包括選自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN和InN中的至少一種，并且可以摻雜有P型摻雜劑，例如，Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。
[0093]另一方面，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層112可以包括ρ型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層116可以包括η型半導(dǎo)體層。此外，還可以在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層116上設(shè)置包括η型半導(dǎo)體層或P型半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)可以具有η-ρ結(jié)、p-n結(jié)、n-p-n結(jié)和p-n-p結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少一種。此外，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層112和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層116中的雜質(zhì)的摻雜濃度可以是均勻的或非均勻的。換句話說，可以形成各種發(fā)光結(jié)構(gòu)110，但是實施方案不限于此。
[0094]接下來，如圖7所示，可以對發(fā)光結(jié)構(gòu)110進(jìn)行蝕刻，使得可以露出第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層112的區(qū)域。在這種情況下，該蝕刻可以包括濕蝕刻或干蝕刻。
[0095]之后，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)110上設(shè)置溝道層30、歐姆層15和反射層17。
[0096]溝道層30可以以單層或多層結(jié)構(gòu)形成。例如，溝道層30可以由選自Si02、Six0y、Si3N4, SixNy、S1xNy, A1203、T12 和 AlN 中的至少一種形成。
[0097]可以在反射層17與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層116之間設(shè)置歐姆層15。歐姆層15可以設(shè)置為與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層116接觸。
[0098]歐姆層15可以形成為與發(fā)光結(jié)構(gòu)110接觸。反射層17可以電連接到第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層116。歐姆層15可以包括與發(fā)光結(jié)構(gòu)110歐姆接觸的區(qū)域。
[0099]例如，歐姆層15可以由透明導(dǎo)電氧化物層形成。歐姆層15可以以單層或多層結(jié)構(gòu)形成。例如，歐姆層15可以由選自以下材料中的至少一種形成:ITO (銦錫氧化物)、IZO (銦鋅氧化物)、AZO (鋁鋅氧化物)、AGZO (鋁鎵鋅氧化物)、IZTO (銦鋅錫氧化物)、IAZO (銦鋁鋅氧化物)、IGZO (銦鎵鋅氧化物)、IGTO (銦鎵錫氧化物)、ATO (銻錫氧化物)、GZO (鎵鋅氧化物)、IZON(ΙΖ0 氮化物)、Zn。、IrOx、RuOx、N1、Pt、Ag 和 Ti。
[0100]反射層17可以由具有高反射率的材料形成。例如，反射層17可以包括金屬，所述金屬包括Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au、Hf及其合金中的至少之一。此外，反射層17可以通過利用金屬或合金和透明導(dǎo)電材料以單層或多層結(jié)構(gòu)形成，所述透明導(dǎo)電材料例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物(AZO)或銻錫氧化物(ΑΤ0)。例如，根據(jù)實施方案，反射層17可以包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金和Ag-Cu合金中的至少一種。
[0101]例如，反射層17可以具有其中Ag層和Ni層交替設(shè)置的結(jié)構(gòu)，并且可以包括Ni/Ag/Ni或Ti層和Pt層。
[0102]可以在反射層17上設(shè)置金屬層50、接合層60、支承構(gòu)件和臨時襯底90。
[0103]金屬層50可以包括么11、(:11、祖、11、11-1、0、1、？扒￥、？6和]\10中的至少一種。金屬層可以用作擴(kuò)散阻擋層。
[0104]根據(jù)實施方案，電連接到第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層116的第一電極層可以包括反射層、歐姆層和金屬層中的至少之一。根據(jù)實施方案，第一電極層可以包括反射層、歐姆層和金屬層的全部、或者這些層中的一個或兩個。
[0105]金屬層50可以防止包含在接合層60中的材料在設(shè)置接合層60的過程中朝反射層17擴(kuò)散。例如，金屬層50可以防止包含在接合層60中的材料例如錫(Sn)對反射層17施加影響。
[0106]接合層60包括阻擋金屬或接合金屬。例如，接合層60可以包括選自T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag、Nb、Pd和Ta中的至少一種。支承構(gòu)件70可以支承根據(jù)實施方案的發(fā)光器件，并且可以執(zhí)行散熱功能。接合層60可以以籽晶層的形式實施。
[0107]例如，支承構(gòu)件70可以包括注入有T1、Cr、N1、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或雜質(zhì)的半導(dǎo)體襯底(例如，S1、Ge、GaN、GaAs、ZnO, SiC或SiGe襯底)中的至少一種。此外，支承構(gòu)件70可以由絕緣材料形成。
[0108]臨時襯底90可以設(shè)置在支承構(gòu)件70上。臨時襯底90可以由金屬材料、半導(dǎo)體材料或絕緣材料形成。
[0109]接下來，如圖8所示，從發(fā)光結(jié)構(gòu)110去除襯底5。作為一個實施例，襯底5可以通過激光剝離(LLO)工藝去除。LLO工藝是通過向襯底5的底表面輻射激光來使襯底5從發(fā)光結(jié)構(gòu)110剝離的工藝。
[0110]然后，可以執(zhí)行隔離蝕刻工藝、焊盤電極81形成工藝、劃線工藝、反射部分40形成工藝和臨時襯底90去除工藝。上述工藝是為了說明的目的存在，并且可對工藝順序進(jìn)行多種修改。
[0111]根據(jù)實施方案，可以通過隔離蝕刻工藝蝕刻發(fā)光結(jié)構(gòu)110的側(cè)表面以露出溝道層30的一部分。可以通過干蝕刻工藝?yán)珉姼旭詈系入x子體(ICP)來執(zhí)行隔離蝕刻工藝，但是實施方案不限于此。
[0112]可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)110的頂表面上形成粗糙結(jié)構(gòu)(未示出)?？梢栽诎l(fā)光結(jié)構(gòu)110上提供凹凸圖案。例如，可以通過PEC(光電化學(xué))蝕刻工藝形成設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)110上的光提取圖案。因而，根據(jù)實施方案，由于可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)110上提供光提取圖案，所以可以增加外部光提取效率。
[0113]接下來，可以在將電極層14設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)110上之后在電極層14上設(shè)置焊盤電極81。
[0114]焊盤電極81可以電連接到第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層112。焊盤電極81的一部分可以與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層112接觸。
[0115]焊盤電極81可以為一層或多層。例如，焊盤電極81可以包括歐姆層、中間層和上層。歐姆層可以包括選自Cr、V、W、Ti和Zn的材料，并且可以產(chǎn)生歐姆接觸。中間層可以通過利用選自N1、Cu和Al的材料來實施。例如，上層可以包括Au。焊盤電極81可以包括選自 Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al 和 Au 中的至少一種。
[0116]然后，可以執(zhí)行劃線工藝使得可以露出支承構(gòu)件70的側(cè)表面和溝道層30。然后，可以在溝道層30和支承構(gòu)件70的側(cè)表面上設(shè)置反射部分40。之后，通過去除臨時襯底90，可以形成單個發(fā)光器件。
[0117]根據(jù)實施方案，可以在溝道層30上設(shè)置反射部分40。反射部分40可以設(shè)置在溝道層30上以與溝道層30接觸。反射部分40可以與溝道層30接觸。反射部分40可以設(shè)置在支承構(gòu)件70的側(cè)表面上。反射部分40可以與支承構(gòu)件70的側(cè)表面接觸。根據(jù)實施方案，反射部分40可以包括設(shè)置在溝道層30上的第一區(qū)域和設(shè)置在支承構(gòu)件70的側(cè)表面上的第二區(qū)域，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域彼此連接。
[0118]此外,可以在金屬層50的側(cè)表面上設(shè)置反射部分40?？梢栽诮雍蠈?0的側(cè)表面上設(shè)置反射部分40。反射部分40可以與接合層60的側(cè)表面接觸。反射部分40可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)110隔開。
[0119]可以通過利用具有良好反射率的材料實施反射部分40。例如，反射部分40可以包括選自Ag、Al和Pt中的至少一種。
[0120]反射部分可以防止從發(fā)光結(jié)構(gòu)110發(fā)射并且入射到溝道層30、金屬層50、接合層60和支承構(gòu)件70上的光被吸收到溝道層30、金屬層50、接合層60和支承構(gòu)件70中。SP，反射部分40對入射到其上的光進(jìn)行反射，使得可以防止光被吸收到溝道層30、金屬層50、接合層60和支承構(gòu)件70中從而變暗。
[0121]由于設(shè)置有反射部分40，所以即使在溝道層30、金屬層50、接合層60和支承構(gòu)件70的側(cè)表面中的一個上形成粗糙結(jié)構(gòu)，根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的側(cè)表面也可以變得完全光滑。即，因為，反射部分40的表面被光滑形成，所以即使在金屬層50、接合層60和支承構(gòu)件的側(cè)表面之一上形成粗糙結(jié)構(gòu)或毛刺，根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的側(cè)表面也可以形成為完全光滑。
[0122]根據(jù)實施方案，可以提供包括能夠增加光強(qiáng)度的最佳結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件，制造該發(fā)光器件的方法，發(fā)光器件封裝件以及照明系統(tǒng)。
[0123]此外，根據(jù)實施方案，可以提供能夠使施加到量子阱的應(yīng)力最小化并且有效增加量子限制效應(yīng)的發(fā)光器件，制造該發(fā)光器件的方法，發(fā)光器件封裝件以及照明系統(tǒng)。
[0124]從而，根據(jù)實施方案，可以提供能夠改進(jìn)量子限制效應(yīng)、發(fā)光效率和器件可靠性的發(fā)光器件，制造該發(fā)光器件的方法，發(fā)光器件封裝件以及照明系統(tǒng)。
[0125]圖9是示出了應(yīng)用根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝件的截面圖。
[0126]參照圖9，根據(jù)實施方案的發(fā)光器件封裝件可以包括本體120、設(shè)置在本體120中的第一引線電極131和第二引線電極132，設(shè)置在本體120中的并且電連接到第一引線電極131和第二引線電極132的發(fā)光器件100以及包圍發(fā)光器件100的模制構(gòu)件140。
[0127]本體120可以包括硅、合成樹脂或金屬材料，可以在發(fā)光器件100的附近設(shè)置傾斜表面。
[0128]第一引線電極131和第二引線電極132彼此電絕緣以將功率供應(yīng)到發(fā)光器件100。第一引線電極131和第二引線電極132可以通過反射從發(fā)光器件100發(fā)射的光來提高光效率。此外，第一引線電極131和第二引線電極132使從發(fā)光器件100生成的熱耗散到外部。
[0129]可以將發(fā)光器件100設(shè)置在本體120或者第一引線電極131或第二引線電極132上。
[0130]可以通過引線方案、倒裝芯片方案和芯片接合方案中的一種方案將發(fā)光器件100電連接到第一引線電極131和第二引線電極132。
[0131]模制構(gòu)件140可以包圍發(fā)光器件100以保護(hù)發(fā)光器件100。此外，模制構(gòu)件140可以包括磷光體以改變從發(fā)光器件100發(fā)射的光的波長。
[0132]可以將根據(jù)實施方案的多個發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝件排列在襯底上，并且可以將包括透鏡、導(dǎo)光板、棱鏡片或擴(kuò)散片的光學(xué)構(gòu)件設(shè)置在從發(fā)光器件封裝件發(fā)射的光的光路上。發(fā)光器件封裝件、襯底和光學(xué)構(gòu)件可以用作光單元。光單元以頂視型或側(cè)視型形成并且不同地設(shè)置在便攜終端和膝上型計算機(jī)的顯示裝置或者照明設(shè)備和指示設(shè)備中。
[0133]另外，根據(jù)另一實施方案的照明設(shè)備可以包括根據(jù)實施方案的發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝件。例如，照明設(shè)備可以包括燈、信號燈、電子顯示板和車輛的前燈。另外，照明設(shè)備可以應(yīng)用到車輛的尾燈以及車輛的前燈。
[0134]可以將根據(jù)實施方案的發(fā)光器件應(yīng)用到光單元。光單元具有排列有多個發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。光單元可以包括顯示裝置和照明設(shè)備。
[0135]圖10是示出了根據(jù)實施方案的照明設(shè)備的分解透視圖。
[0136]參照圖10，根據(jù)實施方案的照明設(shè)備可以包含蓋2100、光源模塊2200、散熱器2400、電源部分2600、內(nèi)殼2700和插座2800。根據(jù)實施方案的照明設(shè)備還可以包括構(gòu)件2300和保持器2500中至少之一。光源模塊2200可以包括根據(jù)實施方案的發(fā)光器件封裝件。
[0137]例如，蓋2100可以具有燈泡狀或半球形形狀。蓋2100可以具有部分打開的中空結(jié)構(gòu)。蓋2100可以與光源模塊2200光學(xué)耦合。例如，蓋2100可以對從光源2200提供的光進(jìn)行漫射、散射或激發(fā)。蓋2100可以為一種光學(xué)構(gòu)件。蓋2100可以與散熱器2400耦接。蓋2100可以包括與散熱器2400耦接的耦接部分。
[0138]蓋2100可以包括涂覆有乳白色顏料的內(nèi)表面。乳白色顏料可以包括漫射材料以使光漫射。蓋2100的內(nèi)表面的表面粗糙度可以大于蓋2100的外表面的粗糙度。設(shè)置表面粗糙度以用于使來自光源模塊2200的光充分散射和漫射以使光放射到外部的目的。
[0139]蓋2100可以包括玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)或聚碳酸酯(PC)。在以上材料中，聚碳酸酯(PC)具有優(yōu)異的耐光性、耐熱性和強(qiáng)度。蓋2100可以為透明的，使得使用者可以從外界觀察光源模塊2200，或者可以為不透明的。蓋2100可以通過吹塑方案來設(shè)置。
[0140]光源模塊2200可以設(shè)置在散熱器2400的一個表面處。因此，來自光源模塊2200的熱被傳遞到散熱器2400。光源模塊2200可以包括光源2210、連接板2230和連接器2250。
[0141]構(gòu)件2300設(shè)置在散熱器2400的頂表面上，并且包括使多個光源2210和連接器2250插入的引導(dǎo)槽2310。引導(dǎo)槽2310對應(yīng)于光源2210和連接器2250的襯底。
[0142]構(gòu)件2300的表面可以涂覆有光反射材料。例如，構(gòu)件2300的表面可以涂覆有白色顏料。構(gòu)件2300將由蓋2100的內(nèi)表面反射并且返回到光源模塊2200的方向的光再次向蓋2100的方向反射。因此，可以提高根據(jù)實施方案的照明設(shè)備的光效率。
[0143]例如，構(gòu)件2300可以包括絕緣材料。光源模塊2200的連接板2230可以包括導(dǎo)電材料。因此，散熱器2400可以電連接到連接板2230。構(gòu)件2300可以通過絕緣材料形成，由此防止連接板2230與散熱器2400電短路。散熱器2400接收來自光源模塊2200和電源部分2600的熱并且將熱耗散。
[0144]保持器2500覆蓋內(nèi)殼2700的絕緣部分2710的容納槽2719。因此，將容納在內(nèi)殼2700的絕緣部分2710中的電源部分2600密封。保持器2500包括引導(dǎo)突起2510。引導(dǎo)突起2510具有孔并且電源部分2600的突起穿過該孔延伸。
[0145]電源部分2600對從外界接收的電信號進(jìn)行處理或轉(zhuǎn)換并且將經(jīng)處理或經(jīng)轉(zhuǎn)換的電信號提供到光源模塊2200。電源部分2600容納在內(nèi)殼2700的容納槽2719中，并且通過保持器2500而密封在內(nèi)殼2700的內(nèi)部。電源部分2600可以包括突起2610、引導(dǎo)部分2630、基底2650和延伸部分2670。
[0146]引導(dǎo)部分2630具有從基底2650的一側(cè)向外側(cè)突出的形狀。可以將引導(dǎo)部分2630插入到保持器2500中。在基底2650的一個表面上可以設(shè)置多個部件。例如，這些部件可以包括:將從外部電源提供的AC電力轉(zhuǎn)換為DC電力的DC轉(zhuǎn)換器；控制光源模塊2200的驅(qū)動的驅(qū)動芯片；和保護(hù)光源模塊2200的靜電放電(ESD)保護(hù)裝置，但實施方案不限于此。
[0147]延伸部分2670具有從基底2650的相反側(cè)向外突出的形狀。延伸部分2670插入到內(nèi)殼2700的連接部分2750的內(nèi)部，并且接收來自外界的電信號。例如，延伸部分2670的寬度可以小于或等于內(nèi)殼2700的連接部分2750的寬度。將“+電線”和電線”的第一端子電連接到延伸部分2670并且可以將“+電線”和電線”的第二端子電連接到插座2800。
[0148]內(nèi)殼2700可以包括在其中的模制部分和電源部分2600。模制部分通過使模制液體凝固來制備，并且可以通過模制部分將電源部分2600固定在內(nèi)殼2700的內(nèi)部。
[0149]在本說明書中對“一個實施方案”、“實施方案”、“示例性實施方案”等的任何引用都是指結(jié)合實施方案所描述的具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本發(fā)明中的至少一個實施方案中。在說明書中的各個位置中的這些用于的出現(xiàn)未必都指代相同的實施方案。此外，當(dāng)結(jié)合任意實施方案描述具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性時，認(rèn)為結(jié)合實施方案中的其他實施方案實現(xiàn)這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性在本領(lǐng)域技術(shù)人員的能力范圍之內(nèi)。
[0150]盡管已經(jīng)參照大量說明性實施方案對實施方案進(jìn)行了描述，應(yīng)該理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以做出落在本公開內(nèi)容的原則的精神和范圍之內(nèi)的大量其他修改和實施方案。更具體地，可以在公開內(nèi)容、附圖和所附的權(quán)利要求的范圍之內(nèi)對主題組合布置的部件部分和/或布置方面進(jìn)行各種變型和修改。除部件部分和/或布置方面的變型和修改之外，替代性用途對本領(lǐng)域技術(shù)人員也是明顯的。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光器件，包括: 第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層； 在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的包括量子阱和量子墻的有源層； 在所述有源層上的未摻雜的最終勢壘層； 在所述未摻雜的最終勢壘層上的AlxI nyGa(1_x_y) N基層(O彡X彡1，0彡y彡I);以及 在所述AlxInyGa(1_x_y)N基層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層， 其中所述最終勢壘層包括: 在最終量子阱上的第一 InplGai_plN層(0〈Pl〈l)，所述最終量子阱在所述量子阱中最靠近所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層； 在所述第一 InplGa1-JjlN 層上的 Al^Ir^Ga^^N 層(0<q1； q2<l);以及 在所述 AlqlInq2Ga1Ih2N 層上的第二 Inp2Ga^p2N 層(0〈ρ2〈1)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述AlqlInq2Ga1I1I2N層的能帶隙不同于所述AlxInyGa(1_x_y)N基層的能帶隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述AlqlInq2Ga1I1I2N層的能帶隙等于或大于所述AlxInyGa(1_x_y)N基層的能帶隙。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述AlqlInq2Ga1I1I2N層的沿著表面方向的晶格常數(shù)不同于所述量子墻的沿著表面方向的晶格常數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述AlqlInq2Ga1I1I2N層的沿著表面方向的晶格常數(shù)等于或大于所述量子墻的沿著表面方向的晶格常數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一InplGa^N層和所述第二 Inp2Gai_p2N層的沿著表面方向的晶格常數(shù)不同于所述量子墻的沿著表面方向的晶格常數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一InplGa^N層和所述第二 Inp2Gai_p2N層的沿著表面方向的晶格常數(shù)等于或大于所述量子墻的沿著表面方向的晶格常數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一InplGa^N層和所述第二 Inp2Gai_p2N層的沿著表面方向的晶格常數(shù)大于所述AlqlInq2Ga1^2N層的沿著表面方向的晶格常數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一InplGa^N層和所述第二 Inp2Gai_p2N層的沿著表面方向的晶格常數(shù)小于所述有源層的所述量子阱的沿著表面方向的晶格常數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述AlqlInq2Ga1I1I2N層的能帶隙大于所述第一 InplGa1-JjlN層和所述第二 Inp2Ga1-J52N層的能帶隙。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述AlqlInq2Ga1^2N層的能帶隙大于所述有源層的所述量子墻的能帶隙。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一InplGa^N層和所述第二Inp2Gapp2N層的能帶隙大于所述有源層的所述量子阱的能帶隙。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述AlqlInq2Ga1^2N層的厚度小于所述第一InplGa1-JjlN 層的厚度。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述AlqlInq2Ga1^2N層的厚度小于所述第二Inp2Gapp2N層的厚度。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述AlqlInq2Ga1^2N層的厚度在Inm至5nm的范圍內(nèi)。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述AlJr^Gaif』層中的銦的濃度(q2)在0.16至0.2的范圍內(nèi)。
17.—種包括發(fā)光單元的照明系統(tǒng)，所述發(fā)光單元包括權(quán)利要求1所要求保護(hù)的發(fā)光器件。
【文檔編號】H01L33/06GK104300050SQ201410343191
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年7月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月18日
【發(fā)明者】文用泰, 林賢哲 申請人:Lg伊諾特有限公司