有機電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種有機電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法，該有機電致發(fā)光顯示裝置（1）的特征在于，具有：基板（10）；形成在上述基板上的多個像素（P）；和覆蓋上述多個像素的密封膜（40），上述密封膜包括：第一阻擋層（40a）；覆蓋上述第一阻擋層的上表面的基底層（40b）；局部地形成在上述基底層的上表面的中間層（40c）；和覆蓋上述基底層的上表面和上述中間層的上表面的第二阻擋層（40d），上述中間層以覆蓋所述基底層的上表面的高低差（S）的方式形成。
【專利說明】有機電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光顯示裝置和有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]作為薄型輕量的發(fā)光源,有機電致發(fā)光(organic electro luminescent)元件受到關(guān)注，且開發(fā)出了配備多個有機電致發(fā)光元件的圖像顯示裝置。有機電致發(fā)光元件具有以下結(jié)構(gòu):具有發(fā)光層的有機層被陽極與陰極夾著。
[0003]作為這種有機電致發(fā)光顯示裝置，公開了有機層的上表面被密封膜覆蓋的結(jié)構(gòu)。該密封膜通過層疊作為平坦化材料的去耦層、和防止水分滲入的阻擋層而構(gòu)成。另外，去耦層的外邊緣也被阻擋層覆蓋。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]根據(jù)現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)，因在覆蓋去耦層上表面的阻擋層上出現(xiàn)劃傷等，水分有可能由此滲入到去耦層中。另外，如果在去耦層的上表面有凹凸，則在形成阻擋層的工序中，在凹凸周圍的阻擋層的成膜受到阻礙。因此，水分有可能從凹凸周圍滲入到去耦層中。
[0005]密封膜在多個像素中共用地形成。因此，水分滲入到去耦層，由此，水分?jǐn)U散至多個像素中。水分?jǐn)U散的去耦層膨脹后從阻擋層中剝離，因此，發(fā)生有機電致發(fā)光顯示裝置的亮度和強度下降等問題。因此，難以實現(xiàn)有機電致發(fā)光顯示裝置的高亮度化和可靠性的提聞。
[0006]本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于，實現(xiàn)有機電致發(fā)光顯示裝置的高売度化和可罪性的提聞。
[0007](I)本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，具有:基板；形成在上述基板上的多個像素；和覆蓋上述多個像素的密封膜，上述密封膜包括:第一阻擋層；覆蓋上述第一阻擋層的上表面的基底層；局部地形成在上述基底層的上表面的中間層；和覆蓋上述基底層的上表面和上述中間層的上表面的第二阻擋層，上述中間層以覆蓋上述基底層上表面的高低差的方式形成。
[0008]( 2 )本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，在(I)中，形成在多個上述像素內(nèi)的上述中間層在相鄰的上述像素之間相互分離。
[0009]( 3 )本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，在(I)或(2 )中，所述中間層可以包含有機物。
[0010](4)本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，在(I)或(2)中，所述第一阻擋層可以包含Si。
[0011](5 )本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，在(I)或(2 )中，所述第二阻擋層可以包含Si。
[0012](6)本發(fā)明的在基板上形成有像素的有機電致發(fā)光顯示裝置，上述像素包括薄膜晶體管、由上述薄膜晶體管控制的像素電極、配置在上述像素電極上的有機層和配置在上述有機層上的對置電極，該有機電致發(fā)光顯示裝置的特征在于:上述像素被密封膜覆蓋，上述像素上的上述密封膜具有:層疊第一阻擋層、基底層和第二阻擋層的第一區(qū)域；和層疊上述第一阻擋層、上述基底層、中間層和上述第二阻擋層的第二區(qū)域。
[0013](7)本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，在(6)中，上述像素電極的端部被像素分隔膜覆蓋，上述第一區(qū)域重疊在上述像素的發(fā)光區(qū)域上，上述第二區(qū)域的一部分重疊在上述像素分隔膜上。
[0014]( 8 )本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，在(6 )中，上述像素電極的端部被上述像素分隔膜覆蓋，上述發(fā)光區(qū)域中的上述中間層與上述基底層的接觸角小于上述像素分隔膜與上述像素電極的接觸角。
[0015](9)本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，具有:在基板上按每個像素形成多個有機電致發(fā)光元件的工序；和以遍及多個上述像素地覆蓋在上述有機電致發(fā)光元件上的方式形成密封膜的工序，上述形成密封膜的工序包括:形成第一阻擋層的工序；形成覆蓋上述第一阻擋層的上表面的基底層的工序；在上述基底層的上表面局部地形成中間層的工序；和形成覆蓋上述基底層的上表面和上述中間層的上表面的第二阻擋層的工序，上述基底層的材料與上述中間層的材料的親和性高于上述第一阻擋層與上述中間層的材料的親和性，在形成上述中間層的工序中，覆蓋上述基底層的上表面的局部突出的部分與上述基底層的上表面的高低差。
[0016]( 10 )本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，在(9 )中，在形成上述中間層的工序中，以在相鄰的上述像素彼此之間相互分離的方式形成上述中間層。
[0017](11)本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，在(9)或(10)中，可以形成包含有機物的上述中間層。
[0018](12)本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，在(9)或(10)中，所述第一阻擋層可以包含Si。
[0019](13)本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，在(9)或(10)中，所述第二阻擋層可以包含Si。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1是本發(fā)明的一個實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的概略平面圖。
[0021]圖2是圖1所示的有機電致發(fā)光顯示裝置的I1-1I切斷線中的概略截面圖。
[0022]圖3是圖2所示的有機電致發(fā)光顯示裝置的II1-1II區(qū)域的局部放大圖。
[0023]圖4是圖1所示的有機電致發(fā)光顯示裝置的IV區(qū)域的局部放大圖。
[0024]圖5是圖4所示的有機電致發(fā)光顯示裝置的V - V切斷線中的概略截面圖。
[0025]圖6是用來說明本發(fā)明的一個實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法的、與V - V切斷線對應(yīng)的概略截面圖。
[0026]圖7是用來說明本發(fā)明的一個實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法的、與V - V切斷線對應(yīng)的概略截面圖。
[0027]圖8是用來說明本發(fā)明的一個實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法的、與V - V切斷線對應(yīng)的概略截面圖。
[0028]圖9是用來說明本發(fā)明的一個實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法的流程圖。
[0029]圖10是本發(fā)明的一個實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置的像素部的平面圖。
[0030]圖11是與圖10所示的有機電致發(fā)光顯示裝置的X1- XI切斷線對應(yīng)的概略截面圖。
[0031]附圖標(biāo)記的說明
[0032]I…有機電致發(fā)光顯不裝置、2…柔性電路基板、3…驅(qū)動器、10…基板、11...薄膜晶體管、12...電路層、13...鈍化膜、14...像素分隔膜、30...有機電致發(fā)光兀件、32...陽極、32a…接觸孔、33...有機層、34…陰極、40...密封膜、40a…第一阻擋層、40al...上表面、40a2…第一阻擋層覆蓋部、40b…基底層、40bl…上表面、40b2…基底層覆蓋部、40c…中間層、40cl...上表面、40c2…第一覆蓋部、40c3…第二覆蓋部、40cl...第二阻擋層、41...部分、41a…異物、41b…接觸面、41c、41cl...部分、42...角部、45...填充劑、50...對置基板、D…顯示區(qū)域、dl、d2…高度、P…像素、S…高低差、α…接觸角。

【具體實施方式】
[0033]下面，根據(jù)附圖，對本發(fā)明的一個實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置I進行說明。此外，在以下說明中所參照的附圖，有時為了便于理解特征而放大表示作為特征的部分，各構(gòu)成部分的尺寸比例等并非與實際相同。另外，在以下的說明中所列舉的材料等是一個例子，各構(gòu)成部分也可以不同于它們，在不改變其宗旨的范圍能夠變更并實施。
[0034]圖1是本發(fā)明的本實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置I的概略平面圖，圖2是圖1所示的有機電致發(fā)光顯示裝置I的I1-1I切斷線中的概略切截面。
[0035]如圖2所示，本實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置I具有基板10、電路層12、有機電致發(fā)光元件30、密封膜40和隔著填充劑45配置在密封膜40上的對置基板50。
[0036]基板10是絕緣性基板，在其上表面形成后述的薄膜晶體管11和有機電致發(fā)光元件30。在基板10的上表面1a的上方設(shè)有有機電致發(fā)光元件30。此外，有機電致發(fā)光元件30在基板10的上表面1a的上方設(shè)有多個，為了方便說明，在圖2中省略詳細的圖示。
[0037]如圖1所示，有機電致發(fā)光元件30例如設(shè)置于具有平視時比基板10小的外周的顯示區(qū)域D中。另外，在顯示區(qū)域D的外側(cè)區(qū)域中，如圖2所示，配置有用來攔截填充劑45的堤壩部件DM。在基板10上的與顯示區(qū)域D對應(yīng)的區(qū)域中，設(shè)置圖中未示的控制信號線、數(shù)據(jù)信號線、電源線等配線。另外，在顯示區(qū)域D中，多個像素有規(guī)則地例如呈矩陣狀地配置。
[0038]在基板10的上表面1a中的未形成有機電致發(fā)光元件30的區(qū)域1al中連接柔性電路基板2，還設(shè)置有驅(qū)動器3。驅(qū)動器3是從有機電致發(fā)光顯示裝置I的外部，通過柔性電路基板2供給圖像數(shù)據(jù)的驅(qū)動器。驅(qū)動器3供給圖像數(shù)據(jù)，由此，通過圖中未示的數(shù)據(jù)線向有機電致發(fā)光元件30供給施加在各像素上的電壓信號。
[0039]下面，對有機電致發(fā)光顯示裝置I的顯示區(qū)域D的結(jié)構(gòu)進行詳細的說明。圖3是圖2所示的有機電致發(fā)光顯示裝置I的III區(qū)域的局部放大圖。該III區(qū)域是顯示區(qū)域D中的與一個像素P對應(yīng)的區(qū)域。在III區(qū)域的基板10上層疊有電路層12、有機電致發(fā)光元件30、密封膜40、填充劑45和對置基板50。
[0040]電路層12是用來控制流過各像素P的電流量的電路有規(guī)則配置的層。電路層12例如具有薄膜晶體管11和鈍化膜13。
[0041]薄膜晶體管11是用來驅(qū)動有機電致發(fā)光元件30的晶體管，按每個像素P設(shè)置在基板10上。具體而言，薄膜晶體管11例如包括多晶硅半導(dǎo)體層11a、柵極絕緣層lib、柵極電極11c、源極及漏極電極lid、第一絕緣膜lie和第二絕緣膜Ilf。
[0042]鈍化膜13以覆蓋在薄膜晶體管11上的方式形成。鈍化膜13形成在薄膜晶體管11上，由此，相鄰的薄膜晶體管11之間、薄膜晶體管11與有機電致發(fā)光元件30之間被電絕緣。在鈍化膜13上，將薄膜晶體管11與有機電致發(fā)光元件30連接的接觸孔32a按每個像素P形成。鈍化膜13例如由Si02、SiN、丙烯、聚酰亞胺等具有絕緣性的材料構(gòu)成。作為鈍化膜13的材料，使用丙烯、聚酰亞胺等有機聚合物樹脂，由此，能夠使鈍化膜13的上表面平坦化。因此，有機電致發(fā)光元件30的形成變得容易。
[0043]此外，電路層12的結(jié)構(gòu)并不限于上述結(jié)構(gòu)，也可以具有適當(dāng)?shù)慕^緣層、掃描信號線、影像信號線、電源線和接地線。
[0044]在鈍化膜13上的與各像素P對應(yīng)的區(qū)域中，反射膜31也可以形成為矩陣狀。反射膜31是用來將從有機電致發(fā)光元件30發(fā)出的光向密封膜40 —側(cè)反射而設(shè)置的。反射膜31的光反射率越高越好，例如使用由鋁和銀(Ag)等構(gòu)成的金屬膜。
[0045]在鈍化膜13上例如形成有多個有機電致發(fā)光元件30。有機電致發(fā)光元件30具有:由薄膜晶體管11控制的像素電極(陽極)32 ;配置在像素電極32上，至少具有發(fā)光層的有機層33 ;和以覆蓋在有機層33上的方式形成的對置電極(陰極)34，由此，作為發(fā)光源發(fā)揮功能。在本實施方式中，將像素電極32作為陽極，將對置電極34作為陰極進行說明，但也可以將像素電極32作為陰極，將對置電極34作為陽極。
[0046]陽極32與各像素P對應(yīng)形成為矩陣狀。另外，陽極32通過接觸孔32a與薄膜晶體管11的漏極電極Ild連接。通過采用這種結(jié)構(gòu)，陽極32與驅(qū)動用的薄膜晶體管11電連接，從薄膜晶體管11供給的驅(qū)動電流經(jīng)由陽極32被注入到有機層33中。
[0047]陽極32由具有透光性和導(dǎo)電性的材料構(gòu)成。具體而言，陽極32的材料例如優(yōu)選ITO (Indium Tin Oxide，錫銦氧化物)，也可以是IZO (銦鋅氧化物)、氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化鋁復(fù)合氧化物等具有透光性和導(dǎo)電性的材料。特別是由于陽極32與后述的有機層33的空穴注入層接觸，因此，其材料的功函數(shù)越大越好。
[0048]此外，如果反射膜31由銀等金屬構(gòu)成且與陽極32接觸，則反射膜31可以為陽極32的一部分。
[0049]在相鄰的各陽極32之間形成像素分隔膜14。像素分隔膜14具有防止相鄰的陽極32彼此接觸和陽極32與陰極34之間的漏電流的功能。像素分隔膜14例如平視時沿著相鄰的像素P彼此的邊界形成，由此，覆蓋陽極32的外周端部。在像素分隔膜14的開口部，陽極32與有機層33接觸。像素分隔膜14由具有絕緣性的材料構(gòu)成，具體而言，例如由感光性的樹脂組成物構(gòu)成。
[0050]具有發(fā)光層的有機層33以覆蓋在陽極32上的方式形成。有機層33具有發(fā)光的功能，其發(fā)光既可以是白色，也可以是其他顏色。有機層33既可以按每個像素P形成，也可以以覆蓋顯示區(qū)域D中的配置有像素P的區(qū)域的整個面的方式形成。
[0051]有機層33例如從陽極32 —側(cè)依次層疊圖中未不的空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、電子注入層而成。此外，有機層33的層疊構(gòu)造并不限于此處列舉的構(gòu)造，只要是至少包括發(fā)光層，其層疊構(gòu)造并無特別限定。
[0052]發(fā)光層例如由空穴與電子復(fù)合而發(fā)光的有機電致發(fā)光物質(zhì)構(gòu)成。作為這種有機電致發(fā)光物質(zhì)，例如一般可以使用用作有機發(fā)光材料的物質(zhì)，具體而言，例如能夠使用香豆素類、芘類、吡喃類、葉啉類、吖啶酮紫類、N，N’ - 二烷基置換喹吖啶酮紫類、萘二甲酰亞氨類、N，N’_ 二芳基置換吡咯并吡咯類等，能夠從單純狀態(tài)發(fā)光的眾所周知的熒光性低分子材料、和稀土類金屬絡(luò)合物類的能夠從三重線狀態(tài)發(fā)光的眾所周知的磷光性低分子材料。
[0053]陰極34以覆蓋在有機層33上的方式形成。陰極34不按每個像素P獨立，而是以覆蓋顯示區(qū)域D中的配置有像素P的區(qū)域的整個面的方式形成。通過具有這種結(jié)構(gòu)，陰極34與多個有機電致發(fā)光元件30的有機層33共用地接觸。
[0054]陰極34由具有導(dǎo)光性和導(dǎo)電性的材料構(gòu)成。具體而言，陰極34的材料例如優(yōu)選ΙΤ0，也可以是在ΙΤ0、IZO等導(dǎo)電性金屬氧化物中混入銀和鎂等金屬而得到的材料，或者層疊銀、鎂等金屬薄膜和導(dǎo)電性金屬氧化物而得到的材料。
[0055]有機電致發(fā)光元件30上(陰極34的上表面34a)遍及多個像素P地被密封膜40覆蓋。密封膜40是通過防止氧氣和水分向以有機層33為主的各層滲入來進行保護的透明膜。本實施方式中的密封膜40具有第一阻擋層40a、基底層40b、中間層40c和第二阻擋層40d。
[0056]第一阻擋層40a具有防止氧氣和水分向有機電致發(fā)光元件30滲入的功能。第一阻擋層40a的材料能夠列舉SiN、S1N, S1等，但只要是對水分和氧氣具有阻擋性的材料，就不限于這些。此外，第一阻擋層40a以覆蓋顯示區(qū)域D內(nèi)的配置有像素P的區(qū)域的整個面的方式形成。
[0057]第一阻擋層40a的上表面40al被基底層40b覆蓋?；讓?0b對中間層40c的材料具有親和性?；讓?0b以覆蓋第一阻擋層40a上的整個表面的方式形成。另外，作為基底層40b的材料，例如能夠使用a-Si (非晶硅)、Si02、Si0，但只要對中間層40c的材料具有親液性，則其材料并不限于此處列舉的這些。
[0058]中間層40c局部地形成于基底層40b的上表面40bl。中間層40c具有覆蓋基底層40b的上表面40bl的局部突出的部分的功能。下面，對中間層40c的結(jié)構(gòu)進行詳細的說明。
[0059]第二阻擋層40d具有防止氧氣和水分向有機電致發(fā)光元件30滲入的功能。第二阻擋層40d的材料能夠列舉SiN、S1N, S1等，但只要是對水分和氧氣具有阻擋性的材料，就不限于這些。此外，第二阻擋層40d以覆蓋顯示區(qū)域D內(nèi)的配置有像素P的區(qū)域的整個面的方式形成。
[0060]圖4是圖1所示的有機電致發(fā)光顯示裝置I的IV區(qū)域的局部放大圖，圖5是圖4所示的有機電致發(fā)光顯示裝置I的V - V切斷線中的概略截面圖。圖4、5是表示附著在作為像素P區(qū)域內(nèi)的對置電極的陰極34上的灰塵等異物41a被密封膜40覆蓋的狀態(tài)的截面圖。另外，圖5是當(dāng)異物41a被阻擋層40a與基底層40b覆蓋時，形成局部突出的部分41的結(jié)構(gòu)的例子。此外，為了方便說明，在圖4中，省略了后述的對置基板50、填充劑45和第二阻擋層40d的記載。
[0061]突出的部分41是指,在第一阻擋層40a和基底層40b的制造工序中產(chǎn)生的位于基底層40b的上表面40bl的凹凸中的、具有超過制造工序的誤差范圍的高度的凸部。具體而言，例如可以列舉:因制造工序所產(chǎn)生的氣泡而產(chǎn)生的凸部、因附著在陰極34上、第一阻擋層40a上、基底層40b上的灰塵等異物41a而產(chǎn)生的凸部。
[0062]在本實施方式中，對異物41a附著在陰極34上時的本發(fā)明的作用進行說明。特別是以具有突出的部分41的有機電致發(fā)光顯示裝置I為例進行說明。如圖5所示，本實施方式中的部分41包括:異物41a ;第一阻擋層40a中的作為覆蓋異物41a的部分的第一阻擋層覆蓋部40a2 ;和基底層40b中的作為覆蓋第一阻擋層覆蓋部40a2的部分的基底層覆蓋部 40b2。
[0063]部分41與底膜40b的上表面40bl的高低差S被中間層40c覆蓋。將中間層40c中的覆蓋高低差S的部分作為第一覆蓋部40c2。此外，高低差S是指，部分41中的作為離基板10最近的部位的下部41c與部分41中的作為離基板10最遠的部位的上部41d的高低差。將高低差S的高度作為高度dl。
[0064]第一覆蓋部40c2覆蓋部分41中的至少上部41d。本實施方式中的第一覆蓋部40c2例如覆蓋部分41的整個表面和距下部41c 一定范圍內(nèi)的基底層40b的上表面40bl。
[0065]另外，當(dāng)從中間層40c露出的基底層40b的上表面40bl至第一覆蓋部40c2的上表面40cl的高度為高度d2時，因為高低差S被第一覆蓋部40c2覆蓋，高度d2比高度dl低。即，與基底層40b的上表面40bl和突出的部分41所構(gòu)成的面的平坦性相比，中間層40c (第一覆蓋部40c2)的上表面40cl和從中間層40c露出的上表面40bl所構(gòu)成的面的平坦性更高。即，中間層40c具有使中間層40c的下層的凹凸變得平坦的作用。作為這樣形成中間層40c的結(jié)果，使形成在中間層40c上的膜變得平坦，能夠防止中間層40c的下層的高低差、凹凸所引起的斷裂。
[0066]另外，中間層40c除了覆蓋高低差S之外，例如，也可以以覆蓋基底層40b的上表面40bl中的角部42的方式形成。角部42表示，像素P內(nèi)的基底層40b的上表面40bl與像素分隔膜14上的基底層40b的上表面40bl的邊界。當(dāng)覆蓋角部42的中間層40c為第二覆蓋部40c3時，第二覆蓋部40c3在上表面40bl以沿著像素分隔膜14的開口的內(nèi)周的方式形成。
[0067]另外，形成在多個像素P內(nèi)的中間層40c優(yōu)選在相鄰的像素P彼此之間相互分離。具體而言，例如在像素P內(nèi)的基底層40b的上表面40bl形成有中間層40c的第一覆蓋部40c2、中間層40c的第二覆蓋部40c3和其他島狀的中間層40c，它們與形成在相鄰的像素P內(nèi)的其他中間層40c分離。
[0068]因此，在發(fā)光區(qū)域中，形成在上表面40bl上的各個中間層40c與基底層40b的上表面40bl的接觸角α (各個中間層40c的上表面40cl與基底層40b的上表面40bl所成的角度)小于90度。此外，本實施方式中的“發(fā)光區(qū)域”是指，陽極32與有機層33接觸的區(qū)域中的從像素分隔膜14露出的區(qū)域。而且，接觸角α比像素分隔膜14與陽極32的接觸角β小。像這樣，由于接觸角α比接觸角β小，因此，與第二阻擋層40d直接覆蓋角部42而構(gòu)成的高低差相比，通過第二阻擋層40d覆蓋由像素分隔膜14、陽極32、第二覆蓋部40c3構(gòu)成的聞低差而構(gòu)成的聞低差的起伏更加平緩。此外，中間層40c至少覆蓋聞低差S即可，也可以形成于其他任何部位。
[0069]中間層40c由絕緣體構(gòu)成。作為這種中間層40c的材料，優(yōu)選有機物，具體而言，能夠使用丙烯。另外，中間層40c的材料并不限于丙烯。如果中間層40c的材料與基底層40b的材料的親和性，高于中間層40c的材料與后述的第二阻擋層40d的材料的親和性，則中間層40c的材料就沒有限制。中間層40c、基底層40b和第二阻擋層40d由滿足這種條件的材料構(gòu)成，由此，基底層40b的表面能小于第二阻擋層40d的表面能。
[0070]第二阻擋層40d具有防止氧氣和水分向中間層40c等的、比第二阻擋層40d更靠近基板10 —側(cè)的各層滲入的功能。第二阻擋層40d包含SiN，以覆蓋基底層40b的上表面40bI和中間層40c的上表面40cl的方式形成。
[0071]密封膜40的上表面例如隔著填充劑45被對置基板50覆蓋。對置基板50例如是具有平視時比基板10小的外周的玻璃基板，且以與基板10相對的方式配置。作為這種對置基板50，具體而言，例如能夠使用彩色濾光片基板。
[0072]在本發(fā)明中的有機電致發(fā)光顯示裝置I中，至少基底層40b的上表面40bl突出的部分41與基底層40b的上表面40bl的高低差S被第一覆蓋部40c2覆蓋。因此，與不具有本結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光顯示裝置相比，相對于基底層40b的上表面40bl和突出的部分41所成的面的平坦性，能夠提高中間層40c(第一覆蓋部40c2)的上表面40cl和從中間層40c露出的上表面40bl所成的面的平坦性。
[0073]另外，局部地形成中間層40c，由此，即使水分滲入到中間層40c的一部分，該水分的擴散也在形成水分滲入部位的中間層40c的局部區(qū)域內(nèi)。因此，與不具有本結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光顯示裝置相比，防止水分通過中間層40c擴散。這樣就能防止因水分的擴散所導(dǎo)致的中間層40c剝落區(qū)域的擴大。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)有機電致發(fā)光顯示裝置I的高亮度化和可靠性的提高。
[0074]另外，中間層40c的第二覆蓋部40c3覆蓋角部42，由此，像素P內(nèi)的基底膜40b的上表面40bl與像素分隔膜14上的基底層40b的上表面40bl的高低差變得平緩。因此，與不具有本結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光顯示裝置相比，第二阻擋層40d遍及像素P內(nèi)外地均勻覆蓋。由此，能夠防止水分滲入到中間層40c，能夠提高有機電致發(fā)光I的可靠性。
[0075]另外，形成于多個像素P內(nèi)的中間層40c在相鄰的像素P彼此之間相互分離，由此，即使水分滲入到一部分中間層40c中，水分也不會擴散至與滲入部位的像素P相鄰的其他像素P中。因此，與不具有本結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光顯示裝置相比，能夠防止水分?jǐn)U散至相鄰的像素P。
[0076]另外，作為中間層40c的材料使用有機物，且作為基底層40B的材料使用具有與有機物的親和性的材料，由此，與基底層40b的上表面40bl的平坦部分相比，優(yōu)先從部分41與底膜40b的上表面40bl的高低差S、與陽極32和像素分隔膜14的邊界對應(yīng)的角部42、以及其他具有凹凸的部分形成中間層40c。因此，能夠以在高低差S等有高低差的部分的局部形成中間層40c，不在像素P內(nèi)的平坦部分和像素分隔膜14上的平坦部分形成中間層40c的方式控制中間層的形成部位。
[0077]下面，使用附圖，對本發(fā)明的一個實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置I的制造方法進行說明。圖6是用來說明本發(fā)明的一個實施方式所涉及的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法的、與V - V切斷線對應(yīng)的概略截面圖，是形成密封膜40之前的結(jié)構(gòu)。
[0078]本實施方式中的有機電致發(fā)光顯示裝置I的制造方法具有:在基板10上形成電路層12、有機電致發(fā)光元件30、密封膜40和對置基板50的工序。
[0079]首先準(zhǔn)備絕緣性的基板10。接下來，在基板10的顯示區(qū)域D上，例如通過層疊多晶硅半導(dǎo)體層11a、柵極絕緣膜lib、柵極電極11c、源極及漏極電極lid、第一絕緣膜lie和第二絕緣膜Ilf來形成薄膜晶體管11。接著，以覆蓋薄膜晶體管11的方式形成由具有絕緣性的材料構(gòu)成的鈍化膜13，由此形成電路層12。
[0080]接下來，在鈍化膜13以及第二絕緣膜Ilf上形成與薄膜晶體管11連接的接觸孔32a。然后，在鈍化膜13上的與各個像素P對應(yīng)的區(qū)域中形成由金屬膜構(gòu)成的反射膜31。
[0081]接下來，在基板10上隔著電路層12按每個像素P形成多個有機電致發(fā)光元件30。形成有機電致發(fā)光30的工序具有:形成陽極32的工序；形成至少具有發(fā)光層的有機層33 ；和形成陰極34的工序。
[0082]首先，例如通過派射法，將例如由ITO (Indium Tin Oxide,氧化錫銦)等具有透光性以及導(dǎo)電性的材料構(gòu)成陽極32形成于鈍化膜13上(反射膜31上)的與各像素P對應(yīng)的區(qū)域中。由此，陽極32經(jīng)由接觸孔32a與薄膜晶體管11電連接。此外，在以與由金屬構(gòu)成的反射膜31的上表面接觸的方式形成陽極32的情況下，反射膜31成為陽極32的一部分。
[0083]接下來，在相鄰的像素P彼此之間的一部分區(qū)域中，例如通過光刻法，形成由感光性的絕緣材料構(gòu)成的像素分隔膜14。首先，以覆蓋顯示區(qū)域D的一面的方式形成像素分隔膜14。然后，以作為像素電極的陽極32的端部不露出的方式，形成用于使各像素P的陽極32的上表面露出的開口。由此，形成覆蓋陽極32的外周的堤壩狀的像素分隔膜14。
[0084]接著，在陽極32上形成具有發(fā)光層的有機層33。有機層33例如通過從陽極32 —側(cè)依次層疊圖中未示的空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、電子注入層而形成。形成有機層33的方法也可以是真空蒸鍍法、噴嘴印刷、窄縫涂覆法、旋涂法、凸版印刷法等眾所周知的方法。
[0085]接著，以覆蓋在有機層33上的方式，例如通過濺射法以覆蓋顯示區(qū)域D中的配置有像素P的區(qū)域的整個面的方式，形成由ITO等具有透光性以及導(dǎo)電性的材料構(gòu)成的陰極34。由此，形成與配置于多個像素P中的有機電致發(fā)光元件30的有機層33共用地接觸的陰極34。
[0086]圖7是用來說明本發(fā)明的一個實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置I的制造方法的、與V - V切斷線對應(yīng)的概略截面圖。在本實施方式中，以異物41a附著在像素P內(nèi)的陰極34的上表面34a上的結(jié)構(gòu)為例，說明形成密封膜40的工序。
[0087]形成密封膜40的工序具有:以遍及多個像素P地覆蓋在有機電致發(fā)光元件30上的方式形成第一阻擋層40a的工序；以覆蓋第一阻擋層40a的上表面40al的方式形成基底層40b的工序；和在基底層40b的上表面40bl局部地形成中間層40c的工序。以下，根據(jù)圖9的流程來說明向配置有像素P的區(qū)域形成密封膜40的工序，但也可以在未形成有機電致發(fā)光元件30的周邊區(qū)域1al同時形成密封膜40a。
[0088]首先，以覆蓋顯示區(qū)域D的配置有像素P的區(qū)域的整個面的方式，例如通過等離子體CVD法形成第一阻擋層40a。形成第一阻擋層40a的方法并不限于等離子體CVD法，也可以選擇濺射法、蒸鍍、升華、CVD (化學(xué)蒸鍍法)、ECR-PECVD (電子回旋共振微波等離子體增強化學(xué)氣相沉積)以及這些方法的組合等任意的方法。第一阻擋層40a優(yōu)選以SiN為材料而形成。作為第一阻擋層40a形成SiN膜，由此，能夠形成比S12膜細致的膜。因此，能夠防止水分從由S12膜構(gòu)成的阻擋層的外部進入。
[0089]由此，遍及多個像素P,有機電致發(fā)光元件30上(陰極34的上表面34a)和異物41a被第一阻擋層40a覆蓋。此外，第一阻擋層40a中的覆蓋異物41a的部分作為第一阻擋層覆蓋部40a2。
[0090]此外，如果將異物41a與陰極34的上表面34a接觸的部分作為接觸面41b，則在上表面34a蒸鍍第一阻擋層40a的材料時，向接觸面41b周圍的上表面34a的蒸鍍被異物41a遮擋。因此，如圖7所示，將接觸面41b周圍的上表面34a覆蓋的第一阻擋層40a的厚度比其外側(cè)的第一阻擋層40a的厚度薄。
[0091]接著，以覆蓋第一阻擋層40a的上表面40al的方式，通過等離子體CVD法形成例如由非晶硅構(gòu)成的基底層40b。形成基底層40b的方法并不限于等離子體CVD法，也可以選擇濺射法、蒸鍍、升華、CVD (化學(xué)蒸鍍法)、ECR-PECVD (電子回旋共振微波等離子體增強化學(xué)氣相沉積)以及這些方法的組合等任意的方法。另外，基底層40b的材料并不限于非晶硅，例如也可以是Si02、Si0，只要對中間層40c的材料具有親液性，也可以是其他的材料。
[0092]由此，第一阻擋層40a的上表面40al和第一阻擋層覆蓋部40a2被基底層40b覆蓋。形成由異物41a、第一阻擋層覆蓋部40a2、和作為基底層40b中的覆蓋第一阻擋層40a2的部分的基底層覆蓋部40b2構(gòu)成的突出的部分41。
[0093]此外，當(dāng)在上表面40al上蒸鍍基底層40b的材料時，向接觸面41b周圍的上表面40al的蒸鍍被異物41a和第一阻擋層覆蓋部40a2遮擋。因此，接觸面41b周圍的基底層40b的厚度比其外側(cè)的基底層40b的厚度薄。
[0094]此外，突出的部分41并不限于上述結(jié)構(gòu)，只要是在第一阻擋層40a和基底層40b的制造工序中所廣生的位于基底層40b的上表面40bl的凹凸中的、具有超過制造工序的誤差范圍的高度的凸部即可。例如可以列舉:因在制造工序中產(chǎn)生的氣泡而產(chǎn)生的凸部、和因附著在第一阻擋層40a上和基底層40b上的灰塵等異物41a而產(chǎn)生的凸部。
[0095]圖8是用來說明本發(fā)明的一個實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置I的制造方法的、與V - V切斷線對應(yīng)的概略截面圖。接著，在基底層40b的上表面40bl上，局部形成由絕緣體構(gòu)成的中間層40c。在該中間層40c的形成工序中，中間層40c并未覆蓋基底層40b的整個表面，當(dāng)中間層40c在高低差S、角部42形成后停止成膜。
[0096]作為中間層40c的材料優(yōu)選有機物，具體而言，特別優(yōu)選使用丙烯。此外，中間層40c的材料并不限于丙烯，只要是中間層40c的材料與基底層40b的材料的親和性高于中間層40c的材料與后述的第二阻擋層40d的材料的親和性，則其種類沒有限制。另外，中間層40c的材料優(yōu)選在形成中間層40c時比基底層40b的上表面40bl更加優(yōu)先附著在高低差S和角部42上的材料。
[0097]通過形成由滿足這種條件的材料構(gòu)成的中間層40c，中間層40c以至少覆蓋部分41與基底層40b的上表面40bl的高低差S的方式形成。將中間層40c中的覆蓋高低差S的部分作為第一覆蓋部40c2。
[0098]通過形成中間層40c，部分41中的至少上部41d被第一覆蓋部40c2覆蓋。本實施方式中的第一覆蓋部40c2例如覆蓋部分41的整個表面和部分41周圍的基底層40b的上表面40bI。
[0099]另外，假設(shè)從中間層40c露出的基底層40b的上表面40bl至第一覆蓋部40c2的上表面40cl的高度為高度d2，則高低差S被第一覆蓋部40c2覆蓋，由此，高度d2比高度dl低。即，與基底層40b的上表面40bl和突出的部分41所成的面相比，中間層40c (第一覆蓋部40c2)的上表面40cl和從中間層40c露出的上表面40bl所成的面變得平坦。
[0100]另外，中間層40c除了覆蓋高低差S之外，例如，也可以以覆蓋基底層40b的上表面40bl中的角部42的方式形成。角部42表示，像素P內(nèi)的基底層40b的上表面40bl與像素分隔膜14上的基底層40b的上表面40bl的邊界。當(dāng)覆蓋角部42的中間層40c為第二覆蓋部40c3時，第二覆蓋部40c3在上表面40bl沿著像素分隔膜14的開口的內(nèi)周的方式形成。
[0101 ] 像這樣，用中間層40c的第二覆蓋部40c3覆蓋突出的部分41，由此，與基底層40b的上表面40bl和突出的部分41所成的面相比，中間層40c的上表面40cl與從中間層40c露出的上表面40bl所成的面更加平坦。
[0102]另外，中間層40c優(yōu)選在相鄰的像素P彼此之間相互分離。具體而言，例如，形成于像素P內(nèi)的基底層40b的上表面40bl的第一覆蓋部40c2、第二覆蓋部40c3、其他島狀的中間層40c從形成于相鄰的像素P內(nèi)的其他中間層40c分離。
[0103]另外，形成于上表面40bl的各個中間層40c與上表面40bl的接觸角α (各個中間層40c的上表面40cl與上表面40bl所成的角度)小于90度。此外，中間層40c至少覆蓋高低差S即可，也可以形成于其他的任何部位。
[0104]接下來，以覆蓋基底層40b的上表面40bl和中間層40c的上表面40cl的方式，例如通過等離子體CVD法形成第二阻擋層40d。形成第二阻擋層40d的方法并不限于等離子體CVD法，可以選擇任意的方法。第二阻擋層40d也與第一阻擋層40a同樣，優(yōu)選采用SiN形成。SiN膜形成比S12更精致的膜，因此，能夠防止水分從外部滲入。根據(jù)以上方法，形成密封膜40。
[0105]像這樣，在周邊區(qū)域1al形成密封膜40，由此，能夠保護形成于周邊區(qū)域1al的圖中未示的配線。另外，在基板10的整個表面形成密封膜40的情況下，只要在形成密封膜40后，除去與驅(qū)動器3的連接端子和與柔性電路基板2的連接端子上的密封膜40即可。由此，能夠在除去密封膜40的區(qū)域中形成連接端子。
[0106]接下來，在密封膜40上隔著填充劑45配置對置基板50，由此，形成圖5所示的有機電致發(fā)光顯示裝置I。在本實施方式中，以形成在像素P內(nèi)的基底層40b的上表面40bl突出的部分41的結(jié)構(gòu)為例進行了說明，但嚴(yán)密地說，在像素P內(nèi)突出的部分41是因異物而產(chǎn)生的，期望沒有該突起。在沒有異物附著的情況下，在像素P內(nèi)的區(qū)域中，如圖3所示，中間層40c沿著角部42形成，將其上表面40cl平坦化。
[0107]本發(fā)明中的有機電致發(fā)光顯示裝置I的制造方法在于，在基底層40b上形成中間層40c，由此，在基底層40b的上表面40bl突出的部分41與基底層40b的上表面40bl的高低差S被第一覆蓋部40c2覆蓋。因此，與不具有本結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法相比，相對于基底層40b的上表面40bl與突出的部分41所成的面的平坦性，能夠提高中間層40c (第一覆蓋部40c2)的上表面40cl與從中間層40c露出的上表面40bl所成的面的平坦性。
[0108]另外，局部地形成中間層40c，由此，即使水分浸透中間層40c的一部分，該水分的擴散也在形成水分滲入部位的中間層40c的局部區(qū)域內(nèi)。因此，與不具有本結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法相比，能夠制造可防止水分向中間層40c擴散和因水分的滲入所引起的剝落的有機電致發(fā)光顯示裝置I。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)有機電致發(fā)光顯示裝置I的高亮度化和可靠性的提高。另外，能夠提高有機電致發(fā)光顯示裝置I的成品率。
[0109]另外，沿著角部42形成中間層40c的第二覆蓋部40c3，由此，與像素分隔膜14的傾斜面中的第一阻擋層40a的上表面的傾斜所成的角度β相比，像素分隔膜14的傾斜面中的第二阻擋層40d的上表面的傾斜所成的角度α更加平緩。即，與像素分隔膜14的傾斜面和陽極32的上表面所成的角度β相比，覆蓋角部42的中間層40c(第二覆蓋部40c3)的上表面40cl與基底層40b的上表面40bl所成的角度α更加平緩。因此，與第二阻擋層40d直接覆蓋角部42而構(gòu)成的高低差相比，通過第二阻擋層40d覆蓋由像素分隔膜14、陽極32和第二覆蓋部40c3構(gòu)成的高低差而構(gòu)成的高低差的起伏更加平緩。因此，與不具有本結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法相比，第二阻擋層40d在像素P的內(nèi)外被均勻地覆蓋，能夠防止因高低差所引起的第二阻擋層40d的斷裂。由此，能夠防止水分滲入中間層40c，并且能夠形成可靠性得到提高的有機電致發(fā)光顯示裝置I。
[0110]另外，在相鄰的像素P彼此之間相互分離地形成中間層40c，由此，防止?jié)B入部分中間層40c中的水分?jǐn)U散至與滲入部位的像素P相鄰的其他像素P。因此，與不具有本結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法相比，能夠制造可防止水分?jǐn)U散至相鄰的像素P的有機電致發(fā)光顯示裝置I。
[0111]另外，形成由有機物構(gòu)成的中間層40c，由此，與不具有本結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法相比，基底層40b的材料與中間層40c的材料的親和性提高。因此，不必在中間層40b上的整個面形成中間層40c。因此，容易局部地形成中間層40c，能夠更有效地防止水分的擴散。
[0112]圖10是作為本發(fā)明的一個實施方式的顯示裝置的有機電致發(fā)光顯示裝置I的像素P的平面圖，圖11是與圖10的X1-XI切斷線對應(yīng)的概略截面圖。此外，在圖11中，為了便于說明，僅表示從鈍化膜13至密封膜14之間的結(jié)構(gòu)。
[0113]圖10和圖11中的有機電致發(fā)光顯示裝置的結(jié)構(gòu)在于，將包括薄膜晶體管11、由薄膜晶體管11控制的像素電極(陽極)32、配置在陽極32上的有機層33、和配置在有機層33上的對置電極(陰極)34的像素形成在基板上，這一點與上述圖3中所說明的結(jié)構(gòu)相同，因此，省略這些構(gòu)件的說明。
[0114]按每個像素電極32形成的多個像素P被共用的密封膜40覆蓋。像素P上的密封膜40具有:第一區(qū)域PAl，其為層疊第一阻擋層40a、基底層40b和第二阻擋層40d的區(qū)域；和第二區(qū)域PA2，其為層疊第一阻擋層40a、基底層40b、中間層40c和第二阻擋層40d的區(qū)域。
[0115]第一區(qū)域PAl與像素P的發(fā)光區(qū)域重疊。在第一區(qū)域PAl中，在基底層40b上直接層疊第二阻擋層40d，因此，與不具有本結(jié)構(gòu)的顯示裝置相比，第二阻擋層40d被牢固地粘接在基底層40b上。因此，能夠防止第二阻擋層40d從基底層40b剝落。此外，第二區(qū)域PA2形成于從像素P的發(fā)光區(qū)域的一部分至與作為絕緣膜的像素分隔膜14的一部分重疊的區(qū)域中。
[0116]如圖10所示，第一區(qū)域PAl平視時被第二區(qū)域PA2包圍，在發(fā)光區(qū)域(按照與陰極32和陽極34接觸的方式被夾著的有機層33的區(qū)域)E的中央部未形成中間層40c。因此，與在整個發(fā)光區(qū)域E形成中間層40c的現(xiàn)有的有機電致發(fā)光顯示裝置相比，發(fā)光區(qū)域E中的中間層40c所形成的區(qū)域減少。由此，能夠抑制從有機層33射出的光的衰減，并且能夠?qū)崿F(xiàn)有機電致發(fā)光顯示裝置I的亮度的提高。
[0117]根據(jù)本發(fā)明，在第一阻擋層40a上設(shè)置由與中間層40c具有親和性的材料構(gòu)成的基底層40b，由此，局部地形成中間層40c。因此，與平坦的區(qū)域相比，中間層40c優(yōu)先形成于高低差S、角部42，能夠僅在高低差S、角部42上有選擇地形成中間層40c。
[0118]根據(jù)本實施方式的有機電致發(fā)光顯示裝置1，與不具有本結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光顯示裝置相比，密封膜40的粘接性和密封性能得到改善。因此，能夠抑制密封膜40的剝落，而且，能夠提供圖像的視認性和光的提取效率良好的有機電致發(fā)光顯示裝置I。
[0119]【實施例】
[0120]下面，根據(jù)實施例更詳細地說明本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置I及其制造方法，本發(fā)明并不僅限于這些實施例。
[0121](實施例1)
[0122]首先，在絕緣性的基板10上形成電路層12。接著，形成陽極32、像素分隔膜14、至少具有發(fā)光層的有機層33、陰極34。由此，如圖6所示，有機電致發(fā)光元件30按每個像素P形成。
[0123]接下來，通過將5%、順3為氣體作為材料使用的等離子體00)法，如圖7所示，將由500nm膜厚的SiN構(gòu)成的第一阻擋層40a形成于有機電致發(fā)光元件30上(陰極34上)。該第一阻擋層40a的成膜中的基板溫度為100°C以下。
[0124]接著，通過將 SiH4氣體作為材料使用的等離子體CVD法，以覆蓋第一阻擋層40a的上表面40al的方式形成由2nm膜厚的非晶硅構(gòu)成的基底層40b。該基底層40b的成膜中的基板溫度為100°C以下。
[0125]接下來，在基底層40b的上表面40bl上涂布丙烯。由此，丙烯僅在局部突出的部分41和角部42上局部地覆蓋。然后,通過UV照射使丙烯聚合，形成圖8所示的中間層40c。
[0126]接下來，通過將SiH4、NH3> N2氣體作為材料使用的等離子體CVD法，以覆蓋基底層40b的上表面40bl和中間層40c的上表面40cl的方式，形成由500nm膜厚的SiN構(gòu)成的第二阻擋層40d。該第二阻擋層40d的成膜中的基板溫度為100°C以下。通過以上方法形成密封膜40。
[0127]接著，將涂抹有6 μ m厚的密封材料BM和填充劑45的對置基板50粘貼在密封膜40上，由此，形成圖5所示的有機電致發(fā)光顯示裝置I。
[0128]將根據(jù)本實施例所得到的有機電致發(fā)光顯示裝置I暴露在溫度85°C、濕度85%的氣體氛圍下進行試驗，未觀察到水分向密封膜40滲入而引起的發(fā)光區(qū)域中的未發(fā)光部分(黑點)擴大的痕跡、以及密封膜40的膜鼓起。由此，確認出水分從水分滲入部位向密封膜40的擴散得到抑制。
[0129](比較例I)
[0130]未形成基底層40b,以覆蓋第一阻擋層40a的上表面40al的方式形成中間層40c。由此，中間層40c以覆蓋上表面40al中的配置像素P的區(qū)域的整個面的方式形成。然后，以與上述實施例1同樣的方式形成有機電致發(fā)光顯示裝置。
[0131]將根據(jù)本實施例所得到的有機電致發(fā)光顯示裝置I暴露在溫度85°C、濕度85%的氣體氛圍下進行試驗，觀察到了水分向密封膜40滲入而引起的發(fā)光區(qū)域中的未發(fā)光部分(黑點)擴大的痕跡、以及密封膜40的膜鼓起。由此，確認出水分從水分滲入部位向密封膜40擴散。
[0132]本發(fā)明不限于上述實施例，可以理解為在不脫離其主要內(nèi)容的范圍內(nèi)進行各種變更，在本發(fā)明技術(shù)方案的主旨和保護范圍內(nèi)的所有修改都包含于本發(fā)明中。
【權(quán)利要求】
1.一種有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，具有: 基板； 形成在所述基板上的多個像素；和 覆蓋所述多個像素的密封膜， 所述密封膜包括: 第一阻擋層； 覆蓋所述第一阻擋層的上表面的基底層； 局部地形成在所述基底層的上表面的中間層；和 覆蓋所述基底層的上表面和所述中間層的上表面的第二阻擋層， 所述中間層以覆蓋所述基底層上表面的高低差的方式形成。
2.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于: 形成在多個所述像素內(nèi)的所述中間層在相鄰的所述像素之間相互分離。
3.如權(quán)利要求1或2所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于: 所述中間層包含有機 物。
4.如權(quán)利要求1或2所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于: 所述第一阻擋層包含Si。
5.如權(quán)利要求1或2所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于: 所述第二阻擋層包含Si。
6.一種在基板上形成有像素的有機電致發(fā)光顯示裝置，所述像素包括薄膜晶體管、由所述薄膜晶體管控制的像素電極、配置在所述像素電極上的有機層和配置在所述有機層上的對置電極，該有機電致發(fā)光顯示裝置的特征在于: 所述像素被密封膜覆蓋， 所述像素上的所述密封膜具有: 層疊第一阻擋層、基底層和第二阻擋層的第一區(qū)域；和 層疊所述第一阻擋層、所述基底層、中間層和所述第二阻擋層的第二區(qū)域。
7.如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于: 所述像素電極的端部被像素分隔膜覆蓋， 所述第一區(qū)域重疊在所述像素的發(fā)光區(qū)域上， 所述第二區(qū)域的一部分重疊在所述像素分隔膜上。
8.如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于: 所述像素電極的端部被所述像素分隔膜覆蓋， 所述發(fā)光區(qū)域中的所述中間層與所述基底層的接觸角小于所述像素分隔膜與所述像素電極的接觸角。
9.一種有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于，具有: 在基板上按每個像素形成多個有機電致發(fā)光元件的工序；和 以遍及多個所述像素地覆蓋在所述有機電致發(fā)光元件上的方式形成密封膜的工序， 所述形成密封膜的工序包括: 形成第一阻擋層的工序； 形成覆蓋所述第一阻擋層的上表面的基底層的工序；在所述基底層的上表面局部地形成中間層的工序；和 形成覆蓋所述基底層的上表面和所述中間層的上表面的第二阻擋層的工序， 所述基底層的材料與所述中間層的材料的親和性高于所述第一阻擋層與所述中間層的材料的親和性， 在形成所述中間層的工序中，覆蓋所述基底層的上表面的局部突出的部分與所述基底層的上表面的高低差。
10.如權(quán)利要求9所述的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于: 在形成所述中間層的工序中，以在相鄰的所述像素彼此之間相互分離的方式形成所述中間層。
11.如權(quán)利要求9或10所述的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于: 形成包含有機物的所述中間層。
12.如權(quán)利要求9或10所述的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于: 所述第一阻擋層包含Si。
13.如權(quán)利要求9或10所述的有機電致發(fā)光顯示裝置的制造方法，其特征在于: 所述第二阻擋層 包含Si。
【文檔編號】H01L51/52GK104051668SQ201410095827
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年3月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月15日
【發(fā)明者】神谷哲仙 申請人:株式會社日本顯示器