固態(tài)成像裝置和電子裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了固態(tài)成像裝置和電子裝置，該固態(tài)成像裝置包括相位差檢測像素，所述相位差檢測像素包括形成在半導體襯底上并配置成光電轉換入射光的光電轉換部、配置成將入射光引導至光電轉換部的波導，以及形成在波導的開口附近并配置成遮擋入射光的進入波導的那部分的遮光部。
【專利說明】固態(tài)成像裝置和電子裝置
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求2013年7月3日提交的日本優(yōu)先權專利申請JP2013-139833的權益，其全部內容通過引用并入本文。
【技術領域】
[0003]本技術涉及一種固態(tài)成像裝置和電子裝置，更具體地涉及一種可以提高制造的簡易性和距離測量精度的固態(tài)成像裝置和電子裝置。
【背景技術】
[0004]例如，在相關領域中已知具有互補金屬氧化物半導體(CMOS)型固態(tài)成像裝置的數(shù)碼相機，其具有自動對焦(AF)的距離檢測功能。
[0005]具體地，提出了一種技術，其中單個片上透鏡和多個光電轉換部設置在固態(tài)成像裝置的一些像素中，由此提供采用相位差方法檢測距離的功能(例如，參見日本專利申請公報N0.2002-314062(在下文中被稱為專利文獻I))。
[0006]還提出了一種技術，其中在包括單個片上透鏡和多個光電轉換部的距離測量像素中，等效于典型的成像像素的主要波導設置在片上透鏡的一側上，并且多達光電轉換部的數(shù)量的子波導設置在光電轉換部的一側上(例如，參見日本專利申請公報N0.2012-151215(在下文中被稱為專利文獻2))。利用此結構,可以可靠地將光從片上透鏡引導至光電轉換部并且可以提高距離測量精度。
[0007]此外，通常已知一種技術，其中在距離測量像素中，射入光電轉換部的光由設置在光電轉換部上方的遮光膜遮擋并且該距離采用相位差方法來檢測。
【發(fā)明內容】
[0008]然而，在專利文獻2中描述的結構中，要求將制造工藝劃分成距離測量像素的制造工藝和僅包括波導的成像像素的制造工藝并且還擔心當子波導的直徑由于像素尺寸減小而減小時，制造變得困難。
[0009]在包括單個像素中的多個光電轉換部的結構中，每個光電轉換部的區(qū)域變得更小以確保元件分離區(qū)域。每個光電轉換部的信號量減少并且擔心距離測量精度被降低。
[0010]另外，當遮光膜設置在包括波導的像素中的光電轉換部上方時，在波導中傳播并射入光電轉換部中的光與來自各個角度的光混合。結果，擔心距離測量精度被降低。
[0011]鑒于上文提及的情況，期望提高制造的簡易性和距離測量精度。
[0012]根據(jù)本技術的實施例，提供了一種固態(tài)成像裝置，包括:相位差檢測像素，其包括:形成在半導體襯底上并配置成光電轉換入射光的光電轉換部，配置成將入射光引導至光電轉換部的波導，以及形成在波導的開口附近并配置成遮擋入射光的進入波導的部分的遮光部。
[0013]相位差檢測像素還可以包括:在波導的開口附近具有光收集點的片上透鏡。
[0014]相位差檢測像素還可以包括:形成在波導的外圍并配置成遮擋光的從波導泄漏出來的至少一部分的遮光壁。
[0015]遮光壁可以形成為包圍波導的整個外圍。
[0016]遮光壁可以形成為包圍波導的外圍的一部分。
[0017]相位差檢測像素還可以包括:形成在半導體襯底上并配置成保持由光電轉換部光電轉換的電荷的電荷保持部，并且遮光壁可以配置成遮擋從波導泄漏至電荷保持部的光。
[0018]遮光部可以形成為布線層。
[0019]波導可以包括配置成傳播光的芯和配置成限制在芯中傳播的光的包層，并且遮光部可以形成為在波導的開口附近與芯保持接觸。
[0020]芯和包層可以各自由無機膜形成，并且芯可以具有比包層的折射率高的折射率。
[0021]固態(tài)成像裝置還可以包括:像素陣列部，其包括在成行二維布置的多個成像像素之間以分散的方式布置的相位差檢測像素，并且多個成像像素可以各自至少包括光電轉換部、波導以及片上透鏡。
[0022]根據(jù)本技術的實施例，提供了一種電子裝置，包括:固態(tài)成像裝置，所述固態(tài)成像裝置包括相位差檢測像素，所述相位差檢測像素包括:形成在半導體襯底上并配置成光電轉換入射光的光電轉換部，配置成將入射光引導至光電轉換部的波導，以及形成在波導的開口附近并配置成遮擋入射光的射入波導的部分的遮光部。
[0023]在本技術的實施例中，在相位差檢測像素中，遮光部形成在波導的開口附近并且入射光的射入波導的部分配置成將入射光引導至光電轉換部。
[0024]根據(jù)本技術的實施例，可以提高制造的簡易性和距離測量精度。
[0025]本發(fā)明的這些和其他目的、特征和優(yōu)點鑒于其最佳實施方式的以下詳細描述將變得更加顯而易見，如附圖中所示。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0026]圖1是示出了本技術適用的包括圖像傳感器的電子裝置的實施例的框圖；
[0027]圖2是解釋圖像傳感器的像素布置的圖；
[0028]圖3是示出了成像像素的配置實例的橫截面視圖；
[0029]圖4是示出了相位差檢測像素的配置實例的橫截面視圖；
[0030]圖5是示出了相位差檢測像素的另一個配置實例的橫截面視圖；
[0031]圖6是示出了相位差檢測像素的另一個配置實例的橫截面視圖；并且
[0032]圖7是示出了相位差檢測像素的另一個配置實例的橫截面視圖。
【具體實施方式】
[0033]在下文中，本發(fā)明的實施例將參照附圖進行描述。
[0034][電子裝置的功能配置實例]
[0035]圖1是示出了本技術適用的包括圖像傳感器的電子裝置的實施例的框圖。
[0036]圖1中所示的電子裝置I被配置成數(shù)碼相機、具有成像功能的手機終端等。通過自動對焦(AF)功能，使被拍攝物體成像并生成捕獲圖像并且記錄為靜態(tài)圖像或運動圖像。在下文中，假設主要記錄靜態(tài)圖像。
[0037]電子裝置I包括透鏡單元11、操作單元12、控制單元13、圖像傳感器14、信號處理單元15、存儲單元16、顯示單元17、聚焦確定單元18和驅動單元19。
[0038]透鏡單元11收集來自被拍攝物體的光(被拍攝物體光)。由透鏡單元11收集的被拍攝物體光入射在圖像傳感器14上。
[0039]透鏡單元11包括變焦透鏡21、光圈22和聚焦透鏡23。
[0040]變焦透鏡21由于驅動單元19的驅動而在光學軸線方向上移動，由此改變焦距以調整捕獲圖像中包括的被拍攝物體的放大倍率。光圈22由于驅動單元19的驅動而改變開合度以調整入射到圖像傳感器14上的被拍攝物體光的光量。聚焦透鏡23由于驅動單元19的驅動而在光學軸線方向上移動，由此調整焦距。
[0041]操作單元12接收用戶進行的操作。例如，當按下快門按鈕(未示出)時，操作單元12將指示該操作的操作信號提供給控制單元13。
[0042]控制單元13控制電子裝置I的相應單元的操作。
[0043]例如，當接收指示快門按鈕按下的操作信號時，控制單元13將記錄靜態(tài)圖像的指令提供給信號處理單元15。為了在顯示單元17上顯示即時顯示圖像(其是被拍攝物體的實時圖像)，控制單元13將生成即時顯示圖像的指令提供給信號處理單元15。
[0044]為了采用相位差檢測方法來執(zhí)行聚焦確定，控制單元13將執(zhí)行聚焦確定的操作(相位差檢測操作)的指令提供給信號處理單元15。相位差檢測方法指的是聚焦檢測方法，其中對穿過成像透鏡的光進行瞳劃分以形成一對圖像，測量所形成的圖像之間的距離(圖像之間的位移量)(檢測相位差)，并由此檢測聚焦程度。
[0045]圖像傳感器14是將所接收的被拍攝物體光光電轉換為電信號的固態(tài)成像裝置。
[0046]圖像傳感器14例如是互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器或電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器。圖像傳感器14包括像素陣列部，其中布置有基于所接收的被拍攝物體光來生成用于生成捕獲圖像的信號的多個像素(成像像素)以及用于距離檢測的多個距離測量像素，換句話說，生成用于執(zhí)行相位差檢測的信號的像素(相位差檢測像素)。圖像傳感器14將通過光電轉換生成的電信號提供給信號處理單元15。
[0047]信號處理單元15使從圖像傳感器14提供的電信號進行各種類型的信號處理。
[0048]例如，當從控制單元13提供記錄靜態(tài)圖像的指令時，信號處理單元15生成靜態(tài)圖像的數(shù)據(jù)(靜態(tài)圖像數(shù)據(jù))并將靜態(tài)圖像數(shù)據(jù)提供給存儲單元16。當從控制單元13提供生成即時顯示圖像的指令時，信號處理單元15基于來自圖像傳感器14中的成像像素的輸出信號來生成即時顯示圖像的數(shù)據(jù)(即時顯示圖像數(shù)據(jù))并將即時顯示圖像數(shù)據(jù)提供給顯示單元17。
[0049]當從控制單元13提供相位差檢測操作的指令時，信號處理單元15基于來自圖像傳感器14中的相位差檢測像素的輸出信號來生成用于檢測相位差的數(shù)據(jù)(相位差檢測數(shù)據(jù))并將相位差檢測數(shù)據(jù)提供給聚焦確定單元18。
[0050]存儲單元16記錄從信號處理單元15提供的圖像數(shù)據(jù)。存儲單元16被配置成一個或多個可移除記錄介質，例如諸如數(shù)字通用光盤(DVD)等光盤和諸如存儲器卡等半導體存儲器。這些記錄介質可以被并入電子裝置I中或可以從電子裝置I中移除。
[0051]顯示單元17基于從信號處理單元15提供的圖像數(shù)據(jù)來顯示圖像。例如，當從信號處理單元15提供即時顯示圖像數(shù)據(jù)時，顯示單元17顯示即時顯示圖像。顯示單元17例如是液晶顯示器(LCD)或有機電致發(fā)光(EL)顯示器。
[0052]聚焦確定單元18基于從信號處理單元15提供的相位差檢測數(shù)據(jù)來確定作為待聚焦目標的物體(聚焦目標物體)是否在焦距內。如果位于聚焦區(qū)域中的物體在焦距內，則聚焦確定單元18將指示其在焦距內的信息提供給驅動單元19作為聚焦確定結果。如果聚焦目標物體不在焦距內，則聚焦確定單元18計算離焦量(散焦量)并將指示所計算的散焦量的信息提供給驅動單元19作為聚焦確定結果。
[0053]驅動單元19驅動變焦透鏡21、光圈22和聚焦透鏡23。例如，驅動單元19基于從聚焦確定單元18提供的聚焦確定結果來計算聚焦透鏡23的驅動量并根據(jù)所計算的驅動量來移動聚焦透鏡23。
[0054]具體地，如果聚焦透鏡23在焦距內，則驅動單元19保持其當前位置。如果其不在焦距內，則驅動單元19基于指示散焦量的聚焦確定結果和聚焦透鏡23的位置來計算驅動量(驅動距離)并根據(jù)驅動量來移動聚焦透鏡23。
[0055][圖像傳感器的像素布置]
[0056]接下來，將參照圖2描述圖像傳感器14的像素布置。
[0057]在圖2中，假設從左至右的方向(行方向)是X方向，從下至上的方向(列方向)是Y方向，并且從后至前的方向是Z方向。
[0058]如圖2所示，在圖像傳感器14(像素陣列部)中，用黑方塊指示的多個成像像素31以矩陣的形式二維布置在XY平面中。成像像素31由R像素、G像素和B像素組成。這些像素根據(jù)拜耳陣列規(guī)則布置。
[0059]此外，在圖像傳感器14中，用白方塊指示的多個相位差檢測像素32以分散的方式布置在成行二維布置的多個成像像素31之間。具體地，相位差檢測像素32由在光接收區(qū)域的X方向上在右手邊遮擋光的像素以及在光接收區(qū)域的X方向上在左手邊遮擋光的像素組成。通過用圖像傳感器14中的像素列的每個預定列中的這些像素替換成像像素31的一些，這些像素像素根據(jù)特定模式進行規(guī)則布置。注意，圖像傳感器14中的成像像素31和相位差檢測像素32的布置不局限于此并且還可能存在其他模式。
[0060]接下來，將描述圖像傳感器14中的成像像素31和相位差檢測像素32的詳細配置。
[0061][成像像素的配置實例]
[0062]圖3是示出了圖像傳感器14中的成像像素31的配置實例的橫截面視圖。
[0063]如圖3所示，在成像像素31中，光電轉換入射光的光電轉換部52通過離子注入形成在由例如Si制成的半導體襯底51上。層間絕緣膜53至56形成在半導體襯底51的上方。將入射光引導至光電轉換部52的波導57形成在層間絕緣膜53至56中以及光電轉換部52上方。在層間絕緣膜53至56和波導57上方形成有平坦化膜58、具有對應于R像素、G像素和B像素的光譜特性的濾色器59以及片上透鏡60。
[0064]片上透鏡60被設計成在波導57的開口附近具有光收集點。射入片上透鏡60的入射光通過濾色器59和平坦化膜58射入波導57。
[0065]波導57由傳播光的芯57a和限制在芯57a中傳播的光的包層57b組成。芯57a和包層57b由針對入射光的波長帶具有80%以上的透光率的材料制成。例如，芯57a由SiN、SiC等的無機膜形成，包層57b由S12等的無機膜形成。芯57a被設為具有比包層57b的折射率高的折射率。
[0066]注意，層間絕緣膜53至56由折射率比構成波導57的芯57a和包層57b的折射率都低的材料形成。
[0067]利用此結構，波導57抑制入射光從波導57中泄漏出來并將入射光引導至光電轉換部52的光接收表面。因此，可以提高光電轉換部52的光收集效率。
[0068]另外，在成像像素31中，遮擋已經從波導57中泄漏出來的光的遮光壁61a被設置為波導57的外圍的布線層61的一部分。
[0069]具體地，遮光壁61a形成為包圍波導57的整個外圍。遮光壁61a例如具有圓柱形狀。遮光壁61a由W、T1、Al、Cu、TiN、Ta和TaN等金屬形成。
[0070]注意，遮光壁61a可以具有任何形狀，只要其具有包圍波導57的結構即可。除圓柱形狀之外，遮光壁61a還可以具有四棱柱形狀或八角柱形狀等。在遮光壁61a具有圓柱形狀的情況下，圓柱的底面可以具有橢圓形狀。
[0071]利用此結構，甚至當像素的尺寸減小時，也可以防止從波導57泄漏出來的光射入相鄰像素變成混色分量并將入射光更有效地引導至光電轉換部52的光接收表面。
[0072][相位差檢測像素的配置實例]
[0073]接下來，將參照圖4描述相位差檢測像素32的配置實例。
[0074]注意，將省略圖4中所示的相位差檢測像素32的以與參照圖3描述的成像像素31的部分相同的方式形成的部分的描述。
[0075]在相位差檢測像素32中，遮擋入射光的進入波導57的部分的遮光部62形成在波導57的開口附近。
[0076]具體地，遮光部62形成為在波導57的開口附近與芯57a的上端表面保持接觸。遮光部62由W、T1、Al、Cu、TiN、Ta和TaN等金屬形成。
[0077]在圖4中所示的相位差檢測像素32中，遮光部62遮擋波導57的開口的左半部中的光。在一些相位差檢測像素32中，通過遮光部62遮擋波導57的開口的右半部中的光。
[0078]如圖4所示，已經穿過片上透鏡60并在第一方向上射入的一部分入射光LI由波導57引導至光電轉換部52并且大部分入射光LI由遮光部62反射作為反射光LI’并且不到達光電轉換部52。另一方面，已經穿過片上透鏡60并在第二方向上射入的大部分入射光L2穿過波導57的開口的未被遮光部62遮擋的部分(開口部分)，并由波導57引導至光電轉換部52。
[0079]傳播至光電轉換部52的入射光LI和L2的速率不同，這主要取決于其入射角。
[0080]同樣在相位差檢測像素32中，片上透鏡60被設計成在波導57的開口附近具有光收集點，如與成像像素31中一樣。另外，通過適當設計波導57的開口部分，波導57的直徑和波導57與遮光壁61a之間的距離，可以增加傳播至光電轉換部52的入射光LI和L2的量的速率以提高分光特性。
[0081]如上所述，相位差檢測像素32具有遮光部62僅設置到成像像素31的結構上的結構。因此，不需要將制造工藝劃分成相位差檢測像素32的制造工藝以及成像像素31的制造工藝。因此，可以提聞制造的簡易性。
[0082]此外，相位差檢測像素32可以具有一個光電轉換部設置到一個像素上的結構。因此，每個光電轉換部的信號量都不減少并且此外分光特性可以通過優(yōu)化波導57的設計來提聞。因此，可以提聞距尚測量精度。
[0083]另外，在同時傳遞并保持所有像素中的電荷并實現(xiàn)同時暴露所有像素的全局快門功能的固態(tài)成像裝置中，保持由光電轉換部52光電轉換的電荷的電荷保持部70形成在半導體襯底51中，例如如與圖5中所示的相位差檢測像素32 —樣。
[0084]在圖5的相位差檢測像素32中，從波導57泄漏出來的光被遮光壁61a遮擋并且可以防止光射入電荷保持部70變成噪聲分量。
[0085][相位差檢測像素的另一個配置實例]
[0086]接下來，將參照圖6描述相位差檢測像素32的另一個配置實例。
[0087]在圖6中所示的相位差檢測像素32中，布線層61的一部分被形成為遮擋入射光的進入波導57的一部分的遮光部。該遮光部還可以形成為在波導57的開口附近與芯57a的上端表面保持接觸。
[0088]布線層61由多種金屬(比如充當導電部分的Cu和充當防止Cu擴散的阻擋層的Ta和TaN)的組合形成。
[0089]同樣利用此配置，相位差檢測像素32可以提高制造的簡易性和距離測量精度。
[0090][相位差檢測像素的另一個配置實例]
[0091]接下來，將參照圖7描述相位差檢測像素32的另一個配置實例。
[0092]在圖7中所示的相位差檢測像素32中，遮光壁61a形成為只包圍波導57的外圍的一部分(在該實例中，波導57的外圍的左半部)。
[0093]如圖7所示，已經穿過片上透鏡60并在第一方向上射入的大部分入射光LI被遮光部62反射作為反射光LI’并且剩余的光LI’’由于缺少遮光壁61a而泄漏至相鄰像素。因此，入射光LI不射入光電轉換部52。注意，通過在相鄰像素中設置遮光壁61a或提高像素陣列部的像素布置可以防止已經泄漏至相鄰像素的光LI’ ’射入相鄰像素中的光電轉換部52。
[0094]另一方面，已經穿過片上透鏡60并在第二方向上射入的大部分入射光L2穿過波導57的開口部分并被波導57引導至光電轉換部52。在這種情況下，入射光L2的從波導57泄漏出來的光被遮光壁61a反射作為反射光L2’并射入光電轉換部52。
[0095]通過以此方式只包圍波導57的外圍的部分的遮光壁61a，可以高效地分割在預定方向上入射的光，并由此可以進一步提高距離測量精度。
[0096]注意，參照圖7描述的配置可以適用于參照圖6描述的配置。
[0097]雖然在上文提及的配置中，相位差檢測像素采用遮擋左右兩側的光的配置，但是相位差檢測像素可以根據(jù)像素布置來采用遮擋上下側的光的配置或可以傾斜地遮擋光。
[0098]本技術的實施例不局限于上文提及的實施例并且在不背離本技術的主旨的情況下可以進行各種修改。
[0099]另外，本技術還可以采用以下配置。
[0100](I) 一種固態(tài)成像裝置，包括:
[0101]相位差檢測像素，其包括:
[0102]形成在半導體襯底上并配置成光電轉換入射光的光電轉換部，
[0103]配置成將入射光引導至光電轉換部的波導，以及
[0104]形成在波導的開口附近并配置成遮擋入射光的射入波導的部分的遮光部。
[0105](2)根據(jù)⑴所述的固態(tài)成像裝置，其中
[0106]相位差檢測像素還包括:
[0107]在波導的開口附近具有光收集點的片上透鏡。
[0108](3)根據(jù)⑵所述的固態(tài)成像裝置，其中
[0109]相位差檢測像素還包括:
[0110]形成在波導的外圍并配置成遮擋從波導泄漏出來的至少一部分光的遮光壁。
[0111](4)根據(jù)(3)所述的固態(tài)成像裝置，其中
[0112]遮光壁形成為包圍波導的整個外圍。
[0113](5)根據(jù)(3)所述的固態(tài)成像裝置，其中
[0114]遮光壁形成為包圍波導的外圍的一部分。
[0115](6)根據(jù)(3)所述的固態(tài)成像裝置，其中
[0116]相位差檢測像素還包括:
[0117]形成在半導體襯底上并配置成保持由光電轉換部光電轉換的電荷的電荷保持部，并且
[0118]遮光壁配置成遮擋從波導泄漏至電荷保持部的光。
[0119](7)根據(jù)⑵至(6)中任一項所述的固態(tài)成像裝置，其中
[0120]遮光部形成為布線層。
[0121](8)根據(jù)⑵至(7)中任一項所述的固態(tài)成像裝置，其中
[0122]波導包括配置成傳播光的芯和配置成限制在芯中傳播的光的包層，并且
[0123]遮光部形成為在波導的開口附近與芯保持接觸。
[0124](9)根據(jù)⑶所述的固態(tài)成像裝置，其中
[0125]芯和包層各自由無機膜形成，并且
[0126]芯具有比包層的折射率高的折射率。
[0127](10)根據(jù)(2)至(9)中任一項所述的固態(tài)成像裝置，還包括:
[0128]像素陣列部，其包括在成行二維布置的多個成像像素之間以分散的方式布置的相位差檢測像素，其中
[0129]多個成像像素各自至少包括光電轉換部、波導以及片上透鏡。
[0130](11) 一種電子裝置，包括:
[0131]固態(tài)成像裝置，其包括:
[0132]相位差檢測像素，其包括:
[0133]形成在半導體襯底上并配置成光電轉換入射光的光電轉換部，
[0134]配置成將入射光引導至光電轉換部的波導，以及
[0135]形成在波導的開口附近并配置成遮擋入射光的射入波導的部分的遮光部。
[0136]本領域技術人員應該理解，根據(jù)設計需求和其它因素，可以進行各種修改、組合、子組合以及改變，只要其在所附權利要求或其等同物的范圍之內即可。
【權利要求】
1.一種固態(tài)成像裝置，包括: 相位差檢測像素，所述相位差檢測像素包括: 光電轉換部，形成在半導體襯底上并被配置為光電轉換入射光， 波導，被配置為將所述入射光引導至所述光電轉換部，以及 遮光部，形成在所述波導的開口附近并被配置為遮擋進入所述波導的所述入射光的一部分。
2.根據(jù)權利要求1所述的固態(tài)成像裝置，其中 所述相位差檢測像素還包括: 在所述波導的所述開口附近具有光收集點的片上透鏡。
3.根據(jù)權利要求2所述的固態(tài)成像裝置，其中 所述相位差檢測像素還包括: 遮光壁，形成在所述波導的外圍中并被配置為遮擋從所述波導泄漏出的至少一部分光。
4.根據(jù)權利要求3所述的固態(tài)成像裝置，其中 所述遮光壁被形成為包圍所述波導的整個外圍。
5.根據(jù)權利要求3所述的固態(tài)成像裝置，其中 所述遮光壁被形成為包圍所述波導的所述外圍的一部分。
6.根據(jù)權利要求3所述的固態(tài)成像裝置，其中 所述相位差檢測像素還包括: 電荷保持部，形成在所述半導體襯底上并被配置為保持由所述光電轉換部光電轉換的電荷，并且 所述遮光壁被配置為遮擋從所述波導泄漏至所述電荷保持部的光。
7.根據(jù)權利要求2所述的固態(tài)成像裝置，其中 所述遮光部形成為布線層。
8.根據(jù)權利要求2所述的固態(tài)成像裝置，其中 所述波導包括被配置為傳播光的芯和被配置為限制在所述芯中傳播的光的包層，并且 所述遮光部形成為在所述波導的所述開口附近與所述芯保持接觸。
9.根據(jù)權利要求8所述的固態(tài)成像裝置，其中 所述芯和所述包層均由無機膜形成，并且 所述芯具有比所述包層的折射率高的折射率。
10.根據(jù)權利要求2所述的固態(tài)成像裝置，還包括: 像素陣列部，包括在成行二維布置的多個成像像素之間以分散方式布置的所述相位差檢測像素，其中 所述多個成像像素均至少包括所述光電轉換部、所述波導以及所述片上透鏡。
11.根據(jù)權利要求1所述的固態(tài)成像裝置，其中， 在所述半導體襯底的上方形成有層間絕緣膜，所述波導形成在層間絕緣膜中以及所述光電轉換部的上方。
12.一種電子裝置，包括: 固態(tài)成像裝置，包括相位差檢測像素，所述相位差檢測像素包括: 光電轉換部，形成在半導體襯底上并被配置為光電轉換入射光， 波導，被配置為將所述入射光引導至所述光電轉換部，以及 遮光部，形成在所述波導的開口附近并被配置為遮擋進入所述波導的所述入射光的一部分。
【文檔編號】H01L27/146GK104282703SQ201410299043
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年6月26日 優(yōu)先權日:2013年7月3日
【發(fā)明者】秋山健太郎 申請人:索尼公司