半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明用于在利用分批式裝置以將假基板和多個處理基板彼此隔開間隔而層疊的狀態(tài)進行熱處理的情況下，抑制與假基板接近的處理基板形成不同于其他處理基板的電氣特性這一情況。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有下述工序：（b）在假基板的背面和多個半導(dǎo)體基板的背面形成無機膜的工序，該無機膜具有可承受熱氧化處理或熱處理的溫度，使氧化或還原氣體種到達假基板及所述多個半導(dǎo)體基板背面的量足夠少的膜厚；（c）將假基板和多個半導(dǎo)體基板以正面朝向相同方向并彼此隔開間隔而層疊的方式配置的工序；以及（d）在工序（b）及（c）之后，在氧化氣體氣氛或還原氣體氣氛內(nèi)對半導(dǎo)體基板的正面進行熱氧化處理或后退火的工序。
【專利說明】半導(dǎo)體裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，特別是涉及一種半導(dǎo)體基板的熱處理工序。
【背景技術(shù)】
[0002]在使用分批(batch)式裝置對半導(dǎo)體基板進行熱處理的情況下，通常對于在垂直方向上配置的多個制品基板，在上述多個制品基板上端的正上方，設(shè)置用于消除狹槽的空隙而使熱分布均勻的補充基板(以下，稱為假基板)或用于對工藝進行管理的監(jiān)視基板(參照專利文獻I)。在例如熱氧化工序或CVD (Chemical Vapor Deposition)工序中，有時設(shè)置用于對成膜的膜厚進行確認的監(jiān)視基板。假基板或監(jiān)視基板可以使用與制品基板相同的材料。但是，在制品基板的材料是碳化硅(以下記為SiC)的情況下，假基板或監(jiān)視基板通常使用硅(以下記為Si)基板等價格更便宜的基板。
[0003]專利文獻1:日本特開2009 - 117646號公報
[0004]但是，在對背面形成有無機膜的制品基板進行熱氧化的情況下，如果在假基板的背面沒有形成無機膜，則在該背面會由于與氣氛氣體反應(yīng)而產(chǎn)生副產(chǎn)物。因此，對于配置在假基板正下方的制品基板和其他基板，存在其正面暴露在不同的氣氛氣體中，形成不同的電氣特性的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明就是鑒于上述問題而提出的，在利用分批式裝置以將假基板和多個處理基板彼此隔開間隔而層疊的狀態(tài)進行熱處理的情況下，對與假基板接近的處理基板形成不同于其他處理基板的電氣特性這一情況進行抑制。
[0006]本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有下述工序:Ca)準(zhǔn)備假基板及多個半導(dǎo)體基板的工序；(b)在假基板的背面和多個半導(dǎo)體基板的背面形成無機膜的工序，其中，該無機膜具有可承受熱氧化處理或熱處理的溫度，且使氧化或還原氣體種到達假基板及多個半導(dǎo)體基板背面的量足夠少的膜厚；(c)將假基板和多個半導(dǎo)體基板以正面朝向相同方向并彼此隔開間隔而層疊的方式配置的工序；以及(d)在工序(b)及(c)之后，在氧化氣體氣氛或還原氣體氣氛內(nèi)對半導(dǎo)體基板的正面進行熱氧化處理或后退火的工序。
[0007]發(fā)明的效果
[0008]本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有下述工序:Ca)準(zhǔn)備假基板及多個半導(dǎo)體基板的工序；(b)在假基板的背面和多個半導(dǎo)體基板的背面形成無機膜的工序，其中，該無機膜具有可承受熱氧化處理或熱處理的溫度，且使氧化或還原氣體種到達多個半導(dǎo)體基板背面的量足夠少的膜厚；(c)將假基板和多個半導(dǎo)體基板以正面朝向相同方向并彼此隔開間隔而層疊的方式配置的工序；以及(d)在工序(b)及(c)之后，在氧化氣體氣氛或還原氣體氣氛內(nèi)對半導(dǎo)體基板的正面進行熱氧化處理或后退火的工序。通過在假基板及半導(dǎo)體基板各自的背面形成無機膜，從而能夠使加熱處理時的氣氛氣體在各基板的背面沒有被消耗，因此，各基板正面的氣氛氣體的消耗量變得均勻，電氣特性變得均勻。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
[0010]圖2是通過本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法而制造的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
[0011]圖3是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖面圖。
[0012]圖4是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖面圖。
[0013]圖5是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖面圖。
[0014]圖6是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖面圖。
[0015]圖7是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖面圖。
[0016]圖8是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖面圖。
[0017]圖9是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖面圖。
[0018]圖10是表示前提技術(shù)的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
[0019]圖11是表示前提技術(shù)的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
[0020]圖12是表示通過前提技術(shù)的半導(dǎo)體裝置的制造方法制造出的半導(dǎo)體裝置的電氣特性的圖。
[0021]圖13是表示通過前提技術(shù)的半導(dǎo)體裝置的制造方法制造出的半導(dǎo)體裝置的氧化膜厚度的圖。
[0022]標(biāo)號的說明
[0023]ISiC基板，2SiC漂移層，3基極區(qū)域，4源極區(qū)域，5柵極絕緣膜，6柵極配線，7源極電極，8漏極電極，9層間絕緣膜，10柵極電極，20爐，21晶舟(boat)，22假基板，31、32、33、34、35、36 制品基板，22€、31€、32€、33€、34€、35136€無機膜、41、42 掩模，100M0SFET。
【具體實施方式】
[0024]< A.實施方式I >
[0025]圖10是表示前提技術(shù)的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖，示出了熱處理工序中的半導(dǎo)體基板的配置。在圖10中，作為進行熱處理的半導(dǎo)體基板的制品基板31至35，在爐20內(nèi)的晶舟21上彼此隔開間隙地在垂直方向?qū)盈B設(shè)置。在其中設(shè)置在最上部的制品基板31的上方，隔開間隙而設(shè)置假基板22。在此，可以取代假基板22而設(shè)置監(jiān)視基板，也可以由假基板22兼作監(jiān)視基板。
[0026]圖11是表示前提技術(shù)的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖，作為按照圖10所示的基板配置進行制品基板31至35的熱處理的情況的一個例子，示出了 MOSFET的柵極絕緣膜后退火工序中的基板配置。在圖11中省略了圖10所示的爐20的圖示。在此，制品基板31至35是SiC基板，假基板22是Si基板。在制品基板31至35的背面?zhèn)刃纬杉sI μ m的氧化膜31f至35f，另一方面，在假基板22的背面?zhèn)葲]有形成任何膜。另外，在制品基板31至35的正面?zhèn)刃纬捎屑s50nm的柵極絕緣膜(省略圖示)。
[0027]圖12是表示通過前提技術(shù)的半導(dǎo)體裝置的制造方法制造出的半導(dǎo)體裝置的電氣特性的圖，示出了按照圖11所示的基板配置，經(jīng)過柵極絕緣膜的后退火工序而形成的SiC — MOSFETCMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的漏極電流 Id —柵極電壓Vg特性。在此，假定是在WET (H2A)2混合)氣氛中進行后退火。在WET氣氛中進行的后退火是為了將漏極電流上升的電壓(閾值電壓)提高而進行的工藝。此外，將由制品基板31形成的SiC - MOSFET表示為制品(1)，以下相同地，將由制品基板32至35形成的SiC — MOSFET表示為制品(2)至(5)。
[0028]由圖12可知，設(shè)置在假基板22正下方的制品(I)的閾值電壓比制品(2 )至(5 )低，在制品(I)上產(chǎn)生了電氣特性的分布偏差。 申請人:對其理由如下進行了討論。
[0029]在圖11的區(qū)域A中，WET氣氛氣體在Si基板(假基板22)的背面和SiC基板(制品基板31)的正面被消耗，與此相對，在圖11的區(qū)域B中，WET氣氛氣體在SiC基板(制品基板33)的背面和SiC基板(制品基板34)的正面被消耗。在Si基板(假基板22)的背面，WET氣氛氣體由于熱氧化而被消耗，產(chǎn)生反應(yīng)副產(chǎn)物，與此相對，SiC基板(制品基板33)的背面?zhèn)扔捎谛纬捎休^厚的氧化膜33f，因此，能夠忽略通過熱擴散而與SiC基板進行反應(yīng)的WET氣氛氣體。討論的結(jié)果認為，上述差異是引起制品(I)的分布偏差的原因。
[0030]因此，推測如果在假基板22的背面不消耗WET氣氛氣體，則能夠消除制品(I)的分布偏差，并進行了驗證。在本發(fā)明中，如圖1所示，除了在假基板22的背面?zhèn)刃纬蓭讁m的無機膜22f (SiO2)之外，是與圖11相同的基板配置，在該基板配置下進行了熱處理。從而，消除了制品(I)的分布偏差。
[0031]在此，對假基板22的材料與制品基板31至35不同情況下的分布偏差進行了討論。如果材料不同，則反應(yīng)速度和反應(yīng)副產(chǎn)物不同，因此，與材料相同的情況相比，圖11的區(qū)域A、B中的氣氛氣體的差異變大，本發(fā)明的效果顯著。
[0032]但是，在假基板22的材料與制品基板31至35相同的情況下，也產(chǎn)生同樣的問題。特別是在氧化速度的面方位依賴性大的情況下，分布偏差大，本發(fā)明的效果顯著。例如在4H - SiC的情況下，(000 -1)面的氧化速度大，是(0001)面的10倍左右。在使用將背面設(shè)為(000 — I)面，背面沒有形成任何構(gòu)造的假基板，對在背面形成有幾ym絕緣膜的制品進行熱處理的情況下，圖11的區(qū)域A、B中的氣體氣氛的差異變大。除了將假基板22設(shè)為與制品基板31至35相同的SiC基板，在制品基板35的正下方追加制品基板36 (未圖示)之外，是與圖11相同的基板配置，將以該配置在100%02氣氛中通過熱氧化而形成的氧化膜的膜厚在圖13中示出。在圖13中，與圖12相同，將由制品基板31形成的SiC — MOSFET表示為制品(1)，以下相同地將由制品基板32至36形成的SiC - MOSFET表示為制品(2)至(6)。
[0033]由圖13可知，設(shè)置在假基板22正下方的制品(I)的氧化膜厚度比制品(2)至(6)大。該現(xiàn)象也能夠以與圖12的現(xiàn)象相同的模型進行說明。即，其原因在于，通過在SiC基板(假基板22)的背面發(fā)生熱氧化反應(yīng)而產(chǎn)生CO或CO2反應(yīng)生成物，從而氣體氣氛變化，氧化速度增加。
[0034]基于以上的討論，在本發(fā)明中，將背面形成有幾μ m的氧化膜的SiC基板用作假基板22，其結(jié)果，消除了制品(I)的分布偏差。
[0035]在上述中，示出了在以氧化類氣體(WET氣氛、O2氣氛)對在背面形成有氧化膜的SiC基板進行熱處理的例子，但只要出現(xiàn)在圖11所示的區(qū)域A、B中消耗的氣體或作為副產(chǎn)物生成的氣體不同的狀況，則無論基板的種類如何和基板背面有無膜，均可能產(chǎn)生分布偏差。
[0036]另外，示出了以氧化類氣體進行熱處理的例子，但在以還原類氣體等與基板進行反應(yīng)的氣體進行熱處理的情況下，也可能產(chǎn)生上述的分布偏差的問題。
[0037]因此，在本發(fā)明中，通過在假基板或制品的背面形成難以與氧化類氣體或還原類氣體等進行反應(yīng)且具有耐高溫性的無機膜，從而對作為制品的半導(dǎo)體裝置的分布偏差進行抑制。
[0038]< A - 1.MOSFET >
[0039]以下，對將本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法應(yīng)用于MOSFET的柵極絕緣膜形成工序的例子進行說明。作為制品基板的半導(dǎo)體基板是SiC基板，但也可以是S1、GaN、GaAs等其他基板。另外，假基板的材料可以與半導(dǎo)體基板相同，也可以不同。并且，制成的器件除了MOSFET 之外，也可以是 pn 二極管、SBD(Schottky Barrier diode)>BJT(Bipolar JunctionTransistor)、JFET (Junction FET)> IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)等其他器件。另外，除了柵極絕緣膜形成工序之外，也可以將本發(fā)明應(yīng)用于金屬電極的熱處理工序等使用分批式裝置進行熱處理的其他工序。
[0040]圖2是通過本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法制造的縱向型M0SFET100的剖面示意圖。M0SFET100是由圖1所示的制品基板31至35制造的碳化硅半導(dǎo)體裝置。圖2 (a)示出單元(cell)內(nèi)部，圖2 (b)示出單元外周部。以下，將第I導(dǎo)電型設(shè)為η型、第2導(dǎo)電型設(shè)為P型進行說明，但也可以設(shè)為相反的導(dǎo)電型。
[0041]MOSFET100具有:SiC基板1、SiC漂移層2、基極區(qū)域3、源極區(qū)域4、柵極絕緣膜
5、柵極配線6、源極電極7、漏極電極8、層間絕緣膜9、柵極電極10。SiC基板I是第I主面(正面)的面方位為(0001)面，具有4H多型(poly-type)的η型、低電阻的基板。SiC漂移層2形成在SiC基板I的第I主面上?；鶚O區(qū)域3選擇性地形成在SiC漂移層2的表層，作為P型雜質(zhì)含有鋁(Al)。源極區(qū)域4在單元內(nèi)部選擇性地形成在基極區(qū)域3的表層，作為η型雜質(zhì)含有氮(N)。
[0042]柵極絕緣膜5形成在源極區(qū)域4、基極區(qū)域3及夾在接近的兩個源極區(qū)域4之間的SiC漂移層2上。在柵極絕緣膜5上形成柵極配線6。在沒有形成柵極絕緣膜5的源極區(qū)域4的表面形成源極電極7。另外，在SiC基板I的與第I主面相反那一側(cè)的第2主面即背面上形成漏極電極8。柵極配線6和源極電極7被層間絕緣膜9分離開。柵極配線6被從單元內(nèi)部引繞至單元外周，在單元外周處與柵極電極10接觸。
[0043]< A - 2.制造工序>
[0044]圖3至9是表示M0SFET100的制造工序的剖面圖。以下，按照圖3至9，對MOSFET100的制造工序進行說明。
[0045]首先，在SiC基板I的第I主面(正面)上，通過CVD法而外延生長出SiC漂移層2(圖3)。將SiC漂移層2的η型雜質(zhì)濃度設(shè)為IX 1015cm — 3至IX 1017cm — 3，厚度設(shè)為5至50 μ m0
[0046]然后，在SiC漂移層2的表面形成掩模41，使用掩模41向SiC漂移層2中將作為P型雜質(zhì)的Al進行離子注入(圖4)。此時，將Al的離子注入深度設(shè)為0.5至3 μ m左右，不超過SiC漂移層2的厚度。另外，離子注入后的Al雜質(zhì)濃度為IX 1017cm — 3至IX IO19Cm 一3的范圍，高于SiC漂移層2的η型雜質(zhì)濃度。在此，在SiC漂移層2的進行了 Al的離子注入后的區(qū)域中，呈P型的區(qū)域成為基極區(qū)域3。
[0047]然后，在去除掩模41后，在SiC漂移層2的表面形成掩模42，使用掩模42，向SiC漂移層2的表面將作為η型雜質(zhì)的N進行離子注入(圖5)。N的離子注入深度比基極區(qū)域3的厚度淺。另外，離子注入后的N的雜質(zhì)濃度為lX1018cm — 3至lX1021cm —3的范圍，超過基極區(qū)域3的P型雜質(zhì)濃度。在SiC漂移層2內(nèi)的注入了 N的區(qū)域中，呈η型的區(qū)域成為源極區(qū)域4。在去除掩模42后，通過熱處理裝置，在氬(Ar)氣等惰性氣體氣氛中，在1300至1900°C下進行30秒至I小時的退火，使離子注入的N、Al活性化。
[0048]然后，通過CVD法形成層間絕緣膜9(圖6)。層間絕緣膜9用于將在后續(xù)工序中形成的柵極配線6引繞至芯片外周部，使柵極配線6與柵極電極接觸。優(yōu)選將其膜厚設(shè)為不對柵極容量造成影響、并不易因通斷或電涌等而破壞的I至3μπι。層間絕緣膜9的材料使用BPSG、PSG、TE0S等。層間絕緣膜9形成在SiC基板I的正面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)取Ｔ诔赡ず?，通過圖案化和干蝕刻而在單元內(nèi)部將正面?zhèn)鹊膶娱g絕緣膜9去除，并在單元外周部也將正面?zhèn)绕谕恢玫膶娱g絕緣膜9去除。另一方面，在SiC基板I背面?zhèn)刃纬傻膶娱g絕緣膜9仍保留，作為與氧化(還原)氣體的反應(yīng)性低即具有耐高溫性的無機膜使用，由此，不需要另外形成無機膜的工序。在此，所謂與氧化(還原)氣體的反應(yīng)性低，是指具有能夠承受熱氧化處理或熱處理的溫度，并使氧化或還原氣體種到達SiC基板I背面的量足夠少的膜厚。雖然與熱處理的溫度有關(guān)，但在I μ m的層間絕緣膜9中熱擴散的氣體量基本能夠忽略。
[0049]此外，在形成層間絕緣膜的工序沒有包括在器件制造工藝中的情況下，另外在SiC基板I的背面形成與氧化(還原)氣體的反應(yīng)性低、具有耐高溫性的無機膜。該無機膜通過CVD法或熱氧化等而成膜，作為材料使用金屬氧化膜、PSG等絕緣膜、或氮化膜(SiNx)。在無機膜使用氮化膜的情況下，如果器件的柵極構(gòu)造為Si02/SiNx/SiC，即，柵極絕緣膜5為氮化膜和硅氧化膜的雙層構(gòu)造的情況下，無需重新形成氮化膜。按照氧化(還原)氣體即使熱擴散也基本不會到達SiC基板I背面的方式，決定無機膜的厚度。雖然與氧化(還原)氣體種有關(guān)，但如果是小于或等于1300°C的熱處理，則只要無機膜的厚度大于或等于Iym就足夠。在以上的條件下，在SiC基板I的正面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)刃纬蔁o機膜后，通過濕蝕刻或干蝕刻將正面?zhèn)鹊臒o機膜去除。
[0050]然后，如圖1所示，將SiC基板I設(shè)置在熱處理裝置內(nèi)。在此，SiC基板I是指圖1的制品基板31至35。在多個SiC基板I中最上部的SiC基板I的上方設(shè)置假基板22，該假基板22預(yù)先在背面?zhèn)刃纬闪司哂心透邷匦缘臒o機膜22f。并且，在1200至1300°C的O2氣氛中進行熱氧化，形成作為柵極絕緣膜5的SiO2膜(圖7)。熱氧化在WET氣氛、O2氣氛、或氧化氮(Ν0、Ν20)氣氛等氧化類氣體氣氛中進行實施。然后，用于降低Si02/SiC界面態(tài)的后退火也同樣地以圖1的基板配置實施。后退火在WET氣氛或氧化氮(Ν0、Ν20)氣氛、POCl3氣氛等氧化氣體氣氛、或者H2氣體或NH3氣體等還原氣體氣氛中進行實施。[0051]然后，在柵極絕緣膜5的上方，通過減壓CVD法而形成具有導(dǎo)電性的多晶硅膜，通過對該多晶硅膜進行圖案化而形成柵極配線6。然后，使用CVD裝置，形成1.0至3.0 μ m左右的層間絕緣膜9，并覆蓋柵極配線6。然后，將在SiC基板I背面成膜的層間絕緣膜9和多晶硅膜通過濕蝕刻或干蝕刻去除(圖8)。此外，在器件制造工藝中沒有層間絕緣膜的形成工序而另外形成無機膜的情況下，將在SiC基板I背面成膜的無機膜去除。
[0052]然后，通過進行圖案化及干蝕刻，將用于形成源極電極的區(qū)域的層間絕緣膜9去除。另外，在形成源極電極的區(qū)域中形成了硅化物層后，通過進行圖案化及干蝕刻，將與柵極配線6接觸的區(qū)域的層間絕緣膜9去除(圖9)。
[0053]然后，形成分別與源極區(qū)域4及柵極配線6電連接的源極電極7及柵極電極10。源極電極7及柵極電極10是通過濺射法使Al合金等在基板的整個正面上成膜后，通過進行圖案化和濕蝕刻而成形的。最后，在SiC基板I的背面?zhèn)刃纬陕O電極8，制成圖2所示的縱向型M0SFET100。在此，漏極電極8的材料可舉出Al合金等。
[0054]< A — 3.變形例 >
[0055]在進行熱處理時，也可以預(yù)先在假基板22的背面形成無機膜22f，而在正面不形成無機膜。在此情況下，能夠使用假基板22的正面實現(xiàn)對膜厚等的監(jiān)視，將假基板22也作為監(jiān)視基板使用。在此情況下，由于無需在同一分批式裝置內(nèi)設(shè)置假基板22以外的監(jiān)視基板，因此,處理片數(shù)增加、生產(chǎn)率提高。
[0056]另外，如果使用以石英玻璃作為材料的假基板22，則由于石英玻璃本身與氧化氣體氣氛、還原氣體氣氛的反應(yīng)性較低，因此，無需在背面形成無機膜。另外，與形成無機膜的情況不同，能夠重復(fù)使用。
[0057]< A — 4.效果 >
[0058]本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有下述工序:(a)準(zhǔn)備假基板22及多個半導(dǎo)體基板31至35的工序；(b)在假基板22的背面和多個制品基板31至35 (半導(dǎo)體基板)的背面形成無機膜22f、31f至35f的工序，其中，該無機膜具有可承受熱氧化處理或熱處理的溫度，且使氧化或還原氣體種到達多個半導(dǎo)體基板背面的量足夠少的膜厚；(c)將假基板22和多個制品基板31至35以正面朝向相同方向并彼此隔開間隔而層疊的方式配置的工序；以及(d)在工序(b)及工序(c)之后，在氧化氣體氣氛或還原氣體氣氛內(nèi)對半導(dǎo)體基板31至35的正面進行熱氧化處理或后退火的工序。通過在假基板22及制品基板31至35各自的背面形成無機膜，從而使得加熱處理時的氣氛氣體在各基板22、31至35的背面不被消耗，因此，制品基板31至35正面的氣氛氣體的消耗量變得均勻，電氣特性變得均勻。
[0059]另外，工序(b)是形成熱氧化膜、CVD氧化膜、金屬氧化膜、或PSG中任意一種絕緣膜作為無機膜的工序。由此，能夠利用半導(dǎo)體工藝中通常的絕緣膜形成工序而形成層間絕緣膜等無機膜。或者，工序(b)是形成氮化膜作為無機膜的工序。在柵極絕緣膜5是氮化膜和硅氧化膜的雙層構(gòu)造的情況下，能夠利用半導(dǎo)體工藝中通常的氮化膜形成工序而形成無機膜。
[0060]另外，在假基板22是材料與制品基板31至35不同的基板的情況下，在假基板22背面形成無機膜而使分布波動減小的效果顯著。即使假基板22是材料與制品基板21至35相同的基板，在制品基板31至35的正面和背面的熱氧化速度不同的情況下，在假基板22的背面形成無機膜而使分布波動減小的效果顯著。[0061]工序(a)由于是僅在假基板22的背面形成無機膜22f的工序，因此，能夠?qū)⒓倩?2作為工藝管理用的關(guān)于膜厚等的監(jiān)視基板使用，由于無需另外設(shè)置監(jiān)視基板，因此，生產(chǎn)率提高。
[0062]另外，如果使用由石英玻璃構(gòu)成的假基板22，則由于石英玻璃本身與氧化氣體氣氛、還原氣體氣氛的反應(yīng)性較低，因此，無需在背面形成無機膜，且能夠重復(fù)使用。
[0063]此外，本發(fā)明能夠在其發(fā)明范圍內(nèi)對實施方式進行適當(dāng)?shù)淖冃巍⑹÷浴?br> 【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具有下述工序: (a)準(zhǔn)備假基板及多個半導(dǎo)體基板的工序； (b)在所述假基板的背面和所述多個半導(dǎo)體基板的背面形成無機膜的工序，其中，該無機膜具有可承受熱氧化處理或熱處理的溫度，且使氧化或還原氣體種到達所述假基板及所述多個半導(dǎo)體基板背面的量足夠少的膜厚； (C)將所述假基板和所述多個半導(dǎo)體基板以正面朝向相同方向并彼此隔開間隔而層疊的方式配置的工序；以及 (d)在所述工序(b)及(C)之后，在氧化氣體氣氛或還原氣體氣氛內(nèi)對所述半導(dǎo)體基板的正面進行熱氧化處理或后退火的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 所述工序(b )為，形成熱氧化膜、CVD氧化膜、金屬氧化膜、或PSG中任意一種絕緣膜、或氮化膜作為所述無機膜的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 所述假基板是材料與所述半導(dǎo)體基板不同的基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 所述假基板是材料與所述半導(dǎo)體基板相同的基板， 在所述半導(dǎo)體基板的正面和背面，熱氧化速度不同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 所述工序(b)是僅在所述假基板的背面形成所述無機膜的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 所述工序(a)是準(zhǔn)備由石英玻璃構(gòu)成的所述假基板的工序， 在半導(dǎo)體裝置的制造方法中，取代所述工序(b)具有(e)在所述多個半導(dǎo)體基板的背面形成無機膜的工序，其中，該無機膜具有可承受熱氧化處理或熱處理的溫度，且使氧化或還原氣體種到達所述多個半導(dǎo)體基板背面的量足夠少的膜厚。
【文檔編號】H01L21/324GK104008969SQ201410067436
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2014年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月26日
【發(fā)明者】谷岡壽一, 樽井陽一郎, 小林和雄, 結(jié)城秀昭, 瀨戶口陽介 申請人:三菱電機株式會社