技術(shù)編號(hào):12014994
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本揭露是關(guān)于P型半導(dǎo)體裝置用的HK/MG程序流程,更尤指使用信道硅鍺調(diào)協(xié)各類(lèi)PMOS裝置功函數(shù)的HK/MG程序流程。背景技術(shù)現(xiàn)今集成電路大多數(shù)是使用多個(gè)亦稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFETS)或簡(jiǎn)稱MOS晶體管的互連場(chǎng)效晶體管(FETS)予以實(shí)現(xiàn)。一般而言,現(xiàn)今集成電路是通過(guò)形成在具有給定表面區(qū)的芯片之上的數(shù)百萬(wàn)個(gè)MOS晶體管予以實(shí)現(xiàn)。在MOS晶體管中,流經(jīng)MOS晶體管源極與漏極之間所形成信道的電流是經(jīng)由通常布置在信道上方的柵極予以控制,與所斟酌的是否為PMOS晶體管或NMOS晶體管無(wú)...
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