本揭露是關(guān)于P型半導(dǎo)體裝置用的HK/MG程序流程，更尤指使用信道硅鍺調(diào)協(xié)各類PMOS裝置功函數(shù)的HK/MG程序流程。

背景技術(shù)：
現(xiàn)今集成電路大多數(shù)是使用多個(gè)亦稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFETS)或簡稱MOS晶體管的互連場效晶體管(FETS)予以實(shí)現(xiàn)。一般而言，現(xiàn)今集成電路是通過形成在具有給定表面區(qū)的芯片之上的數(shù)百萬個(gè)MOS晶體管予以實(shí)現(xiàn)。在MOS晶體管中，流經(jīng)MOS晶體管源極與漏極之間所形成信道的電流是經(jīng)由通常布置在信道上方的柵極予以控制，與所斟酌的是否為PMOS晶體管或NMOS晶體管無關(guān)。為了控制MOS晶體管，對柵極的柵極電極施加電壓，以及當(dāng)施加的電壓大于閾值電壓時(shí)，流經(jīng)信道的電流被感應(yīng)。因此，閾值電壓表示MOS晶體管的切換特性，MOS晶體管的效能關(guān)鍵地取決于閾值電壓如何精確的實(shí)現(xiàn)。在晶體管制造期間將閾值電壓調(diào)整至特定值為高度尖端的工作，因?yàn)殚撝惦妷喝Q于以非平凡方式上如大小、材料等各種晶體管特性。得輕易查知的是，有必要在制造程序期間進(jìn)一步調(diào)協(xié)與調(diào)整，取決于待運(yùn)用晶體管的特定應(yīng)用，以特定閾值等級界定閾值電壓。然而，制造MOS晶體管時(shí)用到的任何處理程序都應(yīng)該避免誘發(fā)不理想的閾值電壓變異。基本上，目前提供更輕巧且功能性電子裝置的技術(shù)要求半導(dǎo)體裝置具有在不同的閾值電壓級別精確地調(diào)整閾值電壓。因此，斟酌的是具有裝置類型（亦稱特點(diǎn)）不同的裝置，如低閾值電壓(LVT)裝置、正常閾值電壓(RVT)裝置、高閾值電壓(HVT)裝置、以及超高閾值電壓(SHVT)裝置。本文中，HVT裝置的閾值電壓等級大于RVT裝置的閾值電壓大約80毫伏(mV)。SHVT裝置相對于RVT裝置在閾值電壓等級上甚至顯示有范圍約140至160毫伏的差值。傳統(tǒng)上，復(fù)雜的IC結(jié)構(gòu)可具有大量LVT裝置、RVT裝置、HVT裝置及SHVT裝置，而一種類型的裝置的閾值電壓不應(yīng)該顯示相對于理想值的不可接受的變異。因此，所作的努力是針對調(diào)協(xié)、調(diào)整或甚至補(bǔ)償閾值電壓的差異以及最小化制造期間的多余變異。傳統(tǒng)上，調(diào)協(xié)閾值電壓用的一些措施含括進(jìn)行分別適用在各半導(dǎo)體裝置類型的注入程序，以適度設(shè)定所需閾值電壓至理想值。例如，按照習(xí)知進(jìn)行光暈注入程序，用在制造如MOS晶體管之類具有短信道（例如，信道長度小于50奈米(nm)）的現(xiàn)代半導(dǎo)體裝置時(shí)調(diào)整閾值電壓。本文中，從而形成的光暈區(qū)朝信道包圍各晶體管的源極與漏極擴(kuò)展區(qū)?；旧希鈺瀰^(qū)為摻有導(dǎo)電性類型類似主動區(qū)周圍所呈現(xiàn)般的摻雜物的區(qū)域，因此，關(guān)于源極與漏極摻雜表示反摻雜區(qū)。然而，光暈區(qū)中的摻雜物濃度比周圍主動區(qū)高。目前，光暈區(qū)表示用在降低分別出現(xiàn)在小柵極長度尺度及短信道長度尺度的所謂短信道效應(yīng)的習(xí)知措施。顯而易見的是，隨著越過單一半導(dǎo)體晶圓的不同區(qū)域中或許形成各種裝置類型或特點(diǎn)的裝置，各區(qū)域變得有必要個(gè)別調(diào)協(xié)以便最小化多余變異。結(jié)果是復(fù)雜的處理流程，甚至造成因包含新程序而為越過晶圓之閾值電壓帶來高到不可接受之變異的風(fēng)險(xiǎn)，下面的說明將更清楚。如上所述，閾值電壓取決于許多不同因素，其中的晶體管功函數(shù)為重要特性。例如，在PMOS裝置中，功函數(shù)的調(diào)協(xié)含括在晶體管信道區(qū)上方形成硅鍺材料薄信道。通常稱為硅鍺信道(cSiGe)之硅鍺材料的信道按照習(xí)知是布置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的信道區(qū)與半導(dǎo)體襯底上方所形成的柵極電極之間。一般而言，cSiGe具有范圍由80至100埃的厚度。重要的是要注意cSiGe的厚度對各別PMOS晶體管的閾值電壓具有顯著影響，以及cSiGe的任何變異都誘發(fā)閾值電壓變異。因此，所證實(shí)的是，控制MOS晶體管閾值電壓是錯(cuò)綜復(fù)雜的工作，當(dāng)其在應(yīng)用在具有不同等級的閾值電壓的不同類MOS晶體管裝置時(shí)變得更復(fù)雜。考量如下所述時(shí)更為復(fù)雜：根據(jù)習(xí)知的程序流程，各裝置是曝露在各個(gè)注入程序，如上所述的光暈注入程序。然而，各裝置類型都必需曝露在不同注入程序，以對各單一裝置類型適度設(shè)定閾值電壓，以便取決于所需特點(diǎn)或類型實(shí)現(xiàn)各種不同等級的閾值電壓。亦即，需要各種不同注入程序，其中各注入程序都含括其專用掩模圖樣以供可靠地?fù)诫s專用裝置區(qū)，從而將閾值電壓調(diào)協(xié)至理想等級。隨著所需注入劑量是用在補(bǔ)償閾值電壓的多余差異，取決于裝置類型，按照習(xí)知，所增加的光暈注入劑量是用在HVT及SHVT裝置的案例。另一方面，高注入劑量提供效能衰減的問題，這是不可接受的，尤其是對先進(jìn)半導(dǎo)體裝置而言。例如，注入程序增加的數(shù)量含括額外掩模及移除程序增加的數(shù)量，這帶來進(jìn)一步以失控方式變動閾值電壓的風(fēng)險(xiǎn)。上面概述的問題將參照圖1予以描述，其描述HVT及SHVT類半導(dǎo)體裝置的效能如何相對于RVT及LVT裝置降低。已知此現(xiàn)象的原因?yàn)镠VT及SHVT裝置相較于RVT及LVT裝置的極高光暈注入劑量。曝露在高注入劑量的掩模圖樣在遭受掩模移除程序時(shí)，顯示比曝露在具有中或低注入劑量的注入程序的掩模圖樣還大的電阻。亦即，移除曝露的掩模圖樣可能會留下掩模殘留物，并且因而影響后續(xù)處理或可能會破壞已形成的結(jié)構(gòu)。圖1描述裝置導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)的漏極電流（縱坐標(biāo)上所示的IDS）與裝置閉斷時(shí)的漏極電流（橫坐標(biāo)上所示的IOFF）之間的關(guān)系，其常稱為通用曲線并且是由本案發(fā)明人所得到。本文中，測量點(diǎn)是以三角形表示。圖1中參考SHVT所標(biāo)示的區(qū)域表示以SHVT樣本裝置進(jìn)行的測量。圖1中參考HVT所標(biāo)示的區(qū)域表示以HVT樣本裝置進(jìn)行的測量。圖1中參考RVT所標(biāo)示的區(qū)域表示以RVT樣本裝置進(jìn)行的測量。圖1中參考LVT所標(biāo)示的區(qū)域表示以LVT樣本裝置進(jìn)行的測量。如圖1所示，比較LVT、RVT、HVT及SHVT區(qū)域，導(dǎo)通狀態(tài)下的漏極電流是降低。尤其是，SHVT及HVT區(qū)域相較于RVT及LVT區(qū)域在導(dǎo)通狀態(tài)下顯示較低的漏極電流。鑒于上面說明，希望提供PMOS半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)用的改良型HK/MG程序流程及PMOS裝置結(jié)構(gòu)，使得至少一些前述衰減效應(yīng)在未避免的情況下得以降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
下文介紹簡化的發(fā)明內(nèi)容，用以對本發(fā)明的若干態(tài)樣有基本的了解。本發(fā)明內(nèi)容不是本發(fā)明的詳盡概觀。其目的不在于識別本發(fā)明的主要或關(guān)鍵組件，或敘述本發(fā)明的范疇。其唯一目的在于以簡化形式介紹若干概念，作為下文所述更詳細(xì)說明的引言。根據(jù)本揭露的第一態(tài)樣，提供形成半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的方法。在一些描述性具體實(shí)施例中，本方法包括在半導(dǎo)體襯底中提供第一PMOS主動區(qū)和第二PMOS主動區(qū)，在第一PMOS主動區(qū)上方形成第一掩模圖樣，根據(jù)第一掩模圖樣在第二PMOS主動區(qū)上方形成硅鍺層，移除第一掩模圖樣，以及在第一與第二PMOS主動區(qū)上方形成柵極電極結(jié)構(gòu)。根據(jù)本揭露的第二態(tài)樣，提供形成半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的方法。在一些描述性具體實(shí)施例中，本方法包括提供具有第一主動區(qū)與第二主動區(qū)的半導(dǎo)體襯底，其中僅第二主動區(qū)具有形成在其上的硅鍺層，提供形成在第一主動區(qū)之上的第一PMOS裝置，第一PMOS裝置包含第一柵極電極結(jié)構(gòu)，提供形成在第二主動區(qū)上方的第二PMOS裝置，第二PMOS裝置包含形成在硅鍺層之上的第二柵極電極結(jié)構(gòu)，以及進(jìn)行第一注入程序，以在第二主動區(qū)中的第二柵極電極結(jié)構(gòu)對置側(cè)形成光暈區(qū)，同時(shí)第一主動區(qū)曝露在第一注入程序時(shí)則受到掩模圖樣的保護(hù)。根據(jù)本揭露的第三態(tài)樣，提供半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。在一些描述性具體實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包括具有第一主動區(qū)與第二主動區(qū)的半導(dǎo)體襯底，其中僅第二主動區(qū)具有形成在其上的硅鍺層，在第一主動區(qū)之上形成第一PMOS裝置，第一PMOS裝置具有第一柵極電極結(jié)構(gòu)，以及在第二主動區(qū)上方形成第二PMOS裝置，第二PMOS裝置具有布置在硅鍺層之上的第二柵極電極結(jié)構(gòu)。附圖說明可搭配附圖參照底下說明以了解本揭露，其中相稱的參考組件符號視為相稱的組件，以及其中：圖1概要描述表示如本案發(fā)明人所得HVT、SHVT、LVT和RVT樣本裝置的通用曲線的關(guān)系；圖2a至圖2e以剖面圖概要表示根據(jù)本揭露一些描述性具體實(shí)施例在制造期間在較早期階段形成半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的方法；圖3a至圖3b以剖面圖概要表示根據(jù)本揭露一些描述性具體實(shí)施例在制造期間在更晚期階段形成半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的方法；圖4以剖面圖概要表示根據(jù)本揭露一些描述性具體實(shí)施例在制造期間在更晚期階段的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)；圖5a至圖5c以剖面圖概要表示根據(jù)本揭露一些描述性具體實(shí)施例的不同類半導(dǎo)體裝置；以及圖6概要表示本案發(fā)明人所進(jìn)行測量的結(jié)果。盡管本文所揭示的專利標(biāo)的(subjectmatter)易受各種改進(jìn)和替代形式所影響，其特定具體實(shí)施例仍已通過圖式中的實(shí)施例予以表示并且在本文中予以詳述。然而，應(yīng)理解的是，本文對特定具體實(shí)施例的說明其用意不在于限制本發(fā)明所揭露的特殊形式，相反地，用意在于含括落于如權(quán)利要求所界定本發(fā)明精神與范疇內(nèi)的所有改進(jìn)、均等物、以及替代。具體實(shí)施方式下面說明的是本發(fā)明的各個(gè)描述性具體實(shí)施例。為了澄清，本說明書未說明實(shí)際實(shí)現(xiàn)的所有特征。當(dāng)然，將領(lǐng)會的是，在開發(fā)任何此類實(shí)際具體實(shí)施例時(shí)，可施作許多特定實(shí)現(xiàn)的決策以達(dá)成開發(fā)者的目的，如符合系統(tǒng)相關(guān)和商務(wù)相關(guān)限制條件之類，此將隨不同實(shí)現(xiàn)而變。再者，將領(lǐng)會的是，此類開發(fā)上的努力可能復(fù)雜且耗時(shí)，但對于具有本揭露利益之所屬技術(shù)領(lǐng)域具有普通技術(shù)者而言，將是例行工作?，F(xiàn)將引用附圖說明本揭露。圖式中所示意的各種結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)及裝置其目的僅在說明而非為了以所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知的細(xì)節(jié)混淆本揭露。雖然如此，仍含括附圖以說明并且解釋本揭露的描述性實(shí)施例。應(yīng)該理解并且解讀本文的用字及詞組與所屬相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解的用字及詞組具有兼容的意義。術(shù)語或詞組沒有特殊定義，即有別于所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解的普通或慣用意義的定義，其用意是要通過本文對于術(shù)語或詞組的一致性用法予以隱喻。術(shù)語或詞組用意在于具有特殊意義，即不同于所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解的術(shù)語或詞組，此特殊定義應(yīng)在說明書中以直接并且明確提供術(shù)語或詞組特殊定義的明確方式予以清楚提出。本發(fā)明是關(guān)于形成半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的方法以及關(guān)于半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)可包含整合在芯片之上或中的多個(gè)半導(dǎo)體裝置，如多個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體裝置（MOS裝置）。提及MOS裝置時(shí)，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解的是，雖然使用措辭「MOS裝置」，用意仍非局限在含金屬柵極材料及/或含氧化物柵極介電材料。如底下本揭露一些描述性具體實(shí)施例詳細(xì)說明所述，可通過使用先進(jìn)技術(shù)所制造的MOS裝置提供半導(dǎo)體裝置。例如，本揭露的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)可通過接近小于100奈米之技術(shù)節(jié)點(diǎn)，例如小于50奈米或小于35奈米，的技術(shù)予以制造。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解的是，本揭露考量半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)具有最小長度尺寸及/或最小寬度尺寸小于100奈米，例如小于奈米或小于35奈米。在說明下列圖標(biāo)時(shí)，將描述的是根據(jù)本揭露各個(gè)示例性具體實(shí)施例的集成電路組件及形成半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的方法。所述程序、程序順序、程序步驟、步驟及材料要僅視為表示經(jīng)設(shè)計(jì)用以對所屬技術(shù)領(lǐng)域具備普通技術(shù)者描述實(shí)踐本發(fā)明的方法的示例性具體實(shí)施例。然而，要理解的是，本發(fā)明非專門限制在所示及所述的示例性具體實(shí)施例，因?yàn)榇嬖谠S多可能的修改及變更，所屬技術(shù)領(lǐng)域具備普通技術(shù)的人員搭配附圖及以上先前技術(shù)與發(fā)明內(nèi)容一起研讀本實(shí)施方式后，將清楚知道這些修改及變更。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的所示部位可僅包括單一組件，但所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解的是半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的實(shí)際實(shí)現(xiàn)可包括大量半導(dǎo)體裝置。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員了解的是，半導(dǎo)體裝置可予以制造成P信道MOS裝置或PMOS裝置以及制造成N信道裝置或NMOS裝置，并且兩者都可經(jīng)制造而具有或不具有遷移率強(qiáng)化應(yīng)力源特征或應(yīng)變誘發(fā)特征。尤其是，在PMOS裝置，P型摻雜源極/漏極區(qū)是形成在普通中性或稍微N型摻雜半導(dǎo)體襯底中或在一部分半導(dǎo)體襯底中所形成的n型井部中，其中導(dǎo)電信道是誘發(fā)在裝置的導(dǎo)電或?qū)顟B(tài)。半導(dǎo)體裝置制造時(shí)的各個(gè)步驟是廣為人知的，所以，為了簡便起見，許多習(xí)知步驟在本文將僅簡述，或?qū)⑼耆÷远惶峁V為人知的程序細(xì)部。在本揭露的一些態(tài)樣中，半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)可包含設(shè)在半導(dǎo)體襯底中的第一PMOS主動區(qū)與第二PMOS主動區(qū)。根據(jù)本文的一些描述性具體實(shí)施例，可通過在第一PMOS主動區(qū)上方形成第一掩模圖樣而形成半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。根據(jù)第一掩模圖樣，可在第二PMOS主動區(qū)上方形成硅鍺層。移除第一PMOS主動區(qū)上方的第一掩模圖樣后，在第一與第二PMOS主動區(qū)上方形成柵極電極結(jié)構(gòu)。在本文的一些描述性具體實(shí)施例中，第一掩模圖樣可通過在第一與第二PMOS主動區(qū)上方沉積掩模層并且使用微影技術(shù)樣予以形成一掩模圖樣，以曝露第二PMOS主動區(qū)同時(shí)包覆第一PMOS主動區(qū)來形成。因此，可在第二PMOS主動區(qū)之上而不在第一PMOS主動區(qū)之上沉積硅鍺層。在一些描述性具體實(shí)施例中，第一PMOS主動區(qū)可僅遭受第3族元素?fù)诫s，第3族例如包含B、Al、Ga及In。因此，可為了將摻雜物注入到第一PMOS主動區(qū)內(nèi)而進(jìn)行一或多道注入程序，其中摻雜物僅由第3族元素提供。因此，源極/漏極區(qū)或連同源極/漏極擴(kuò)展區(qū)的源極/漏極區(qū)是形成在第一PMOS主動區(qū)中。然而，如光暈區(qū)之類關(guān)于源極/漏極區(qū)顯示反向摻雜的反摻雜區(qū)不是形成在第一PMOS主動區(qū)中。因此，第一PMOS主動區(qū)中提供的PMOS裝置不具有反摻雜區(qū)。在一些特殊實(shí)施例中，硼(B)可為用在摻雜第一PMOS主動區(qū)的唯一摻雜物。在一些描述性具體實(shí)施例中，可進(jìn)行一或多道注入程序以將摻雜物注入到第一PMOS主動區(qū)內(nèi)，其中摻雜物是沿著垂直在第一PMOS主動區(qū)曝露表面的方向予以實(shí)質(zhì)注入。在一些描述性具體實(shí)施例中，柵極電極結(jié)構(gòu)已形成后，可在第一PMOS主動區(qū)上方形成第二掩模圖樣。根據(jù)第二掩模圖樣，可為了在第二PMOS主動區(qū)中形成光暈區(qū)而進(jìn)行具有第一光暈注入劑量的第一注入程序。因此，光暈區(qū)是設(shè)在柵極電極結(jié)構(gòu)的對置側(cè)，柵極電極結(jié)構(gòu)是形成在第二PMOS主動區(qū)之上硅鍺層的上方。因此，得以調(diào)整第二PMOS主動區(qū)上方所形成柵極電極結(jié)構(gòu)的閾值電壓。在本文的一些描述性實(shí)施例中，可在第二PMOS主動區(qū)上方形成第三掩模圖樣，以及可根據(jù)第三掩模圖樣進(jìn)行具有第二光暈劑量的第二注入程序，以在第一PMOS主動區(qū)中形成輕度摻雜光暈區(qū)。在本文中，第二光暈劑量實(shí)質(zhì)小于第一光暈劑量。因此，可通過第二注入程序在第一PMOS主動區(qū)中形成光暈區(qū)，以及在第一PMOS主動區(qū)中從而形成的光暈區(qū)其摻雜物濃度實(shí)質(zhì)低于第二PMOS主動區(qū)中所形成光暈區(qū)的摻雜物濃度。在本揭露的其它態(tài)樣中，可形成具有半導(dǎo)體襯底及第一PMOS主動區(qū)與第二PMOS主動區(qū)的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，其中，對于第一PMOS主動區(qū)與第二PMOS主動區(qū)，僅第二PMOS主動區(qū)具有硅鍺層形成在其上。包含第一柵極電極結(jié)構(gòu)的第一PMOS裝置是形成在第一PMOS主動區(qū)之上。第二PMOS裝置是形成在第二主動區(qū)上方，其中第二PMOS裝置包含形成在硅鍺層之上的第二柵極電極結(jié)構(gòu)。在進(jìn)行第一注入程序以在第二PMOS主動區(qū)中的第二柵極電極結(jié)構(gòu)對置側(cè)形成光暈區(qū)，而第一PMOS主動區(qū)曝露在第一注入程序時(shí)則受到掩模圖樣的保護(hù)，光暈區(qū)是形成在第二PMOS主動區(qū)中。在一些描述性具體實(shí)施例中，可在第一注入程序后，進(jìn)行用于在第一PMOS主動區(qū)中形成光暈區(qū)的第二注入程序，其中第二注入程序的注入劑量實(shí)質(zhì)小于第一注入程序的注入劑量。按照這個(gè)方式，在第一PMOS主動區(qū)中的第一柵極電極結(jié)構(gòu)對置側(cè)形成光暈區(qū)，其中第一PMOS主動區(qū)中光暈區(qū)內(nèi)的摻雜物濃度實(shí)質(zhì)低于第二PMOS主動區(qū)中所形成光暈區(qū)內(nèi)的摻雜物濃度。在一些描述性具體實(shí)施例中，可進(jìn)行深入第一PMOS主動區(qū)內(nèi)的一或多道注入程序，其中第一PMOS主動區(qū)僅遭受包含第3族元素的摻雜注入程序。因此，第一PMOS裝置可僅包含具有摻雜物是由注入在其中之第3族元素所提供的摻雜區(qū)。尤其是，第一PMOS裝置可不具有相對在源極/漏極區(qū)的反摻雜區(qū)。在一些描述性具體實(shí)施例中，可進(jìn)行一或多道深入第一PMOS主動區(qū)內(nèi)的摻雜注入程序，其中一或多道摻雜注入程序?qū)嵸|(zhì)垂直在第一PMOS主動區(qū)的曝露表面。在本揭露的再一態(tài)樣中，提供半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，其包含具有第一PMOS主動區(qū)與第二PMOS主動區(qū)的半導(dǎo)體襯底，其中僅第二PMOS主動區(qū)具有形成在其上的硅鍺層。第一PMOS裝置是形成在第一PMOS主動區(qū)之上及之中，其中第一PMOS裝置具有第一柵極電極結(jié)構(gòu)。第二PMOS裝置是形成在第二主動區(qū)上方，其中第二PMOS裝置具有布置在硅鍺層之上的第二柵極電極結(jié)構(gòu)。在一些描述性具體實(shí)施例中，由第一與第二PMOS主動區(qū)來看，光暈區(qū)僅形成在第二PMOS主動區(qū)中。因此，僅第二PMOS裝置具有相對在源極/漏極區(qū)的反摻雜區(qū)。在一些描述性具體實(shí)施例中，第一PMOS裝置為HVT類，以及第二PMOS裝置呈LVT類或RVT類。在一些描述性具體實(shí)施例中，第一PMOS主動區(qū)具有以第一摻雜物濃度形成在其中的第一光暈區(qū)，以及第二PMOS主動區(qū)具有以第二摻雜物濃度形成在其中的第二光暈區(qū)，其中第一摻雜物濃度實(shí)質(zhì)小于第二摻雜物濃度。因此，第一PMOS裝置具有顯示摻雜物濃度實(shí)質(zhì)低于第二PMOS裝置光暈區(qū)內(nèi)摻雜物濃度的光暈區(qū)。在本文的一些描述性實(shí)施例中，第二摻雜物濃度對第一摻雜物濃度的比率可為二或更大。另外，及/或或者另一種選擇，第一PMOS裝置可為SHVT類，以及第二PMOS裝置可為RVT類或LVT類。在一些描述性具體實(shí)施例中，第一PMOS主動區(qū)是以僅包含第3族元素的摻雜物予以摻雜。因此，第一PMOS裝置可僅具有由注入在其中之第3族元素所提供的摻雜物。在一些特殊實(shí)施例中，第一主動區(qū)可僅以硼(B)予以摻雜。本揭露各個(gè)態(tài)樣的一些描述性具體實(shí)施例現(xiàn)將參照圖2a至6予以更詳細(xì)說明。圖2a概要表示制造期間在早期階段半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的剖面圖，其中，為了易于描述，僅繪制半導(dǎo)體裝置200A及200B?？商峁┌雽?dǎo)體裝置200A與200B為鄰接的半導(dǎo)體裝置。然而，這未對本揭露造成任何限制，并且所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解的是，可通過一或多個(gè)置于其之間的半導(dǎo)體裝置（圖未示）所隔開具間距的半導(dǎo)體裝置以形成半導(dǎo)體裝置200A與200B。例如，半導(dǎo)體裝置200A與200B之一可形成在通過半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)所實(shí)現(xiàn)集成電路的周圍區(qū)域。在圖2a所示的制造階段，半導(dǎo)體裝置200A與200B是形成在半導(dǎo)體襯底202中及之上。半導(dǎo)體襯底202可為主體半導(dǎo)體襯底，或其可為所謂SOI（絕緣體上硅晶）襯底或所謂SGOI（絕緣體上硅鍺）襯底的半導(dǎo)體層。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解的是，應(yīng)該將術(shù)語「襯底」、「半導(dǎo)體襯底」或「半導(dǎo)電性襯底」理解為涵蓋如所屬技術(shù)領(lǐng)域中已知的所有半導(dǎo)體材料及此類半導(dǎo)體材料的所有形式。在本揭露的一些描述性具體實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底202可由硅、含硅材料或硅鍺材料所提供。主動區(qū)202A與202B是形成在半導(dǎo)體襯底202內(nèi)。主動區(qū)202A與半導(dǎo)體裝置200A有關(guān)聯(lián)，而主動區(qū)202B則與半導(dǎo)體裝置200B有關(guān)聯(lián)。在一些描述性具體實(shí)施例中，如圖2a所示，主動區(qū)202A與202B可通過可形成在半導(dǎo)體襯底202中的各別凹槽隔離結(jié)構(gòu)予以界定。界定主動區(qū)202A的凹槽隔離結(jié)構(gòu)是通過圖2a中的STI區(qū)204A予以表示，而界定主動區(qū)202B的凹槽隔離結(jié)構(gòu)則由STI區(qū)204B所提供。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解的是，為了易于描述，圖2a中僅描述一部分主動區(qū)202A與202B。例如，可在主動區(qū)202A與202B之間形成一或多個(gè)另外的STI區(qū)（圖未示），使得主動區(qū)202A與主動區(qū)202B隔開。措辭「主動區(qū)」在本文要予以理解為表示半導(dǎo)體襯底的未摻雜區(qū)或摻雜區(qū)，半導(dǎo)體裝置是要制造在所述區(qū)域中及之上。至于PMOS裝置，主動區(qū)可表示N型摻雜區(qū)形成在半導(dǎo)體襯底表面區(qū)內(nèi)。N型摻雜區(qū)可在一些先前的注入程序中予以注入，或可由相應(yīng)地預(yù)摻雜的半導(dǎo)體襯底所提供。例如，通過形成劃定所述區(qū)域之凹槽隔離結(jié)構(gòu)，界定半導(dǎo)體襯底表面區(qū)內(nèi)的多個(gè)區(qū)域，用以提供主動區(qū)。若從而形成的區(qū)域因摻雜物導(dǎo)電性類型相反之未摻雜半導(dǎo)體襯底或預(yù)摻雜半導(dǎo)體襯底而未顯示適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電性，至少一些劃定區(qū)域的摻雜可導(dǎo)致具有理想導(dǎo)電性類型的主動區(qū)。按照這個(gè)方式，PMOS裝置的主動區(qū)可提供有N型摻雜物組態(tài)。按照這個(gè)方式，通過適度圖型化掩模結(jié)構(gòu)以相應(yīng)地圖型化劃定區(qū)域，以及通過根據(jù)掩模結(jié)構(gòu)將適當(dāng)摻雜物引進(jìn)主動區(qū)，可提供多個(gè)摻雜有別的主動區(qū)。根據(jù)上面說明，設(shè)置主動區(qū)202A與202B，使得裝置200A與200B可予以制造成PMOS裝置。因此，可將主動區(qū)202A與202B理解為表示第一PMOS主動區(qū)202A與第二PMOS主動區(qū)202B，第一PMOS裝置200A與第二PMOS裝置200B是形成在其中及之上。在本揭露的一些明確描述性具體實(shí)施例中，可摻雜第一與第二PMOS主動區(qū)至少其一。在本揭露的一些明確描述性具體實(shí)施例中，可未摻雜第一與第二PMOS主動區(qū)至少其一。在一些描述性具體實(shí)施例中，如在圖2a及圖2b所述，在半導(dǎo)體襯底202中形成主動區(qū)202A與202B，其中半導(dǎo)體襯底202為未摻雜或稍微P型摻雜任何一者。在此情況下，如圖2b所示，主動區(qū)202A與202B通過如圖2a所示STI區(qū)204A與204B在半導(dǎo)體襯底202中劃定區(qū)域202A與202B而形成，隨后進(jìn)行注入程序IMP1以將N型摻雜物注入到劃定區(qū)域202A與202B內(nèi)，使得N型摻雜區(qū)在半導(dǎo)體襯底202內(nèi)形成，對于半導(dǎo)體裝置200A如破折線206A所示，以及對于半導(dǎo)體裝置200B如破折線206B所示。如破折線206A與206B所示，通過注入程序IMP1所注入，從而摻雜的區(qū)域202A與202B因此形成主動區(qū)202A與202B。這未對本揭露造成任何限制，并且可通過多道注入程序提供注入程序IMP1。如在圖2a及圖2b所述的描述性具體實(shí)施例未對本揭露造成任何限制。或者另一種選擇，兩個(gè)主動區(qū)202A與202B中的一個(gè)可為P型摻雜。在又其它替代具體實(shí)施例中，兩個(gè)主動區(qū)202A與202B中至少一個(gè)可未摻雜。了解的是，在具有初始N型摻雜形成在其中的襯底202，可不一定需要注入程序IMP1。將參照圖2c至圖2e進(jìn)一步說明的是本揭露的描述性具體實(shí)施例。圖2c表示制造期間在更晚期階段包含兩個(gè)半導(dǎo)體裝置200A與200B的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體裝置200A與200B尤其可表示如制造期間在較晚階段關(guān)于圖2a及圖2b所述的半導(dǎo)體裝置200A與200B。如圖2c所示，第一掩模圖樣MP1是形成在主動區(qū)202A上方，同時(shí)留下主動區(qū)202B未予以包覆，使得主動區(qū)202B曝露在后續(xù)處理。第一掩模圖樣MP1可為適度圖型化的掩?；蛴舱?。例如，第一掩模圖樣MP1可通過在主動區(qū)202A與202B上方形成掩模層而予以形成，如通過在半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)上方沉積掩模材料，并且隨后進(jìn)行圖型化程序，如使用已知的微影技術(shù)，用以形成如圖2c所示的第一掩模圖樣MP1。圖2d表示制造期間在更晚期階段包含半導(dǎo)體裝置200A與200B的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。在所示階段中，硅鍺層208是形成在主動區(qū)202B之上。例如，可根據(jù)第一掩模圖樣MP1在半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)之上選擇性地沉積硅鍺而形成硅鍺層208。因此，無硅鍺沉積在主動區(qū)202A之上。因此，由半導(dǎo)體裝置200A與200B來看，僅半導(dǎo)體裝置200B包含形成在主動區(qū)202B之上的硅鍺層208。圖2e表示制造期間在更晚期階段根據(jù)本揭露一些描述性具體實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。本文中，已進(jìn)行用在移除第一掩模圖樣MP1的程序，使得如圖2e所示的半導(dǎo)體裝置200A包含曝露在所示制造階段進(jìn)一步處理的主動區(qū)202A。半導(dǎo)體裝置200B包含形成在主動區(qū)202B之上的硅鍺層208?，F(xiàn)將參照圖3a及圖3b說明本揭露的一些描述性具體實(shí)施例。圖3a描述根據(jù)本揭露一些描述性具體實(shí)施例的制造期間在更晚期階段的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包含半導(dǎo)體裝置300A及半導(dǎo)體裝置300B，其中半導(dǎo)體裝置300A是形成在STI區(qū)304A所界定的主動區(qū)302A中及之上。半導(dǎo)體裝置300B是形成在STI區(qū)304B所界定的主動區(qū)302B中及之上。半導(dǎo)體裝置300A與300B可對應(yīng)到如參照上面圖2a至圖2e所述的各別半導(dǎo)體裝置200A與200B。在本揭露的一些描述性具體實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置300A與300B可通過進(jìn)一步處理如圖2e所示的半導(dǎo)體裝置200A與200B所得到的半導(dǎo)體裝置來表示，使得柵極電極結(jié)構(gòu)310A與310B是形成在各自的主動區(qū)之上?？赏ㄟ^使用已知的柵極先制程序得到柵極電極結(jié)構(gòu)310A與310B，使得各自的柵極堆棧312A與312B是形成在各自的主動區(qū)302A與302B上方。尤其是，形成在主動區(qū)302A之上的柵極堆棧312A可包含柵極介電質(zhì)，舉例如二氧化硅及/或高k材料層，以及功函數(shù)調(diào)整材料層與柵極電極，如多晶硅或金屬柵極電極。因此，形成在主動區(qū)302B上方并且布置在硅鍺層308之上的柵極堆棧312B可包含通過一或多個(gè)如鉿氧化物、鉿硅氮氧化物等等高k材料所形成的柵極介電質(zhì)、如鈦氮化物(titannitride)之功函數(shù)調(diào)整材料層、以及如多晶硅或金屬柵極電極的柵極電極。此外，側(cè)壁間隔物結(jié)構(gòu)314A是毗連在柵極堆棧312A予以形成。側(cè)壁間隔物結(jié)構(gòu)314B是毗連在柵極堆棧312B予以形成。例如，側(cè)壁間隔物結(jié)構(gòu)314A與314B可通過一或多層如硅氮化物、硅氧化物等等絕緣材料予以提供。在本文的一些描述性實(shí)施例中，可通過硅氮化物層提供側(cè)壁間隔物結(jié)構(gòu)314A與314B。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解的是，源極/漏極擴(kuò)展區(qū)（圖未示）可與柵極電極結(jié)構(gòu)312A與312B對齊而形成在主動區(qū)302A與302B中。在本文中，側(cè)壁間隔物結(jié)構(gòu)314A與314B可用在界定在源極/漏極擴(kuò)展區(qū)（圖未示）之間的橫向隔離，因此能調(diào)整有效的柵極長度。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解的是，使用熱退火程序（圖未示）時(shí)，可進(jìn)一步調(diào)整源極/漏極擴(kuò)展區(qū)（圖未示）深入柵極電極結(jié)構(gòu)310A與310B下面主動區(qū)302A與302B表面區(qū)內(nèi)的橫向位移。圖3b描述制造期間在更晚期階段如關(guān)于圖3a所述的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。如圖3b所示，第二掩模圖樣MP2是在半導(dǎo)體裝置300A上方形成，其中第二掩模圖樣MP2留下主動區(qū)302B未予以包覆，使得半導(dǎo)體裝置300B曝露在進(jìn)一步處理中，同時(shí)在進(jìn)一步處理中半導(dǎo)體裝置300A則受到保護(hù)?？衫萌缟纤鲫P(guān)于圖2c第一掩模圖樣MP1的程序順序形成第二掩模圖樣MP2?？蓪⑦M(jìn)一步處理應(yīng)用在半導(dǎo)體裝置300B，同時(shí)半導(dǎo)體裝置300A受到第二掩模圖樣MP2保護(hù)，因此，進(jìn)一步處理是與第二掩模圖樣MP2對齊而予以進(jìn)行。如圖3b所示，進(jìn)行第二注入程序IMP2以將摻雜物注入到主動區(qū)302B內(nèi)，使得光暈區(qū)320在主動區(qū)302B內(nèi)形成。在一些描述性具體實(shí)施例中，第二注入程序IMP2可具有大于約每平方公分3.5E13個(gè)原子的注入劑量。第二注入程序IMP2期間注入到主動區(qū)302B內(nèi)的摻雜物為由如N、P及As的第5族元素所提供的N型摻雜物。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解的是，光暈區(qū)320內(nèi)摻雜物的濃度可在大約每平方公分2.0-8.0E13個(gè)原子的范圍內(nèi)。第二注入程序IMP2是關(guān)于主動區(qū)302B曝露表面的法線方向予以取向，使得第二注入程序IMP2的注入方向相對在法線方向呈±30度的夾角，有小于約5度的精確度。在第二注入程序IMP2后，可移除第二掩模圖樣MP2以曝露半導(dǎo)體裝置300A，尤其是柵極電極結(jié)構(gòu)310A。關(guān)于圖4，將說明本揭露的一些描述性具體實(shí)施例。圖4根據(jù)本揭露的一些描述性具體實(shí)施例描述在更晚期階段包含半導(dǎo)體裝置400A與400B的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。在如圖4繪制所示的階段，半導(dǎo)體裝置400B是由第三掩模圖樣MP3包覆。第三掩模圖樣MP3形成，可類似關(guān)于圖2c所示的第一掩模圖樣MP1及圖3b所示的第二掩模圖樣MP2所運(yùn)用的程序。第三掩模圖樣MP3是在主動區(qū)402B上方形成，使得半導(dǎo)體裝置400B與柵極電極結(jié)構(gòu)410B是形成在受第三掩模圖樣MP3保護(hù)的主動區(qū)402B之上。柵極電極結(jié)構(gòu)410B包含柵極堆棧412B，舉例如類似上面關(guān)于圖3a及圖3b所述柵極堆棧312B的柵極堆棧。柵極堆棧412B是布置在硅鍺層408之上，其對應(yīng)到如上面關(guān)于圖2a至圖2e所述的硅鍺層208以及上面關(guān)于圖3a至圖3b所述的硅鍺層308。柵極電極結(jié)構(gòu)410B進(jìn)一步包含側(cè)壁間隔物結(jié)構(gòu)414B，其可對應(yīng)到如上面關(guān)于圖3a至圖3b所述的側(cè)壁間隔物結(jié)構(gòu)314B。主動區(qū)402B是由STI區(qū)404B所界定。STI區(qū)404B可對應(yīng)到如上面關(guān)于圖2a至圖3b所述的STI區(qū)204B及304B。第三掩模圖樣MP3是予以圖型化，使得半導(dǎo)體裝置400B遭到包覆，而半導(dǎo)體裝置400A則未予以包覆，因此曝露在進(jìn)一步處理。半導(dǎo)體裝置400A包含布置在主動區(qū)402A之上的柵極電極結(jié)構(gòu)410A、柵極堆棧412A以及側(cè)壁間隔物結(jié)構(gòu)414A。柵極電極結(jié)構(gòu)410A及主動區(qū)402A對應(yīng)到如上面關(guān)于圖3a至圖3b所述的柵極電極結(jié)構(gòu)310A以及對應(yīng)到如上面關(guān)于圖2a至圖3b所述的主動區(qū)202A與302A。類似地，主動區(qū)402A是由STI區(qū)404A所界定。關(guān)于STI區(qū)404A，參考如上面關(guān)于圖2a至圖3b所述對應(yīng)的STI區(qū)204A與304A。如圖4所示，可根據(jù)本揭露的一些描述性具體實(shí)施例進(jìn)行第三注入程序IMP3。進(jìn)行第三注入程序IMP3以將摻雜物注入到主動區(qū)402A內(nèi)，使得光暈區(qū)430在主動區(qū)402A中形成。尤其是，將第5族元素的摻雜物注入到主動區(qū)402A內(nèi)。第三注入程序IMP3可具有實(shí)質(zhì)小于約每平方公分3.3E13個(gè)原子的注入劑量。在一些描述性實(shí)施例中，第三注入程序IMP3的注入劑量可小于第二注入程序IMP2（圖3b）的注入劑量至少1.5的比例因素、或至少10的比例因素、至少50的比例因素。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解的是，第三注入程序IMP3可表示包含兩道注入步驟的注入序列，這兩道注入步驟的進(jìn)行是相對在主動區(qū)402A上表面的法線方向呈約30度絕對值的夾角。柵極電極結(jié)構(gòu)410A下面主動區(qū)402A中形成的光暈區(qū)430所具有N型摻雜物的摻雜物濃度可實(shí)質(zhì)低于半導(dǎo)體裝置400B的光暈區(qū)420內(nèi)N型摻雜物的濃度。例如，光暈區(qū)430內(nèi)N型摻雜物的濃度可小于光暈區(qū)420內(nèi)N型摻雜物濃度約2的比例因素、或10的比例因素、50或更大的比例因素。圖3b中的光暈區(qū)320及圖4中的光暈區(qū)420與430是描述成在主動區(qū)內(nèi)柵極電極結(jié)構(gòu)底下形成的光暈區(qū)。這不會對本揭露造成任何限制，并且所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解的是，盡管如所示具有合并的光暈區(qū)，仍可經(jīng)由兩道注入步驟形成的兩個(gè)分離的光暈區(qū)。明顯注意到的是，如上面關(guān)于圖4所述的第三注入程序IMP3是選用的，并且在本揭露的一些描述性具體實(shí)施例中，如上面關(guān)于圖3b所述的半導(dǎo)體裝置300A可未曝露在如上面關(guān)于圖4所述的任何進(jìn)一步處理。在一些替代描述性具體實(shí)施例中，如上面關(guān)于圖3b所述的對應(yīng)到半導(dǎo)體裝置300A的多個(gè)半導(dǎo)體裝置可曝露在如上面關(guān)于圖4所述的進(jìn)一步處理，而如上面關(guān)于圖3b所述的對應(yīng)到半導(dǎo)體裝置300A的其它多個(gè)半導(dǎo)體裝置則未曝露在如上面關(guān)于圖4所述的任何進(jìn)一步處理。尤其是，半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)可包含復(fù)數(shù)個(gè)半導(dǎo)體裝置，其中復(fù)數(shù)個(gè)半導(dǎo)體裝置的子集包含多個(gè)半導(dǎo)體裝置，此多個(gè)半導(dǎo)體裝置具有直接形成在主動區(qū)之上的柵極堆棧，亦即其之間未布置任何硅鍺層。一部分子集可曝露在如上面關(guān)于圖4所述的第三注入程序IMP3，而另一部分子集則在第三注入程序IMP3中可受保護(hù)。尤其是，一部分子集可表示具有柵極堆棧直接形成在主動區(qū)之上的半導(dǎo)體裝置，其中稍微摻雜的光暈區(qū)是形成在主動區(qū)內(nèi)，以及另一部分表示具有柵極堆棧直接形成在主動區(qū)之上的半導(dǎo)體裝置，此主動區(qū)僅具有第3族元素的摻雜物注入在其中?，F(xiàn)將參照圖5a至圖5c更詳述本揭露的這些描述性具體實(shí)施例。注意到的是，要將術(shù)語「僅第3族元素的摻雜物」或「僅第5族元素的摻雜物」理解為，除可能預(yù)摻雜半導(dǎo)體襯底外，未通過將第3族或第5族元素注入到如本文關(guān)于圖2a至圖5c所述的半導(dǎo)體裝置內(nèi)而以第3族元素或第5族元素進(jìn)行進(jìn)一步摻雜。圖5a至圖5c概要描述根據(jù)本揭露描述性具體實(shí)施例的不同類半導(dǎo)體裝置。尤其是，如圖5a至圖5c所示的半導(dǎo)體裝置表示制造期間在更晚期階段的半導(dǎo)體裝置，尤其是在已進(jìn)行注入程序IMP2或注入程序IMP2暨IMP3后。圖5a概要表示形成在主動區(qū)502A中及上方的半導(dǎo)體裝置500A的剖面圖。主動區(qū)502A是由STI區(qū)504A所界定。半導(dǎo)體裝置500A包含布置在硅鍺層508之上的柵極堆棧512A所提供的柵極電極結(jié)構(gòu)510A。側(cè)壁間隔物結(jié)構(gòu)514A是毗連在柵極堆棧512A予以形成。半導(dǎo)體裝置500A可對應(yīng)到如上面關(guān)于圖3b及圖4所述的半導(dǎo)體裝置300B與400B之一。尤其是，柵極電極結(jié)構(gòu)510A底下形成在主動區(qū)502A內(nèi)的光暈區(qū)520對應(yīng)到如上面關(guān)于圖3b及圖4所述的光暈區(qū)320與420之一。注意到的是，半導(dǎo)體裝置500A對應(yīng)到LVT類及RVT類之一的PMOS裝置。圖5b概要描述形成在STI區(qū)504B所界定主動區(qū)502B中及之上的半導(dǎo)體裝置500B。半導(dǎo)體裝置500B包含柵極堆棧512B所提供的柵極電極結(jié)構(gòu)510B以及毗連在柵極堆棧512B予以形成的側(cè)壁間隔物結(jié)構(gòu)514B。柵極堆棧512B是布置在主動區(qū)502B之上而無任何硅鍺層形成在其之間。半導(dǎo)體裝置500B進(jìn)一步包含柵極電極結(jié)構(gòu)510B底下形成在主動區(qū)502B內(nèi)的光暈區(qū)530。如圖5所示的半導(dǎo)體裝置500B對應(yīng)到如上面關(guān)于圖4所述的半導(dǎo)體裝置400A，在已進(jìn)行第三注入程序IMP3后，使得半導(dǎo)體裝置500B的光暈區(qū)530對應(yīng)到半導(dǎo)體裝置400A之光暈區(qū)430。尤其是，根據(jù)上面圖4中光暈區(qū)430與420的說明，光暈區(qū)530內(nèi)N型摻雜物的濃度低于光暈區(qū)520內(nèi)N型摻雜物的濃度。半導(dǎo)體裝置500B表示SHVT類PMOS裝置。圖5c概要描述形成在STI區(qū)504C所界定主動區(qū)502C中及之上的半導(dǎo)體裝置500C。半導(dǎo)體裝置500C包含形成在主動區(qū)502C之上的柵極電極結(jié)構(gòu)510C。柵極電極結(jié)構(gòu)510C是通過柵極堆棧512C及毗連在柵極堆棧512C予以形成的側(cè)壁間隔物結(jié)構(gòu)514C予以提供。尤其是，柵極堆棧512C是直接形成在主動區(qū)502C之上，使得其之間未布置硅鍺層。主動區(qū)502C僅用第3族元素的摻雜物予以摻雜。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員了解的是，措辭「僅用第3族元素的摻雜物予以摻雜」未將任何限制加諸主動區(qū)502C的N型摻雜，此是初始提供例如上面關(guān)于圖2b所述。目的在指示半導(dǎo)體裝置500C的主動區(qū)502C內(nèi)沒有如對應(yīng)到光暈區(qū)520與530之一的光暈區(qū)。尤其是，半導(dǎo)體裝置500C未曝露在第二注入程序IMP2及/或第三注入程序IMP3。半導(dǎo)體裝置500C僅曝露在沿著實(shí)質(zhì)垂直在主動區(qū)502C曝露之上表面的注入方向，將摻雜物注入到半導(dǎo)體裝置500C內(nèi)的注入程序。亦即，未對半導(dǎo)體裝置500C應(yīng)用沿著偏離主動區(qū)502C上表面法線方向的注入方向注入摻雜物的注入程序。半導(dǎo)體裝置500C表示HVT類PMOS裝置。本案發(fā)明人理解硅鍺層的厚度對PMOS裝置的閾值電壓有顯著影響。如上面所述，HVT及SHVT裝置需要高閾值電壓。在標(biāo)準(zhǔn)HK/MG技術(shù)中，各類半導(dǎo)體裝置閾值電壓的差異是通過需要額外掩模及注入程序的注入步驟予以補(bǔ)償及調(diào)整。本案發(fā)明人理解的是，一般而言，增加的光暈劑量是用在閾值電壓補(bǔ)償，以及SHVT裝置在此情況下需要非常高的光暈劑量，本案發(fā)明人觀察到此現(xiàn)象在大部分情況下造成額外的效能衰減，如上面關(guān)于圖1所述。本案發(fā)明人通過自HVT及SHVT裝置排除硅鍺層，進(jìn)一步理解SHVT及HVT裝置的閾值電壓提升無需任何注入補(bǔ)償。圖6表示本案發(fā)明人在沿著橫坐標(biāo)對不同晶圓樣本裝置（以數(shù)字1、2、3及4表示）測量閾值電壓（以縱坐標(biāo)上的VT表示，單位為伏特）時(shí)得到的結(jié)果。本文中，晶圓樣本裝置1及2包含具有厚度約的硅鍺層的半導(dǎo)體裝置。與晶圓樣本裝置1及2相反，晶圓樣本裝置3及4包含具有厚度約的硅鍺層的半導(dǎo)體裝置。本案發(fā)明人觀察到的是，縮減硅鍺層的厚度時(shí)，可令閾值電壓的推移高于絕對值。本案發(fā)明人理解的是，將硅鍺層排除自HVT及SHVT裝置時(shí)，導(dǎo)致這些裝置的閾值電壓推移約100毫伏(mV)。因此，每次光暈劑量調(diào)整可能至多將SHVT裝置額外微調(diào)約40至60毫伏(mV)，使得本揭露的HVT及SHVT裝置僅使用非常少量的注入劑量補(bǔ)償，端視需要而定。因此，本揭露半導(dǎo)體裝置的裝置效能無負(fù)面影響，并且注入劑量濃度可保持低位準(zhǔn)，因而改善晶粒變異。本揭露提供在半導(dǎo)體襯底內(nèi)具有第一PMOS主動區(qū)及第二PMOS主動區(qū)的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)。在第二PMOS主動區(qū)上方僅形成硅鍺信道層。柵極電極是形成在第一與第二PMOS主動區(qū)上方，其中第二PMOS主動區(qū)上方的柵極電極是形成在硅鍺信道上方。此外，本揭露提供用在形成PMOS半導(dǎo)體裝置的方法，其中上覆在待制造PMOS晶體管信道區(qū)的硅鍺信道僅選擇性地形成在不同主動區(qū)中。供隨后所進(jìn)行光暈注入程序用的光暈注入劑量對在不具有硅鍺信道的主動區(qū)中的PMOS裝置結(jié)構(gòu)是減少的。以上所揭示的特殊具體實(shí)施例僅屬描述性，正如本發(fā)明可以所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所明顯知道的不同但均等方式予以改進(jìn)并且實(shí)踐而具有本文的指導(dǎo)效益。例如，前述制程步驟可用不同順序?qū)嵤?。另外，除了?quán)利要求書中所述，對于本文所示構(gòu)造或設(shè)計(jì)的細(xì)節(jié)無限制用意。因此，得以證實(shí)以上所揭示特殊具體實(shí)施例可予以改變或改進(jìn)并且所有此等變化皆視為落在本發(fā)明的范疇及精神內(nèi)。因此，本文所謀求的保護(hù)是如權(quán)利要求書中所提。