一種陣列基板及其制備方法，顯示面板、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法，顯示面板、顯示裝置，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，其可解決現(xiàn)有的低溫多晶硅液晶顯示器制作過程中需要的掩膜板多的問題。本發(fā)明的陣列基板的制備方法，包括以下步驟：采用擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成擋光層；采用擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板完成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的摻雜。本發(fā)明的陣列基板及其制備方法，顯示面板、顯示裝置使用了一個(gè)擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板代替了現(xiàn)有技術(shù)在制備擋光層和摻雜過程中的兩個(gè)掩膜板，節(jié)省制造過程的掩膜板的數(shù)量，節(jié)省了成本；同時(shí)，在陣列基板的驅(qū)動(dòng)區(qū)域的N型晶體管下方設(shè)置有擋光層能有利避免使導(dǎo)電區(qū)產(chǎn)生光漏電。
【專利說明】一種陣列基板及其制備方法，顯示面板、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種陣列基板及其制備
[0002]方法，和包括該陣列基板的顯示面板、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0003]目前，液晶顯示技術(shù)越來越普遍地應(yīng)用在生活的各個(gè)領(lǐng)域。液晶顯示技術(shù)通過包括非晶娃a-Si薄膜晶體管液晶顯器(Film Transistor Liquid Crystal Display,簡稱TFTLCD)和低溫多晶娃(Low Temperature Poly-silicon,簡稱 LTPS)液晶顯不器 TFT LCD。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，由于載流子遷移率的限制，非晶硅薄膜晶體管液晶顯示器很難滿足輕薄、省電和高畫質(zhì)的要求，而低溫多晶硅液晶顯示器則具有畫面刷新速度快、亮度高和清晰度高等優(yōu)點(diǎn)，所以，低溫多晶硅液晶顯示器越來越成為液晶顯示器的主流產(chǎn)品。然而，低溫多晶硅液晶顯示器中陣列基板的制備工藝復(fù)雜，通常需要8-10次光刻才能完成，減少掩膜板的數(shù)量，降低生產(chǎn)成本，成為各生產(chǎn)廠家迫切的需要。
[0005]隨著半導(dǎo)體裝置集成度的增加，具有低能量消耗優(yōu)點(diǎn)的P型晶體管和N型晶體管在低溫多晶硅液晶顯示器的陣列基板制作中得到廣泛的應(yīng)用。
[0006]如圖1和圖2所示，典型的具有P型晶體管和N型晶體管的陣列基板的結(jié)構(gòu)如圖1和2所示，包括:襯底基板1，設(shè)置在襯底基板I上的擋光層2，在擋光層2上方設(shè)置緩沖層3，在緩沖層3上方設(shè)置N型晶體管和P型晶體管，在顯示區(qū)域設(shè)置有N型晶體管，驅(qū)動(dòng)區(qū)域設(shè)置有N型晶體管和P型晶體管；其中，各擋光層2位于陣列基板的顯示區(qū)域的N型晶體管的有源層下方；其中，N型晶體管的有源層從中部向兩側(cè)依次包括導(dǎo)電區(qū)19和N型晶體管重?fù)诫s區(qū)6，其中，導(dǎo)電區(qū)19包括N型晶體管溝道區(qū)4、N型晶體管輕摻雜區(qū)5 ；P型晶體管的有源層包括位于中部的P型晶體管溝道區(qū)8和位于端部的P型晶體管重?fù)诫s區(qū)7。
[0007]在N型晶體管和P型晶體管的有源層上設(shè)置的絕緣層9 ;在絕緣層9上設(shè)置的柵極10 ;在柵極10上方設(shè)置的源極12、漏極13，所述的源極12、漏極13分別連接N型晶體管和P型晶體管的兩端的重?fù)诫s區(qū)；在源極12、漏極13上設(shè)有平坦化層14。
[0008]由于N型晶體管的電子遷移率高，通常低溫多晶硅液晶顯示器的陣列基板的顯示區(qū)域的晶體管多為N型晶體管。若光線的照射到N型晶體管的有源層，就會在有源層的導(dǎo)電區(qū)19(包括N型晶體管溝道區(qū)4和N型晶體管輕摻雜區(qū)5)產(chǎn)生漏電流，由此會影響在像素電極中充電的像素電壓，從而造成顯示器的顯示特性差(圖像質(zhì)量劣化)。由于顯示區(qū)域的N型晶體管的光漏電較大，故多用如圖1所示的擋光層掩膜板15在顯示區(qū)域的N型晶體管下面制作一層擋光層2,用于減少光漏電。
[0009]如圖1和2所示，由于P型晶體管和N型晶體管具有功耗低，電路簡單的優(yōu)點(diǎn)，通常低溫多晶硅液晶顯示器的陣列基板的驅(qū)動(dòng)區(qū)域的晶體管包括P型晶體管和N型晶體管。其中，所述的驅(qū)動(dòng)區(qū)域是指位于液晶顯示器周邊被邊框擋住的區(qū)域。而由于驅(qū)動(dòng)區(qū)域通?；静皇芄庹?，故其中的N型晶體管處不設(shè)置擋光層2。
[0010]其中，在P型晶體管和N型晶體管的制作中需要分別進(jìn)行N型和P型摻雜才能使P型晶體管和N型晶體管的閾值獲得精確調(diào)節(jié)，從而使P型晶體管和N型晶體管特性較為對稱，減少漏電功耗；分別摻雜需要使用如圖2所示的摻雜掩膜板16，也就是說，先在不使用摻雜掩膜板16的情況下對全部晶體管的有源區(qū)進(jìn)行摻雜，使其均成為N型，再使用摻雜掩膜板16，擋住除了驅(qū)動(dòng)區(qū)域的P型晶體管之外的部分，從而單獨(dú)對P型晶體管進(jìn)行摻雜，使之轉(zhuǎn)換為P型。
[0011]綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)完成擋光層2制作和有源層摻雜需要兩個(gè)掩膜板，因此掩膜板數(shù)量相對較多。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本發(fā)明的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)的低溫多晶硅液晶顯示器制作過程中需要的掩膜板多的問題，提供一種使用掩膜板較少的低溫多晶硅液晶顯示器的制備方法。
[0013]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板的制備方法，包括以下步驟:采用擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成擋光層的圖形；其中，所述擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板具有對應(yīng)襯底基板上驅(qū)動(dòng)區(qū)域的第一型晶體管的有源層導(dǎo)電區(qū)的遮擋部，以及對應(yīng)襯底基板上顯示區(qū)域的第一型晶體管的有源層導(dǎo)電區(qū)的遮擋部；所述的擋光層形成在與驅(qū)動(dòng)區(qū)域的第一型晶體管的有源層導(dǎo)電區(qū)對應(yīng)的位置，以及與顯示區(qū)域的第一型晶體管的有源層導(dǎo)電區(qū)對應(yīng)的位置；
[0014]對第一型晶體管和第二型晶體管的有源層進(jìn)行第一型摻雜；
[0015]采用擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板遮擋第一型晶體管的有源層的導(dǎo)電區(qū)，對第二型晶體管進(jìn)行第二型摻雜。
[0016]優(yōu)選的是，所述對第一型晶體管和第二型晶體管的有源層進(jìn)行第一型摻雜具體包括:
[0017]對所述第一型晶體管和第二型晶體管的有源層摻入N型原子，形成N型晶體管；
[0018]對所述第二型晶體管的有源層摻入P型原子，形成P型晶體管。
[0019]優(yōu)選的是，所述對第一型晶體管和第二型晶體管的有源層進(jìn)行第一型摻雜具體包括:
[0020]對所述第一型晶體管和第二型晶體管的有源層摻入P型原子，形成P型晶體管；
[0021]對所述第二型晶體管的有源層摻入N型原子，形成N型晶體管。
[0022]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述有源層的制備包括以下步驟:采用低壓化學(xué)氣相沉積法沉積非晶硅薄膜，所述非晶硅薄膜在低溫下晶化為多晶硅薄膜，以作為有源層；
[0023]或采用低壓化學(xué)氣相沉積法直接沉積多晶硅薄膜，以作為有源層。
[0024]本發(fā)明的另一個(gè)目的還在于提供一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板包括用于進(jìn)行顯示的顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域周邊的驅(qū)動(dòng)區(qū)域，其中，所述襯底基板的驅(qū)動(dòng)區(qū)域設(shè)置有第一型晶體管和第二型晶體管，所述襯底基板的顯示區(qū)域設(shè)置有第一型晶體管，其中，各第一型晶體管的有源層的導(dǎo)電區(qū)下方具有擋光層。
[0025]優(yōu)選的是，所述的第一型晶體管為N型晶體管，所述的第二型晶體管為P型晶體管；
[0026]或
[0027]所述的第一型晶體管為P型晶體管，所述的第二型晶體管為N型晶體管。[0028]優(yōu)選的是，所述的N型晶體管為低溫多晶硅進(jìn)行N型摻雜制得，所述的P型晶體管為低溫多晶硅進(jìn)行P型摻雜制得。
[0029]本發(fā)明的另一個(gè)目的還在于提供一種包括上述陣列基板的顯示面板和顯示裝置。
[0030]本發(fā)明的陣列基板由于采用上述的方法制備，即使用了一個(gè)擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板代替了現(xiàn)有技術(shù)在制備擋光層和摻雜過程中的兩個(gè)掩膜板，節(jié)省制造過程的掩膜板的數(shù)量，節(jié)省了成本；同時(shí)，在陣列基板的驅(qū)動(dòng)區(qū)域的N型晶體管下方設(shè)置有擋光層能避免使導(dǎo)電區(qū)產(chǎn)生光漏電。因此，包括該陣列基板的顯示面板和顯示裝置制造成本低、功耗低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中制備的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖及擋光層掩膜板使用位置示意圖。
[0032]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中制備的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖及摻雜掩膜板使用位置示意圖。
[0033]圖3為本發(fā)明實(shí)施例1中制備的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖及擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板的使用位置示意圖。
[0034]圖4為本發(fā)明實(shí)施例1中擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板在制作擋光層時(shí)的使用示意圖。
[0035]圖5為本發(fā)明實(shí)施例1中陣列基板進(jìn)行N型溝道摻雜示意圖。
[0036]圖6為本發(fā)明實(shí)施例1中陣列基板進(jìn)行P型溝道摻雜示意圖及擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板使用示意圖。
[0037]其中:
[0038]1.襯底基板；2.擋光層；3.緩沖層；4.N型晶體管溝道區(qū)；5.N型晶體管輕摻雜區(qū)；
6.N型晶體管重?fù)诫s區(qū)；7.P型晶體管重?fù)诫s區(qū)；8.P型晶體管溝道區(qū)；9.絕緣層；10.柵極；11.柵絕緣層；12.源極；13.漏極；14.平坦化層；15.擋光層掩膜板；16.摻雜掩膜板；17.擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板；18.有源層；19.導(dǎo)電區(qū)。
【具體實(shí)施方式】
[0039]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0040]實(shí)施例1
[0041]如圖3-6所示，本實(shí)施例提供一種的陣列基板及其制備方法。
[0042]如圖3所示，本實(shí)施例提供一種的陣列基板，包括襯底基板1，所述襯底基板I包括用于進(jìn)行顯示的顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域周邊的驅(qū)動(dòng)區(qū)域(在顯示裝置中，該驅(qū)動(dòng)區(qū)域被邊框擋住)，其中，所述襯底基板I的驅(qū)動(dòng)區(qū)域設(shè)置有第一型晶體管和第二型晶體管，所述襯底基板I的顯示區(qū)域設(shè)置有第一型晶體管，其中，各第一型晶體管的有源層的導(dǎo)電區(qū)下方具有擋光層2。
[0043]具體的，陣列基板包括:襯底基板I，設(shè)置在襯底基板I上的擋光層2，其中，各擋光層2位于陣列基板的N型晶體管的有源層的導(dǎo)電區(qū)下方，且所有N型晶體管(包括顯示區(qū)域和驅(qū)動(dòng)區(qū)域的)都有擋光層2 ;其中，導(dǎo)電區(qū)包括N型晶體管溝道區(qū)4和N型晶體管輕摻雜區(qū)5。
[0044]在擋光層2上方設(shè)置緩沖層3，在緩沖層3上方設(shè)置N型晶體管和P型晶體管，如圖3所示，在顯示區(qū)域設(shè)置有N型晶體管，驅(qū)動(dòng)區(qū)域設(shè)置有N型晶體管和P型晶體管。其中，N型晶體管的有源層從中部向兩側(cè)依次包括導(dǎo)電區(qū)19和N型晶體管重?fù)诫s區(qū)6，其中，導(dǎo)電區(qū)19包括N型晶體管溝道區(qū)4、N型晶體管輕摻雜區(qū)5 ；P型晶體管的有源層包括位于中部的P型晶體管溝道區(qū)8和位于端部的P型晶體管重?fù)诫s區(qū)7。
[0045]在N型晶體管和P型晶體管的有源層上設(shè)置的絕緣層9 ;在絕緣層9上設(shè)置的柵極10 ;在柵極10上方設(shè)置的源極12、漏極13，所述的源極12、漏極13分別連接N型晶體管和P型晶體管的兩端的重?fù)诫s區(qū)；在源極12、漏極13上設(shè)有平坦化層14。
[0046]如圖3所示，擋光層2覆蓋N型晶體管溝道區(qū)4和部分N型晶體管輕摻雜區(qū)5，本實(shí)施例中，所有N型晶體管(包括顯示區(qū)域和驅(qū)動(dòng)區(qū)域的)都設(shè)置有擋光層2，在顯示區(qū)域的N型晶體管下方的擋光層2能夠降低漏電流，改善顯示器的顯示質(zhì)量；當(dāng)光線(例如背光發(fā)出的)沒有被擋光部件(擋光膠帶)遮擋時(shí)，或其它原因?qū)е碌墓饩€照射驅(qū)動(dòng)區(qū)域N晶體管的有源層的導(dǎo)電區(qū)時(shí)，擋光層2可以遮擋上述的光線避免使導(dǎo)電區(qū)產(chǎn)生光漏電。
[0047]應(yīng)當(dāng)理解的是，在特殊的應(yīng)用場景中上述的N型晶體管和P型晶體管的位置是可以互換的；本實(shí)施例是以低溫多晶硅摻雜制得N型晶體管和P型晶體管，實(shí)際上采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(CMOS晶體管)也是可行的。
[0048]上述的陣列基板的制備方法，如圖4-6所示，包括:
[0049]S01.采用擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板17在襯底基板I上通過構(gòu)圖工藝形成擋光層。
[0050]本發(fā)明中所稱的構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂布、掩膜、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等部分或全部工藝，本實(shí)施例以采用正性膠為例說明。上述的構(gòu)圖工藝為現(xiàn)有技術(shù)范疇，在此不再一一贅述。上述擋光層2的材料可以為多種，例如鉻、金、鋁、銅等遮光金屬材料。
[0051]如圖4和圖5所示，使用擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板17在襯底基板I上通過構(gòu)圖工藝制作了擋光層2。其中，擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板17包括具有對應(yīng)驅(qū)動(dòng)區(qū)域的N型晶體管的有源層的導(dǎo)電區(qū)的遮擋部，由此，本步驟中在全部的N型晶體管的有源層的導(dǎo)電區(qū)處的下方均形成擋光層2，即在驅(qū)動(dòng)區(qū)域的N晶體管的有源層的導(dǎo)電區(qū)處也形成了擋光層2。
[0052]現(xiàn)有技術(shù)中，由于驅(qū)動(dòng)區(qū)域的N晶體管的有源層的導(dǎo)電區(qū)處通常不被光照，故其不設(shè)置擋光層2，但顯然，若在此處增加擋光層2也不會造成不良影響，擋光層2可以避免導(dǎo)電區(qū)產(chǎn)生光漏電，同時(shí)通過使用擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板17，可減少后續(xù)步驟中使用的掩膜板數(shù)量，降低陣列基板的制作成本。
[0053]在擋光層2上形成緩沖層3，具體緩沖層3的形成工藝可采用已有工藝形成，在此不再一一贅述。
[0054]S02.制備有源層。
[0055]如圖5所不,可先以娃燒氣體作為原材料,用低壓化學(xué)氣相沉積方法在550°C左右沉積a-S1:H薄膜，然后將薄膜在600°C以上的高溫下使其熔化，再降低溫度產(chǎn)生晶核，隨著溫度的降低熔融的硅在晶核上繼續(xù)晶化而使晶粒增大轉(zhuǎn)化為多晶硅薄膜，形成有源層18。
[0056]也可以采用直接法形成多晶硅薄膜，即直接將硅烷氣體直接沉積在襯底基板I上，采用的沉積參數(shù)是:硅烷壓力為13.3?26.6Pa，沉積溫度為580?630°C，生長速率為5 ?10nm/mino
[0057]應(yīng)當(dāng)理解的是，低溫多晶硅的也可以采用已有其它工藝制備，例如，準(zhǔn)分子激光晶化，快速熱退火法等，例如，在此不再一一贅述。[0058]S03.對有源層進(jìn)行N型摻雜。
[0059]如圖5所示，向有源層18中摻入N型原子，有源層18的閾值電壓全部摻雜成N型晶體管所需的，并通過構(gòu)圖工藝形成有源層18的圖案。其中，N型摻雜是指采用已知的擴(kuò)散方法或者離子注入方法向有源層18中摻入磷原子或銻原子。
[0060]S04.對有源層進(jìn)行P型摻雜。
[0061]具體地，如圖6所示，采用上述擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板17遮擋陣列基板上全部的N型晶體管的有源層的導(dǎo)電區(qū)19 (擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板17的尺寸與該導(dǎo)電區(qū)19相匹配)，對裸露的P型晶體管對應(yīng)區(qū)域的有源層和部分裸露的N型晶體管的對應(yīng)區(qū)域的有源層進(jìn)行P型摻雜，其中，P型摻雜是指采用已知的擴(kuò)散方法或者離子注入方法向有源層中摻入硼原子或銦原子。由于擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板17擋住了全部N型晶體管的導(dǎo)電區(qū)19，因此可將未擋的區(qū)域的進(jìn)行P型摻雜以形成P型晶體管需要的閾值，方便調(diào)節(jié)?？梢?，本實(shí)施例的擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板17既可用于擋光層2的制作，也可用于N型晶體管的摻雜，即兩步驟可使用一個(gè)掩膜板完成，從而減少了 一塊掩膜板，降低制造成本。
[0062]雖然，此時(shí)部分裸露的N型晶體管對應(yīng)的有源層被摻雜成弱P型，但可以通過后續(xù)的N型重?fù)诫s進(jìn)行補(bǔ)償。
[0063]S05.參照圖3所示，對有源層上進(jìn)行N型重?fù)诫s，其中，N型重?fù)诫s是指采用上述的N型摻雜的方法，摻雜時(shí)使上述的磷原子或銻原子摻入有源層的濃度增大。N型重?fù)诫s可以將S04中N型晶體管對應(yīng)的被摻雜成弱P型的有源層進(jìn)行N型重?fù)诫s補(bǔ)償，最終在N型晶體管的有源層的導(dǎo)電區(qū)上形成N型晶體管溝道區(qū)4和N型晶體管輕摻雜區(qū)5 ;在N型晶體管有源層的端部形成N型晶體管重?fù)诫s區(qū)6 ;接著采用已有的技術(shù)在有源層上形成絕緣層9、柵極10、柵極絕緣層11、源極12、漏極13、平坦化層14。
[0064]應(yīng)當(dāng)理解的是，上述的制備步驟中除了 SOl步和S03步中使用了共同的擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板17，其它步驟的方法和材料可采用已有方法形成。
[0065]本發(fā)明的陣列基板及其制備方法，使用了一個(gè)擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板代替了現(xiàn)有技術(shù)在制備擋光層和摻雜過程中的兩個(gè)掩膜板，節(jié)省制造過程的掩膜板的數(shù)量，節(jié)省了成本。同時(shí)，在陣列基板的驅(qū)動(dòng)區(qū)域的N型晶體管下方設(shè)置有擋光層能避免使導(dǎo)電區(qū)產(chǎn)生光漏電。
[0066]實(shí)施例2
[0067]本實(shí)施例提供一種顯示面板，所述的顯示面板包括上述的陣列基板。
[0068]本發(fā)明的顯示面板在制作中使用了一個(gè)擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板代替了現(xiàn)有技術(shù)在制備擋光層和摻雜過程中的兩個(gè)掩膜板，節(jié)省制造過程的掩膜板的數(shù)量，節(jié)省了成本。同時(shí)，在陣列基板的驅(qū)動(dòng)區(qū)域的N型晶體管下方設(shè)置有擋光層能避免使導(dǎo)電區(qū)產(chǎn)生光漏電。
[0069]實(shí)施例3
[0070]本實(shí)施例提供一種顯示裝置，所述的顯示裝置包括上述的顯示面板。
[0071]本發(fā)明的顯示裝置在制作中使用了一個(gè)擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板代替了現(xiàn)有技術(shù)在制備擋光層和摻雜過程中的兩個(gè)掩膜板，節(jié)省制造過程的掩膜板的數(shù)量，節(jié)省了成本。同時(shí)，在陣列基板的驅(qū)動(dòng)區(qū)域的N型晶體管下方設(shè)置有擋光層能避免使導(dǎo)電區(qū)產(chǎn)生光漏電。[0072]需要說明的是，本發(fā)明的圖1-6中只是表示出了各個(gè)掩膜板與各遮光層、有源層間的相對位置關(guān)系，而并非表示掩膜板在如圖中所示的情況下使用，例如，圖3中的擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板17應(yīng)當(dāng)是在襯底基板I上沒有其他結(jié)構(gòu)時(shí)用于形成擋光層2的，而非在形成了其他結(jié)構(gòu)后再形成擋光層2。
[0073]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 采用擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成擋光層的圖形；其中，所述擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板具有對應(yīng)襯底基板上驅(qū)動(dòng)區(qū)域的第一型晶體管的有源層導(dǎo)電區(qū)的遮擋部，以及對應(yīng)襯底基板上顯示區(qū)域的第一型晶體管的有源層導(dǎo)電區(qū)的遮擋部；所述的擋光層形成在與驅(qū)動(dòng)區(qū)域的第一型晶體管的有源層導(dǎo)電區(qū)對應(yīng)的位置，以及與顯示區(qū)域的第一型晶體管的有源層導(dǎo)電區(qū)對應(yīng)的位置； 對第一型晶體管和第二型晶體管的有源層進(jìn)行第一型摻雜； 采用擋光層-摻雜復(fù)用掩膜板遮擋第一型晶體管的有源層的導(dǎo)電區(qū)，對第二型晶體管進(jìn)行第二型摻雜。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于， 所述對第一型晶體管和第二型晶體管的有源層進(jìn)行第一型摻雜具體包括: 對所述第一型晶體管和第二型晶體管的有源層摻入N型原子，形成N型晶體管； 對所述第二型晶體管的有源層摻入P型原子，形成P型晶體管。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述對第一型晶體管和第二型晶體管的有源層進(jìn)行第一型摻雜具體包括: 對所述第一型晶體管和第二型晶體管的有源層摻入P型原子，形成P型晶體管； 對所述第二型晶體管的有源層摻入N型原子，形成N型晶體管。
4.如權(quán)利要求1-3任一所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述有源層的制備包括以下步驟:采用低壓化學(xué)氣相沉積法沉積非晶硅薄膜，所述非晶硅薄膜在低溫下晶化為多晶硅薄膜，以作為有源層； 或采用低壓化學(xué)氣相沉積法直接沉積多晶硅薄膜，以作為有源層。
5.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底基板，所述襯底基板包括用于進(jìn)行顯示的顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域周邊的驅(qū)動(dòng)區(qū)域，其中，所述襯底基板的驅(qū)動(dòng)區(qū)域設(shè)置有第一型晶體管和第二型晶體管，所述襯底基板的顯示區(qū)域設(shè)置有第一型晶體管，其中，各第一型晶體管的有源層的導(dǎo)電區(qū)下方具有擋光層。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于， 所述的第一型晶體管為N型晶體管，所述的第二型晶體管為P型晶體管； 或 所述的第一型晶體管為P型晶體管，所述的第二型晶體管為N型晶體管。
7.如權(quán)利要求5或6所述的陣列基板，其特征在于，所述的N型晶體管為低溫多晶硅進(jìn)行N型摻雜制得，所述的P型晶體管為低溫多晶硅進(jìn)行P型摻雜制得。
8.—種顯示面板，其特征在于，所述的顯示面板包括如權(quán)利要求5-7任一所述的陣列基板。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的顯示面板。
【文檔編號】H01L27/12GK103996655SQ201410083723
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月7日
【發(fā)明者】胡理科, 祁小敬 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司