有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括：基底；薄膜晶體管（TFT)，位于基底上；像素限定層（PDL)，設(shè)置在TFT上，并包括具有第一厚度的第一區(qū)域和具有第二厚度的第二區(qū)域，第二厚度大于第一厚度，PDL具有位于第一區(qū)域中的通孔；像素電極，設(shè)置在第一區(qū)域的至少一部分上，并通過通孔電連接到TFT;中間層，位于像素電極上，中間層包括發(fā)射層（EML);以及對電極，位于中間層上。提供了一種制造該有機發(fā)光顯示裝置的方法，根據(jù)所述方法，在基底上形成PDL，然后在第一區(qū)域上形成像素電極。
【專利說明】有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
[0001] 本申請要求在2013年5月30日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2013-0062104號 韓國專利申請的權(quán)益，通過引用將該韓國專利申請的全部公開內(nèi)容包含于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本公開涉及一種有機發(fā)光顯示裝置以及該有機發(fā)光顯示裝置的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0003] 顯示裝置的應(yīng)用正在快速擴展，近來存在對滿足包括低功耗、質(zhì)輕、纖薄和高清晰 度的條件的顯示裝置的需求。響應(yīng)于這種需求，已經(jīng)開發(fā)了使用有機發(fā)射特性的有機發(fā)光 顯示裝置或液晶顯示器。與液晶裝置（LCD)相比，有機發(fā)光顯示裝置是自發(fā)射顯示裝置，它 被認(rèn)為是在視角、對比度、響應(yīng)時間和功耗方面具有優(yōu)異特性的下一代顯示裝置，并且由于 有機發(fā)光顯示裝置不需要背光，所以有機發(fā)光顯示裝置具有輕的質(zhì)量和薄的外形。有機發(fā) 光顯示裝置通常包括位于基底上的像素電極、發(fā)射層（EML)和對電極，當(dāng)在像素電極和對電 極之間施加電壓時，EML發(fā)射光。有機發(fā)光顯示裝置包括用于控制EML的薄膜晶體管（TFT )、 電容器以及連接TFT和電容器的線或電極。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置 包括：基底；薄膜晶體管（TFT)，位于基底上；像素限定層（PDL)，設(shè)置在TFT上，并包括具有 第一厚度的第一區(qū)域和具有第二厚度的第二區(qū)域，第二厚度大于第一厚度，PDL具有位于第 一區(qū)域中的通孔；像素電極，設(shè)置在TOL的第一區(qū)域的至少一部分上，并通過通孔電連接到 TFT ;中間層，位于像素電極上，中間層包括發(fā)射層（EML);以及對電極，位于中間層上。
[0005] PDL可以包括形成在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的第三區(qū)域，第三區(qū)域具有大于第 一厚度且小于第二厚度的厚度。
[0006] 像素電極可以設(shè)置在第三區(qū)域的至少一部分和第一區(qū)域上。
[0007] PDL可以包括位于第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的傾斜區(qū)域。像素電極可以設(shè)置在傾 斜區(qū)域的至少一部分和第一區(qū)域上。
[0008] 像素電極可以填充通孔，并可以設(shè)置在第一區(qū)域的一部分上。
[0009] TFT可以包括有源層、柵電極、源電極、漏電極、設(shè)置在有源層和柵電極之間的柵極 絕緣層以及設(shè)置在柵電極與源電極和漏電極中的每個之間的層間絕緣層。像素電極可以電 連接到源電極和漏電極中的至少一個。
[0010] PDL可以直接設(shè)置在層間絕緣層以及源電極和漏電極上。
[0011] 像素電極可以包括第一透明導(dǎo)電氧化物層、位于第一透明導(dǎo)電氧化物層上的金屬 層以及位于金屬層上的第二透明導(dǎo)電氧化物層。
[0012] 對電極可以設(shè)置在roL的第一區(qū)域和第二區(qū)域上，第二區(qū)域可以直接接觸對電 極。
[0013] 可以通過使用半色調(diào)掩模來形成第一區(qū)域和通孔。
[0014] 所述有機發(fā)光顯示裝置還可以包括位于對電極上的薄膜包封層。
[0015] 根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法 包括以下操作：在基底上形成薄膜晶體管（TFT);在TFT上形成像素限定層（PDL)，其中，PDL 包括具有第一厚度的第一區(qū)域和具有第二厚度的第二區(qū)域，第二厚度大于第一厚度，PDL具 有位于第一區(qū)域中的通孔；在第一區(qū)域的至少一部分上形成像素電極，其中，像素電極通過 通孔電連接到TFT ;在像素電極上形成中間層，中間層包括發(fā)射層（EML);以及在中間層上 形成對電極。
[0016] PDL還可以包括設(shè)置在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間并具有第三厚度的第三區(qū)域，第 三厚度大于第一厚度且小于第二厚度。
[0017] 可以在TOL的第三區(qū)域的至少一部分和第一區(qū)域上形成像素電極。
[0018] 可以通過使用半色調(diào)掩模來形成roL。
[0019] 形成TFT的操作可以包括：在基底上形成有源層；在有源層上形成柵極絕緣層； 在柵極絕緣層上形成柵電極，柵電極與有源層的一部分疊置；在有源層中形成源區(qū)和漏區(qū)； 在柵電極和柵極絕緣層上形成層間絕緣層，其中，層間絕緣層包括至少部分地暴露源區(qū)和 漏區(qū)的接觸孔；以及在層間絕緣層上形成源電極和漏電極，其中，源電極和漏電極通過接觸 孔分別電連接到源區(qū)和漏區(qū)。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0020] 通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的特定實施例，本發(fā)明的上述和其它的特征和優(yōu)點 將變得更加明顯，在附圖中：
[0021] 圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖；
[0022] 圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖；
[0023] 圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖；
[0024] 圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖；
[0025] 圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖；
[0026] 圖6A至圖6E是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的按順序的有機發(fā)光顯示裝置的制造 方法的工藝的剖視圖。
【具體實施方式】
[0027] 現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的特定的實施例。 然而，本發(fā)明可以以許多不同的方式來實施，而不應(yīng)該被解釋為限制于這里闡述的實施例。 因此，本發(fā)明可以包括被包括在與本發(fā)明相關(guān)的構(gòu)思和技術(shù)范圍內(nèi)的所有修改、等同物或 替換物。
[0028] 附圖中同樣的附圖標(biāo)記通常表示同樣的元件。在附圖中，為了清晰起見，可以夸大 結(jié)構(gòu)的尺寸。
[0029] 此外，在此敘述的所有示例和條件性語言將被解釋為不局限于特定地敘述的這些 示例和條件。在整個說明書中，除非存在與此相反的具體描述，否則單數(shù)形式可以包括復(fù)數(shù) 形式。另外，諸如"包括"或"包含"的術(shù)語用來說明存在所敘述的形式、數(shù)量、工藝、操作、 組件和/或它們的組，而不排除存在一個或更多個其它所敘述的形式、一個或更多個其它 數(shù)量、一個或更多個其它工藝、一個或更多個其它操作、一個或更多個其它組件和/或它們 的組。如這里所使用，術(shù)語"和/或"包括一個或更多個相關(guān)所列項的任意和全部組合。在 整個說明書中，盡管使用術(shù)語"第一"和"第二"來描述不同的組件，但是明顯的是，這些組件 不局限于術(shù)語"第一"和"第二"。術(shù)語"第一"和"第二"僅用來在各個組件之間進(jìn)行區(qū)分。 如這里所使用，還將被理解的是，當(dāng)?shù)谝惶卣鞅环Q作"連接到"第二特征、"與"第二特征"結(jié) 合"或者"與"第二特征"交界"時，還可以存在中間的第三特征。另外，在整個說明書中，還 將被理解的是，當(dāng)諸如層、區(qū)域或基底的元件被稱作"在"另一個元件"上"、"連接到"另一 個元件或"與"另一個元件"結(jié)合"時，它可以直接在另一元件上或者還可以存在中間元件。 然而，當(dāng)元件被稱作"直接在"另一個元件"上"、"直接連接到"另一個元件或"直接與"另一 個元件"結(jié)合"時，將被理解為不存在中間元件。
[0030] 除非另外明確地描述，否則這里使用的包括描述性術(shù)語或技術(shù)術(shù)語的所有術(shù)語應(yīng) 該被解釋為具有對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言顯而易見的意思。另外，在通用字典中定義并 在下面的描述中使用的術(shù)語應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)描述中使用的意思等同的意思，并且 除非在此另外明確地描述，否則不應(yīng)該以理想的或過于形式化的方式來解釋術(shù)語。
[0031] 當(dāng)例如"…中的至少一個(種）（者)"的表述在一系列元件之后時，這樣的表述修飾 整個系列的元件，而不是修飾該系列中的個別元件。
[0032] 為了形成有機發(fā)光顯示裝置的TFT、電容器和所述的線，使用通常主要包括光刻工 藝和蝕刻工藝的圖案化工藝。然而，隨著圖案化工藝的數(shù)量的增加，制造成本也增加。在這 點上，為了減少圖案化工藝的數(shù)量，提供了這樣的結(jié)構(gòu)，即，省略位于像素電極與源電極或 漏電極之間的鈍化層或平坦化層，像素電極直接形成在TFT的源電極或漏電極上。然而，提 供的這種結(jié)構(gòu)的問題在于：當(dāng)像素電極被圖案化時，下方的電極被損壞。另外，提供的這種 結(jié)構(gòu)可能具有另一個問題，即，有害物質(zhì)(例如，在形成TFT之后的后續(xù)工藝中產(chǎn)生的氣體） 會改變先前形成的TFT的特性。
[0033] 圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的有機發(fā)光顯示裝置100的剖視圖。
[0034] 參照圖1，有機發(fā)光顯示裝置100包括：基底110 ;薄膜晶體管（TFT)，位于基底110 上；像素限定層（PDL) 145,位于TFT上；像素電極150,位于TOL145的一部分上；中間層 155,位于像素電極150上；以及對電極160。
[0035] 基底110可以由包含Si02作為主要組分的透明玻璃材料形成。然而，基底110的 材料不限于此，基底110可以由透明塑料材料形成并且可以具有柔性。形成基底110的透 明塑料材料可以由單一的有機材料或者從各種有機材料中選擇的多種有機材料的組合物 形成，還可以包括無機材料。
[0036] 如果有機發(fā)光顯示裝置100是朝向基底110實現(xiàn)圖像的底發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝 置，則基底110必須由透明材料形成。然而，如果有機發(fā)光顯示裝置100是遠(yuǎn)離基底110實 現(xiàn)圖像的頂發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置，則基底110可以不由透明材料形成。在這種情況下， 基底110可以由金屬或碳形成。當(dāng)基底110由金屬形成時，基底110可以包括但不限于鈷、 鐵、鉻、錳、鎳、鈦、鑰和不銹鋼（SUS)。
[0037] 顯示單元可以設(shè)置在基底10上。在整個說明書中，術(shù)語"顯示單元"是指有機發(fā) 光二極管（0LED)和驅(qū)動該0LED的TFT，并且表示用于顯示圖像的部分和用于驅(qū)動顯示圖像 的部分的另一部分。
[0038] 當(dāng)在平面方向上觀看顯示單元時，像素是矩陣排列的。每個像素包括0LED和電連 接到0LED的電子器件。電子器件可以包括存儲電容器、至少兩個TFT等，至少兩個TFT包 括驅(qū)動TFT和開關(guān)TFT。電子器件電連接到線，電子器件通過所述線從顯示單元外部的驅(qū)動 單元接收電信號，然后被驅(qū)動。包括電連接到0LED的電子器件和所述線的上述陣列被稱作 TFT陣列。
[0039] 顯示單元包括器件/線的層和0LED層，器件/線的層包括TFT陣列，0LED層包括 0LED陣列。
[0040] 器件/線的層可以包括：驅(qū)動TFT，用于驅(qū)動0LED ;開關(guān)TFT (未示出）；電容器(未 示出）;以及連接到驅(qū)動TFT、開關(guān)TFT或電容器的線。為了描述方便，圖1僅示出0LED和驅(qū) 動0LED的驅(qū)動TFT。然而，本發(fā)明的一個或更多個實施例不限于此，還可以包括多個TFT、 存儲電容器和各種線。在整個說明書中，術(shù)語"TFT"在結(jié)構(gòu)上包括：位于基底110上的有源 層120 ;柵電極130 ;源電極140a ;漏電極140b ;位于有源層120和柵電極130之間的柵極 絕緣層125 ;以及位于柵電極130與源電極140a和漏電極140b中的每個之間的層間絕緣 層 135。
[0041] 0LED層可以包括PDL145、位于PDL145上的像素電極150、位于像素電極150上的 中間層155以及對電極160。
[0042] 緩沖層115可以設(shè)置在基底110的頂表面上，以使得基底110平坦化并防止物質(zhì) 滲透到基底110中。緩沖層115可以包括氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅?？梢酝ㄟ^使用 包括等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD)法、大氣壓CVD (APCVD)法或低壓CVD (LPCVD)法 等的各種方法來沉積緩沖層115。根據(jù)基底110的類型，可以省略緩沖層115。
[0043] 有源層120可以設(shè)置在緩沖層115的預(yù)定區(qū)域上。有源層120可以以如下方式形 成：在緩沖層115上在基底110的整個表面上形成例如氧化物半導(dǎo)體的無機半導(dǎo)體或者有 機半導(dǎo)體，然后通過光刻工藝和蝕刻工藝將無機半導(dǎo)體或者有機半導(dǎo)體圖案化。
[0044] 當(dāng)有源層120由硅材料形成時，在基底110的整個表面上形成非晶硅層，并使非晶 硅層結(jié)晶化從而形成多晶硅層，將多晶硅層圖案化，然后用雜質(zhì)離子摻雜多晶硅層的側(cè)部 區(qū)域，使得有源層120包括源區(qū)120a、漏區(qū)120b以及源區(qū)120a和漏區(qū)120b之間的溝道區(qū) 120c。
[0045] 在有源層120上，可以形成包括絕緣層(例如，氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅）柵 極絕緣層125。
[0046] 柵電極130可以形成在與有源層120的溝道區(qū)120c對應(yīng)的位置。柵電極130可 以連接到柵極線(未示出），控制信號被施加到柵極線以控制TFT。參照圖1，柵電極130具 有單層的結(jié)構(gòu)。然而，柵電極130可以具有包括第一層和第二層的雙層結(jié)構(gòu)。在這種情 況下，柵電極130的第一層可以包括氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)、氧化鋅（ZnO)、氧化 銦（Ιη 203)、氧化銦鎵（IG0)和氧化鋁鋅（ΑΖ0)中的至少一種，柵電極130的第二層可以包 括鋁（A1)、鉬（Pt)、鈀（Pd)、銀（Ag)、鎂（Mg)、金（Au)、鎳（Ni)、釹（Nd)、銥（Ir)、鉻（Cr)、鋰 (Li)、鈣（Ca)、鑰（Mo)、鈦（Ti)、鎢（W)、銅（Cu)或者其合金中的至少一種，并且可以具有單 層結(jié)構(gòu)或鑰（Mo) /鋁（A1) /鑰（Mo)的多層結(jié)構(gòu)。
[0047] 層間絕緣層135可以設(shè)置在柵電極130上。層間絕緣層135可以通過使用旋涂 法由從聚酰亞胺、聚酰胺、芳香基樹脂、苯并環(huán)丁烯聚合物和酚樹脂選擇的有機絕緣材料形 成。層間絕緣層135可以具有大于柵極絕緣層125的厚度的厚度。層間絕緣層135可以由 上述有機絕緣材料形成，或者與柵極絕緣層125相似，可以由諸如氧化硅、氮化硅和/或氧 氮化娃的無機絕緣材料形成，或者可以通過交替有機絕緣材料和無機絕緣材料形成。
[0048] 柵極絕緣層125和層間絕緣層135可以包括暴露有源層120的源區(qū)120a和漏區(qū) 120b的接觸孔CH，在這點上，源電極140a和漏電極140b可以分別通過接觸孔CH電連接到 有源層120的源區(qū)120a和漏區(qū)120b。源電極140a和/或漏電極140b可以通過線連接到另 一個TFT的源電極和/或漏電極或者連接到電容器的電極，在圖1中未示出。源電極140a、 漏電極140b和所述的線可以通過一個圖案化工藝同時形成，并且可以統(tǒng)稱為電極140。
[0049] 電極140可以包括與柵電極130相同的材料。例如，電極140可以包括鋁（A1)、 鉬（Pt)、鈀（Pd)、銀（Ag)、鎂（Mg)、金（Au)、鎳（Ni)、釹（Nd)、銥（Ir)、鉻（Cr)、鋰（Li)、鈣 (Ca)、鑰（Mo )、鈦（Ti )、鎢（W)、銅（Cu )或者這些材料中的任何材料的合金中的至少一種，并 且可以具有單層結(jié)構(gòu)或鑰（Mo) /鋁（A1) /鑰（Mo)的多層結(jié)構(gòu)。
[0050] PDL145可以設(shè)置在層間絕緣層135和電極140上。PDL145可以包括具有第一厚 度tl的第一區(qū)域A1和具有第二厚度t2的第二區(qū)域A2。第一厚度tl小于第二厚度t2。通 孔VH形成在TOL145的第一區(qū)域A1中以至少部分地暴露TOL145下方的電極140。如圖1 中所示，通孔VH可以至少部分地暴露TFT的漏電極140b。然而，本發(fā)明的一個或更多個實 施例不限于此。因此，通孔VH可以至少部分地暴露源電極140a，或者可以暴露連接到漏電 極140b或者源電極140a的線的一部分?？梢酝ㄟ^使用半色調(diào)掩模（halftone mask)來形 成具有厚度不同的區(qū)域的TOL145。
[0051] 傾斜區(qū)域AS可以形成在第一區(qū)域A1和第二區(qū)域A2之間。如圖1中所示，PDL145 的傾斜區(qū)域AS的厚度可以從與第一區(qū)域A1相鄰的部分向與第二區(qū)域A2相鄰的部分逐步 增加。
[0052] TOL145可以包括有機絕緣層。有機絕緣層的示例可以包括具有商用聚合物（PMMA 和PS)和酚基的聚合物衍生物、丙烯酸類聚合物、酰亞胺類聚合物、烯丙基醚類聚合物、酰胺 類聚合物、氟類聚合物、對二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物或者其組合。例如，TOL145可 以包括聚酰亞胺。
[0053] 0LED可以設(shè)置在PDL145的第一區(qū)域A1上。0LED可以包括：像素電極150,設(shè)置 在FOL145的第一區(qū)域A1上；對電極160,面對像素電極150 ;和中間層155,位于像素電極 150和對電極160之間。TOL145的第二區(qū)域A2可以圍繞第一區(qū)域A1，并且由于0LED設(shè)置 在第一區(qū)域A1上，所以第一區(qū)域A1可以被限定為發(fā)射區(qū)域。與第一區(qū)域A1相比，圍繞第 一區(qū)域A1的第二區(qū)域A2突出，并且由于0LED不形成在突出的第二區(qū)域A2上，因此第二區(qū) 域A2可以被限定為非發(fā)射區(qū)域。
[0054] 像素電極150可以通過填充H)L145的通孔VH而被電連接到電極140。如圖1中 所示，像素電極150可以連接到TFT的漏電極140b。然而，在另一個實施例中，像素電極150 可以連接到源電極140a或者另一個線。參照圖1，像素電極150完全覆蓋TOL145的第一區(qū) 域A1。然而，在另一個實施例中，像素電極150可以僅覆蓋第一區(qū)域A1的一部分，或者可以 完全覆蓋第一區(qū)域A1甚至傾斜區(qū)域AS的一部分。
[0055] 在一個實施例中，H)L145可以直接設(shè)置在層間絕緣層135和電極140上，而在此 不包括平坦化層或鈍化層，通過這樣做，可以省略一個圖案化工藝。因此，可以降低制造成 本。另外，由于H3L145的一部分直接設(shè)置在像素電極150和電極140之間，因此當(dāng)像素電 極150被圖案化時，能夠防止電極140被損壞。
[0056] 當(dāng)在像素電極150和對電極160之間施加電壓時，中間層155可以發(fā)射光。中間 層155可以發(fā)射藍(lán)光、綠光、紅光或白光。當(dāng)中間層155發(fā)射白光時，有機發(fā)光顯不裝置100 還可以包括藍(lán)色、綠色和紅色濾色器以顯示彩色圖像。
[0057] 由于TOL145的第二區(qū)域A2,所以中間層155可以設(shè)置在突出區(qū)域之間。
[0058] 有機發(fā)光顯示裝置100可以被劃分成底發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置、頂發(fā)射型有機 發(fā)光顯示裝置和雙向發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置。在底發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置中，像素電 極150被形成為透射電極，對電極160被形成為反射電極。在頂發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置 中，像素電極150被形成為反射電極，對電極160被形成為透反射式電極。在一個實施例中， 假定有機發(fā)光顯示裝置100是0LED朝向包封基底170發(fā)射光的頂發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝 置。
[0059] 像素電極150可以是反射電極。像素電極150可以包括具有高逸出功的透明或透 反射式電極層和反射層堆疊的結(jié)構(gòu)。例如，像素電極150可以包括第一透明導(dǎo)電氧化物層 151、位于第一透明導(dǎo)電氧化物層151上的金屬層152和位于金屬層152上的第二透明導(dǎo)電 氧化物層153?？梢栽O(shè)置第一透明導(dǎo)電氧化物層151以增大像素電極150和電極140之間 的粘附。金屬層152可以用作反射層，第二透明導(dǎo)電氧化物層153可以用作透明或透反射 式電極層。
[0060] 反射層可以包括銀（Ag)、鎂（Mg)、鋁（A1)、鉬（Pt)、鈀（Pd)、金（Au)、鎳（Ni)、釹 (Nd)、銥（Ir)、鉻（Cr)或者它們的合金。透明或透反射式電極層可以包括諸如氧化銦錫 (1!'0)、氧化銦鋅（120)、氧化鋅（2110)、氧化銦（111 203)、氧化銦鎵（160)、氧化鋁鋅（420)等的 至少一種透明導(dǎo)電氧化物材料?？梢砸栽诟鱾€像素中獨立的島的形式將像素電極150圖案 化。另外，像素電極150可以用作陽極。
[0061] 對電極160可以被形成為透射電極。對電極160可以是通過使用包括鋰（Li)、鈣 (Ca)、氟化鋰（LiF) /鈣（Ca)、氟化鋰（LiF) /鋁（A1)、鋁（A1)、鎂（Mg)、銀（Ag)等的金屬形 成的薄的透反射層。為了補償薄的金屬透反射層的高電阻的問題，可以在金屬透反射層上 形成由透明導(dǎo)電氧化物形成的透明導(dǎo)電層。對電極160可以被形成為在基底110的整個表 面上延伸的共電極；例如,對電極160可以直接覆蓋H)L145的第二區(qū)域A2。此外，對電極 160可以用作陰極。
[0062] 在不同的實施例中，像素電極150和對電極160的極性可以轉(zhuǎn)換。
[0063] 中間層155可以包括發(fā)射光的發(fā)射層（EML)，可以通過使用小分子有機材料或聚 合物有機材料來形成EML。當(dāng)EML是由小分子有機材料形成的小分子有機層時，可以在EML 下方朝向像素電極150堆疊空穴傳輸層（HTL)和空穴注入層（HIL)，可以在EML上朝向?qū)﹄?極160堆疊電子傳輸層（ETL)和電子注入層（EIL)。除了這些層，可以根據(jù)需要在EML之上 或之下堆疊各種層，包括HIL、HTL、ETL、EIL等。
[0064] HIL可以由酞菁化合物(包括銅酞菁）或作為星放射型胺的TCTA、m-MTDATA、 m-MTDAPB等形成。HTL可由N, Ν' -二（3-甲基苯基）-Ν, Ν' -二苯基-[1，Γ -聯(lián)苯 基]-4,4'-二胺（TPD)、N，N'_二（萘-1-基）-Ν，Ν'_二苯基聯(lián)苯胺（α-NPD)等形成。EIL 可由氟化鋰（LiF)、氯化鈉（NaCl)、氟化銫（CsF)、氧化鋰（Li20)、氧化鋇（BaO)或Liq形成。 ETL可由三（8-羥基喹啉）鋁（Alq3)形成。中間層155可以包括主體材料和摻雜劑材料。
[0065] 當(dāng)EML是由聚合物有機材料形成的聚合物有機層時，可以僅有聚合物HTL在EML 上朝向像素電極150堆疊。通過使用噴墨印刷法或旋涂法在像素電極150上由聚（3, 4-乙 撐二氧噻吩）（PED0T)或聚苯胺（PANI)形成聚合物HTL。
[0066] 在一個實施例的TFT中，柵電極130設(shè)置在有源層120上。然而，本發(fā)明的一個或 更多個實施例不限于此，在另一個實施例中，柵電極130可以設(shè)置在有源層120下方。
[0067] 由于0LED由有機材料形成，所以0LED可能由于外部潮氣或氧而容易劣化。因此， 包封基底170可以設(shè)置在對電極160上以保護(hù)基底110上方的0LED。
[0068] 包封基底170可以面對基底110?；?10和包封基底170可以通過沿著它們的 邊緣設(shè)置的密封構(gòu)件(未示出）附著到彼此。包封基底170可以是玻璃基底、塑料基底或SUS 基底。
[0069] 圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的有機發(fā)光顯示裝置100a的剖視圖。
[0070] 參照圖2,除了 H)L145a的剖面形狀以及反映 H)L145a的剖面形狀的像素電極 150a、中間層155a和對電極160a的剖面形狀之外，有機發(fā)光顯示裝置100a與圖1的有機 發(fā)光顯示裝置100相似。相同的組件具有相同的附圖標(biāo)記，而與圖號無關(guān)，并省略對其重復(fù) 的描述。
[0071] PDL145a設(shè)置在層間絕緣層135和電極140上。與圖1的TOL145相似，H)L145a 包括具有第一厚度tl的第一區(qū)域A1和具有第二厚度t2的第二區(qū)域A2。PDL145a還包括 位于第一區(qū)域A1和第二區(qū)域A2之間的具有第三厚度t3的第三區(qū)域A3。第三厚度t3大于 第一厚度tl，并小于第二厚度t2。此外，PDL145a的第一區(qū)域A1包括暴露電極140的一部 分的通孔VH。
[0072] 由于H)L145a包括位于第一區(qū)域A1和第二區(qū)域A2之間的第三區(qū)域A3,所以此后 形成的像素電極150a、中間層155a和對電極160a不具有陡的階梯差異。因此，可以解決對 電極160a因陡的階梯差異而在H)L145a的側(cè)壁處中斷的問題。
[0073] 在圖2的實施例中,PDL145a具有第一區(qū)域A1、第二區(qū)域A2和第三區(qū)域A3。然而， 為了進(jìn)一步減小第一區(qū)域A1和第二區(qū)域A2之間的階梯差異，可以形成更多的區(qū)域。
[0074] 也可以通過使用具有不同的透射率的半色調(diào)掩模來形成H)L145a。
[0075] 參照圖2,像素電極150a覆蓋第一區(qū)域A1和第三區(qū)域A3,但是不限于此。像素電 極150a可以覆蓋第三區(qū)域A3的一部分和第一區(qū)域A1。此外，像素電極150a可以覆蓋第三 區(qū)域A3和第二區(qū)域A2之間的傾斜區(qū)域的一部分。
[0076] 圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的有機發(fā)光顯示裝置100b的剖視圖。
[0077] 參照圖3,除了像素電極150b的剖面形狀以及反映像素電極150b的剖面形狀的中 間層155b和對電極160b的剖面形狀之外，有機發(fā)光顯示裝置100b與圖1的有機發(fā)光顯示 裝置100相似。相同的組件具有相同的附圖標(biāo)記，而與圖號無關(guān)，并省略對其重復(fù)的描述。
[0078] 像素電極150b設(shè)置在PDL145的第一區(qū)域A1的一部分上。由于像素電極150b設(shè) 置在平坦的第一區(qū)域A1的一部分上，所以像素電極150b可以被更精確地圖案化。因此，可 以精確地控制EML的發(fā)射。
[0079] 中間層155b可以覆蓋像素電極150b。中間層155b可以形成在被TOL145的第二 區(qū)域A2凹入地限定的TOL145的第一區(qū)域A1上。然而，中間層155b不限于此，可以僅設(shè)置 在像素電極150b上或者可以覆蓋TOL145的傾斜區(qū)域AS的一部分。
[0080] 對電極160b可以形成在中間層155b上以及TOL145的第二區(qū)域A2的整個表面上。
[0081] 圖3的實施例中的像素電極150b、中間層155b和對電極160b可以等同地應(yīng)用到 圖2的實施例。
[0082] 圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的有機發(fā)光顯示裝置100c的剖視圖。
[0083] 參照圖4,除了像素電極150c的剖面形狀以及反映像素電極150c的剖面形狀的中 間層155c和對電極160c的剖面形狀之外，有機發(fā)光顯示裝置100c與圖1的有機發(fā)光顯示 裝置100相似。相同的組件具有相同的附圖標(biāo)記，而與圖號無關(guān)，并省略對其重復(fù)的描述。
[0084] 像素電極150c不僅設(shè)置在TOL145的第一區(qū)域A1上，而且形成在左側(cè)和右側(cè)的傾 斜區(qū)域AS的部分上。由于像素電極150c還形成在傾斜區(qū)域AS上，所以有機發(fā)光顯示裝置 100c可以提供更寬的視角。即，當(dāng)有機發(fā)光顯示裝置100c是頂發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置 時，中間層155c的位于像素電極150c的左部(該左部形成在左邊的傾斜區(qū)域AS上)上的左 部朝向包封基底170的右側(cè)發(fā)射光。當(dāng)有機發(fā)光顯示裝置100c是底發(fā)射型有機發(fā)光顯示 裝置時，中間層155c的左部朝向基底110的左側(cè)發(fā)射光。此外，當(dāng)有機發(fā)光顯示裝置100c 是頂發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置時，中間層155c的位于像素電極150c的右部(該右部形成在 右邊的傾斜區(qū)域AS上）上的右部朝向包封基底170的左側(cè)發(fā)射光。當(dāng)有機發(fā)光顯示裝置 100c是底發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置時，中間層155c的右部朝向基底110的右側(cè)發(fā)射光。另 一方面，中間層155c的位于像素電極150c的平坦部分(該平坦部分形成在第一平坦區(qū)域A1 上)上的平坦部分沿著與基底110垂直的方向朝向前表面或底表面發(fā)射光。因此，通過具有 不平坦的而是不規(guī)則的剖面，0LED可以沿不同的方向發(fā)射光，使得有機發(fā)光顯示裝置100c 可以提供更寬的視角。
[0085] 中間層155c不僅設(shè)置在第一區(qū)域A1上，而且設(shè)置在傾斜區(qū)域AS的部分上，以與 像素電極150c的剖面相對應(yīng)。對電極160c可以設(shè)置在TOL145的第二區(qū)域A2和中間層 155c的整個表面上。
[0086] 圖4的實施例中的像素電極150c、中間層155c和對電極160c可以等同地應(yīng)用到 圖2的實施例。
[0087] 圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的有機發(fā)光顯示裝置100d的剖視圖。
[0088] 參照圖5,示出了有機發(fā)光顯示裝置100d。除了基底110d和薄膜包封層180之外， 有機發(fā)光顯示裝置l〇〇d與圖1的有機發(fā)光顯示裝置100本質(zhì)上相同。相同的組件具有相 同的附圖標(biāo)記，而與圖號無關(guān)，并省略對其重復(fù)的描述。
[0089] 基底110d可以是柔性基底，并且可以由諸如聚酰亞胺（PI)、聚對苯二甲酸乙二醇 酯（PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)、聚碳酸酯（PC)、聚芳酯（PAR)、聚醚酰亞胺（PEI)和聚 醚砜（PES)等的具有優(yōu)異的耐熱性和耐久性的塑料材料形成。然而，本發(fā)明的一個或更多 個實施例不限于此，可以通過使用諸如金屬箔或薄玻璃的各種柔性材料形成基底ll〇d。與 圖1的基底110相似，基底ll〇d可以是剛性的基底，在這種情況下，基底110d可以由玻璃 材料形成。
[0090] 薄膜包封層180,而非圖1的包封基底170,可以設(shè)置在對電極160上?？梢酝ㄟ^ 交替地堆疊一個或更多個有機層182和184以及一個或更多個無機層181、183和185來形 成薄膜包封層180。
[0091] 如圖5中所示，可以形成多個無機層181、183和185以及多個有機層182和184。 然而，本實施例不限于此，薄膜包封層180可以僅包括一個有機層或者僅一個無機層。
[0092] 有機層182和有機層184中的每個可以由聚合物形成，例如，有機層182和有機層 184中的每個可以是聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧樹脂、聚乙烯和聚丙 烯酸酯中的任何一種形成的單層或堆疊的層。有機層182和184可以由聚丙烯酸酯形成， 并且可以包括聚合的單體組合物，所述單體組合物包括二丙烯酸酯類單體和三丙烯酸酯類 單體。在該聚合的單體組合物中還可以包括單丙烯酸酯類單體。另外，聚合的單體組合物 還可以包括例如ΤΡ0的公知的光引發(fā)劑，但是不限于此。
[0093] 無機層181、183和185中的每個可以是包括金屬氧化物或金屬氮化物的單層或堆 疊的層。例如，無機層181、183和185可以包括51隊31 203、5102和1102中的至少一種。
[0094] 薄膜包封層180的被暴露于外部的最上層可以是無機層以防止水蒸氣透入0LED。 然而，在一些實施例中，薄膜包封層180的最上層可以是有機層。
[0095] 薄膜包封層180可以包括至少一個夾層結(jié)構(gòu)，其中，有機層182和184中的至少一 個插入在無機層181、183和185中的至少兩個之間。此外，薄膜包封層180可以包括至少 一個夾層結(jié)構(gòu)，其中，無機層181U83和185中的至少一個插入在有機層182和184之間。
[0096] 薄膜包封層180可以包括從對電極160的頂部順序地堆疊的無機層181、有機層 182和第二無機層183。另外，薄膜包封層180可以包括從對電極160的頂部順序地堆疊的 第一無機層181、第一有機層182、第二無機層183、第二有機層184和第三無機層185。此 夕卜，薄膜包封層180可以包括從對電極160的頂部順序地堆疊的第一無機層181、第一有機 層182、第二無機層183、第二有機層184、第三無機層185、第三有機層(未示出)和第四無機 層（未不出）。
[0097] 在對電極160和第一無機層181之間還可以設(shè)置包括例如LiF的齒化金屬層。齒 化金屬層可以防止當(dāng)通過濺射法或等離子體沉積法來形成第一無機層181時對電極160和 0LED被損壞。
[0098] 在平面方向上觀看有機發(fā)光顯示裝置100d，第一有機層182可以具有比第二無機 層183小的面積，第二有機層184可以具有比第三無機層185小的面積。此外，第一有機層 182可以被第二無機層183完全覆蓋，第二有機層184可以被第三無機層185完全覆蓋。
[0099] 有機發(fā)光顯示裝置100d包括薄膜包封層180和具有柔性的基底110d，使得有機發(fā) 光顯示裝置l〇〇d可以具有柔性。因此，有機發(fā)光顯示裝置100d可以被彎曲或者卷取，并且 可以安裝在具有彎曲表面的產(chǎn)品或者形狀被改變的產(chǎn)品上。
[0100] 圖5的實施例中的基底110d和薄膜包封層180可以等同地應(yīng)用到圖2至圖4的 實施例。
[0101] 圖6A至圖6E是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的按順序的有機發(fā)光顯示裝置100的 制造方法的工藝的剖視圖。
[0102] 參照圖6A，可以在基底110的頂表面上形成緩沖層115,可以在緩沖層115的預(yù)定 區(qū)域上形成有源層120?；?10可以由包括透明玻璃材料、透明塑料材料或金屬材料等的 各種材料形成。
[0103] 可以設(shè)置例如屏障層和/或阻擋層的緩沖層115以防止雜質(zhì)離子擴散到基底110 中，防止潮氣或外部的空氣滲透到基底110中并平坦化該表面?？梢酝ㄟ^使用包括PECVD 法、APCVD法或LPCVD法等的各種方法，由諸如氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅的無機絕緣 材料形成緩沖層115。
[0104] 可以在緩沖層115的預(yù)定區(qū)域上形成TFT的有源層120。更詳細(xì)地，可以首先在 緩沖層115上沉積例如非晶硅的半導(dǎo)體材料層(未示出），然后可以使其結(jié)晶化，由此可以形 成多晶硅層（未示出）?？梢酝ㄟ^使用包括快速熱退火（RTA)法、固相結(jié)晶（SPC)法、受激準(zhǔn) 分子激光退火（ELA)法、金屬誘導(dǎo)結(jié)晶（MIC)法、金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶（MILC)法、順序橫向固 化（SLS)法等的各種方法來使非晶硅結(jié)晶。然后，可以通過使用第一掩模(未示出）的光刻 工藝和蝕刻工藝將多晶硅層圖案化為如圖6A中所示的有源層120。
[0105] 在另一個實施例中，可以首先將多晶硅層圖案化然后結(jié)晶化，由此可以形成包括 多晶硅的有源層120。
[0106] 參照圖6B，可以在有源層120上形成柵極絕緣層125,可以在與有源層120的溝道 區(qū)120c相對應(yīng)的位置處形成柵電極130。
[0107] 可以通過使用PECVD法、APCVD法或LPCVD法等沉積諸如氮化硅或氧化硅的無機 絕緣層來形成柵極絕緣層125?？梢詫艠O絕緣層125設(shè)置在TFT的柵電極130和有源層 120之間，從而用作TFT的柵極絕緣層。盡管未示出，但是由與有源層120相同的層形成的 下電極和由與柵電極130相同的層形成的上電極可以構(gòu)造電容器，在這種情況下，柵極絕 緣層125可以作為電容器電介質(zhì)設(shè)置在上電極和下電極之間。
[0108] 在柵極絕緣層125上形成導(dǎo)電材料層之后，可以通過使用第二掩模(未示出）的 光刻工藝和蝕刻工藝將導(dǎo)電材料層圖案化，由此可以形成柵電極130。柵電極130可以包 括銀（Ag)、鎂（Mg)、鋁（A1)、鉬（Pt)、鈀（Pd)、金（Au)、鎳（Ni)、釹（Nd)、銥（Ir)、鉻（Cr)、鋰 (Li)、鈣（Ca)、鑰（Mo)、鈦（Ti)、鎢（W)、銅（Cu)、鑰鎢（MoW)和鋁/銅（Al/Cu)中的至少一種。 柵電極130可以具有包括鑰（Mo)-鋁（A1)-鑰（Mo)的三層結(jié)構(gòu)。柵電極130還可以包括 透明導(dǎo)電材料。
[0109] 可以通過使用柵電極130作為自對準(zhǔn)掩模將雜質(zhì)選擇性地注入到有源層120的側(cè) 部來在有源層120的部分中形成源區(qū)120a和漏區(qū)120b。有源層120的源區(qū)120a和漏區(qū) 120b之間的區(qū)域可以被限定為溝道區(qū)120c。所述雜質(zhì)可以包括例如硼（B)離子或磷（P)離 子。
[0110] 參照圖6C，在柵極絕緣層125和柵電極130上形成層間絕緣層135,并形成分別連 接到有源層120的源區(qū)120a和漏區(qū)120b的源電極140a和漏電極140b。
[0111] 層間絕緣層135可以由與柵極絕緣層125相似的無機絕緣材料形成。層間絕緣層 135設(shè)置在柵電極130和電極140之間，從而用作層間絕緣層。盡管未示出，但是由與柵電 極130相同的層形成的下電極和由與電極140相同的層形成的上電極可以構(gòu)造電容器，在 這種情況下，層間絕緣層135可以作為電容器電介質(zhì)設(shè)置在上電極和下電極之間。
[0112] 可以通過使用第三掩模(未示出）的光刻工藝和蝕刻工藝在層間絕緣層135中形成 暴露源區(qū)120a的一部分和漏區(qū)120b的一部分的接觸孔CH。
[0113] 可以在接觸孔CH中填充導(dǎo)電材料層，并且可以在層間絕緣層135上形成導(dǎo)電材料 層。可以通過使用第四掩模(未示出）的光刻工藝和蝕刻工藝將導(dǎo)電材料層圖案化，由此可 以形成包括源電極140a和漏電極140b的電極140。如上所述，電極140除了源電極140a 和漏電極140b之外，可以包括另一個TFT的源電極和漏電極以及布線。此外，根據(jù)電容器 的結(jié)構(gòu)，電極140可以包括電容器的上電極。電極140可以由與柵電極130相同的材料形 成。
[0114] 參照圖6D，可以在層間絕緣層135和電極140上形成TOL145。如上所述，PDL145 包括具有第一厚度tl的第一區(qū)域A1和具有第二厚度t2的第二區(qū)域A2,在第一區(qū)域A1中 形成通孔VH以暴露電極140的一部分。
[0115] 可以在層間絕緣層135和電極140上形成有機材料層（未示出）?？梢酝ㄟ^使用旋 涂法由從聚酰亞胺、聚酰胺、芳香基樹脂、苯并環(huán)丁烯聚合物和酚樹脂中選擇的有機絕緣材 料來形成有機材料層。
[0116] 可以在有機材料層上形成光致抗蝕劑層(未示出）?？梢酝ㄟ^半色調(diào)掩模141對光 致抗蝕劑層進(jìn)行曝光。半色調(diào)掩模141可以包括與通孔VH對應(yīng)的第一區(qū)域141a、與除了 通孔VH之外的第一區(qū)域A1相對應(yīng)的第二區(qū)域141b以及與第二區(qū)域A2相對應(yīng)的第三區(qū)域 141c。例如，第一區(qū)域141a可以完全透射在曝光過程中使用的光，例如紫外（UV)光，第二 區(qū)域141b可以部分地透射光，第三區(qū)域141c可以不透射光。根據(jù)光致抗蝕劑層的類型，第 一區(qū)域141a可以不透射光，第二區(qū)域141b可以部分地透射光，第三區(qū)域141c可以完全透 射光。
[0117] 當(dāng)曝光之后對光致抗蝕劑層進(jìn)行顯影時，光致抗蝕劑層在有機材料層上可以具有 與TOL145相對應(yīng)的形式?？梢酝ㄟ^使用光致抗蝕劑層作為蝕刻掩模來蝕刻有機材料層。當(dāng) 有機材料層被蝕刻時，光致抗蝕劑層也被蝕刻，使得與第二區(qū)域141b對應(yīng)的有機材料層被 暴露。因此，與第一區(qū)域141a對應(yīng)的有機材料層可以被完全去除，與第二區(qū)域141b相對應(yīng) 的有機材料層可以被部分地去除，與第三區(qū)域141c對應(yīng)的有機材料層可不被去除。因此， 可以形成具有階梯差異的TOL145,如圖6D中所示。
[0118] 如圖6D中所示，TOL145可以包括具有第一厚度tl的第一區(qū)域A1和具有第二厚 度t2的第二區(qū)域A2。此外，PDL145可以包括由于工藝原因而形成在第一區(qū)域A1和第二區(qū) 域A2之間的傾斜區(qū)域AS。
[0119] 參照圖6E，在TOL145的第一區(qū)域A1上形成像素電極150,在像素電極150上形成 包括EML的中間層155,在中間層155和TOL145的第二區(qū)域A2上形成對電極160。
[0120] 像素電極150填充PDL145的通孔VH并形成在第一區(qū)域A1上。可以在PDL145上 形成像素電極材料層(未示出）以填充通孔VH，然后可以通過使用第五掩模(未示出）的光刻 工藝和蝕刻工藝將像素電極材料層圖案化，由此可以在第一區(qū)域A1上形成像素電極150。 如圖6E中所示，像素電極150可以具有多個層堆疊的堆疊結(jié)構(gòu)。例如，像素電極150可以 包括第一透明導(dǎo)電氧化物層151、金屬層152和第二透明導(dǎo)電氧化物層153。
[0121] 可以通過使用噴墨印刷法、旋涂法或激光誘導(dǎo)熱成像（LITI)法在像素電極150上 形成包括EML的中間層155。
[0122] 可以在基底100的整個表面上沉積對電極160。
[0123] 然后，可以通過使用密封構(gòu)件(未示出）將圖1中示出的包封基底170附著在基底 110上。在另一個實施例中，可以將圖5中示出的薄膜包封層180形成在對電極160上。在 這種情況下，可以在對電極160上交替地形成無機層和有機層。
[0124] 按照根據(jù)本發(fā)明的一個或更多個實施例的有機發(fā)光顯示裝置以及該有機發(fā)光顯 示裝置的制造方法，可以在形成像素電極之前形成限定像素的roL，然后可以在roL的凹部 上形成像素電極，使得pdl還可以用作鈍化層。因此，盡管對像素電極進(jìn)行圖案化，但是不 損壞下面的電極，可以保護(hù)像素電極下面的TFT不受外部有害環(huán)境的影響。
[0125] 為了描述方便，與一個或更多個實施例相關(guān)的附圖僅示出了一個TFT。然而，TFT 的數(shù)量不限于此，一個或更多個實施例可以包括多個TFT和多個電容器。
[0126] 盡管已經(jīng)參考本發(fā)明的特定實施例具體地示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域普通 技術(shù)人員將理解的是，在不脫離權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此可以 做出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括： 基底； 薄膜晶體管，位于基底上； 像素限定層，設(shè)置在薄膜晶體管上，并包括具有第一厚度的第一區(qū)域和具有第二厚度 的第二區(qū)域，第二厚度大于第一厚度，像素限定層具有位于第一區(qū)域中的通孔； 像素電極，設(shè)置在像素限定層的第一區(qū)域的至少一部分上，并通過通孔電連接到薄膜 晶體管； 中間層，位于像素電極上，中間層包括發(fā)射層；以及 對電極，位于中間層上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，像素限定層包括形成在第一區(qū)域 和第二區(qū)域之間的第三區(qū)域，第三區(qū)域具有大于第一厚度且小于第二厚度的厚度， 像素電極設(shè)置在第三區(qū)域的至少一部分和第一區(qū)域上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，像素限定層包括位于第一區(qū)域和 第二區(qū)域之間的傾斜區(qū)域， 像素電極設(shè)置在傾斜區(qū)域的至少一部分和第一區(qū)域上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，像素電極填充通孔，并設(shè)置在第一 區(qū)域的一部分上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，薄膜晶體管包括有源層、柵電極、 源電極、漏電極、設(shè)置在有源層和柵電極之間的柵極絕緣層以及設(shè)置在柵電極與源電極和 漏電極中的每個之間的層間絕緣層， 像素電極電連接到源電極和漏電極中的至少一個， 像素限定層直接設(shè)置在層間絕緣層以及源電極和漏電極上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，對電極設(shè)置在第一區(qū)域和第二區(qū) 域上，第二區(qū)域直接接觸對電極。
7. -種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括下述步驟： 在基底上形成薄膜晶體管； 在薄膜晶體管上形成像素限定層，其中，像素限定層包括具有第一厚度的第一區(qū)域和 具有第二厚度的第二區(qū)域，第二厚度大于第一厚度，像素限定層具有位于第一區(qū)域中的通 孔； 在第一區(qū)域的至少一部分上形成像素電極，其中，像素電極通過通孔電連接到薄膜晶 體管； 在像素電極上形成中間層，中間層包括發(fā)射層；以及 在中間層上形成對電極。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成像素限定層的步驟包括在薄膜晶體管上以 如下方式形成像素限定層：像素限定層還包括設(shè)置在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間并具有第三 厚度的第三區(qū)域，第三厚度大于第一厚度且小于第二厚度。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，形成像素電極的步驟包括在第三區(qū)域的至少一 部分和第一區(qū)域上形成像素電極。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成像素限定層的步驟包括通過使用半色調(diào)掩 模來形成像素限定層。
【文檔編號】H01L27/32GK104218055SQ201410083733
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月30日
【發(fā)明者】姜昌珉 申請人:三星顯示有限公司