陣列基板的制備方法、陣列基板、顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板的制備方法、陣列基板、顯示裝置，屬于顯示裝置制造【技術(shù)領(lǐng)域】，其可解決現(xiàn)有的陣列基板的生產(chǎn)成本高、工藝復(fù)雜的問(wèn)題。本發(fā)明的陣列基板的制備方法，包括：在基底上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括像素電極和薄膜晶體管源極的圖形，其中，所述像素電極設(shè)于所述源極所在層的下層；在完成上述步驟的基底上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括薄膜晶體管漏極、有源層、柵極絕緣層和柵極的圖形，其中，所述有源層覆蓋所述源、漏極，并通過(guò)柵極絕緣層與柵極隔開(kāi)；在完成上述步驟的基底上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層、公共電極，以及柵線的圖形，其中，所述公共電極為狹縫電極，并通過(guò)鈍化層與所述有源層和像素電極隔開(kāi)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】陣列基板的制備方法、陣列基板、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示裝置制造【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種陣列基板的制備方法、陣列基板、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,簡(jiǎn)稱(chēng)TFT-LCD)是一種重要的平板顯示設(shè)備。根據(jù)驅(qū)動(dòng)液晶的電場(chǎng)方向，可以分為垂直電場(chǎng)型和水平電場(chǎng)型。垂直電場(chǎng)型需要在陣列基板上形成像素電極，在彩膜基板上形成公共電極，如常用的TN模式；而水平電場(chǎng)型則需要在陣列基板上同時(shí)形成像素電極和公共電極，如ADS模式(高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換模式)。ADSDS (簡(jiǎn)稱(chēng)ADS)是京東方自主創(chuàng)新的以寬視角技術(shù)為代表的核心技術(shù)統(tǒng)稱(chēng)。ADS是指平面電場(chǎng)寬視角核心技術(shù)-高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)(AdvancedSuper Dimension Switch),其核心技術(shù)特性描述為:通過(guò)同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-1XD產(chǎn)品的畫(huà)面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過(guò)率、低功耗、寬視角、高開(kāi)口率、低色差、無(wú)擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。針對(duì)不同應(yīng)用，ADS技術(shù)的改進(jìn)技術(shù)有高透過(guò)率1-ADS技術(shù)、高開(kāi)口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術(shù)等。
[0003]如圖1所示為現(xiàn)階段常用的ADS底柵型陣列基板的器件結(jié)構(gòu)圖，其具體制備步驟包括:在基底上通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成包括公共電極3的圖形；在完成上述步驟的基底I上，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括薄膜晶體管柵極2和柵線21的圖形；在完成上述步驟的基底I上，形成柵極絕緣層4 ;在完成上述步驟的基底I上，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括有源層6的圖形；在完成上述基底I上形成刻蝕阻擋層7，并形成源漏接觸區(qū)；在完成上述步驟的基底I上，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括源極5-1、漏極5-2，以及數(shù)據(jù)線的圖形，其中源極5-1和漏極5-2與有源層接觸；在完成上述步驟的基底I上，形成鈍化層8 ;在完成上述步驟的基底I上，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括像素電極9的圖形。對(duì)于ADS型陣列基板的制作，使用較多的就是上述的5次光刻(Mask)工藝。但是發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于掩膜板造價(jià)昂貴，采用5次光刻(Mask)工藝制備陣列基板，工藝復(fù)雜，開(kāi)發(fā)費(fèi)用較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題包括，針對(duì)現(xiàn)有的陣列基板的生產(chǎn)成本較高的問(wèn)題，提供一種工藝簡(jiǎn)單的成本較低的陣列基板的制備方法、陣列基板、顯示裝置。
[0005]解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板的制備方法，包括:
[0006]在基底上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括像素電極和薄膜晶體管源極的圖形，其中，所述像素電極設(shè)于所述源極所在層的下層；
[0007]在完成上述步驟的基底上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括薄膜晶體管漏極、有源層、柵極絕緣層和柵極的圖形，其中，所述有源層覆蓋所述源、漏極，并通過(guò)柵極絕緣層與柵極隔開(kāi);
[0008]在完成上述步驟的基底上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層、公共電極，以及柵線的圖形，其中，所述公共電極為狹縫電極，并通過(guò)鈍化層與所述有源層和像素電極隔開(kāi)。
[0009]本發(fā)明的陣列基板的制備方法只采用3次掩膜板，故其大大的節(jié)約制備成本，提高了生產(chǎn)效率，適應(yīng)性更強(qiáng)。
[0010]優(yōu)選的是，所述在基底上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括像素電極和薄膜晶體管源極的圖形具體包括:
[0011]在基底上依次形成第一透明導(dǎo)電薄膜和源漏金屬薄膜；
[0012]在完成上述步驟的基底上涂覆第一光刻膠層，進(jìn)行曝光形成第一光刻膠保留區(qū)和第一光刻膠去除區(qū)，進(jìn)行顯影將第一光刻膠去除區(qū)的光刻膠完全去除，第一光刻膠保留區(qū)的光刻膠完全保留；
[0013]對(duì)完成上述步驟的基底采用濕法刻蝕，將第一光刻膠去除區(qū)的源漏金屬薄膜以及第一透明導(dǎo)電薄膜去除；
[0014]將完成上述步驟的基底上的剩余光刻膠剝離，形成包括像素電極、薄膜晶體管源極的圖形的同時(shí)還形成包括數(shù)據(jù)線的圖形，以及位于所述像素電極上方的剩余的源漏金屬薄膜。
[0015]優(yōu)選的是，所述通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括薄膜晶體管漏極、有源層、柵極絕緣層和柵極的圖形具體包括:
[0016]在形成有像素電極、薄膜晶體管源極、數(shù)據(jù)線，以及位于所述像素電極上方的剩余的源漏金屬薄膜的基底上依次形成有源層薄膜、柵極絕緣層薄膜和柵極金屬薄膜；
[0017]在完成上述步驟的基底上涂覆第二光刻膠層，進(jìn)行曝光形成第二光刻膠保留區(qū)和第二光刻膠去除區(qū)，進(jìn)行顯影將第二光刻膠去除區(qū)的光刻膠完全去除，第二光刻膠保留區(qū)的光刻膠完全保留；
[0018]對(duì)完成上述步驟的基底采用濕法刻蝕，將第二光刻膠去除區(qū)的柵極金屬薄膜去除，采用干法刻蝕，將第二光刻膠去除區(qū)的柵極絕緣層薄膜去除，采用濕法刻蝕，將第二光刻膠去除區(qū)的有源層薄膜以及剩余的源漏金屬層薄膜去除；
[0019]將完成上述步驟的基底上的剩余光刻膠剝離，形成包括薄膜晶體管漏極、有源層、柵極絕緣層、柵極的圖形，以及位于數(shù)據(jù)線上方的剩余的柵極金屬薄膜、剩余的柵極絕緣層薄膜、剩余的有源層薄膜。
[0020]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層、公共電極，以及柵線的圖形具體包括:
[0021]在形成有薄膜晶體管漏極、有源層、柵極絕緣層、柵極的基底上依次形成鈍化層薄膜和第二透明導(dǎo)電薄膜；
[0022]在完成上述步驟的基底上涂覆第三光刻膠層，進(jìn)行曝光形成第三光刻膠保留區(qū)和第三光刻膠去除區(qū)，進(jìn)行顯影將第三光刻膠去除區(qū)的光刻膠完全去除，第三光刻膠保留區(qū)的光刻膠完全保留；
[0023]對(duì)完成上述步驟的基底采用濕法刻蝕，將第三光刻膠去除區(qū)的第二透明導(dǎo)電薄膜去除，采用干法刻蝕，將第三光刻膠去除區(qū)的鈍化層薄膜去除，采用濕法刻蝕，將第三光刻膠去除區(qū)的剩余的柵極金屬薄膜去除，采用干法刻蝕，將第三光刻膠去除區(qū)的剩余的柵極絕緣層薄膜去除，采用濕法刻蝕，將第三光刻膠去除區(qū)的剩余的有源層薄膜去除；
[0024]將完成上述步驟的基底上的剩余光刻膠剝離，形成包括鈍化層、公共電極，以及柵線的圖形。
[0025]更進(jìn)一步優(yōu)選地是，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵線的圖形具體包括:
[0026]將位于所述數(shù)據(jù)線上方的剩余的柵極金屬薄膜形成隔斷，用于形成與所述數(shù)據(jù)線上方的剩余的柵極金屬薄膜斷開(kāi)的柵線的圖形。
[0027]優(yōu)選的是，所述有源層的材料為金屬氧化物、非晶硅、多晶硅中任意一種。
[0028]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述金屬氧化物為氧化銦錫、氧化銦鎵錫、氧化銦鋅、氧化鋁鋅中任意一種。
[0029]解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，其包括像素電極、公共電極、薄膜晶體管，其中，所述薄膜晶體管的源極和漏極下方設(shè)有與其重合的第一透明導(dǎo)電層，所述像素電極設(shè)于所述薄膜晶體管源、漏極所在層下方，且所述漏極下方的第一透明導(dǎo)電層與所述像素電極形成為一體，所述薄膜晶體管有源層覆蓋所述源、漏極并通過(guò)柵極絕緣層與柵極隔開(kāi)，所述鈍化層設(shè)于所述柵極和所述像素電極上方，所述公共電極設(shè)于鈍化層上方；其中，
[0030]所述薄膜晶體管有源層與柵極絕緣層，以及柵極的圖形相同，所述鈍化層與公共電極的圖形相同。
[0031]優(yōu)選的是，所述陣列基板還包括柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線與所述薄膜晶體管的柵極連接，所述數(shù)據(jù)線與所述薄膜晶體管的源極連接，其中，所述柵線包括柵線本體和設(shè)于數(shù)據(jù)線上方并與柵線本體形成為一體的凸出部，且所述各個(gè)柵線的凸出部通過(guò)隔斷隔開(kāi)。
[0032]優(yōu)選的是，所述薄膜晶體管為金屬氧化物薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管中任意一種。
[0033]解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置，其包括上述陣列基板。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0034]圖1為現(xiàn)有的陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0035]圖2為本發(fā)明的實(shí)施例1陣列基板的制備方法的第一次構(gòu)圖工藝后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖3為圖2的A-A方向在第一次構(gòu)圖工藝中的流程圖；
[0037]圖4為圖2的B-B方向在第一次構(gòu)圖工藝中的流程圖；
[0038]圖5為本發(fā)明的實(shí)施例1陣列基板的制備方法的第二次構(gòu)圖工藝后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖6為圖5的A-A方向在第二次構(gòu)圖工藝中的流程圖；
[0040]圖7為圖5的B-B方向在第二次構(gòu)圖工藝中的流程圖；
[0041]圖8為本發(fā)明的實(shí)施例1陣列基板的制備方法的第三次構(gòu)圖工藝后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖9為圖8的A-A方向在第三次構(gòu)圖工藝中的流程圖；
[0043]圖10為圖8的B-B方向在第三次構(gòu)圖工藝中的流程圖；以及，
[0044]圖11為本發(fā)明的實(shí)施2的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。[0045]其中附圖標(biāo)記為:1、基底；2、柵極；21、柵線；20、柵極金屬薄膜；3、公共電極；30、第二透明導(dǎo)電薄膜；4、柵極絕緣層；40、柵極絕緣層薄膜；5-1、源極；5-2、漏極；50、源漏金屬薄膜；6、有源層；60、有源層薄膜；7、刻蝕阻擋層；8、鈍化層；80、鈍化層薄膜；9、像素電極；90、第一透明導(dǎo)電薄膜；201、隔斷；101、第一光刻膠層；102、第二光刻膠層；103、第三光
刻膠層。
【具體實(shí)施方式】
[0046]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0047]實(shí)施例1:
[0048]如圖2至10所示，本實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，其具體包括如下步驟:
[0049]如圖2所示，步驟一、在基底I上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括像素電極9和薄膜晶體管源極5-1的圖形，其中，所述像素電極9設(shè)于所述源極5-1所在層的下層。
[0050]需要說(shuō)明的是，基底I既可以指沒(méi)有形成任何膜層的襯底，如白玻璃，也可以指形成有其他膜層或者圖案的襯底，例如形成有緩沖層的襯底。構(gòu)圖工藝通常包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝。如圖3和4所示，上述步驟具體可以包括:
[0051]S101、在基底I上采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的方法，在基底I上依次形成第一透明導(dǎo)電薄膜90和源漏金屬薄膜50。
[0052]其中，第一導(dǎo)電薄膜的厚度在100?1000 A之間，源漏金屬薄膜50的厚度在1000?6000人之間；第一透明導(dǎo)電薄膜90可以采用氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(IZO)或氧
化鋁鋅等材料，漏源金屬薄膜可以采用鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。當(dāng)然具體厚度和材料可以根據(jù)具體情況具體設(shè)定。
[0053]S102、在完成上述步驟的基底I上涂覆第一光刻膠層101，進(jìn)行曝光形成第一光刻膠保留區(qū)和第一光刻膠去除區(qū)，進(jìn)行顯影將第一光刻膠去除區(qū)的光刻膠完全去除，第一光刻膠保留區(qū)的光刻膠完全保留。
[0054]S103、對(duì)完成上述步驟的基底I采用濕法刻蝕，將第一光刻膠去除區(qū)的源漏金屬薄膜50以及第一透明導(dǎo)電薄膜90去除。
[0055]S104、將完成上述步驟的基底I上的剩余光刻膠剝離，形成包括像素電極9、薄膜晶體管源極5-1和數(shù)據(jù)線的圖形，以及位于像素電極9上方的剩余的源漏金屬薄膜。
[0056]如圖5所示，步驟二、在完成上述步驟的基底I上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括薄膜晶體管漏極5-2、有源層6、柵極絕緣層4和柵極2的圖形，其中，所述有源層6覆蓋所述源、漏極5-2，并通過(guò)柵極絕緣層4與柵極2隔開(kāi)。
[0057]如圖6和7所示，該步驟具體可以包括:
[0058]S201、在形成有像素電極9和薄膜晶體管源極5-1，以及剩余的源漏金屬層薄膜的基底I上采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的方法形成有源層薄膜60，再采用化學(xué)氣相沉積的方法形成柵極絕緣層薄膜，然后采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的方法形成柵極金屬薄膜20。
[0059]其中，柵極金屬薄膜20的厚度在丨000?6000入之間；其中，有源層薄膜60的材料優(yōu)選為金屬氧化物、非晶硅、多晶硅中任意一種，也可以是其他半導(dǎo)體材料，進(jìn)一步地，金屬氧化物優(yōu)選為氧化銦錫、氧化銦鎵錫、氧化銦鋅、氧化鋁鋅中任意一種；柵極絕緣層薄膜40的材料可以采用氧化物、氮化物或氧氮化物等絕緣材料；柵極金屬薄膜20可以采用鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。
[0060]S202、在完成上述步驟的基底I上涂覆第二光刻膠層102，進(jìn)行曝光形成第二光刻膠保留區(qū)和第二光刻膠去除區(qū)，進(jìn)行顯影將第二光刻膠去除區(qū)的光刻膠完全去除，第二光刻膠保留區(qū)的光刻膠完全保留。
[0061]S203、對(duì)完成上述步驟的基底I采用濕法刻蝕，將第二光刻膠去除區(qū)的柵極金屬薄膜20去除，采用干法刻蝕，將第二光刻膠去除區(qū)的柵極絕緣層薄膜40去除，采用濕法刻蝕將第二光刻膠去除區(qū)的有源層薄膜60以及剩余的源漏金屬層薄膜去除。
[0062]S204、將完成上述步驟的基底I上的剩余光刻膠剝離，形成包括薄膜晶體管漏極5-2、有源層6、柵極絕緣層4、柵極2的圖形，以及剩余的柵線21金屬薄膜、剩余的柵極絕緣層薄膜40、剩余的有源層薄膜60。
[0063]如圖7所示，步驟三、在完成上述步驟的基底I上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層8、公共電極3，以及柵線21的圖形，其中，所述公共電極3為狹縫電極，并通過(guò)鈍化層8與所述有源層6和像素電極9隔開(kāi)。
[0064]如圖8、9所示,該步驟具體包括:
[0065]S301、在形成有薄膜晶體管漏極5-2、有源層6、柵極絕緣層4、柵極2和柵線21的基底I上采用化學(xué)氣相沉積的方法形成鈍化層薄膜80，再采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的方法形成第二透明導(dǎo)電薄膜30。
[0066]其中，第二透明導(dǎo)電薄膜30的厚度在100?1000 A之間；第二透明導(dǎo)電薄膜30采用氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋁鋅等材料；鈍化層薄膜80采用氧化物、氮化物或氧氮化物等。
[0067]S302、在完成上述步驟的基底I上涂覆第三光刻膠層103，進(jìn)行曝光形成第三光刻膠保留區(qū)和第三光刻膠去除區(qū)，進(jìn)行顯影將第三光刻膠去除區(qū)的光刻膠完全去除，第三光刻膠保留區(qū)的光刻膠完全保留。
[0068]S303、對(duì)完成上述步驟的基底I采用濕法刻蝕，將第三光刻膠去除區(qū)的第二透明導(dǎo)電薄膜30去除，采用干法刻蝕，將第三光刻膠去除區(qū)的鈍化層薄膜80去除，采用濕法刻蝕，將第三光刻膠去除區(qū)的剩余的柵極金屬薄膜20去除，采用干法刻蝕，將第三光刻膠去除區(qū)的剩余的柵極絕緣層薄膜40去除，采用濕法刻蝕，將第三光刻膠去除區(qū)的剩余的有源層薄膜60去除。
[0069]S304、將完成上述步驟的基底I上的剩余光刻膠剝離，形成包括鈍化層8和公共電極3的圖形，同時(shí)在位于數(shù)據(jù)線上方的剩余的柵極金屬薄膜跨越數(shù)據(jù)線的兩側(cè)形成隔斷201，用于形成斷開(kāi)的柵線21的圖形。
[0070]本實(shí)施例中所提供的陣列基板的制備方法，只采用3次掩膜板，大大的節(jié)約制備成本，提高了生產(chǎn)效率，適應(yīng)性更強(qiáng)。
[0071]實(shí)施例2:
[0072]如圖11所示，本實(shí)施例提供一種陣列基板，包括像素電極9、公共電極3、薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的源極5-1和漏極5-2下方設(shè)有與其重合的第一透明導(dǎo)電層，所述像素電極9設(shè)于所述薄膜晶體管源極5-1、漏極5-2所在層下方，且所述漏極5-2下方的第一透明導(dǎo)電層與所述像素電極9形成為一體，所述薄膜晶體管有源層6覆蓋所述源極5-1、漏極5-2并通過(guò)柵極絕緣層4與柵極2隔開(kāi)，所述鈍化層8設(shè)于所述柵極2和所述像素電極9上方，所述公共電極3設(shè)于鈍化層8上方；其中，所述薄膜晶體管有源層6與柵極絕緣層4，以及柵極2的圖形相同，所述鈍化層8與公共電極3的圖形相同。
[0073]當(dāng)然本實(shí)施例的陣列基板可以由實(shí)施例1所述的制備方法制備，采用3次掩膜板，大大的節(jié)約制備成本，提高了生產(chǎn)效率，適應(yīng)性更強(qiáng)。
[0074]其中，該陣列基板還包括柵線21和數(shù)據(jù)線，所述柵線21與所述薄膜晶體管的柵極2連接，所述數(shù)據(jù)線與所述薄膜晶體管的源極5-1連接其中，所述柵線21包括柵線本體和設(shè)于數(shù)據(jù)線上方并與柵線本體形成為一體的凸出部，且各個(gè)柵線21的凸出部通過(guò)隔斷201隔開(kāi)。
[0075]優(yōu)選地，所述薄膜晶體管為金屬氧化物薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管中任意一種。
[0076]本實(shí)施的陣列基板中各層結(jié)構(gòu)所采用的材料可以與實(shí)施例1中相同，在此不重復(fù)贅述。
[0077]實(shí)施例3:
[0078]本實(shí)施例提供一種顯示裝置，其包括上述陣列基板，該顯示裝置可以為:手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0079]本實(shí)施例的顯示裝置中具有實(shí)施例2中的陣列基板，故其成本較低。
[0080]當(dāng)然，本實(shí)施例的顯示裝置中還可以包括其他常規(guī)結(jié)構(gòu)，如電源單元、顯示驅(qū)動(dòng)單元等。
[0081]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括: 在基底上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括像素電極和薄膜晶體管源極的圖形，其中，所述像素電極設(shè)于所述源極所在層的下層； 在完成上述步驟的基底上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括薄膜晶體管漏極、有源層、柵極絕緣層和柵極的圖形，其中，所述有源層覆蓋所述源、漏極，并通過(guò)柵極絕緣層與柵極隔開(kāi)； 在完成上述步驟的基底上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層、公共電極，以及柵線的圖形，其中，所述公共電極為狹縫電極，并通過(guò)鈍化層與所述有源層和像素電極隔開(kāi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在基底上通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括像素電極和薄膜晶體管源極的圖形具體包括: 在基底上依次形成第一透明導(dǎo)電薄膜和源漏金屬薄膜； 在完成上述步驟的基底上涂覆第一光刻膠層，進(jìn)行曝光形成第一光刻膠保留區(qū)和第一光刻膠去除區(qū)，進(jìn)行顯影將第一光刻膠去除區(qū)的光刻膠完全去除，第一光刻膠保留區(qū)的光刻月父完全保留； 對(duì)完成上述步驟的基底采用濕法刻蝕，將第一光刻膠去除區(qū)的源漏金屬薄膜以及第一透明導(dǎo)電薄膜去除； 將完成上述步驟的基底上的剩余光刻膠剝離，形成包括像素電極、薄膜晶體管源極的圖形的同時(shí)還形成包括數(shù)據(jù)線的圖形，以及位于所述像素電極上方的剩余的源漏金屬薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括薄膜晶體管漏極、有源層、柵極絕緣層和柵極的圖形具體包括: 在形成有像素電極、薄膜晶體管源極、數(shù)據(jù)線，以及位于所述像素電極上方的剩余的源漏金屬薄膜的基底上依次形成有源層薄膜、柵極絕緣層薄膜和柵極金屬薄膜； 在完成上述步驟的基底上涂覆第二光刻膠層，進(jìn)行曝光形成第二光刻膠保留區(qū)和第二光刻膠去除區(qū)，進(jìn)行顯影將第二光刻膠去除區(qū)的光刻膠完全去除，第二光刻膠保留區(qū)的光刻月父完全保留； 對(duì)完成上述步驟的基底采用濕法刻蝕，將第二光刻膠去除區(qū)的柵極金屬薄膜去除，采用干法刻蝕，將第二光刻膠去除區(qū)的柵極絕緣層薄膜去除，采用濕法刻蝕，將第二光刻膠去除區(qū)的有源層薄膜以及剩余的源漏金屬層薄膜去除； 將完成上述步驟的基底上的剩余光刻膠剝離，形成包括薄膜晶體管漏極、有源層、柵極絕緣層、柵極的圖形，以及位于數(shù)據(jù)線上方的剩余的柵極金屬薄膜、剩余的柵極絕緣層薄膜、剩余的有源層薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層、公共電極，以及柵線的圖形具體包括: 在形成有薄膜晶體管漏極、有源層、柵極絕緣層、柵極和柵線的基底上依次形成鈍化層薄膜和第二透明導(dǎo)電薄膜； 在完成上述步驟的基底上涂覆第三光刻膠層，進(jìn)行曝光形成第三光刻膠保留區(qū)和第三光刻膠去除區(qū)，進(jìn)行顯影將第三光刻膠去除區(qū)的光刻膠完全去除，第三光刻膠保留區(qū)的光刻膠完全保留；對(duì)完成上述步驟的基底采用濕法刻蝕，將第三光刻膠去除區(qū)的第二透明導(dǎo)電薄膜去除，采用干法刻蝕，將第三光刻膠去除區(qū)的鈍化層薄膜去除，采用濕法刻蝕，將第三光刻膠去除區(qū)的剩余的柵極金屬薄膜去除，采用干法刻蝕，將第三光刻膠去除區(qū)的剩余的柵極絕緣層薄膜去除，采用濕法刻蝕，將第三光刻膠去除區(qū)的剩余的有源層薄膜去除； 將完成上述步驟的基底上的剩余光刻膠剝離，形成包括鈍化層、公共電極，以及柵線的圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵線的圖形具體包括: 將位于所述數(shù)據(jù)線上方的剩余的柵極金屬薄膜形成隔斷，用于形成與所述數(shù)據(jù)線上方的剩余的柵極金屬薄膜斷開(kāi)的柵線的圖形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述有源層的材料為金屬氧化物、非晶硅、多晶硅中任意一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述金屬氧化物為氧化銦錫、氧化銦鎵錫、氧化銦鋅、氧化鋁鋅中任意一種。
8.—種陣列基板，包括像素電極、公共電極、薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管的源極和漏極下方設(shè)有與其重合的第一透明導(dǎo)電層，所述像素電極設(shè)于所述薄膜晶體管源、漏極所在層下方，且所述漏極下方的第一透明導(dǎo)電層與所述像素電極形成為一體，所述薄膜晶體管有源層覆蓋所述源、漏極并通過(guò)柵極絕緣層與柵極隔開(kāi)，所述鈍化層設(shè)于所述柵極和所述像素電極上方，所述公共電極設(shè)于鈍化層上方；其中， 所述薄膜晶體管有源層與柵極絕緣層，以及柵極的圖形相同，所述鈍化層與公共電極的圖形相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線與所述薄膜晶體管的柵極連接，所述數(shù)據(jù)線與所述薄膜晶體管的源極，其中，所述柵線包括柵線本體和設(shè)于數(shù)據(jù)線上方并與柵線形成為一體的凸出部，且所述各個(gè)柵線的凸出部通過(guò)隔斷隔開(kāi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為金屬氧化物薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管中任意一種。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求8~10中任意一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK103928406SQ201410129376
【公開(kāi)日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2014年4月1日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月1日
【發(fā)明者】孫雙, 張方振, 牛菁 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司