有機發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種有機發(fā)光二極管顯示器及其制造方法。一種防止開裂擴散的偏光膜附接至有機發(fā)光二極管顯示器的下部無機層的外邊緣，其中所述顯示器形成在柔性基板上，在該柔性基板上具有毯狀形成的下部無機層。有機發(fā)光二極管顯示器進一步包括：顯示單元，放置在無機層上并且包括被配置為顯示圖像的多個有機發(fā)光二極管；和薄膜封裝層，覆蓋所述顯示單元并且與無機層的延伸到顯示單元之外的邊緣接合。
【專利說明】有機發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
【技術(shù)領域】
[0001] 這里所描述的技術(shù)總體涉及有機發(fā)光二極管顯示器（0LED)，并且更具體地，涉及 具有偏光膜的有機發(fā)光二極管顯示器及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 在有機發(fā)光二極管顯示器中，像素電路和有機發(fā)光二極管（0LED )布置在基板上的 每個像素區(qū)，并且從多個有機發(fā)光二極管發(fā)出的光被組合以顯示圖像。如果有機發(fā)光二極 管顯示器使用聚合物膜作為其基板，則該顯示器可以具有彎曲特性。在這種情況下，該顯示 器包括用于封裝有機發(fā)光二極管的柔性薄膜封裝層。柔性薄膜封裝層在暴露于外部沖擊時 易于開裂。
[0003] 在大規(guī)模生產(chǎn)制造期間，像素電路、有機發(fā)光二極管和各種布線可以在母基板上 形成多個顯示面板(稱之為單位單元）時同時形成，然后單片集成的顯示面板通過切割母基 板分離成單個的單位單元。在此情況下，每個單位單元被劃分成放置像素電路和有機發(fā)光 二極管的顯示區(qū)以及放置焊盤電極的焊盤區(qū)。
[0004] 具體地，在一個制造有機發(fā)光二極管顯示器的大規(guī)模生產(chǎn)方法中，過程可以包括 以下步驟：（1)在母基板上形成多個單位單元；（2)在每個單位單元的顯示區(qū)上形成薄膜封 裝層；（3)將鈍化膜附接至母基板的整個上部；（4)通過切割母基板將母基板分離成單個的 單位單元；（5)將鈍化膜的與焊盤區(qū)相對應的一部分去除；（6)在將鈍化膜中的與焊盤區(qū)相 對應的這部分去除之后執(zhí)行檢查；（7)將根據(jù)檢查被確定為無缺陷產(chǎn)品的單位單元的鈍化 膜去除；以及（8)將偏光膜附接至這種無缺陷產(chǎn)品。
[0005] 前述有機發(fā)光二極管顯示器具有非常復雜的制造過程，因此難以一致性地且具有 最小缺陷地大規(guī)模生產(chǎn)。進一步，在該過程中，形成在基板上的無機層（阻擋層、緩沖層等） 的部分區(qū)域可能不覆蓋有薄膜封裝層和偏光膜，因此被暴露。當向所暴露的無機層施加外 部沖擊時，可能容易發(fā)生開裂，并且開裂擴散到顯示面板中，從而引起可能在母基板的有機 發(fā)光二極管顯示器上延伸的蔓延性缺陷。
[0006] 應當理解，此【背景技術(shù)】部分旨在提供有用背景以理解這里所公開的技術(shù)，因此此 技術(shù)背景部分可以包括不作為在這里所公開主題的相對應發(fā)明日期之前已被相關(guān)領域的 技術(shù)人員知道或理解的部分的想法、構(gòu)思或認識。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007] 所描述的技術(shù)致力于提供一種有機發(fā)光二極管顯示器，該有機發(fā)光二極管顯示器 能夠簡化制造過程并且通過抑制由于無機層到開裂引起沖擊的暴露而導致的開裂發(fā)生來 防止蔓延的擴散缺陷。
[0008] -種防止開裂擴散的偏光膜附接至有機發(fā)光二極管顯示器的下部無機層的外邊 緣，其中所述顯示器形成在柔性基板上，在該柔性基板上具有毯狀形成的下部無機層。有機 發(fā)光二極管顯示器進一步包括：顯示單元，放置在無機層的內(nèi)部區(qū)域上和內(nèi)部區(qū)域內(nèi)，并且 包括被配置為顯示圖像的多個有機發(fā)光二極管；和薄膜封裝層，覆蓋所述顯示單元并且與 無機層的延伸到顯示單元之外的外部邊緣接合。
[0009] 更具體地，一種示例性有機發(fā)光二極管顯示器包括：柔性基板；無機層，形成在所 述基板的整個上表面；顯示單元，放置在所述無機層的內(nèi)部上和內(nèi)部中，并且包括用于顯示 圖像的多個有機發(fā)光二極管；薄膜封裝層，完全覆蓋所述顯示單元并且延伸以附接至所述 無機層的外部邊緣，以及偏光膜，附接至并完全覆蓋所述薄膜封裝層，并且延伸以附接至所 述無機層的位于所述薄膜封裝層外側(cè)的又一外部邊緣。
[0010] 在所述基板上所述顯示單元的外側(cè)可以放置有焊盤區(qū)，并且所述偏光膜可以附接 在所述基板上方的除了被暴露以允許電測試的焊盤區(qū)之外的整個剩余區(qū)域上。所述偏光膜 可以包括與所述焊盤區(qū)接觸的一邊以及與所述基板的邊緣匹配的三邊。所述基板可以由聚 合物膜形成，并且所述無機層可以包括阻擋層和緩沖層中的至少一個。
[0011] 該公開提供一種制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法，包括：形成無機層以完全覆 蓋柔性母基板；在所述無機層上形成多個間隔開的顯示單元以便形成單位單元的矩陣；分 別在顯示單元的對應矩陣的上部形成間隔開的薄膜封裝層；附接所述無機層的偏光膜暴露 部分，以便從而也完全覆蓋所述多個薄膜封裝層（同時使所述焊盤區(qū)暴露以便允許對多個 焊盤區(qū)進行電測試）；以及通過切割所述母基板和所述偏光膜將所述多個單位單元分離成 單個的單位單元。
[0012] 所述柔性母基板可以由柔性聚合物膜形成，并且所述多個單位單元中的每一個可 以包括在所述顯示單元的外側(cè)的焊盤區(qū)。所述多個單位單元可以被布置為在彼此交叉的兩 個方向上延伸的行，并且所述多個顯示單元和所述多個焊盤區(qū)中的每個可以在所述兩個方 向中的一個方向上成行布置。
[0013] 可以提供具有與所述母基板相同數(shù)目的所述偏光膜，并且可以提供有暴露所述多 個焊盤區(qū)的開口。所述偏光膜可以被提供有與所述一個方向平行的狹縫狀開口，以同時暴 露被放置在所述一個方向上的所述多個焊盤區(qū)。所述多個焊盤區(qū)中的一行焊盤區(qū)可以被放 置在所述偏光膜的一側(cè)邊緣的外側(cè)。
[0014] 同時，所述偏光膜可以以與所述一個方向平行的桿狀形成，以覆蓋所述多個薄膜 封裝層中的與所述一個方向平行放置的一行薄膜封裝層。所述偏光膜的所述一側(cè)邊緣可以 與所述焊盤區(qū)的朝向所述顯示單元的邊界接觸，并且相對側(cè)邊緣可以被放置在所述薄膜封 裝層的邊緣的外側(cè)。
[0015] 所述單個的單位單元中的所述偏光膜可以被放置在所述薄膜封裝層上，并且與所 述無機層的延伸出所述薄膜封裝層的外側(cè)的外部邊緣接觸。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016] 圖1是根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的透視圖。
[0017] 圖2是沿圖1的線A-A截取的有機發(fā)光二極管顯示器的截面圖。
[0018] 圖3是圖2中所示顯示單元和薄膜封裝層的放大截面圖。
[0019] 圖4是圖示根據(jù)示例性實施例的制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法的過程流程 圖。
[0020] 圖5、圖6和圖7是分別圖示在圖4中所示的第二步驟、第三步驟和第四步驟中具 有多個有機發(fā)光二極管顯示器的母基板的透視圖。
[0021] 圖8是圖示圖7中所示偏光膜的第一示例性變體的透視圖。
[0022] 圖9是圖示圖7中所示偏光膜的第二示例性變體的透視圖。
[0023] 圖10是圖示在圖4中所示的第五步驟中的有機發(fā)光二極管顯示器的頂部平面圖。
【具體實施方式】
[0024] 下文將參照附圖更充分地描述本發(fā)明的公開內(nèi)容，附圖中示出示例性實施例。本 領域技術(shù)人員考慮到此公開內(nèi)容會認識到，所描述的實施例可以以各種不同的方式進行修 改，只要均不背離本教導的精神或范圍。
[0025] 除非明確地進行相反描述，否則詞"包括"及諸如"包含"或"具有"之類的變體將 被理解為暗含包括所列出的元件，但不排除任何其他元件。進一步，將理解，當諸如層、膜、 區(qū)域或基板之類的元件被提及在另一元件"上"時，其可以直接在另一元件上，或者中間元 件也可以存在。進一步，在說明書中，表達"在…上"意味著放置在對象部分上或下，但本質(zhì) 上并不意味著基于重力方向放置在對象部分的上側(cè)。
[0026] 圖1是根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光二極管顯示器的透視圖。圖2是沿圖1的線 A-A截取的有機發(fā)光二極管顯示器的截面圖。
[0027] 參照圖1和圖2,有機發(fā)光二極管顯示器100包括基板10以及基本按所述的順序 形成在基板10上的顯示單元20、薄膜封裝層30和偏光膜40。
[0028] 作為柔性膜的基板10可以由透明或不透明聚合物膜(例如聚酰亞胺）形成。基板 10被細分成顯示區(qū)DA和焊盤區(qū)PA。焊盤區(qū)PA與基板10的一側(cè)的邊緣接觸，并且與延伸 到顯示區(qū)DA中的布線接觸。焊盤區(qū)PA被放置為從基板10的邊緣離開預定距離到基板10 的除了焊盤區(qū)PA之外的剩余區(qū)域。
[0029] 顯示單元20包括放置在顯示區(qū)DA中的多個有機發(fā)光二極管和多個像素電路。對 于每個像素提供至少一個有機發(fā)光二極管（0LED)和相應的像素電路。顯示單元20通過結(jié) 合從多個有機發(fā)光二極管發(fā)射的光而顯示圖像。
[0030] 焊盤電極11經(jīng)由一體延伸導體連接至顯示單元20的各個像素電路。焊盤電極11 放置在焊盤區(qū)PA中。在一個實施例中，焊盤電極11不僅連接至封裝層30下面的電路，而 且連接至諸如膜上芯片控制電路和/或外部印刷電路板之類的另一外部電路(其未示出）。 換句話說，焊盤電極11從該另一外部電路接收控制和/或數(shù)據(jù)信號以用于驅(qū)動顯示單元20 (DA)的像素。可替代地或另外地，一個或多個板上集成電路芯片（未示出）可以放置在焊盤 區(qū)PA中，以用作分別驅(qū)動被提供在封裝層30下面的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線的掃描線驅(qū) 動器和/或數(shù)據(jù)線驅(qū)動器。
[0031] 應當在圖2的截面圖中觀看到，顯示單元20形成在下層無機層18的一部分上而 使無機層18的其它部分暴露。薄膜封裝層30覆蓋形成在無機層18的一部分上的顯示單 元20,而不覆蓋無機層18的其它部分的大部分。薄膜封裝層30在其端部與無機層18的其 它部分的內(nèi)邊界部分直接接合，從而充分且保護性地封裝顯示單元20。偏光膜40附接至 并覆蓋薄膜封裝層30以及無機層18的延伸到薄膜封裝層30外側(cè)之外的一部分，使得偏光 膜40與無機層18結(jié)合地充分封裝薄膜封裝層30和顯示單元20的組合。圖3是顯示單元 20、薄膜封裝層30和無機層18的放大截面圖，其中無機層由子層12和13 (在這里也被稱 之為層12和13)構(gòu)成。
[0032] 參照圖3,子層12用作阻擋層12,并且子層13用作緩沖層13。這些薄膜子層12 和13沉積在柔性基板10的整個上表面上，并且被配置為與柔性基板10 -起彎曲。阻擋層 12包括多個不同且相對薄的無機層，并且可以形成在其中例如Si02層和SiNx層交替且重 復堆疊的結(jié)構(gòu)中，以便提供柔性以及對氧氣和/或其它腐蝕物質(zhì)(例如H 20)的抗?jié)B性。與聚 合物基板10相比，阻擋層12具有基本較小的濕氣傳輸率和基本較小的氧氣傳輸率。因此， 阻擋層12阻止或防止?jié)B透通過柔性聚合物基板10的濕氣和氧氣進一步向內(nèi)滲透以損壞像 素電路及其相對應的有機發(fā)光二極管50。
[0033] 緩沖層13也由無機層形成，并且可以包括例如平坦化的Si02或SiNx層。緩沖層 13提供用于在其上形成像素電路的平坦介電表面，并且還抑制濕氣和外來物質(zhì)向內(nèi)滲透以 侵襲像素電路及其相對應的有機發(fā)光二極管50。
[0034] 諸如示例性TFT60的一個或多個薄膜晶體管和諸如示例性Cst70的一個或多個電 容器被提供在薄膜封裝層30與無機層18 (包括子層12和13)之間作為封裝的，以用于形 成相應的像素電路。薄膜晶體管60包括半導體層61、柵電極62以及源/漏電極63和64。 半導體層61可以由多晶硅或半導體氧化物中之一形成，并且包括不大量摻入雜質(zhì)的溝道 區(qū)611以及在溝道區(qū)611的兩側(cè)摻入一個或多個導電性提供雜質(zhì)的源區(qū)/漏區(qū)612和613。 當半導體層61由半導體氧化物形成時，可以增加用于保護半導體層61的單獨的鈍化層(未 示出）。
[0035] 柵絕緣層14放置在半導體層61與柵電極62之間，并且層間絕緣層15放置在柵 電極62與源/漏電極63和64之間。柵絕緣層14和層間絕緣層15可以由有機材料或諸 如Si0 2和SiNx的無機材料形成。
[0036] 電容器70包括形成在柵絕緣層14上的第一板電容器71以及形成在層間絕緣層 15上的第二板電容器72。第一板電容器71可以由與柵電極62相同的材料形成，并且第二 板電容器72可以由與源/漏電極63和64相同的材料形成。第二板電容器72可以與源電 極63連接。
[0037] 圖3所示的薄膜晶體管60用作0LED驅(qū)動膜晶體管。盡管未示出，但像素電路可以 進一步包括用于將相鄰數(shù)據(jù)線上的信號選擇性地聯(lián)接到0LED驅(qū)動晶體管60的開關(guān)薄膜晶 體管。換句話說，開關(guān)薄膜晶體管用作開關(guān)元件以選擇期望被制造從而發(fā)射某一預定幅度 光的像素，并且驅(qū)動薄膜晶體管施加電力以使所選擇像素的0LED50發(fā)射該預定幅度的光。
[0038] 平坦化層16放置在源/漏電極63和64以及第二板電容器72上。平坦化層16 由有機材料或無機材料形成，或者由有機材料和無機材料的合成形式形成。丙烯酸基樹脂、 環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺基樹脂等可以用作有機材料。平坦化層16被提供有通孔，漏電 極64的一部分連通該通孔以與形成在平坦化層16上的有機發(fā)光二極管50連接。
[0039] 有機發(fā)光二極管（0LED)50包括像素電極51、有機發(fā)射層52和公共電極53。像素 電極51單個形成在每個像素處，并且通過該通孔與薄膜晶體管60的漏電極64連接。公共 電極53由透光材料(例如ΙΤ0)形成，并且在整個顯示區(qū)DA上延伸。像素鄰接/限定層17 放置在像素電極51上。像素限定層17被提供有暴露像素電極51的開口，并且有機發(fā)射層 52形成在開口處以與像素電極51接觸。像素限定層17可以由不透明材料形成。
[0040] 有機發(fā)射層52可以是紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層和藍色發(fā)射層中的任意之一。另一 方面，有機發(fā)射層52可以是白色發(fā)射層或者紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層和藍色發(fā)射層的堆疊 層。在堆疊層的情況下，有機發(fā)光二極管顯示器100可以進一步包括一個或多個彩色濾光 片（未示出）。彩色濾光片可以包括與紅色像素對應的紅色濾光片、與綠色像素對應的綠色 濾光片和與藍色像素對應的藍色濾光片。
[0041] 像素電極51和公共電極53中的一個用作作為空穴注入電極的陽極，并且另一個 用作作為電子注入電極的陰極。從陽極注入的空穴和從陰極注入的電子在有機發(fā)射層52 中結(jié)合以產(chǎn)生光子，從而在結(jié)合空穴和電子的成對結(jié)合(激子）接合并排放其結(jié)合的能量時 進行發(fā)光。
[0042] 空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個可以放置在陽極與有機發(fā)射層52之間， 并且電子注入層和電子傳輸層中的至少一個可以放置在有機發(fā)射層52與陰極之間?？昭?注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層可以針對它們屬于哪個像素而不加區(qū)分地 形成在整個顯示區(qū)DA上。
[0043] 像素電極51可以是反射電極，而公共電極53是透反（因此諧振產(chǎn)生)或透射電極。 像素電極51可以是單層或包含鋁（A1)、金（Au)、銀（Ag)、鎂（Mg)、鋰（Li)和鈣（Ca)中至少 之一的多層。公共電極53可以包含銦錫氧化物（ΙΤ0)、銦鋅氧化物（ΙΖ0)、鋅氧化物（ZnO) 和氧化銦（Ιη 203)中的任意一個。
[0044] 從有機發(fā)射層52發(fā)射的光從像素電極51反射、穿透公共電極53,然后放出到外部 供用戶感知。在公共電極53是透反型的情況下，一些光線從公共電極53再次反射到像素 電極51，從而形成諧振光學結(jié)構(gòu)。
[0045] 薄膜封裝層30放置在多個有機發(fā)光二極管50上。薄膜封裝層30封裝有機發(fā)光 二極管50免受包含濕氣和氧氣的外部環(huán)境，以抑制由于暴露于濕氣和/或氧氣而導致的有 機發(fā)光二極管50的劣化。薄膜封裝層30可以由多個有機層和多個無機層一個接一個地交 替堆疊在其中的配置形成，從而提供柔性。
[0046] 薄膜封裝層30的有機層由聚合物形成，并且可以是單層或由例如聚對苯二甲酸 乙酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧樹脂、聚乙烯和聚丙烯中任意之一形成的堆疊層。薄膜封裝 層30的無機層可以是單層或包含硅氧化物或硅氮化物、金屬氧化物或金屬氮化物的堆疊 層。例如，無機層可以包含SiNx、Al 203、Si0jPTi02中任意之一。
[0047] 參照圖1至圖4,偏光膜40附接在薄膜封裝層30的外表面上，并且抑制可能由顯 示區(qū)（DA)中的非平坦結(jié)構(gòu)引起的外部光反射，從而提高顯示單元20的可視性。
[0048] 再次重申，基板10上的無機層18 (參見圖1和圖2)形成在基板10的整個上表面 以具有與基板10相同的寬度。在此情況下，無機層18包括前述阻擋層12和緩沖層13中 至少之一。顯示單元20被布置為朝向基板10的內(nèi)側(cè)與基板10的邊緣間隔開。薄膜封裝 層30被形成為具有比顯示單元20大的面積，因此與無機層18 (即層12-13)結(jié)合封裝顯示 單元20。薄膜封裝層30也被布置為朝向基板10的內(nèi)側(cè)與基板10的邊緣間隔開。
[0049] 另外，偏光膜40形成在基板10的除了焊盤區(qū)PA之外的整個剩余區(qū)域上(或無機 層18的除了焊盤區(qū)PA之外的整個剩余區(qū)域上)。也就是說，偏光膜40被形成為具有與基 板10的除了焊盤區(qū)PA之外的剩余區(qū)域相同的尺寸。換句話說，在顯示器單位單元從其母 基板分離之后，除了四邊偏光膜40中的一邊之外(其中一個例外是與焊盤區(qū)PA接觸的邊） 的三邊與基板10的邊緣(或與無機層18的剩余區(qū)域的邊緣)匹配。相應地，在顯示單元20 外側(cè)的無機層18在基板10的除了焊盤區(qū)PA之外的剩余區(qū)域中被覆蓋有偏光膜40,使得無 機層18不暴露于來自外部的劃傷或引起開裂的沖擊。
[0050] 偏光膜40覆蓋并保護顯示單元20外側(cè)的無機層18,從而在制造有機發(fā)光二極管 顯示器100的過程中和在制造之后利用其它部件裝配有機發(fā)光二極管顯示器100的過程中 阻擋施加給無機層18的大部分外部沖擊。
[0051] 另外，偏光膜40抑制無機層18的開裂發(fā)生，并且即使由于從側(cè)表面施加的外部沖 擊而導致在無機層18中發(fā)生開裂，偏光膜40也可以阻擋開裂進一步在顯示單元20內(nèi)擴散 或者進一步擴散到公共母基板的顯示單元。結(jié)果，有機發(fā)光二極管顯示器100的根據(jù)到顯 示單元20的開裂擴散而導致的可收縮缺陷可以得到防止，并且其蔓延降低。
[0052] 圖4是圖示根據(jù)示例性實施例的制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法的過程流程 圖。
[0053] 參照圖4,制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法包括：（1)在母基板的整個表面上和 上面形成無機層的第一步驟S10,（2)在無機層上形成多個顯示單元以便形成多個單位單元 的第二步驟S20,以及（3)在多個顯示單元中每個的上部形成薄膜封裝層的第三步驟S30。 進一步，在母基板上制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法包括：（4)在無機層上附接偏光膜 以便覆蓋多個薄膜封裝層的第四步驟S40,以及（5)通過切割母基板和偏光膜而將多個單 位單元分離成單個單位單元的第五步驟S50。
[0054] 圖5是圖示圖4所示第二步驟中的有機發(fā)光二極管顯示器的透視圖。
[0055] 參照圖1和圖5,無機層18毯狀形成(例如毯狀沉積)在母基板110 (例如，由基聚 合物形成的基板）的整個上表面上。無機層包括阻擋層12和緩沖層13中至少之一。
[0056] 第一步驟S10和第二步驟S20中的柔性母基板110由剛性載體基板(未示出)支撐 以在形成無機層18和顯示單元20的過程中維持在平坦狀態(tài)。載體基板可以是玻璃基板， 并且柔性母基板110可以通過將聚合物材料旋涂在玻璃載體基板上并且固化該聚合物材 料的方法而形成。載體基板在形成薄膜封裝層30或附接開裂抑制偏光膜40之后與母基板 110分離。
[0057] 母基板110具有足以包括預定數(shù)目的多個單位單元120的尺寸，并且多個單位單 元120在第一方向（X軸方向)和與母基板的第一方向交叉的第二方向（y軸方向）上并行放 置。每個單位單元120包括相應的顯示區(qū)DA和相應的焊盤區(qū)PA。包括多個像素電路和多 個有機發(fā)光二極管的顯示單元20放置在顯示區(qū)DA中。焊盤電極(未示出)與相應的像素電 路連接并且放置在焊盤區(qū)PA中。
[0058] -個或多個集成電路芯片（例如，掃描線驅(qū)動芯片和/或數(shù)據(jù)線驅(qū)動芯片）可以在 第二步驟S20安裝在焊盤區(qū)PA中，或者可以在第五步驟S50之后安裝在焊盤區(qū)PA中。在 圖5中，示出顯示單元20和焊盤區(qū)PA在第一方向（X軸方向）上相鄰的情況作為示例。
[0059] 圖6是圖示圖4所示的第三步驟中的有機發(fā)光二極管顯示器的透視圖。
[0060] 參照圖6,這里薄膜封裝層30在第三步驟S30中已形成在多個顯示單元120中每 個的上部。薄膜封裝層30通過其中多個有機層和多個無機層一個接一個地交替且重復堆 疊的方法來形成，并且被形成為具有大于相應顯示單元120的面積，以覆蓋顯示單元120的 邊緣并且與毯狀形成的無機層18的一部分接合(參見圖2)，從而單獨封裝每個相應的顯示 單元 20 (DA)。
[0061] 圖7是圖示圖4所示第四步驟中的有機發(fā)光二極管顯示器的透視圖。
[0062] 參照圖7,這里偏光膜40已在第四步驟S40中毯狀形成在多個薄膜封裝層30的頂 部。偏光膜40是與母基板110的整個區(qū)域相對應的一片偏光膜材料。在形成之后或期間， 該片偏光膜40被提供有如圖所示的開口 41，使得相應的多個焊盤區(qū)PA被暴露，并且相應的 顯示單元120能夠被電測試。開口 41在數(shù)目上基本與提供在母基板110上的焊盤區(qū)PA的 行的數(shù)目相同。該片偏光膜40同時覆蓋形成在母基板110上的薄膜封裝層30的整體，并 且在相應顯示單元120中每個的薄膜封裝層30的外側(cè)與無機層18接觸。
[0063] 多個焊盤區(qū)PA基于圖7并列放置在第二方向（y軸方向）上。偏光膜40被提供 有與第二方向平行的狹縫狀開口 41，以通過使用一個開口 41暴露被放置在第二方向上的 多個焊盤區(qū)PA。開口 41的數(shù)目可以與沿第一方向（X軸方向）放置在母基板上的單位單元 120的數(shù)目相同。
[0064] 圖8是圖示與圖7所示的偏光膜相比偏光膜的圖案化的第一示例性變體的透視 圖。
[0065] 參照圖8,在第一示例性變體中，修改的偏光膜401覆蓋母基板110的除了放置在 母基板110最外側(cè)的一行焊盤區(qū)PA (放置在基于圖8的母基板右側(cè)端部（圖中的右側(cè)）的 焊盤區(qū)）之外的剩余區(qū)域。也就是說，該行焊盤區(qū)PA放置在偏光膜401 -側(cè)邊緣的外側(cè)。 因此，與圖7的覆蓋整個母基板的偏光膜400相比，較少的材料可以用于形成修改的偏光膜 401。
[0066] 偏光膜401被提供有開口 41用于除了前述一行焊盤區(qū)PA之外的剩余行焊盤區(qū)PA 以暴露焊盤區(qū)PA。第一示例性變體中的偏光膜401的開口 41的數(shù)目與從沿第一方向（X軸 方向）放置的單位單元的數(shù)目中減去1而得到的數(shù)目相同。第一示例性變體的一片偏光膜 401也同時覆蓋形成在母基板110上的多個薄膜封裝層30的整體，并且在薄膜封裝層30的 外側(cè)與無機層18接觸。
[0067] 圖9是圖示與圖7所示的偏光膜400相比偏光膜的第二示例性變體的透視圖。 [0068] 參照圖9,多個偏光膜402在第二示例性變體中以桿(矩形條）狀沉積。多個薄膜 封裝層30并列放置在基于圖9的第二方向（y軸方向）上。桿狀偏光膜402同時各自覆蓋 沿第二方向放置的相應一行薄膜封裝層30。因此，與圖7的覆蓋整個母基板的偏光膜400 相比，較少的材料可以用于形成第二次修改的偏光膜402。
[0069] 桿狀偏光膜402的數(shù)目可以與沿第一方向（X軸方向)放置在母基板110上的單位 單元120的數(shù)目相同。偏光膜402的一側(cè)邊緣與焊盤區(qū)PA的朝向顯示區(qū)DA的邊界接觸， 并且其相對側(cè)邊緣放置在薄膜封裝層30的邊緣的外側(cè)。也就是說，偏光膜402被形成為大 于薄膜封裝層30以與母基板110上的無機層18接觸。
[0070] 圖10是圖示圖4所示第五步驟中的有機發(fā)光二極管顯示器的頂部平面圖。
[0071] 參照圖10,第五步驟S50中的母基板110沿第一切割線CL1被切割(切塊）以與其 中多個單位單元120沿第一方向連接的桿單元分離。然后，母基板110沿第二切割線CL2 被切割以分離成單個單位單元。第一切割線CL1與第一方向（X軸方向）和第二方向（y軸 方向）中的任意一個方向平行，并且第二切割線CL2與第一切割線CL1交叉。
[0072] 根據(jù)前述的制造有機發(fā)光二極管顯示器100的方法，在形成薄膜封裝層30之后， 代替鈍化膜，相應的偏光膜40、401或402被附接。在此情況下，多個薄膜封裝層30可以通 過使用一片或幾片偏光膜40、401或402被同時覆蓋。附接的偏光膜(例如，40、401或402) 同時抑制開裂形成并且降低對來自內(nèi)反射的人工光的感知。相應地，可以省略附接鈍化膜 的過程和去除鈍化膜的過程，并且可以簡化已在每個單位單元120上執(zhí)行的附接偏光膜的 過程。
[0073] 進一步，偏光膜40、401或402在薄膜封裝層30的外側(cè)覆蓋并保護無機層18。相 應地，在薄膜封裝層30外側(cè)的無機層18在偏光膜40、401或402被附接之后的整個制造和 裝配過程期間不暴露于外部。
[0074] 相應地，可以抑制由于外部沖擊而在無機層18中產(chǎn)生開裂，并且即使由于從側(cè)表 面施加的外部沖擊而導致在無機層18中的一點中發(fā)生開裂，該開裂也不通過偏光膜40、 401或402擴散到母基板的顯示單元120,從而不引起蔓延缺陷。
[0075] 第五步驟S50之后有機發(fā)光二極管顯示器100是否是無缺陷產(chǎn)品通過檢查過程來 確定，并且裝配膜上芯片和印刷電路板的過程在被確定為是無缺陷產(chǎn)品的有機發(fā)光二極管 顯示器100上執(zhí)行。
[0076] 根據(jù)當前的示例性實施例，可以抑制無機層的蔓延開裂的發(fā)生，并且即使該開裂 可能在無機層的一點中發(fā)生，也可以阻擋開裂擴散到共享母基板的其它顯示單元。相應地， 可以防止根據(jù)到其它顯示單元的開裂擴散的可伸縮缺陷。進一步，可以省略附接鈍化膜并 去除鈍化膜的過程，并且簡化附接偏光膜的過程。
[0077] 盡管已結(jié)合目前被考慮為實踐性的示例性實施例描述了此公開，但應當理解，本 發(fā)明的本公開不限于所公開的實施例，而是相反地，旨在覆蓋包括在本教導的精神和范圍 內(nèi)的各種修改和等同布置。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機發(fā)光二極管顯不器，包括： 柔性基板； 無機層，覆蓋所述柔性基板的整個上表面； 顯示單元，形成在所述無機層的第一部分上而使所述無機層的第二部分暴露，所述顯 示單元包括被配置為顯示圖像的多個有機發(fā)光二極管； 薄膜封裝層，覆蓋形成在所述無機層的第一部分上的所述顯示單元，而不覆蓋所述無 機層的第二部分的大部分，但與所述無機層的第二部分的內(nèi)邊界部分接合以便完全封裝所 述顯示單元；以及 偏光膜，附接至并覆蓋所述薄膜封裝層以及所述無機層的延伸到所述薄膜封裝層外側(cè) 之外的一部分，使得所述偏光膜與所述無機層結(jié)合地充分封裝所述薄膜封裝層和所述顯示 單元的組合。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中： 在所述顯示單元的外側(cè)以及所述無機層的所述第二部分上放置有焊盤區(qū)，并且 所述偏光膜附接至并覆蓋所述無機層的除了所述焊盤區(qū)之外的整個剩余區(qū)域。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中： 所述偏光膜包括與所暴露的焊盤區(qū)的邊緣接觸的一邊以及與所述無機層的剩余區(qū)域 的邊緣匹配的三邊。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中： 所述柔性基板由聚合物膜形成，并且 所述無機層包括阻擋層和緩沖層中的至少一個。
5. -種制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法，包括： 在母基板上形成無機層； 在所述無機層上形成多個間隔開的顯示單元以便限定單位單元的矩陣； 在所述顯示單元的相應顯示單元的上部形成間隔開的且相應的薄膜封裝層； 將一個或多個偏光膜附接至所述無機層，而同時覆蓋所述薄膜封裝層的所有或?qū)?集；并且 通過切割所述母基板和所述偏光膜將所述多個偏光膜覆蓋的單位單元分離成單個的 單位單元。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法，其中： 所述母基板由柔性聚合物膜形成，并且 所述多個單位單元中的每一個包括暴露在所述顯示單元的外側(cè)以便與外部電路電接 觸的焊盤區(qū)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法，其中： 所述多個單位單元在彼此交叉的兩個方向上成行布置，并且 所述多個顯示單元和所述多個焊盤區(qū)中的每個在所述兩個方向中的一個方向上成行 布置。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法，其中： 由所述一個或多個偏光膜提供開口，所述開口在數(shù)目上與提供在所述母基板上的焊盤 區(qū)的行的數(shù)目相同，其中所述開口是暴露相應的多個焊盤區(qū)的開口。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法，其中： 所述偏光膜被提供有與所述一個方向平行的狹縫狀開口，以同時暴露被放置在所述一 個方向上的所述多個焊盤區(qū)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法，其中： 所述多個焊盤區(qū)中的一行焊盤區(qū)被放置在所述偏光膜的一個外側(cè)邊緣的外側(cè)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法，其中： 對于一個以上偏光膜的情況，所述偏光膜以與所述一個方向平行的桿狀形成，以覆蓋 所述多個薄膜封裝層中的與所述一個方向平行放置的一行薄膜封裝層。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法，其中： 所述相應的偏光膜的相應一側(cè)邊緣各自與所述焊盤區(qū)的朝向所述顯示單元的邊界接 觸，并且所述相應的偏光膜的相對側(cè)邊緣被放置在所述薄膜封裝層的邊緣的外側(cè)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造有機發(fā)光二極管顯示器的方法，其中： 所述單個的單位單元中的所述偏光膜被放置在所述薄膜封裝層上以及在所述薄膜封 裝層的外側(cè)處的所述無機層上。
【文檔編號】H01L51/56GK104218053SQ201410079038
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年3月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月3日
【發(fā)明者】李清, 吳相憲 申請人:三星顯示有限公司