技術(shù)編號：7053907
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種發(fā)光器件，制造該發(fā)光器件的方法，發(fā)光器件封裝件以及照明系統(tǒng)。該發(fā)光器件包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(112)；在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(112)上的包括量子阱(114w)和量子墻(114b)的有源層(114)；在有源層(114)上的未摻雜的最終勢壘層(127)；在未摻雜的最終勢壘層(127)上的AlxInyGa(1-x-y)N基層(0≤x≤1，0≤y≤1)(128)；以及在AlxInyGa(1-x-y)N基層(128)上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層(116)...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。