有機發(fā)光二極管顯示器的制造方法
【專利摘要】一種有機發(fā)光二極管顯不器包括：第一電極，布置在顯示面板的顯示區(qū)域中并電連接至晶體管，晶體管連接至柵極配線和數(shù)據(jù)配線；像素限定層，提供在所述顯示面板上并具有開口，所述第一電極通過開口暴露；布置在所述第一電極上的有機發(fā)射層；布置在所述顯示面板的非顯示區(qū)域上并布置在所述像素限定層上的列間隔件；布置在所述有機發(fā)射層和所述列間隔件上的第二電極；以及信號阻擋金屬配線，布置在所述有機發(fā)射層的兩個側邊緣上，并布置在所述第一電極與所述第二電極之間。
【專利說明】有機發(fā)光二極管顯示器

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明的示例性實施例涉及有機發(fā)光二極管顯示器。

【背景技術】
[0002] 有機發(fā)光二極管顯示器包括兩個電極和插入二者之間的有機發(fā)光二極管（0LED)。 從作為一個電極的陰極注入的電子和從作為另一電極的陽極注入的空穴在有機發(fā)光構件 中結合，以形成激子，并且在激子釋放能量時發(fā)出光。
[0003] 陰極和陽極通常由金屬形成，并在陰極和陽極之間提供具有有機發(fā)光二極管的顯 示面板、與顯示面板相對以保護顯示面板的有機發(fā)光二極管的密封構件以及粘結和密封顯 示面板和密封構件的密封劑。陰極形成在顯示面板的發(fā)射部分（像素區(qū)域）和非發(fā)射部分 (間隔件形成區(qū)域）的整個表面上，并且陽極形成為對應于發(fā)射部分。形成間隙的間隔件布 置在陰極與陽極之間。
[0004] 由來自顯示面板的外部的壓力導致的擠壓、碰撞等而使得陰極和陽極之間接觸而 可能產(chǎn)生短路。這樣的短路可能誘使顯示器的局部燃燒，從而導致顯示器的缺陷。
[0005] 該【背景技術】中公開的上述信息僅用于增強對本發(fā)明的背景的理解，因此其可能包 含不形成對本國本領域普通技術人員已知的現(xiàn)有技術的信息。


【發(fā)明內容】

[0006] 本發(fā)明的示例性實施例提供有機發(fā)光二極管顯示器，其在面板內包括分離的配 線，以在由于顯示面板的外部壓力導致的擠壓而使得陰極與陽極之間產(chǎn)生短路時阻止局部 燃燒。
[0007] 本發(fā)明的附加特征將在隨后的說明中給出，并將從說明中顯而易見，或可通過實 施本發(fā)明而獲知。
[0008] 本發(fā)明的示例性實施例公開一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括：顯示面板；布置 在所述顯示面板的顯示區(qū)域中并電連接至晶體管的第一電極，該晶體管連接至柵極配線和 數(shù)據(jù)配線；布置在所述顯示面板上并具有開口的像素限定層，所述第一電極通過該開口暴 露；布置在所述第一電極上的有機發(fā)射層；布置在所述顯示面板的非顯示區(qū)域上且在所述 像素限定層上的列間隔件；布置在所述有機發(fā)射層和所述列間隔件上的第二電極；以及布 置在所述有機發(fā)射層的兩個側邊緣上并布置在所述第一電極與所述第二電極之間的信號 阻擋金屬配線。
[0009] 本發(fā)明的示例性實施例還公開一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括：顯示面板；布 置在所述顯示面板的顯示區(qū)域中的第一電極，所述第一電極電連接至晶體管，所述晶體管 連接至柵極配線和數(shù)據(jù)配線；布置在所述顯示面板上并且包括開口的像素限定層，所述第 一電極通過該開口暴露；布置在所述第一電極上的有機發(fā)射層；布置在所述顯示面板的非 顯示區(qū)域上且在所述像素限定層上的間隔件；布置在所述有機發(fā)射層和所述間隔件上的第 二電極；布置在所述有機發(fā)射層的兩側邊緣上且在所述第一電極與所述第二電極之間的金 屬配線；布置在所述金屬配線上并配置為防止所述第二電極與所述金屬配線之間的電連接 的絕緣層。
[0010] 應當理解，前述一般性的描述和下面詳細的描述均為示例性和解釋性的，并且意 在提供所要求保護的發(fā)明的進一步解釋。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 被包括以提供本發(fā)明的進一步理解、并入本說明書并構成本說明書的一部分的附 圖例示出本發(fā)明的示例性實施例，并與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。
[0012] 圖1是示意性例示根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的俯視圖。
[0013] 圖2是圖1所例示的部分"A"的放大布局圖。
[0014] 圖3是沿圖2的線III-III截取的剖視圖。
[0015] 圖4是示意性例示根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的信號阻 擋金屬布線的結構的俯視圖。

【具體實施方式】
[0016] 下文中參照附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖中示出本發(fā)明的示例性實施例。然而， 本發(fā)明可以以多種不同的形式體現(xiàn)，而不應當解釋為限于這里給出的示例性實施例。相反， 提供這些示例性實施例是為了使本公開透徹，并將向本領域技術人員充分地傳達本發(fā)明的 范圍。在附圖中，元件的尺寸和相對尺寸可為了清楚起見而被放大。附圖中同樣的附圖標 記表示同樣的元件。
[0017] 進一步，在示例性實施例中，由于同樣的附圖標記指代具有相同配置的同樣的元 件，因此，代表性地描述第一示例性實施例，而在其它示例性實施例中，將描述與第一示例 性實施例不同的配置。
[0018] 應當注意，附圖是示例性的繪出，而非按照比例繪出。為了準確和方便起見，附圖 中的部分的相對尺寸和比例在大小上被放大或減小，并且預定的尺寸僅是例示性的，而非 限制性的。進一步，兩幅或多幅附圖中描繪的相同的結構、元件或組件將由相同的附圖標記 指代，以描繪類似的特征。應當理解，當將一元件稱為在另一元件"上"或"連接至"另一元 件時，其可直接位于另一元件上或直接連接至另一元件，或者也可存在中間元件。相反，當 將一元件稱為"直接"在另一元件"上"或"直接連接至"另一元件時，則不存在中間元件。 應當理解，出于本公開的目的，"X、Y和Z中至少一個"可解釋為僅X、僅Y、僅Z或X、Y、Z的 兩項或多項的任意組合（例如，ΧΥΖ、ΧΥΥ、ΥΖ、ΖΖ)。
[0019] 示例性實施例具體示出本發(fā)明的示例性實施例。由此，預期示意圖的各種改進。因 此，示例性實施例不限于所示區(qū)域的特定形狀，并且也包括例如通過制造對形狀的改進。
[0020] 下文中，將參照圖1至圖4描述根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器。
[0021] 圖1是示意性例示根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的俯視圖，圖2是 圖1所例示的部分"Α"的放大布局圖，圖3是沿圖2的線ΙΙΙ-ΙΙΙ截取的剖視圖。圖4是 示意性例示根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的信號阻擋金屬布線的結 構的俯視圖。
[0022] 如圖1所例示，根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器100包括顯示面板 110、用于覆蓋顯示面板110的密封構件210以及布置在顯示面板和密封構件210之間的密 封劑1。
[0023] 密封劑1沿密封構件210的邊緣布置，并且密封劑1將顯示面板110和密封構件 210粘結和密封。下文中，顯示面板110和密封構件210之間的由密封劑1圍繞的內部區(qū)域 稱作顯示區(qū)域DA。而且，像素形成在顯示區(qū)域DA中以顯示圖像。
[0024] 密封構件210的尺寸比顯示面板110的小。而且，驅動器2可安裝在顯示面板110 的未被密封構件210覆蓋的一側的邊緣中。
[0025] 電連接驅動器2和形成在由密封劑1密封的空間內的元件的導電配線3形成在顯 示面板110的邊緣處。因此，導電配線3可形成為與密封劑1部分重疊。
[0026] 如圖2中所例示，一個像素可包括紅色R、綠色G、藍色B有機發(fā)射層230,并且列間 隔件330沿每個有機發(fā)射層230的區(qū)域的相對側布置在非顯示區(qū)域325的像素限定層310 上。而且，信號阻擋金屬配線320共同地形成以與有機發(fā)射層230的相對側重疊。
[0027] 如圖3中所例示，用于防止第二電極240與信號阻擋金屬配線320之間的電連接 的絕緣層340可進一步被包括在信號阻擋金屬配線320上。共同地形成在有機發(fā)射層230 上的信號阻擋金屬配線320在非顯示區(qū)域325的一側處彼此連接，以便被連接至驅動器2。 通過這種方法，信號阻擋金屬配線320形成網(wǎng)。而且，信號阻擋金屬配線320可以矩形平面 形狀形成。
[0028] 參照圖3,在顯示面板110上包括針對每個像素形成的開關薄膜晶體管（未示 出）、驅動薄膜晶體管80、電容器元件16和有機發(fā)光二極管200。在顯示面板110上進一步 包括布置在一個方向上的柵極線、與柵極線絕緣并交叉的數(shù)據(jù)線、以及公共電線。這里，一 個像素可基于柵極線、數(shù)據(jù)線和公共電線的邊界定義，但不限于此。
[0029] 有機發(fā)光二極管200包括第一電極220、形成在第一電極220上的有機發(fā)射層230 和形成在有機發(fā)射層230上的第二電極240。這里，第一電極220是陽極（正（+)電極）， 其為空穴注入電極，第二電極240是陰極（負（-)電極），其為電子注入電極?？昭ê碗娮?分別從第一電極220和第二電極240注入到有機發(fā)射層230中，以形成激子。當激子從激 發(fā)態(tài)變?yōu)榛鶓B(tài)時，產(chǎn)生光發(fā)射。
[0030] 具有開口（第一電極220通過該開口暴露）的像素限定層310提供在顯示面板 110上。列間隔件330可提供在顯示面板110的非顯示區(qū)域325的像素限定層310上。第 二電極240可在有機發(fā)射層230和列間隔件330上延伸時被布置。
[0031] 電容器元件16包括第一電容器板12和第二電容器板14,層間絕緣層140插入二 者之間。這里，層間絕緣層140可以是介電主體。電容量由電容器元件16存儲的電荷和電 容器板12和14二者之間的電壓確定。
[0032] 驅動薄膜晶體管80向第一電極220施加使得所選像素的有機發(fā)射層230發(fā)光的 驅動電力。驅動柵電極70與第一電容器板12連接。驅動源電極50和第二電容器板14中 每一個都連接至公共電線18。驅動漏電極60通過電極接觸孔連接至有機發(fā)光二極管200 的第一電極220。
[0033] 顯示面板110可形成為由玻璃、石英、陶瓷、塑料等形成的絕緣面板。但本發(fā)明不 限于此。因此，顯示面板110也可以形成為由不銹鋼等形成的金屬面板。
[0034] 緩沖層120形成在顯示面板110上。緩沖層120防止雜質元素穿透顯示面板110 的表面，并還平坦化顯示面板110的表面。緩沖層120可由能夠執(zhí)行前述功能的各種材料 形成。例如，氮化硅（SiNx)膜、氧化硅（Si02)膜和氧氮化硅（SiOxNy)膜中任意一種可用作 緩沖層120。然而，緩沖層120不是必要地，而是可根據(jù)顯示面板110的類型和工藝條件被 省略。
[0035] 驅動半導體層40形成在緩沖層120上。驅動半導體層40由多晶硅膜形成。而 且，驅動半導體層40包括其中沒有摻雜雜質的溝道區(qū)10、通過P+摻雜溝道區(qū)10的兩側形 成的源區(qū)20和漏區(qū)30。在此情形下，摻雜的離子材料是P型雜質，例如硼（B)，并且B 2H6可 用作摻雜的離子材料。這里，雜質取決于薄膜晶體管的類型。
[0036] 在示例性實施例中，將具有使用P型雜質的PM0S結構的薄膜晶體管用作驅動薄膜 晶體管80,但本發(fā)明不限于此。因此，可將具有NM0S結構或CMOS結構的薄膜晶體管用作驅 動薄膜晶體管80。而且，驅動薄膜晶體管80可以是包括多晶硅膜的多晶硅薄膜晶體管。
[0037] 在驅動半導體層40上形成有由氮化硅（SiNx)、氧化硅（Si02)等形成的柵極絕緣 層130。在柵極絕緣層130上形成有包括驅動柵電極70的柵極配線。而且，柵極配線進一 步包括柵極線、第一電容器板12和其它配線。而且，驅動柵電極70被形成，從而與驅動半 導體層40的可包括溝道區(qū)10的至少一部分重疊。
[0038] 在柵極絕緣層130上形成有覆蓋驅動柵電極70的層間絕緣膜140。柵極絕緣層 130和層間絕緣層140共同地具有通孔，驅動半導體層40的源區(qū)20和漏區(qū)30通過通孔暴 露。層間絕緣層140使用與柵極絕緣層130類似的諸如氮化硅（SiNx)或氧化硅（Si0 2)之 類的基于陶瓷的材料形成。
[0039] 在層間絕緣層140上形成有包括驅動源電極50和驅動漏電極60的數(shù)據(jù)配線。而 且，數(shù)據(jù)配線進一步包括數(shù)據(jù)線、公共電線18、第二電容器板14和其它配線。而且，驅動源 電極50和驅動漏電極60通過在層間絕緣層140和柵極絕緣層130中形成的通孔，分別連 接至驅動半導體層40的源區(qū)20和漏區(qū)30。
[0040] 如上所述，形成了包括驅動半導體層40、驅動柵電極70、驅動源電極50和驅動漏 電極60的驅動薄膜晶體管80。驅動薄膜晶體管80的配置不限于前述示例，而是可被進行 多種修改成本領域技術人員易于實施的公知配置。
[0041] 在層間絕緣層140上形成有覆蓋數(shù)據(jù)配線的平坦化膜150。平坦化膜150用于去 除臺階，并平坦化層間絕緣層140,以改進要在平坦化膜150上形成的有機發(fā)光二極管200 的發(fā)光效率。而且，平坦化膜150具有電極接觸孔，驅動漏電極60的一部分通過電極接觸 孔暴露。
[0042] 平坦化膜150可由丙烯酸酯樹脂、環(huán)氧樹脂、石碳酸樹脂、聚酰胺樹脂、聚茚樹脂、 不飽和聚酯樹脂、聚乙烯亞苯基樹脂、聚乙烯聚苯硫醚樹脂和苯并環(huán)丁烯（BCB)樹脂中的 任意一種形成。
[0043] 而且，示例性實施例不限于前述結構，而是也可省略平坦化膜150和層間絕緣層 140中任意一個。
[0044] 在平坦化膜150上形成有有機發(fā)光二極管200的第一電極220。亦即，有機發(fā)光二 極管顯示器100包括分別布置在像素中的每一個處的第一電極220中的每一個。在此情形 下，第一電極220彼此隔開。第一電極220通過平坦化膜150中的電極接觸孔連接至驅動 漏電極60。
[0045] 在平坦化膜150上形成有具有開口的像素限定層310,第一電極220通過該開口暴 露。亦即，像素限定層310具有在每個像素處形成的開口。而且，第一電極220被布置為與 像素限定層310的開口對應。然而，第一電極220不需要僅布置在像素限定層310的開口 處，而是可以布置在像素限定層310的下方，以便第一電極220的一部分與像素限定層310 重疊。像素限定層310可由諸如聚丙烯酸脂樹脂或聚酰亞胺樹脂之類的樹脂或者硅基無機 材料形成。
[0046] 有機發(fā)射層230形成在第一電極220上，而且第二電極240形成在有機發(fā)射層230 上。如上所述，形成了包括第一電極、有機發(fā)射層230和第二電極240的有機發(fā)光二極管 200。
[0047] 有機發(fā)射層230由低分子量有機材料或1?分子量有機材料形成。而且，有機發(fā)射 層230可由包括發(fā)射層、空穴注入層（HIL)、空穴傳輸層（HTL)、電子傳輸層（ETL)和電子注 入層（EIL)的一種或多種的多層形成。在有機發(fā)射層230包括所有層時，空穴注入層（HIL) 布置在作為陽極的第一電極220上，空穴傳輸層（HTL)、發(fā)射層、電子傳輸層（ETL)和電子注 入層（EIL)依次堆疊在其上。
[0048] 在圖3中，有機發(fā)射層230僅布置在像素限定層310的開口內，但示例性實施例不 限于此。因此，有機發(fā)射層230可形成在像素限定層310的開口內的第一電極220上，或者 也可以布置在像素限定層310與第二電極240之間。有機發(fā)射層230可進一步包括（與發(fā) 射層一起的）若干層，例如空穴注入層（HIL)、空穴傳輸層（HTL)、電子傳輸層（ETL)和電子 注入層（EIL)。在此情形下，空穴注入層（HIL)、空穴傳輸層（HTL)、電子傳輸層（ETL)和電 子注入層（EIL)(但發(fā)射層除外）可通過在與第二電極240類似的制造工藝期間使用開口 掩膜，不僅形成在第一電極220上，而且還形成在像素限定層310上。亦即，有機發(fā)射層230 中包括的若干層中的一層或多層可布置在像素限定層310與第二電極240之間。
[0049] 第一電極220和第二電極240中的每一個可由透明導電材料、或透反或反射導電 材料形成。根據(jù)形成第一電極220和第二電極240的材料的類型，有機發(fā)光二極管顯示器 100可以是頂發(fā)射類型、底發(fā)射類型或雙發(fā)射類型。
[0050] 銦錫氧化物（ΙΤ0)、銦鋅氧化物（ΙΖ0)、鋅氧化物（ZnO)或銦氧化物（Ιη20 3)可用作 透明導電材料。鋰（Li)、鈣（Ca)、鋰氟/鈣（LiF/Ca)、鋰氟/鋁（LiF/Al)、鋁（A1)、銀（Ag)、 鎂（Mg)、金（Au)等可被用作反射材料和透反材料。
[0051] 密封構件210布置為在第二電極240上面對顯示面板110。密封構件210可由諸 如玻璃或塑料之類的透明材料形成。密封構件210粘結至顯示面板110以通過沿密封構件 210的邊緣形成的密封劑1 (圖1中示出）密封。
[0052] 在第一電極220與第二電極240之間的有機發(fā)射層230的兩個側邊緣的上部上提 供有信號阻擋金屬配線320。信號阻擋金屬配線320在由于外力擠壓列間隔件330導致的 第一電極220與第二電極240之間的接觸而致使產(chǎn)生短路時，切斷施加于顯示器的電力，并 且信號阻擋金屬配線320可位于第一電極220的兩個邊緣處。而且，信號阻擋金屬配線320 可提供為在第一電極220的相對側處與第二電極240接觸。而且，在信號阻擋金屬配線320 上可進一步包括絕緣層340。亦即，信號阻擋金屬配線320可提供為在有機發(fā)射層230的相 對側處與絕緣層340接觸。
[0053] 信號阻擋金屬配線320可在與像素的非顯示區(qū)域325對應的、與像素限定層310 重疊的位置處、在一個方向上延伸。而且，各個延伸的信號阻擋金屬配線320在布置在密封 構件210中的在最外側非顯示區(qū)域325處的像素的非顯示區(qū)域325的一側處彼此連接，以 連接至驅動器2。當電壓由驅動器2的上電信號施加于顯示器100,且由于外部壓力或碰撞 擠壓列間隔件330導致第一電極220接觸第二電極240時，上電信號通過信號阻擋金屬配 線320阻擋，以防止電力施加至晶體管元件80。因此，有可能防止在第一電極220與第二電 極240之間產(chǎn)生短路時顯示器100中產(chǎn)生具備燃燒。
[0054] 如圖4中所例示，信號阻擋金屬配線320可通過連接配線的與像素的非顯示區(qū)域 325對應的位置延伸出的部分而以網(wǎng)狀形成。如圖2中所例示，網(wǎng)型信號阻擋金屬配線320 連接至驅動器2,并且可在配線的從最外側區(qū)域的像素的非顯示區(qū)域325對應的位置延伸 出的兩側處連接至驅動器2。亦即，當由于列間隔件330的塌陷或碰撞的產(chǎn)生而在任何一個 像素中產(chǎn)生短路時，由上電信號提供的電力不直接從驅動器2施加至顯示器，并且上電信 號的通路被轉移通過環(huán)路，使得電力被斷電信號切斷，因此不會驅動整個顯示器。
[0055] 如上所述，在根據(jù)示例性實施例的顯示器中，通過在由于施加于顯示面板的外力 導致列間隔件塌陷而在陰極和陽極之間產(chǎn)生短路時，防止產(chǎn)生顯示器的局部燃燒，而有可 能防止有機發(fā)光二極管顯示器的缺陷。
[0056] 對本領域技術人員來說明顯的是，可在不背離本發(fā)明的精神或范圍的情況下在本 發(fā)明中進行各種修改和改變。因此，本發(fā)明意在覆蓋本發(fā)明的修改和改變，只要這些修改和 改變落入所附權利要求及其等同物的范圍內即可。
【權利要求】
1. 一種有機發(fā)光二極管顯不器，包括： 顯示面板； 布置在所述顯示面板的顯示區(qū)域中的第一電極，每個第一電極電連接至晶體管，該晶 體管連接至柵極配線和數(shù)據(jù)配線； 布置在所述顯示面板上的像素限定層，所述像素限定層包括開口，所述第一電極通過 該開口暴露； 布置在所述第一電極上的有機發(fā)射層； 布置在所述顯示面板的非顯示區(qū)域上且在所述像素限定層上的列間隔件； 布置在所述有機發(fā)射層和所述列間隔件上的第二電極；以及 布置在所述有機發(fā)射層的相對側上且在所述第一電極與所述第二電極之間的信號阻 擋金屬配線。
2. 如權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，進一步包括： 絕緣層，布置在所述信號阻擋金屬配線上，并配置為防止所述第二電極與所述信號阻 擋金屬配線之間的電連接。
3. 如權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述信號阻擋金屬配線連接至驅 動器，并且被配置為在所述第一電極與所述第二電極短路時，通過將關斷電壓從所述驅動 器傳送到所述第二電極，而切斷向所述有機發(fā)光二極管顯示器供應的電力。
4. 如權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述信號阻擋金屬配線布置在所 述有機發(fā)射層的相對側與所述列間隔件之間。
5. 如權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述信號阻擋金屬配線接觸所述 第二電極。
6. 如權利要求2所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述信號阻擋金屬配線接觸所述 絕緣層。
7. 如權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述信號阻擋金屬配線在一個方 向上從分別與像素的非顯示區(qū)域對應的位置延伸。
8. 如權利要求7所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述信號阻擋金屬配線的末端包 括通過將在一個方向上從分別與所述像素的非顯示區(qū)域對應的位置延伸的配線連接而形 成的網(wǎng)。
9. 如權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中所述信號阻擋金屬配線以矩形平 面形狀形成。
【文檔編號】H01L27/32GK104218060SQ201410198706
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年5月12日 優(yōu)先權日:2013年5月30日
【發(fā)明者】洪相玟 申請人:三星顯示有限公司