有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括：薄膜晶體管，包括位于有源層與柵電極之間的第一絕緣層、以及位于柵電極與源電極和漏電極之間的第二絕緣層；焊盤電極，包括與源電極/漏電極位于相同層上的第一焊盤層、以及第二焊盤層；第三絕緣層，覆蓋源電極/漏電極和焊盤電極的端部的有機(jī)絕緣材料；像素電極，包括半透射式金屬層，位于第三絕緣層的開(kāi)口中；陰極接觸單元，包括第一接觸層、第二接觸層和第三接觸層；第四絕緣層，覆蓋焊盤電極的端部；位于像素電極上的有機(jī)發(fā)光層；以及位于有機(jī)發(fā)光層上的相對(duì)電極。
【專利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
[0001] 相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002] 于2013年5月30日向韓國(guó)專利局提交的題為"Organic Light-Emitting Display Apparatus and Method of Manufacturing the Same (有機(jī)發(fā)光顯不裝置及其制造方法）"的 第10-2013-0062116號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用被并入本文。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 實(shí)施方式涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0004] 有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示裝置一般包括空穴注入電極、電子注入電極和形成 于它們之間的有機(jī)發(fā)光層。0LED顯示裝置是當(dāng)從空穴注入電極注入的空穴和從電子注入電 極注入的電子在有機(jī)發(fā)光層中結(jié)合開(kāi)始至隨后逐漸消退的激發(fā)態(tài)時(shí)發(fā)出光的自發(fā)光顯示 裝直。
[0005] 由于其高質(zhì)量特性（例如，低功耗、高亮度和快速響應(yīng)速度），有機(jī)發(fā)光顯示裝置 作為下一代顯示器受到關(guān)注。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 實(shí)施方式涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其包括：薄膜晶體管，包括有源層、柵電極、 源電極、漏電極、位于所述有源層與所述柵電極之間的第一絕緣層、以及位于所述柵電極與 所述源電極和所述漏電極之間的第二絕緣層；焊盤電極，包括與所述源電極和所述漏電極 位于相同層上的第一焊盤層和設(shè)置在所述第一焊盤層上的第二焊盤層；第三絕緣層，覆蓋 所述源電極、所述漏電極和所述焊盤電極的端部，所述第三絕緣層包括有機(jī)絕緣材料；像素 電極，包括半透射式金屬層，所述像素電極位于所述第三絕緣層的開(kāi)口中；陰極接觸單元， 包括位于所述第二絕緣層上的第一接觸層、位于所述第一接觸層上的第二接觸層、以及位 于所述第二接觸層上的第三接觸層；第四絕緣層，覆蓋所述焊盤電極的端部；有機(jī)發(fā)光層， 位于所述像素電極上；以及相對(duì)電極，位于所述有機(jī)發(fā)光層上。
[0007] 所述第一接觸層可包括與所述第一焊盤層相同的材料。所述第二接觸層可包括與 所述第二焊盤層相同的材料。所述第三接觸層可包括與所述像素電極相同的材料。
[0008] 所述第三接觸層可通過(guò)所述第三絕緣層中的接觸孔連接至所述第二接觸層。所述 相對(duì)電極可通過(guò)所述第四絕緣層中的接觸孔連接至所述第三接觸層。
[0009] 所述陰極接觸單元的所述第二接觸層可具有網(wǎng)狀圖案，所述網(wǎng)狀圖案具有使所述 第一接觸層的上部暴露的多個(gè)開(kāi)口。所述網(wǎng)狀圖案可為蜂窩圖案。
[0010] 所述第三絕緣層和所述第四絕緣層可包括與所述第二接觸層的網(wǎng)狀圖案對(duì)應(yīng)的 網(wǎng)狀圖案。
[0011] 所述第三絕緣層的網(wǎng)狀圖案的寬度可小于所述第二接觸層的網(wǎng)狀圖案的寬度。
[0012] 所述第一接觸層、所述第二接觸層、所述第三接觸層和所述相對(duì)電極可在使所述 第一接觸層的下部暴露的多個(gè)開(kāi)口中彼此連接。
[0013] 所述源電極和所述漏電極可具有包含不同電子遷移率的多個(gè)異質(zhì)金屬層的堆疊 結(jié)構(gòu)。
[0014] 所述源電極和所述漏電極可包括包含鑰的層和包含鋁的層。
[0015] 所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可包括：電容器，包括與所述有源層位于相同層上的第 一電極、以及第二電極，與所述柵電極位于相同層上。
[0016] 所述電容器的第一電極可包括摻雜有離子雜質(zhì)的半導(dǎo)體材料。
[0017] 所述電容器的第二電極可包括透明導(dǎo)電氧化物。
[0018] 所述電容器還可包括與所述源電極和所述漏電極位于相同層上的第三電極。
[0019] 所述第一焊盤層可包括與所述源電極和所述漏電極相同的材料。
[0020] 所述第一焊盤層可包括透明導(dǎo)電氧化物。
[0021] 所述半透射式金屬層可包括銀或銀合金。
[0022] 所述第二絕緣層中的開(kāi)口、所述第三絕緣層中的開(kāi)口和所述第四絕緣層中的開(kāi)口 可彼此重疊。所述第三絕緣層中的開(kāi)口可大于所述第四絕緣層中的開(kāi)口且小于所述第二絕 緣層中的開(kāi)口。
[0023] 所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置還可包括像素電極接觸單元，所述像素電極接觸單元將所 述像素電極通過(guò)所述第三絕緣層中的接觸孔連接至所述源電極和所述漏電極之一。所述像 素電極接觸單元可包括：第一接觸層，包括與所述源電極和所述漏電極相同的材料；第二 接觸層，包括與所述第二焊盤層相同的材料；以及第三接觸層，位于所述第一絕緣層和所述 第二絕緣層中并且包括與所述電容器的第二電極相同的材料。所述第一接觸層可通過(guò)形成 于所述第二絕緣層中的接觸孔電連接至所述第三接觸層。
[0024] 所述第三接觸層的端部可從所述第二絕緣層中的開(kāi)口的蝕刻表面突出并且直接 與所述像素電極接觸。
[0025] 所述第三接觸層的端部可從所述第三絕緣層中的開(kāi)口的蝕刻表面突出并且直接 與所述像素電極接觸。
[0026] 所述像素電極接觸單元還可包括位于所述第一絕緣層與所述第三絕緣層之間的 第四接觸層，所述第四接觸層包括與所述柵電極相同的材料。
[0027] 所述相對(duì)電極可包括反射式金屬層。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028] 通過(guò)參考附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施方式，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言特征將變得明 顯，在附圖中：
[0029] 圖1示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性平面視圖；
[0030] 圖2示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素和焊盤的一部分的示意性 截面視圖；
[0031] 圖3A至31示出了根據(jù)實(shí)施方式的制造圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的各階段 的示意性截面視圖；
[0032] 圖4示出了根據(jù)實(shí)施方式的陰極接觸單元的示意平面視圖；以及
[0033] 圖5至圖8示出了制造圖4的部分Η的過(guò)程的各階段的視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0034] 現(xiàn)在參考附圖更完整地描述示例性實(shí)施方式；然而它們可以不同的形式實(shí)現(xiàn)并且 不應(yīng)該被解釋為受限于本文所闡述的實(shí)施方式。而這些實(shí)施方式被提供使得本公開(kāi)透徹完 整，并且將示例性實(shí)現(xiàn)充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0035] 在附圖中，為了清楚地說(shuō)明，層和區(qū)域的尺寸可被增大。還將理解當(dāng)層或元件被稱 為"位于"另一層或基板"之上"時(shí)，它可直接位于另一層或基板之上，或還可存在中間層。 此外，應(yīng)理解當(dāng)層被稱為"位于"另一層"之下"時(shí)，它可直接位于另一層之下，并且還可存 在一個(gè)或多個(gè)中間層。另外，還應(yīng)理解當(dāng)層被稱為"位于"兩個(gè)層"之間"時(shí)，它可以是位于 兩層之間的僅一個(gè)層，或還可存在一個(gè)或多個(gè)中間層。在整個(gè)說(shuō)明書中相似的參考標(biāo)號(hào)指 向相似的元件。
[0036] 圖1示出了根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的示意性平面視圖。圖2示出了 根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的多個(gè)像素 P和多個(gè)焊盤PAD的一部分的示意性截面 視圖。
[0037] 參考圖1，包括多個(gè)像素 P且顯示圖像的顯示區(qū)域DA可被設(shè)置在根據(jù)實(shí)施方式的 有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的基板10上。顯示區(qū)域DA形成于密封線SL內(nèi)并且包括沿密封線SL 密封顯示區(qū)域DA的密封構(gòu)件（未示出）。向公共地形成于顯示區(qū)域DA中的陰極供電的陰 極接觸單元CECNT1可形成于顯示區(qū)域DA與焊盤PAD之間。
[0038] 參考圖2,包括至少一個(gè)有機(jī)發(fā)光層121的像素區(qū)域PXL1、包括至少一個(gè)薄膜晶體 管的晶體管區(qū)域TR1、包括至少一個(gè)電容器的電容器區(qū)域CAP1和焊盤區(qū)域PAD1可被設(shè)置在 基板10上。
[0039] 基板10和緩沖層11上的薄膜晶體管的有源層212可被包括在晶體管區(qū)域TR1內(nèi)。
[0040] 基板10可以是透明基板，例如包括聚對(duì)苯二甲酸乙二酯（PET)、聚萘二甲酸乙二 醇酯（PEN)或聚酰亞胺的塑料基板或玻璃基板。
[0041] 形成平坦表面且防止雜質(zhì)元素滲入基板10中的緩沖層11可被進(jìn)一步設(shè)置在基板 10上。緩沖層11可具有包含氮化硅和/或氧化硅的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
[0042] 緩沖層11上的有源層212可被包括在晶體管區(qū)域TR1內(nèi)。有源層212可由包括非 晶硅或晶化硅的半導(dǎo)體形成。在其它實(shí)現(xiàn)中，有源層212可包括氧化物半導(dǎo)體。有源層212 可包括溝道區(qū)212c、設(shè)置在溝道區(qū)212c外且摻雜有離子雜質(zhì)的源區(qū)212a、以及漏區(qū)212b。
[0043] 在具有第一絕緣層13的前提下柵電極215可被設(shè)置在有源層212上與有源層212 的溝道區(qū)212c對(duì)應(yīng)的位置中，并且第一絕緣層13為被設(shè)置在柵電極215與有源層212之間 的絕緣膜。柵電極215可具有包括選自鋁（A1)、鉬（Pt)、鈀（Pd)、銀（Ag)、鎂（Mg)、金（Au)、 鎳（Ni)、釹（Nd)、銥（Ir)、鉻（Cr)、鋰（Li)、鈣（Ca)、鑰（Mo)、鈦（Ti)、鎢（W)和銅（Cu)的 一個(gè)或多個(gè)金屬材料的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
[0044] 在具有第二絕緣層16前提下，可將分別連接至有源層212的源區(qū)212a和漏區(qū) 212b的源電極217a和漏電極217b設(shè)置在柵電極215上。其中，第二絕緣層16為位于源和 漏電極217a和217b與柵電極215之間的層間絕緣膜。源電極217a和漏電極217b可被形 成為具有不同電子遷移率的兩個(gè)或更多個(gè)異質(zhì)金屬層。例如，源電極217a和漏電極217b 可被形成為由選自 Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、Cu 和這些金屬 材料的合金的金屬材料形成的兩個(gè)或更多個(gè)層。
[0045] 第三絕緣層19可被設(shè)置在第二絕緣層16上以覆蓋源電極217a和漏電極217b。
[0046] 第一絕緣層13和第二絕緣層16中的每個(gè)可被形成為單層無(wú)機(jī)絕緣膜或多層無(wú)機(jī) 絕緣膜。形成第一絕緣層13和第二絕緣層16的無(wú)機(jī)絕緣膜可包括Si0 2、SiNx、Si0N、Al203、 Ta205、Hf02、Zr02、鈦酸鋇鍶（BST)、鋯鈦酸鉛（PZT)等。
[0047] 第三絕緣層19可被形成為有機(jī)絕緣膜。第三絕緣層19可包括選自通用聚合物 (聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)、聚苯乙烯（PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰 亞胺基聚合物、芳醚基聚合物、酰胺基聚合物、含氟聚合物、對(duì)二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚 合物、它們的混合等的有機(jī)材料。
[0048] 第四絕緣層20可被設(shè)置在第三絕緣層19上。第四絕緣層20可被形成為有機(jī)絕 緣膜。第四絕緣層20可包括選自通用聚合物（PMMA、PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸 聚合物、酰亞胺基聚合物、芳醚基聚合物、酰胺基聚合物、含氟聚合物、對(duì)二甲苯基聚合物、 乙烯醇基聚合物、它們的混合等的有機(jī)材料。
[0049] 設(shè)置在緩沖層11和第一緩沖層13上的像素電極120可被包括在像素區(qū)域PXL1 內(nèi)。
[0050] 像素電極120可被設(shè)置在形成于第三絕緣層19中的開(kāi)口 C5內(nèi)。
[0051] 形成于第三絕緣層19中的開(kāi)口 C5可大于形成于第四絕緣層20中的開(kāi)口 C8并且 可小于形成于第二絕緣層16中的開(kāi)口 C1。形成于第二絕緣層16中的開(kāi)口 C1、形成于第三 絕緣層19中的開(kāi)口 C5和形成于第四絕緣層20中的開(kāi)口 C8可互相重疊。
[0052] 像素電極120的端部可被設(shè)置在形成于第三絕緣層19中的開(kāi)口 C5的頂端并且可 被第四絕緣層20覆蓋。設(shè)置在形成于第三絕緣層19中的開(kāi)口 C5內(nèi)的像素電極120的頂 面可暴露于形成于第四絕緣層20中的開(kāi)口 C8。
[0053] 像素電極120可通過(guò)形成于第三絕緣層19中的接觸孔C6連接至像素接觸單元 PECNT1。像素接觸單元PECNT1可電連接至驅(qū)動(dòng)晶體管的源電極和漏電極之一并且可驅(qū)動(dòng) 像素電極120。
[0054] 像素接觸單元PECNT1可包括包含與源電極217a和漏電極217b的上述材料相同 的材料的第一接觸層117、包含透明導(dǎo)電氧化物的第二接觸層118、包含透明導(dǎo)電氧化物的 第三接觸層114、以及包含與柵電極215相同的材料的第四接觸層115a。
[0055] 根據(jù)本實(shí)施方式，當(dāng)像素電極120和驅(qū)動(dòng)設(shè)備通過(guò)使用形成于第三絕緣層19中的 開(kāi)口 C6即第一接觸層117和第二接觸層118電連接至彼此，可用作半透射式金屬層的像素 電極120可具有小厚度。在這種情況下，臺(tái)階覆蓋是有缺陷的，因此通過(guò)第三絕緣層19的蝕 刻表面或接觸孔C6的穩(wěn)定連接可能會(huì)艱難。然而，根據(jù)本實(shí)施方式，如果通過(guò)形成于第三 絕緣層19中的接觸孔C6的連接失敗，則像素電極120還在開(kāi)口 C5底部與第三接觸層114 直接接觸。由此，信號(hào)可正常地從驅(qū)動(dòng)設(shè)備有利地接收。
[0056] 第一接觸層117可連接至可與驅(qū)動(dòng)晶體管的源電極和漏電極之一電連接的數(shù)據(jù) 線（未示出）。如果圖2的晶體管為驅(qū)動(dòng)晶體管，則第一接觸層117可直接連接至源電極 217a或漏電極217b。
[0057] 像素電極120可包括半透反射式金屬層120b。像素電極120還可包括分別形成于 半透反射式金屬層120b下部和上部且包括保護(hù)半透反射式金屬層120b的透明導(dǎo)電氧化物 的層120a和120c。
[0058] 半透反射式金屬層120b可由銀（Ag)或銀合金形成。半透反射式金屬層120b可 沿作為反射電極的相對(duì)電極122 (如下面所述）形成微腔結(jié)構(gòu)，由此提高了有機(jī)發(fā)光顯示裝 置1的光效率。
[0059] 包括透明導(dǎo)電氧化物的層120a和120c可包括選自氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅 (ΙΖ0)、氧化鋅（ZnO)、氧化銦（Ιη 203)、氧化鎵銦（IG0)、氧化鋅鋁（ΑΖ0)的至少一個(gè)。形成 于半透反射式金屬層120b的下部且包括透明導(dǎo)電氧化物的層120a可加固作為無(wú)機(jī)絕緣膜 的第一絕緣層與像素電極120之間的粘合性。形成于半透反射式金屬層120b的上部且包 括透明導(dǎo)電氧化物的層120c可充當(dāng)保護(hù)半透反射式金屬層120b的阻擋層。
[0060] 如果電子在用于圖案化像素電極120的蝕刻過(guò)程中被供給形成半透反射式金屬 層120b的、且具有強(qiáng)還原傾向的金屬（例如銀（Ag))，則以離子狀態(tài)存在于蝕刻劑中的銀 (Ag)離子可被問(wèn)題地還原成銀（Ag)。這種還原的銀（Ag)可變成在后續(xù)形成像素電極120 的過(guò)程中造成暗斑的顆粒相關(guān)缺陷因素。
[0061] 當(dāng)由相同材料形成的數(shù)據(jù)布線（未示出）、焊盤電極的第一焊盤層417、像素電極 接觸單元PECNT1的第一接觸層117、或者源電極217a或漏電極217b在蝕刻包括銀（Ag)的 像素電極120的過(guò)程中暴露于蝕刻劑時(shí)，具有強(qiáng)還原性的銀（Ag)離子可通過(guò)從這些金屬材 料接收電子被還原至銀（Ag)。例如，當(dāng)這些金屬材料包括鑰或鋁時(shí)，銀（Ag)離子可通過(guò)從 鑰或鋁接收的電子被還原至銀（Ag)。還原的銀（Ag)顆?？勺兂稍陔S后過(guò)程中造成暗斑的 顆粒相關(guān)缺陷因素。
[0062] 根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的源電極217a或漏電極217b可被作為有 機(jī)膜的第三絕緣層19覆蓋。源電極217a或漏電極217b可在蝕刻包括銀（Ag)的像素電極 120的過(guò)程中不暴露于包括銀（Ag)離子的蝕刻劑，由此防止因銀（Ag)還原引起的顆粒相關(guān) 缺陷。
[0063] 包括有機(jī)發(fā)光層121的中間層（未示出）可被設(shè)置在通過(guò)形成于第四絕緣層20中 的開(kāi)口 C8暴露頂面的像素電極120上。有機(jī)發(fā)光層121可由低分子量有機(jī)材料或高分子 量有機(jī)材料形成。當(dāng)有機(jī)發(fā)光層121由低分子量有機(jī)材料形成時(shí)，空穴傳輸層（HTL)、空穴 注入層（HIL)、電子傳輸層（ETL)和電子注入層（EIL)可相對(duì)于有機(jī)發(fā)光層121被堆疊。如 果需要，各種其它層可被堆疊。各種低分子量有機(jī)材料可被使用，包括例如酞菁銅（CuPc)、 Ν'-二苯基-聯(lián)苯胺（NPB)、或三-8-羥基喹啉鋁（Alq3)。當(dāng)有機(jī)發(fā)光層121由高分子量有 機(jī)材料形成時(shí)，除了有機(jī)發(fā)光層121之外可使用HTL。HTL可由聚-(2, 4)-乙烯-二羥基噻 吩（PED0T)或聚苯胺（PANI)形成。在這種情況下，高分子量有機(jī)材料可包括基于聚亞苯基 乙烯（PPV)的商分子量有機(jī)材料或基于聚莉的商分子量有機(jī)材料。還可在像素電極120與 相對(duì)電極122之間提供無(wú)機(jī)材料。
[0064] 為了方便描述，有機(jī)發(fā)光層121被描述為被設(shè)置在圖2的開(kāi)口 C8的底上。在其它 實(shí)現(xiàn)中，有機(jī)發(fā)光層121可沿形成于第三絕緣層19中的開(kāi)口 C5的蝕刻表面形成于第四絕 緣層20的頂面上并且形成于開(kāi)口 C8的底上。
[0065] 相對(duì)電極122可被設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層121上作為公共電極。在根據(jù)本實(shí)施方式的 有機(jī)發(fā)光顯示裝置1中，像素電極120為陽(yáng)極并且相對(duì)電極122為陰極。在其它實(shí)現(xiàn)中，電 極的極性可互換。
[0066] 相對(duì)電極122可被配置成包括反射材料的反射電極。在這種情況下，相對(duì)電極122 可包括選自Al、Mg、Li、Ca、LiF/Ca和LiF/Al的一個(gè)或多個(gè)材料。相對(duì)電極122可被配置 成反射電極使得從有機(jī)發(fā)光層121發(fā)出的光從相對(duì)電極122被反射，透射過(guò)由半透射式金 屬形成的像素電極120,并且通過(guò)基板10發(fā)出。
[0067] 有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以是背面發(fā)光型顯示裝置，其中光從有機(jī)發(fā)光層121發(fā)射至 基板10以形成圖像。因此，相對(duì)電極122可被配置成反射電極。
[0068] 相對(duì)電極122可被配置成覆蓋圖1的整個(gè)顯示區(qū)域DA的公共電極以取代為每個(gè) 像素單獨(dú)形成。相對(duì)電極122與將信號(hào)發(fā)送至公共電極的、顯示區(qū)域DA外的陰極接觸單元 CECNT1 接觸。
[0069] 盡管陰極接觸單元CECNT1在圖1中被顯示為被設(shè)置在顯示區(qū)域DA與焊盤PAD之 間，但是在其它實(shí)現(xiàn)中，陰極接觸單元CECNT1可被設(shè)置在顯示區(qū)域DA與密封線SL之間的 任意合適位置。
[0070] 陰極接觸單元CECNT1可包括第一接觸層517、第二接觸層518和第三接觸層520。
[0071] 第一接觸層517可被設(shè)置在第二絕緣層16上并且可由與源電極217a、漏電極 217b和第一焊盤層417相同的材料形成。第一接觸層517可具有包含不同電子遷移率的 兩個(gè)或更多個(gè)異質(zhì)金屬層的結(jié)構(gòu)。例如，第一接觸層517可具有包括選自鋁（A1)、鉬（Pt)、 鈀（Pd)、銀（Ag)、鎂（Mg)、金（Au)、鎳（Ni)、釹（Nd)、銥（Ir)、鉻（Cr)、鋰（Li)、鈣（Ca)、鑰 (Mo)、鈦（Ti)、鎢（W)和銅（Cu)的金屬材料的兩個(gè)或更多個(gè)層結(jié)構(gòu)。
[0072] 第二接觸層518可被設(shè)置在第一接觸層517上并且可由與像素電極接觸單元 PECNT1的第二接觸層118相同的材料形成。第二接觸層518可由包括選自氧化銦錫（ΙΤ0)、 氧化銦鋅（ΙΖ0)、氧化鋅（ZnO)、氧化銦（Ιη 203)、氧化鎵銦（IG0)、氧化鋅鋁（ΑΖ0)的至少一 個(gè)的透明導(dǎo)電氧化物形成。
[0073] 第三接觸層520可被設(shè)置在形成于第三絕緣層19中的接觸孔C9中并且可由與像 素電極120相同的材料形成。第三接觸層520可包括由銀（Ag)或銀（Ag)合金形成的半透 射式金屬層。
[0074] 相對(duì)電極122可通過(guò)形成于第四絕緣層20中的接觸孔C10連接至陰極接觸單元 CECNT1的第三接觸層520。相對(duì)電極122可寬廣地形成于整個(gè)顯示區(qū)域DA上，因此要考慮 因阻抗引起的壓降。根據(jù)本實(shí)施方式，陰極接觸單元CECNT1使用包括由具有低阻抗的銀 (Ag)形成的半透射式金屬層的第三接觸層520,由此防止或降低因阻抗引起的壓降的可能 性。第三接觸層520可與像素電極120同時(shí)形成，因此可能不需要任何附加過(guò)程。
[0075] 如果包括具有不同電子遷移率的異質(zhì)金屬布線的第一接觸層517和包括有機(jī)絕 緣膜的第三絕緣層19彼此接觸，則具有弱粘合性的第一接觸層517和第三絕緣層19可能 彼此脫離。根據(jù)本實(shí)施方式，包括透明導(dǎo)電氧化物的第二接觸層518可形成于第一接觸層 517與第三絕緣層19之間，由此防止第三絕緣層19從第一接觸層517脫離。
[0076] 包括與有源層212設(shè)置在相同層上的第一電極312、與柵電極215設(shè)置在相同層上 的第二電極314、以及與源電極217a和漏電極217b設(shè)置在相同層上的第三電極317的電容 器可被設(shè)置在電容器區(qū)域CAP1中并且被設(shè)置在基板10和緩沖層11上。
[0077] 類似于有源層212的源區(qū)212a和漏區(qū)212b，電容器的第一電極312可被形成為摻 雜有離子雜質(zhì)的半導(dǎo)體。
[0078] 電容器的第二電極314可以與柵電極215相同的方式被設(shè)置在第一絕緣層13上。 第二電極314和柵電極215的材料可彼此不同。第二電極314的材料可包括透明導(dǎo)電氧化 物。摻雜有離子雜質(zhì)的半導(dǎo)體可通過(guò)第二電極314被形成在第一電極312上，由此形成具 有金屬-絕緣層-金屬（MIM)結(jié)構(gòu)的電容器。
[0079] 電容器的第三電極317可由與源電極217a和漏電極217b相同的材料形成。如上 所述，第三電極317可被作為有機(jī)膜的第三絕緣層19覆蓋。第三電極317可在蝕刻包括銀 (Ag)的像素電極120的過(guò)程中不暴露于包括銀（Ag)離子的蝕刻劑。由此，可減少或防止因 銀（Ag)離子還原至銀（Ag)引起的顆粒相關(guān)缺陷的生成。電容器可構(gòu)成包括第一電極312、 第二電極314和第三電路的并聯(lián)電路，由此增加了有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的電容而不需要增 加電容器的區(qū)域。電容器的區(qū)域可通過(guò)電容的增加而減少，由此增加了孔徑比。
[0080] 焊盤區(qū)域PAD1，即設(shè)置有作為外部驅(qū)動(dòng)器連接終端的焊盤電極417和418的區(qū)域， 被設(shè)置在顯示區(qū)域DA外。
[0081] 類似于上面描述的源電極217a和漏電極217b，第一焊盤層417可包括具有不同 電子遷移率的多個(gè)金屬層。例如，第一焊盤層417可以是由選自鋁（A1)、鉬（Pt)、鈀（Pd)、 銀（Ag)、鎂（Mg)、金（Au)、鎳（Ni)、釹（Nd)、銥（Ir)、鉻（Cr)、鋰（Li)、鈣（Ca)、鑰（Mo)、鈦 (Ti)、鎢（W)和銅（Cu)的一個(gè)或多個(gè)金屬材料形成的多層。
[0082] 第二焊盤層418可由包括選自氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)、氧化鋅（ZnO)、氧 化銦（Ιη 203)、氧化鎵銦（IG0)、氧化鋅鋁（ΑΖ0)的至少一個(gè)的透明導(dǎo)電氧化物形成。第一焊 盤層417可防止焊盤電極暴露于濕氣和氧氣，由此防止焊盤電極的可靠性的劣化。
[0083] 如上所述，盡管第一焊盤層417被設(shè)置在被形成于第三絕緣層19中的接觸孔C7 暴露的區(qū)域，但是形成于第一焊盤層417的上部的第二焊盤層418可充當(dāng)保護(hù)層。由此，第 一焊盤層417可在蝕刻像素電極120的過(guò)程中不暴露于蝕刻劑。
[0084] 而且，對(duì)例如濕氣或氧氣的外部環(huán)境敏感的第一焊盤層417的端部可被第三絕緣 層19覆蓋。第一焊盤層417的端部在蝕刻像素電極120的過(guò)程中也不暴露于蝕刻劑。
[0085] 因此，可防止因銀（Ag)離子的還原引起的顆粒相關(guān)缺陷，還可防止焊盤電極的可 靠性的劣化。
[0086] 同時(shí)，盡管在圖2中未示出，根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1還可包括對(duì)包 括像素區(qū)域PXL1、電容器區(qū)域CAP1和晶體管區(qū)域TR1的顯示區(qū)域DA進(jìn)行密封的密封構(gòu)件 (未示出）。密封構(gòu)件可被形成為通過(guò)交替設(shè)置包括玻璃構(gòu)件、金屬膜或有機(jī)絕緣膜的基板 和無(wú)機(jī)絕緣膜的基板的密封薄膜。
[0087] 下面參考圖3A至31描述制造根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的方法。
[0088] 參考圖3A，在基板10上形成緩沖層11，在緩沖層11上形成半導(dǎo)體層（未示出） 并且圖案化半導(dǎo)體層，因此可形成薄膜晶體管的有源層212和電容器的第一電極312。
[0089] 盡管在圖3A中未示出，但是可在半導(dǎo)體層（未示出）上涂布光刻膠（未示出）， 可通過(guò)使用光刻膜（未示出）的光刻技術(shù)圖案化半導(dǎo)體層，可形成有源層212和第一電極 312。使用光刻技術(shù)的第一掩膜過(guò)程可包括使用曝光設(shè)備（未不出）在第一掩膜（未不出） 上執(zhí)行曝光和執(zhí)行例如顯影、蝕刻、剝離和灰化的一系列過(guò)程。
[0090] 半導(dǎo)體層（未示出）可包括非晶硅或晶化硅。晶化硅可通過(guò)晶化非晶硅形成。非 晶硅可通過(guò)使用例如快速熱處理（RTA)、固相晶化法（SPC)、準(zhǔn)分子激光熱處理（ELA)、金屬 誘導(dǎo)晶化法（MIC)、金屬誘發(fā)側(cè)向晶化法（MILC)、連續(xù)側(cè)向結(jié)晶法（SLS)等的多種方法被晶 化。在其它實(shí)現(xiàn)中，半導(dǎo)體層可包括半導(dǎo)體氧化物。
[0091] 圖3B示出了用于解釋根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的第二掩膜過(guò)程的 示意性截面視圖。
[0092] 在圖3A的第一掩膜過(guò)程的結(jié)果結(jié)構(gòu)上形成第一絕緣層13。在第一絕緣層13上形 成透明導(dǎo)電氧化層（未示出）并且圖案化該透明導(dǎo)電氧化層。
[0093] 作為圖案化的結(jié)果，在第一絕緣層13上形成像素電極接觸單元PECNT1的第三接 觸層114和電容器的第二電極314。
[0094] 圖3C示出了用于解釋根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的第三掩膜過(guò)程的 示意性截面視圖。
[0095] 在圖3B的第二掩膜過(guò)程的結(jié)果結(jié)構(gòu)上沉積第一金屬層（未示出）并且圖案化第 一金屬層。在這方面，如上所述，第一金屬層（未示出）可以是由選自鋁（A1)、鉬（Pt)、 鈀（Pd)、銀（Ag)、鎂（Mg)、金（Au)、鎳（Ni)、釹（Nd)、銥（Ir)、鉻（Cr)、鋰（Li)、鈣（Ca)、鑰 (Mo)、鈦（Ti)、鎢（W)和銅（Cu)的一個(gè)或多個(gè)金屬材料形成的單層或多層。
[0096] 作為圖案化的結(jié)果，可在第一絕緣層13上形成柵電極215和覆蓋第三接觸層114 的柵金屬層115。
[0097] 上述結(jié)構(gòu)可被摻雜有離子雜質(zhì)。薄膜晶體管的有源層212和電容器的第一電極 312可被摻雜有1 X 1015原子/cm2或更大濃度的離子雜質(zhì)B或P。
[0098] 有源層212可通過(guò)使用柵電極215作為自對(duì)準(zhǔn)掩膜被摻雜有離子雜質(zhì)。有源層 212可包括被摻雜有離子雜質(zhì)的源區(qū)212a和漏區(qū)212b以及被設(shè)置在源區(qū)212a與漏區(qū)212b 之間的溝道區(qū)212c。在這方面，電容器的第一電極312可以是被摻雜有離子雜質(zhì)和形成金 屬-絕緣層 -金屬電容器（MIM CAP)的電極。
[0099] 電容器的第一電極312和有源層212可通過(guò)使用一次摻雜過(guò)程同時(shí)被摻雜，由此 通過(guò)減少摻雜過(guò)程的數(shù)目減少制造成本。
[0100] 圖3D示出了用于解釋根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的第四掩膜過(guò)程的 示意性截面視圖。
[0101] 參考圖3D，可在圖3C的第三掩膜過(guò)程的結(jié)果結(jié)構(gòu)上形成第二絕緣層16然后圖案 化第二絕緣層16。因此，可形成使有源層212的源區(qū)212a和漏區(qū)212b暴露的開(kāi)口 C3和 C4以及開(kāi)口 C1。開(kāi)口 C1可形成于作為待設(shè)置有像素電極120(隨后描述）的區(qū)域的與有 源層212的一側(cè)間隔開(kāi)的區(qū)域中。
[0102] 圖3E示出了用于解釋根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的第五掩膜過(guò)程的 示意性截面視圖。
[0103] 參考圖3E，在圖3D的第四掩膜過(guò)程的結(jié)果結(jié)構(gòu)上形成第二金屬層（未示出）然 后圖案化第二金屬層。因此，可同時(shí)形成源電極217a和漏電極217b、像素電極接觸單元 PECNT1的第一接觸層117、陰極接觸單元CECNT1的第一接觸層517和焊盤電極的第一焊盤 層 417。
[0104] 第二金屬層（未示出）可具有包含不同電子遷移率的兩個(gè)或更多個(gè)異質(zhì)金屬層的 結(jié)構(gòu)。例如，第二金屬層（未示出）可具有包括選自鋁（A1)、鉬（Pt)、鈀（Pd)、銀（Ag)、鎂 (Mg)、金（Au)、鎳（Ni)、釹（Nd)、銥（Ir)、鉻（Cr)、鋰（Li)、鈣（Ca)、鑰（Mo)、鈦（Ti)、鎢（W) 和銅（Cu)和這些金屬材料合金的金屬材料的兩個(gè)或更多個(gè)層結(jié)構(gòu)。
[0105] 第一焊盤層417的配置被詳細(xì)顯示以作為第二金屬層（未示出）的配置的示意性 圖不。例如，本實(shí)施方式的第二金屬層（未不出）可包括包含鑰（Mo)的第一層417a、包含 鋁（A1)的第二層417b和包含鑰（Mo)的第三層417c。
[0106] 包含鋁（A1)的第二層417b可以是具有小阻抗和良好電特性的金屬層。設(shè)置在第 二層417b下部且包含鑰（Mo)的第一層417a可加固第二絕緣層16與第二電極之間的粘合 性。設(shè)置在第二層417b上部且包含鑰（Mo)的第三層417c可充當(dāng)防止或降低包含在第二 層417b中的鋁的后跟鎖、氧化和擴(kuò)散的可能性。
[0107] 同時(shí)，盡管在圖3E中未示出，還可在第五掩膜過(guò)程中通過(guò)圖案化第二金屬層（未 示出）形成數(shù)據(jù)布線。
[0108] 圖3F示出了用于解釋根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的第六掩膜過(guò)程的 示意性截面視圖。
[0109] 參考圖3F，可在圖3E的第五掩膜過(guò)程的結(jié)果結(jié)構(gòu)上形成透明導(dǎo)電氧化層（未示 出）然后圖案化透明導(dǎo)電氧化層，因此可同時(shí)形成像素電極接觸單元PECNT1的第二接觸層 118、陰極接觸單元CECNT1的第二接觸層518和焊盤電極的第二焊盤層418。
[0110] 透明導(dǎo)電氧化層可包括選自氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)、氧化鋅（ZnO)、氧化 銦（Ιη 203)、氧化鎵銦（IG0)、氧化鋅鋁（ΑΖ0)的至少一個(gè)。
[0111] 圖3G示出了用于解釋根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的第七掩膜過(guò)程的 示意性截面視圖。
[0112] 參考圖3G，可在圖3F的第六掩膜過(guò)程的結(jié)果結(jié)構(gòu)上形成第三絕緣層19然后圖案 化第三絕緣層19。因此，可形成使第二接觸層118的上部暴露的接觸孔C6、使陰極接觸單 元CECNT1的第二接觸層518的上部暴露的接觸孔C9、使第二焊盤層418的上部暴露的接觸 孔C7、以及開(kāi)口 C5。開(kāi)口 C5可形成于待設(shè)置有像素電極120(將在下面描述）的像素區(qū)域 PXL1 中。
[0113] 第三絕緣層19可被形成為完全包圍源電極217a和漏電極217b以防止具有不同 電勢(shì)的異質(zhì)布線在蝕刻包括銀（Ag)的像素電極120的過(guò)程（將在下面描述）中與溶解有 銀（Ag)離子的蝕刻劑接觸。
[0114] 第三絕緣層19可包括有機(jī)絕緣膜以充當(dāng)平坦化膜。有機(jī)絕緣膜可包括選自通用 聚合物（PMMA、PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亞胺基聚合物、芳醚基聚 合物、酰胺基聚合物、含氟聚合物、對(duì)二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物、它們的混合等的材 料。
[0115] 形成于第三絕緣層19中的開(kāi)口 C5和形成于第二絕緣層16中的開(kāi)口 C1可彼此重 疊。形成于第三絕緣層19中的開(kāi)口 C5可小于形成于第二絕緣層16中的開(kāi)口 C1。
[0116] 圖3H示出了用于解釋根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的第八掩膜過(guò)程的 示意性截面視圖。
[0117] 參考圖3H，可在圖3G的第七掩膜過(guò)程的結(jié)果結(jié)構(gòu)上形成半透射式金屬層（未示 出）然后圖案化半透射式金屬層。因此，可形成像素電極120和陰極接觸單元CECNT1的第 三接觸層520。
[0118] 像素電極120可被連接至驅(qū)動(dòng)晶體管通過(guò)像素電極接觸單元PECNT1，并且被設(shè)置 在形成于第三絕緣層19中的開(kāi)口 C5。
[0119] 像素電極120可包括半透反射式金屬層120b。像素電極120可包括分別形成于 半透反射式金屬層120b的下部和上部的層120a和120c并且包括保護(hù)半透反射式金屬層 120b的透明導(dǎo)電氧化物。
[0120] 半透反射式金屬層120b可由銀（Ag)或銀合金形成。包括透明導(dǎo)電氧化物的層 120a和120c可包括選自氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)、氧化鋅（ZnO)、氧化銦（Ιη 203)、 氧化鎵銦（IG0)、氧化鋅鋁（ΑΖ0)的至少一個(gè)。半透反射式金屬層120b可沿作為反射電極 的相對(duì)電極122 (將在下面描述）形成微腔結(jié)構(gòu)，由此提高有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的光效率。
[0121] 如果電子在用于圖案化像素電極120的蝕刻過(guò)程被供給具有例如銀（Ag)的強(qiáng)還 原劑，則以離子狀態(tài)存在于蝕刻劑中的銀（Ag)離子可被問(wèn)題地還原成銀（Ag)。如果由相 同材料形成的數(shù)據(jù)布線、焊盤電極的第一焊盤層417、陰極接觸單元CECNT1的第一接觸層 517、像素電極接觸單元PECNT1的第一接觸層117、或者源電極217a或漏電極217b在蝕刻 包括銀（Ag)的像素電極120的過(guò)程中暴露于蝕刻劑，具有強(qiáng)還原性的銀（Ag)離子可通過(guò) 從這些金屬材料接收電子而被還原成銀（Ag)。
[0122] 然而，根據(jù)本實(shí)施方式的源電極217a或漏電極217b可在圖案化像素電極120的 第八掩膜過(guò)程之前被圖案化并且可被作為有機(jī)膜的第三絕緣層19覆蓋。源電極217a或漏 電極217b可在蝕刻包括銀（Ag)的像素電極120的過(guò)程中不暴露于包括銀（Ag)離子的蝕 亥IJ劑，由此防止因銀（Ag)離子的還原引起的顆粒相關(guān)缺陷。
[0123] 根據(jù)本實(shí)施方式的像素電極接觸單元PECNT1的第一接觸層117、陰極接觸單元 CECNT1的第一接觸層517、以及第一焊盤層417可分別被設(shè)置在通過(guò)形成于第三絕緣層19 中的接觸孔C6、C9和C7暴露的區(qū)域中。作為保護(hù)層的像素電極接觸單元PECNT1的第二接 觸層118、陰極接觸單元CECNT1的第二接觸層518、以及第二焊盤層418可分別形成于像素 接觸單元PECNT1的第一接觸層117、陰極接觸單元CECNT1的第一接觸層517、以及第一焊 盤層417上。由此，像素電極接觸單元PECNT1的第一接觸層117、陰極接觸單元CECNT1的 第一接觸層517、以及第一焊盤層417可在蝕刻像素電極120的過(guò)程中不暴露于蝕刻劑?？?減少或防止因銀（Ag)離子還原引起的顆粒相關(guān)缺陷的出現(xiàn)。
[0124] 圖31示出了用于解釋根據(jù)本實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的第九掩膜過(guò)程的 示意性截面視圖。
[0125] 參考圖31，可在圖3H的第八掩膜過(guò)程的結(jié)果結(jié)構(gòu)上形成第四絕緣層20,然后可執(zhí) 行形成使像素電極120的上部暴露的開(kāi)口 C8和使陰極接觸單元CECNT1的第三接觸層520 的上部暴露的開(kāi)口 C10的第九掩膜過(guò)程。
[0126] 第四絕緣層20可充當(dāng)像素限定層并且可包括選自通用聚合物（PMMA、PS)、具有酚 基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亞胺基聚合物、芳醚基聚合物、酰胺基聚合物、含氟聚 合物、對(duì)二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物、它們的混合等的有機(jī)絕緣膜。
[0127] 可在圖3H的第八掩膜過(guò)程的結(jié)果結(jié)構(gòu)上形成包括圖2的有機(jī)發(fā)光層121的中間 層（未示出），并且可形成圖2的相對(duì)電極122。相對(duì)電極122可共同地形成于多個(gè)像素中， 并且可通過(guò)接觸孔C10與陰極接觸單元CECNT1的第三接觸層520接觸。
[0128] 根據(jù)上面描述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置1和制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的方法，像素電 極120可包括半透射式金屬層120b，由此通過(guò)形成微腔提高了有機(jī)發(fā)光顯示裝置1的光效 率。
[0129] 源電極217a或漏電極217b可被作為有機(jī)膜的第三絕緣層19覆蓋。因此，源電極 217a或漏電極217b可不暴露于包括銀（Ag)離子的蝕刻劑。可防止因銀（Ag)離子的還原 引起的顆粒相關(guān)缺陷的出現(xiàn)。
[0130] 像素電極接觸單元PECNT1的第二接觸層118、陰極接觸單元CECNT1的第二接觸層 518、以及第二焊盤層418可充當(dāng)在像素電極接觸單元PECNT1的第一接觸層117、陰極接觸 單元CECNT1的第一接觸層517、以及第一焊盤層417上的保護(hù)層。因此，像素電極接觸單元 PECNT1的第一接觸層117、陰極接觸單元CECNT1的第一接觸層517、以及第一焊盤層417可 在蝕刻像素電極120的過(guò)程中不暴露于蝕刻劑?？蓽p少或防止因銀（Ag)離子的還原引起 的顆粒相關(guān)缺陷。
[0131] 陰極接觸單元CECNT1可包括半透射式金屬層120b，半透射式金屬層120b可由與 像素電極120相同的材料制成并且具有小阻抗。因此，可減少或防止作為公共電極的相對(duì) 電極122的壓降。
[0132] 與第三絕緣層19具有良好粘合性的第二接觸層518可形成于陰極接觸單元 CECNT1的第一接觸層517上，由此防止陰極接觸單元CECNT1的有機(jī)膜脫離，或降低其可能 性。
[0133] 下面參考圖4至圖8描述了根據(jù)另一實(shí)施方式的陰極接觸單元CECNT2。
[0134] 圖4示出了根據(jù)實(shí)施方式的陰極接觸單元PECNT2的示意性視圖，圖5至圖8示出 了用于解釋制造圖4中所示的部分Η的過(guò)程的各階段的視圖。
[0135] 參考圖4和圖5,陰極接觸單元PECNT2可以是包括使第一接觸層517的頂面暴露 的多個(gè)開(kāi)口 CNT的圖案HP的形式。陰極接觸單元PECNT2可具有蜂窩網(wǎng)圖案。
[0136] 參考圖5,在第一接觸層517上形成蜂窩網(wǎng)圖案的第二接觸層518-2。如前一實(shí)施 方式所述，第一接觸層517可由與源電極217a和漏電極217b的相同材料形成并且可由具 有不同電子遷移率的異質(zhì)金屬布線形成。第二接觸層518-2包括透明導(dǎo)電氧化物。
[0137] 前一實(shí)施方式的陰極接觸單元PECNT1可與第二接觸層形成為一體而不需要圖案 化第二接觸層518。另一方面，本實(shí)施方式的第二接觸層518-2可被形成為蜂窩網(wǎng)圖案。第 二接觸層518-2可用于補(bǔ)充第一接觸層517與作為有機(jī)膜的第三絕緣層19-2之間的弱粘 合性。然而，第二接觸層518-2可包括透明導(dǎo)電氧化物從而增加的阻抗，從而可能成為一個(gè) 問(wèn)題。因此，第二接觸層518-2可被圖案化成蜂窩網(wǎng)形狀，由此抑制因第二接觸層518-2引 起的阻抗的增加并且提高粘合性。
[0138] 參考圖6,可在第二接觸層518-2上形成第三絕緣層19-2。第三絕緣層19-2可被 形成于與形成于第一接觸層517中的網(wǎng)圖案對(duì)應(yīng)的區(qū)域上。第三絕緣層19-2的寬度可小 于第二接觸層518-2的圖案的寬度。如果第三絕緣層19-2和第一接觸層517彼此接觸，則 可在接觸部分發(fā)生因它們之間的低粘合性引起的分離。分離可導(dǎo)致陰極接觸單元CECNT2 的不良阻抗分布和對(duì)陰極的不恒定供電。因此，第三絕緣層19-2的寬度可被形成為小于第 二接觸層518-2的圖案的寬度，從而第三絕緣層19-2和第一接觸層517可不直接接觸。
[0139] 參考圖7,在形成第三絕緣層19-2的圖案之后，在未對(duì)第三接觸層520圖案化的前 提下，可在整個(gè)陰極接觸單元CECNT2上共同形成第三接觸層520。第三接觸層520可包括 具有低阻抗的材料，例如銀（Ag)，由此防止陰極接觸單元CECNT2的壓降。
[0140] 參考圖8,在形成第三接觸層520之后，可在與網(wǎng)圖案對(duì)應(yīng)的區(qū)域中形成第四絕緣 層20-2。盡管第四絕緣層20-2的寬度在圖8中被顯示為小于第二接觸層518-2的寬度并 且大于第三絕緣層19-2的寬度，但是在其它實(shí)現(xiàn)中，第四絕緣層20-2的寬度可被形成為小 于第三絕緣層19-2的寬度并且大于第二接觸層518-2的寬度。為了使第一接觸層517、第 二接觸層518-2、第三接觸層520和相對(duì)電極122彼此接觸的開(kāi)口單元CNT中的每個(gè)的區(qū)域 最大，第四絕緣層20-2的寬度可不大于第二接觸層518-2的寬度。
[0141] 根據(jù)上述實(shí)施方式，為了解決第三絕緣層19-2與第一接觸層517之間的降低的粘 合性的問(wèn)題，具有良好粘合性的第二接觸層518-2可形成于第三絕緣層19-2與第一接觸層 517之間。為了解決它們之間的降低的阻抗的問(wèn)題，第二接觸層518-2可被形成為具有網(wǎng)圖 案。第二接觸層518-2與第三絕緣層19-2之間的接觸面積可因網(wǎng)圖案而增加，由此增大了 它們之間的接觸力。
[0142] 通過(guò)總結(jié)和回顧，實(shí)施方式提供了具有良好顯示質(zhì)量的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制 造方法。
[0143] 像素電極可被形成為半透射式金屬層。通過(guò)形成微腔可提高顯示裝置的光效率。
[0144] 源電極和漏電極（包括數(shù)據(jù)布線）可被作為有機(jī)膜的第三絕緣層覆蓋?？煞乐巩?dāng) 像素電極被圖案化時(shí)銀（Ag)離子因源電極和漏電極的作用而被還原，或者可降低這種情 況的可能性。
[0145] 保護(hù)層可形成于像素電極接觸單元的第一接觸層、陰極接觸單元的第一接觸層、 以及焊盤電極的第一焊盤層的頂部上?？煞乐巩?dāng)像素電極被圖案化時(shí)銀（Ag)離子因第一 接觸層和第一焊盤層的作用而被還原，或者可降低這種情況的可能性。
[0146] 像素電極接觸單元的結(jié)構(gòu)可允許像素電極在兩個(gè)位置與驅(qū)動(dòng)設(shè)備接觸?？煞乐瓜?素電極與驅(qū)動(dòng)設(shè)備之間的信號(hào)短路的可能性，或者可降低這種情況的可能性。
[0147] 陰極接觸單元可包括與像素電極的半透射式金屬層相同且具有小阻抗的半透射 式金屬層。可減少或防止作為公共電極的相對(duì)電極的壓降。
[0148] 與第三絕緣層具有良好粘合性的第二接觸層可形成于陰極接觸單元的第一接觸 層上。可防止陰極接觸單元的有機(jī)膜脫離或可降低這種情況的可能性。
[0149] 陰極接觸單元的第二接觸層可被形成為具有網(wǎng)狀圖案?？稍黾拥谌^緣層與第一 接觸層之間的粘合性并且可降低它們之間的阻抗。
[0150] 本文已經(jīng)公開(kāi)了示例性實(shí)施方式，并且盡管采用了具體的術(shù)語(yǔ)，但是它們僅以一 般和描述性的意義使用和解釋并且不用于限制。在一些情況下，如對(duì)提交本申請(qǐng)的領(lǐng)域的 技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的是，關(guān)于【具體實(shí)施方式】描述的特征、特性和/或元件可單獨(dú)使用或與 關(guān)于其它實(shí)施方式描述的特征、特性和/或元件結(jié)合使用，除非另有說(shuō)明。由此，本領(lǐng)域技 術(shù)人員將理解，可進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)變化而不背離所附權(quán)利要求中所述的精神和范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括： 薄膜晶體管，包括有源層、柵電極、源電極、漏電極、位于所述有源層與所述柵電極之間 的第一絕緣層、以及位于所述柵電極與所述源電極和所述漏電極之間的第二絕緣層； 焊盤電極，包括與所述源電極和所述漏電極位于相同層上的第一焊盤層和設(shè)置在所述 第一焊盤層上的第二焊盤層； 第三絕緣層，覆蓋所述源電極、所述漏電極和所述焊盤電極的端部，所述第三絕緣層包 括有機(jī)絕緣材料； 像素電極，包括半透射式金屬層，所述像素電極位于所述第三絕緣層的開(kāi)口中； 陰極接觸單元，包括位于所述第二絕緣層上的第一接觸層、位于所述第一接觸層上的 第二接觸層、以及位于所述第二接觸層上的第三接觸層； 第四絕緣層，覆蓋所述焊盤電極的端部； 有機(jī)發(fā)光層，位于所述像素電極上；以及 相對(duì)電極，位于所述有機(jī)發(fā)光層上。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第一接觸層包括與所述第一焊盤層相同的材料， 所述第二接觸層包括與所述第二焊盤層相同的材料，以及 所述第三接觸層包括與所述像素電極相同的材料。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第三接觸層通過(guò)所述第三絕緣層中的接觸孔連接至所述第二接觸層，以及 所述相對(duì)電極通過(guò)所述第四絕緣層中的接觸孔連接至所述第三接觸層。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述陰極接觸單元的所述第二接觸層具有網(wǎng)狀圖案，所述網(wǎng)狀圖案具有使所述第一接 觸層的上部暴露的多個(gè)開(kāi)口。
5. 如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述網(wǎng)狀圖案為蜂窩圖案。
6. 如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第一接觸層、所述第二接觸層、所述第三接觸層和所述相對(duì)電極在使所述第一接 觸層的下部暴露的多個(gè)開(kāi)口中彼此連接。
7. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述源電極和所述漏電極具有包含不同電子遷移率的多個(gè)異質(zhì)金屬層的堆疊結(jié)構(gòu)。
8. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第一焊盤層包括與所述源電極和所述漏電極相同的材料。
9. 如權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第一焊盤層包括透明導(dǎo)電氧化物。
10. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中： 所述第二絕緣層中的開(kāi)口、所述第三絕緣層中的開(kāi)口和所述第四絕緣層中的開(kāi)口彼此 重疊，以及 所述第三絕緣層中的開(kāi)口大于所述第四絕緣層中的開(kāi)口且小于所述第二絕緣層中的 開(kāi)口。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK104218065SQ201410239459
【公開(kāi)日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2014年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月30日
【發(fā)明者】樸鐘賢, 樸鮮, 柳春基 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司