一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，可減少構(gòu)圖工藝次數(shù)。該陣列基板的制備方法包括：在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成薄膜晶體管；在形成有薄膜晶體管的基板上通過一次構(gòu)圖工藝形成包括第一過孔的有機(jī)透明絕緣層和包括第二過孔的第一透明電極層；第一過孔和第二過孔重疊且第一過孔的尺寸小于第二過孔的尺寸。用于陣列基板的制造。
【專利說明】一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著TFT_LCD(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器)顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，越來越多的新技術(shù)不斷地被提出和應(yīng)用，例如高分辨率、高開口率、GOA (Gate on Array，陣列基板行驅(qū)動)技術(shù)等。目前，對于TFT-1XD而言，現(xiàn)有技術(shù)中對于多維電場型陣列基板通常需要柵金屬層掩膜，有源層掩膜，源漏金屬層掩膜，第一透明電極層掩膜，鈍化層掩膜以及第二透明電極層掩膜構(gòu)圖工藝來制造，此外，為了減小電極間的寄生電容，通常還需要進(jìn)行有機(jī)透明絕緣層掩膜；而每一次構(gòu)圖工藝中又分別包括成膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。
[0003]然而，構(gòu)圖工藝的次數(shù)過多將直接導(dǎo)致產(chǎn)品的成本上升以及量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能降低，因此如何能夠進(jìn)一步減少構(gòu)圖工藝的次數(shù)也就成為了人們?nèi)找骊P(guān)注的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，可減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，從而提升量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0006]一方面， 提供一種陣列基板的制備方法，包括:在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝處理形成薄膜晶體管；
[0007]在形成有所述薄膜晶體管的基板上，通過一次構(gòu)圖工藝處理形成包括第一過孔的有機(jī)透明絕緣層、以及位于所述有機(jī)透明絕緣層上方的包括所述第二過孔的第一透明電極層；其中，所述第一過孔和所述第二過孔重疊，且所述第一過孔的尺寸小于所述第二過孔的尺寸。
[0008]優(yōu)選的，所述通過一次構(gòu)圖工藝處理形成包括第一過孔的有機(jī)透明絕緣層、以及位于所述有機(jī)透明絕緣層上方的包括所述第二過孔的所述第一透明電極層，具體包括:
[0009]在形成有所述薄膜晶體管的基板上，依次形成樹脂層薄膜和透明導(dǎo)電薄膜，并在所述透明導(dǎo)電薄膜上形成光刻膠；
[0010]采用普通掩膜板對形成有所述光刻膠的基板進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全去除部分至少與待形成的所述第二過孔對應(yīng)，且與待形成的所述第二過孔對應(yīng)的所述光刻膠完全去除部分的寬度小于待形成的所述第二過孔的寬度；
[0011]采用濕法刻蝕工藝對所述光刻膠完全去除部分下方的所述透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行過刻蝕，形成包括所述第二過孔的所述第一透明電極層；
[0012]采用灰化工藝去除所述第二過孔下方的所述樹脂層薄膜，使形成在所述樹脂層上的所述第一過孔的尺寸小于所述第二過孔的尺寸；[0013]采用剝離工藝去除剩余的所述光刻膠。
[0014]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述樹脂層薄膜的厚度為1.0?2.5 μ m。
[0015]優(yōu)選的，所述方法還包括:在形成有所述第一透明電極層的基板上，通過構(gòu)圖工藝處理依次形成包括第三過孔的鈍化層和包括像素電極的第二透明電極層；其中，所述第三過孔和所述第二過孔重疊，且所述第三過孔的尺寸小于所述第二過孔的尺寸；所述像素電極至少通過所述第三過孔、所述第二過孔、所述第一過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
[0016]進(jìn)一步的，所述方法還包括:在所述薄膜晶體管和所述有機(jī)透明絕緣層之間形成包括第四過孔的保護(hù)層；其中，所述第四過孔和所述第二過孔重疊，且所述第四過孔的尺寸小于所述第二過孔的尺寸；
[0017]在形成有所述薄膜晶體管的基板上，依次形成包括所述第四過孔的保護(hù)層、包括所述第一過孔的有機(jī)透明絕緣層、包括所述第二過孔的第一透明電極層、包括所述第三過孔的鈍化層，具體包括:
[0018]在形成有所述薄膜晶體管的基板上形成保護(hù)層薄膜，并在所述保護(hù)層薄膜上方通過一次構(gòu)圖工藝處理形成包括所述第一過孔的有機(jī)透明絕緣層、以及包括所述第二過孔的所述第一透明電極層；
[0019]在形成有所述第一透明電極層的基板上形成鈍化層薄膜，并通過一次構(gòu)圖工藝處理，形成包括所述第三過孔的鈍化層和包括第四過孔的保護(hù)層。
[0020]優(yōu)選的，所述在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝處理形成薄膜晶體管，包括:
[0021]在襯底基板上通過一次構(gòu)圖工藝處理形成包括柵極的柵金屬層，并形成柵絕緣層；
[0022]在形成有所述柵絕緣層的基板上通過一次構(gòu)圖工藝處理形成半導(dǎo)體有源層、包括源極、漏極的源漏金屬層。
[0023]進(jìn)一步的，所述通過一次構(gòu)圖工藝處理形成半導(dǎo)體有源層、包括源極、漏極的源漏金屬層，具體包括:
[0024]在所述柵絕緣層上依次形成半導(dǎo)體有源層薄膜以及金屬薄膜，并在所述金屬薄膜上形成光刻膠；
[0025]采用半階掩模板或灰階掩膜板對形成有所述光刻膠的基板進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分至少對應(yīng)待形成的所述源極和所述漏極的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分對待形成所述源極和所述漏極之間的區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)其他區(qū)域；
[0026]采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分的所述源漏金屬層薄膜和所述半導(dǎo)體有源層薄膜；
[0027]采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠，并刻蝕形成所述源極和所述漏極、以及所述半導(dǎo)體有源層；
[0028]采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠。
[0029]另一方面，提供一種陣列基板，包括:襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的薄膜晶體管；
[0030]設(shè)置在所述薄膜晶體管上方的包括第一過孔的有機(jī)透明絕緣層、以及位于所述有機(jī)透明絕緣層上方的包括第二過孔的第一透明電極層；其中，所述第一過孔和所述第二過孔重疊，且所述第一過孔的尺寸小于所述第二過孔的尺寸；
[0031]其中，包括所述第一過孔的有機(jī)透明絕緣層和包括所述第二過孔的所述第一透明電極層通過一次構(gòu)圖工藝制備形成。
[0032]優(yōu)選的，所述有機(jī)透明絕緣層的材料為樹脂。
[0033]進(jìn)一步的，所述有機(jī)透明絕緣層的厚度為1.0?2.5 μ m。
[0034]優(yōu)選的，所述陣列基板還包括:設(shè)置在所述第一透明電極層上方的包括第三過孔的鈍化層和位于所述鈍化層上方的包括像素電極的第二透明電極層；其中，所述第三過孔和所述第二過孔重疊，且所述第三過孔的尺寸小于所述第二過孔的尺寸；所述像素電極至少通過所述第三過孔、所述第二過孔、所述第一過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
[0035]進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括:設(shè)置在所述薄膜晶體管和所述有機(jī)透明絕緣層之間的包括第四過孔的保護(hù)層；
[0036]所述第四過孔和所述第二過孔重疊，且所述第四過孔的尺寸小于所述第二過孔的尺寸；所述像素電極還通過所述第四過孔與所述漏極電連接；
[0037]其中，包括所述第四過孔的保護(hù)層和包括所述第三過孔的鈍化層通過一次構(gòu)圖工藝制備形成。
[0038]再一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的陣列基板。
[0039]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，一方面，通過在薄膜晶體管上方形成有機(jī)透明絕緣層，可以增加陣列基板表面的平整度；另一方面，通過一次構(gòu)圖工藝形成包括第一過孔的有機(jī)透明絕緣層和包括第二過孔的第一透明電極層，且所述第一過孔的尺寸小于所述第二過孔的尺寸，既可以避免后續(xù)制備的導(dǎo)電圖案通過第一過孔和第二過孔時(shí)與第一透明電極層的短路，又可以減少構(gòu)圖工藝的次數(shù)，從而提升量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0040]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0041]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板制備方法的流程示意圖；
[0042]圖2-4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制備陣列基板的過程示意圖；
[0043]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0044]圖6a_6e為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過同一次構(gòu)圖工藝制備半導(dǎo)體有源層和包括源極、漏極的源漏金屬層的過程示意圖；
[0045]圖7a_7e為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過同一次構(gòu)圖工藝制備包括第一過孔的有機(jī)透明絕緣層和包括第二過孔的第一透明電極層的過程示意圖；
[0046]圖8a_8c為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過同一次構(gòu)圖工藝制備包括第四過孔的保護(hù)層和包括第三過孔的鈍化層的過程示意圖；
[0047]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二。[0048]附圖標(biāo)記:
[0049]10-襯底基板；20_薄膜晶體管；201_柵極；202_柵絕緣層；203_半導(dǎo)體有源層；203a-半導(dǎo)體有源層薄膜；204_源極；204a_金屬層薄膜；205_漏極；206_數(shù)據(jù)線引線；30-有機(jī)透明絕緣層(樹脂層)；30a-樹脂層薄膜；301_第一過孔；302_第五過孔；40_第一透明電極層；40a-透明導(dǎo)電薄膜；401_第二過孔；402_第六過孔；50_鈍化層；501_第三過孔；502_第七過孔；601_像素電極；602_透明電極保留圖案；70_保護(hù)層；70a_保護(hù)層薄膜；701_第四過孔；702_第八過孔；80_光刻膠；801_光刻膠完全保留部分；802_光刻膠完全去除部分；803_光刻膠半保留部分；90_半階掩膜板；901_完全不透明部分；902_完全透明部分；903_半透明部分。
【具體實(shí)施方式】
[0050]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0051]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制備方法，如圖1所示，該方法包括如下步驟:
[0052]SO1、如圖2所示，在襯底基板10上通過一次構(gòu)圖工藝處理形成薄膜晶體管20。
[0053]其中，所述薄膜晶體管20包括柵極201、柵絕緣層202、半導(dǎo)體有源層203、源極204和漏極205。當(dāng)然在形成所述柵極201的同時(shí)還可以形成與所述柵極201電連接的柵線(圖中未標(biāo)識出)、位于陣列基板周邊區(qū)域的柵線引線(圖中未標(biāo)識出)等；在形成所述源極204和漏極205的同時(shí)還可以形成與源極204電連接的數(shù)據(jù)線(圖中未標(biāo)識處)、位于陣列基板周邊區(qū)域的數(shù)據(jù)線引線206等。
[0054]此處，不對所述薄膜晶體管20的制備過程進(jìn)行限定。其中，在形成半導(dǎo)體有源層203、包括源極204、漏極205的源漏金屬層時(shí)例如可以通過兩次構(gòu)圖工藝形成，具體包括:先通過一次構(gòu)圖工藝處理形成半導(dǎo)體有源層203，然后在形成有半導(dǎo)體有源層203的基板上再通過一次構(gòu)圖工藝處理形成包括源極204、漏極205、數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)線引線206的源漏金屬層。其中，在兩次構(gòu)圖工藝中，均采用普通掩膜板進(jìn)行曝光。在此情況下，參考圖2所示，根據(jù)實(shí)際情況可以不形成數(shù)據(jù)線引線206下方、且與所述半導(dǎo)體有源層203同層的圖案。
[0055]當(dāng)然，根據(jù)所述薄膜晶體管20的結(jié)構(gòu)，也可以通過一次構(gòu)圖工藝處理形成半導(dǎo)體有源層203、包括源極204、漏極205的源漏金屬層時(shí)，具體可以為:在一次構(gòu)圖工藝中，采用半階或灰階掩模板進(jìn)行曝光，從而形成半導(dǎo)體有源層203和包括源極204、漏極205、數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)線引線206的源漏金屬層。
[0056]S02、如圖3所示，在形成有所述薄膜晶體管20的基板上通過一次構(gòu)圖工藝處理形成包括第一過孔301的有機(jī)透明絕緣層30、以及位于所述有機(jī)透明絕緣層30上方的包括所述第二過孔401的第一透明電極層40 ;其中，所述第一過孔301和所述第二過孔401重疊，且所述第一過孔301的尺寸小于所述第二過孔401的尺寸。
[0057]此處，例如可以將所述第一過孔301和所述第二過孔401與所述漏極205對應(yīng)，并將所述第一透明電極層40作為公共電極，這樣在后續(xù)形成像素電極時(shí)，便可以通過所述第一過孔301和第二過孔401與所述漏極205電連接，并避免與第一透明電極層40發(fā)生短路。
[0058]在此基礎(chǔ)上，所述有機(jī)透明絕緣層30還可以包括位于陣列基板周邊區(qū)域的第五過孔302，所述第一透明電極層40還可以包括位于陣列基板周邊區(qū)域的第六過孔402，其中，所述第五過孔302和所述第六過孔402重疊，且所述第五過孔302的尺寸小于所述第六過孔402的尺寸。
[0059]此處，例如可以將第五過孔302和第六過孔402與所述數(shù)據(jù)線引線206對應(yīng)，這樣，便可以通過第五過孔302和第六過孔402將所述數(shù)據(jù)線引線206換層到陣列基板的上層，從而實(shí)現(xiàn)與驅(qū)動IC的連接。
[0060]需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中，對于所述第一過孔301和第二過孔401的位置，可以根據(jù)后續(xù)形成的導(dǎo)電圖案的作用、以及位于所述第一過孔301和第二過孔401下方的導(dǎo)電圖案的作用進(jìn)行設(shè)置，在此不做限定。
[0061]此外，對于所述第一透明電極層40，可以根據(jù)陣列基板的類型來限定其相應(yīng)的功能，在此不做限定。
[0062]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制備方法，包括:在襯底基板10上通過構(gòu)圖工藝處理形成薄膜晶體管20 ;在形成有所述薄膜晶體管20的基板上，通過一次構(gòu)圖工藝處理形成包括第一過孔301的有機(jī)透明絕緣層30、以及位于所述有機(jī)透明絕緣層30上方的包括所述第二過孔401的第一透明電極層40 ;其中，所述第一過孔301和所述第二過孔401重疊，且所述第一過孔301的尺寸小于所述第二過孔401的尺寸；一方面，通過在薄膜晶體管20上方形成有機(jī)透明絕緣層30，可以增加陣列基板表面的平整度；另一方面，通過一次構(gòu)圖工藝形成包括第一過孔301的有機(jī)透明絕緣層30和包括第二過孔401的第一透明電極層40，且所述第一過孔301的尺寸小于所述第二過孔401的尺寸，既可以避免后續(xù)制備的導(dǎo)電圖案通過第一過孔301和第二過孔401時(shí)與第一透明電極層40的短路，又可以減少構(gòu)圖工藝的次數(shù)，從而提升量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本。
[0063]在所述第一過孔301和所述第二過孔401與所述漏極205對應(yīng)的情況下，所述方法還包括如下步驟:
[0064]S03、如圖4所示，在形成有所述第一透明電極層40的基板上形成鈍化層薄膜，并通過一次構(gòu)圖工藝處理，形成包括第三過孔501的鈍化層50 ;其中，所述第三過孔501和所述第二過孔401重疊，且所述第三過孔501的尺寸小于所述第二過孔401的尺寸。
[0065]當(dāng)然，在第五過孔302和第六過孔402與所述數(shù)據(jù)線引線206對應(yīng)的情況下，所述鈍化層50還可以包括位于陣列基板周邊區(qū)域的第七過孔502，且所述第七過孔502和所述第六過孔402重疊，但所述第七過孔502的尺寸小于所述第六過孔402的尺寸。
[0066]S04、如圖5所示，在形成有所述鈍化層50的基板上通過一次構(gòu)圖工藝處理形成包括像素電極601的第二透明電極層；其中，所述像素電極601至少通過所述第三過孔501、所述第二過孔401和所述第一過孔301與所述漏極205電連接。
[0067]其中，由于位于所述第一透明電極層40上的第二過孔401的尺寸大于位于有機(jī)透明絕緣層30上的第一過孔301和位于鈍化層50的第三過孔501，因此，在像素電極601與所述漏極205電連接時(shí)，可以避免第一透明電極層40與所述像素電極601短路。
[0068]當(dāng)然，所述第二透明電極層還可以包括位于陣列基板周邊區(qū)域的透明電極保留圖案602，所述透明電極保留圖案602至少通過所述第七過孔502、第六過孔402、以及第五過孔302與所述數(shù)據(jù)線引線206電連接。
[0069]其中，由于位于所述第一透明電極層40上的第六過孔402的尺寸大于位于有機(jī)透明絕緣層30上的第五過孔302和位于鈍化層50的第七過孔502，因此，在透明電極保留圖案602與所述數(shù)據(jù)線引線206電連接時(shí)，可以避免第一透明電極層40與透明電極保留圖案602短路。
[0070]需要說明的是，根據(jù)高級超維場轉(zhuǎn)換型(Advanced-super DimensionalSwitching，簡稱ADS)陣列基板的原理，在像素電極和公共電極位于不同層的情況下，位于上方的電極需為條狀電極，位于下方的電極需為板狀電極，而由于第一透明電極層40被作為公共電極，且其為板狀電極，因此，需將像素電極601做成條狀電極。
[0071]此處，由于所述有機(jī)透明絕緣層30形成在包括像素電極601的第二透明電極層下方、薄膜晶體管20上方，其還可以減小降低柵極201與漏極205之間的寄生電容。
[0072]針對上述步驟S01，為了進(jìn)一步的減少構(gòu)圖工藝的次數(shù)，本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選為:參考圖2所示，在襯底基板10上通過一次構(gòu)圖工藝處理形成包括柵極201的柵金屬層，并形成柵絕緣層202 ;在形成有所述柵絕緣層202的基板上通過一次構(gòu)圖工藝處理形成半導(dǎo)體有源層203、包括源極204、漏極205、數(shù)據(jù)線(圖中未標(biāo)識出)、數(shù)據(jù)線引線206的源漏金屬層。
[0073]在此基礎(chǔ)上，所述通過一次構(gòu)圖工藝處理形成半導(dǎo)體有源層203、包括源極204、漏極205、數(shù)據(jù)線(圖中未標(biāo)識出)、數(shù)據(jù)線引線206的源漏金屬層，具體的可以通過如下過程實(shí)現(xiàn):
[0074]S101、如圖6a所示，在所述柵絕緣層202上依次形成半導(dǎo)體有源層薄膜203a以及金屬薄膜204a,并在所述金屬薄膜上形成光刻膠80。
[0075]其中，所述半導(dǎo)體有源層薄膜203a可以是金屬氧化物半導(dǎo)體有源層薄膜，也可以由一層非晶娃薄膜和一層η+非晶娃薄膜構(gòu)成。
[0076]S102、如圖6b所示，采用半階掩膜板90對形成有所述光刻膠的基板進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分801、光刻膠半保留部分803和光刻膠完全去除部分802 ;其中，所述光刻膠完全保留部分801對應(yīng)待形成的所述源極204、所述漏極205、數(shù)據(jù)線(圖中未標(biāo)識出)、數(shù)據(jù)線引線206的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分803對待形成所述源極204和所述漏極205之間的區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分802對應(yīng)其他區(qū)域。
[0077]此處，首先對普通掩模板的工作原理加以說明，以便更好地理解半階掩模板90的工作原理:
[0078]普通掩模板是指在透明襯底材料上形成具有特定圖形的一層遮光金屬層，以便實(shí)現(xiàn)所述光刻膠80選擇性曝光的一種裝置。其中，所述遮光金屬層覆蓋的區(qū)域是完全不透明的，而沒有被所述遮光金屬層覆蓋的區(qū)域是完全透明的；通過所述普通掩模板對所述光刻膠80進(jìn)行曝光，由于紫外光無法照射到與所述普通掩模板的完全不透明部分對應(yīng)的部分光刻膠80，從而在顯影后形成了所述光刻膠完全保留部分801，而與所述普通掩模板的完全透明部分對應(yīng)的光刻膠80，在顯影后形成了光刻膠完全去除部分802 ;這樣以來，在刻蝕所述光刻膠覆蓋的至少一層薄膜時(shí)，所述光刻膠完全保留部分801覆蓋的薄膜均會被保留，而所述光刻膠完全去除部分802覆蓋的薄膜均會被完全刻蝕去除，從而形成具有特性圖案的至少一層圖案層。[0079]通過采用所述普通掩模板，上述的至少一層圖案層形成的圖案均相同；而當(dāng)需要通過一次構(gòu)圖工藝得到不同圖案的至少兩層圖案層時(shí)，就需要采用所述半階掩膜板90。
[0080]參考圖6b所示，所述半階掩膜板90與所述普通掩膜板相比，所述半階掩膜板90除包括完全不透明部分901和完全透明部分902外，還包括半透明部分903 ;即:半階掩膜板90是指在透明襯底材料上在某些區(qū)域形成不透光的遮光金屬層，在另外一些區(qū)域形成半透光的遮光金屬層，其他區(qū)域不形成任何遮光金屬層；其中，所述半透光的遮光金屬層的厚度小于所述完全不透光的遮光金屬層的厚度；此外，可以通過調(diào)節(jié)所述半透光的遮光金屬層的厚度來改變所述半透光的遮光金屬層對紫外光的透過率。
[0081]基于上述描述，所述半階掩膜板90工作原理說明如下:通過控制所述半階掩膜板90上不同區(qū)域處遮光金屬層的厚度，使曝光在不同區(qū)域的透過光的強(qiáng)度有所不同，從而使光刻膠80進(jìn)行有選擇性的曝光、顯影后，形成與所述半階掩膜板90的完全不透明部分901、半透明部分903以及完全透明部分902分別對應(yīng)的光刻膠完全保留部分801、光刻膠半保留部分803、光刻膠完全去除部分802。這樣以來，在第一次刻蝕時(shí)，所述光刻膠完全保留部分801和所述光刻膠半保留部分803覆蓋的薄膜均會被保留，此后，由于光刻膠完全保留部分801的厚度大于所述光刻膠半保留部分803的厚度，當(dāng)把所述光刻膠半保留部分803的光刻膠灰化掉后，光刻膠完全保留部分801的光刻膠還存在,這樣便可以對露出部分的薄膜進(jìn)行有選擇的刻蝕，從而可以得到不同圖案的至少兩層圖案層。
[0082]所述灰階掩膜板的原理與所述半階掩膜板90的原理類似，此處不再贅述，僅對所述灰階掩膜板與所述半階掩膜板90不同之處加以說明:所述半階掩膜板的半透明部分903，是通過在所述透明襯底材料上形成厚度相對較薄的半透光的遮光金屬層，S卩，通過控制金屬層的厚度來調(diào)節(jié)紫外光的透過率，從而使與該部分對應(yīng)的光刻膠的曝光量與其他區(qū)域的曝光量不同；而所述灰階掩模板的半透明部分，是通過制作一些窄條形的狹縫結(jié)構(gòu)，當(dāng)紫外光通過狹縫結(jié)構(gòu)時(shí)，發(fā)生散射、衍射等光學(xué)現(xiàn)象，從而使與該部分對應(yīng)的所述光刻膠的曝光量與其他區(qū)域的曝光量不同。
[0083]其中，本發(fā)明所有實(shí)施例中所指的所述光刻膠80均為正性膠，即所述半階掩膜板90中，所述光刻膠完全去除部分802對應(yīng)的區(qū)域?yàn)橥耆毓鈪^(qū)域，對應(yīng)所述半階掩膜板90的完全透明部分902 ;所述光刻膠半保留部分803對應(yīng)的區(qū)域?yàn)榘肫毓鈪^(qū)域，對應(yīng)所述半階掩膜板90的半透明部分903，所述光刻膠完全保留部分801對應(yīng)的區(qū)域?yàn)椴黄毓鈪^(qū)域，對應(yīng)所述半階掩膜板90的完全不透明部分901。
[0084]S103、如圖6c所示，采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分802的所述金屬薄膜204a和所述半導(dǎo)體有源層薄膜203a，至少形成數(shù)據(jù)線引線206，以及位于所述數(shù)據(jù)線引線206下方的保留圖案(圖中未標(biāo)識出)。
[0085]S104、如圖6d所示，采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分803的光刻膠，并刻蝕形成所述源極204和所述漏極205、以及所述半導(dǎo)體有源層203。
[0086]這里，當(dāng)所述半導(dǎo)體有源層薄膜的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體時(shí)，只需在去除所述光刻膠半保留部分803的光刻膠后，采用刻蝕工藝去除露出的所述金屬薄膜，便可形成所述源極204和所述漏極205。并且，所述半導(dǎo)體有源層203在步驟S103便可以形成。
[0087]當(dāng)所述半導(dǎo)體有源層薄膜由一層非晶硅薄膜和一層η+非晶硅薄膜構(gòu)成時(shí)，在去除所述光刻膠半保留部分803的光刻膠后，不僅要刻蝕去掉露出的金屬薄膜，還需刻蝕去掉η+非晶硅薄膜。在此情況下，所述半導(dǎo)體有源層203在本步驟S104中形成。
[0088]S105、如圖6e所示，采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠。
[0089]針對上述步驟S02，以所述有機(jī)透明絕緣層30的材料為具有高透過率的有機(jī)透明絕緣材料，這里可以選取樹脂材料例如光刻膠為例，其具體可以通過如下過程實(shí)現(xiàn):
[0090]S201、如圖7a所示，在形成有所述薄膜晶體管20的基板上依次形成樹脂層薄膜30a和透明導(dǎo)電薄膜40a，并在所述透明導(dǎo)電薄膜上形成光刻膠80。
[0091]所述樹脂層薄膜30a的厚度可以為1.0?2.5 μ m。這里例如可以控制所述樹脂層薄膜30a的厚度為1.5 μ m。
[0092]S202、如圖7b所示，采用普通掩膜板對形成有所述光刻膠的基板進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分801和光刻膠完全去除部分802 ;其中，所述光刻膠完全去除部分802至少與待形成的所述第二過孔401對應(yīng)，且與待形成的所述第二過孔401對應(yīng)的所述光刻膠完全去除部分802的寬度小于待形成的所述第二過孔401的寬度。
[0093]其中，將與待形成的所述第二過孔401對應(yīng)的所述光刻膠完全去除部分802的寬度設(shè)置為小于待形成的所述第二過孔401的寬度，是因?yàn)橄率霾襟ES203中采用濕法刻蝕所述透明導(dǎo)電薄膜40a時(shí)，其不僅在縱向方向被刻蝕，而且在橫向方向也被刻蝕，因此，這里如果將與待形成的所述第二過孔401對應(yīng)的所述光刻膠完全去除部分802的寬度設(shè)置為較寬的話，后續(xù)形成的第二過孔401的寬度會更大，這樣的話會導(dǎo)致作為公共電極的所述第一透明電極層40被過度刻蝕。
[0094]此外，第二過孔401的寬度也可以通過控制刻蝕時(shí)間來調(diào)整，具體根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)定，在此不做限定。
[0095]這里，所述光刻膠的厚度例如可以為2.0?2.5 μ m。
[0096]S203、如圖7c所示，采用濕法刻蝕工藝對所述光刻膠完全去除部分802下方的所述透明導(dǎo)電薄膜40a進(jìn)行過刻蝕，形成包括所述第二過孔401的所述第一透明電極層40。
[0097]這里，在濕法刻蝕時(shí)，可以通過合理控制橫向刻蝕速率，以在刻蝕所述透明導(dǎo)電薄膜40a時(shí),使水平方向的刻蝕相對較大。例如:相對所述光刻膠完全去除部分802與所述光刻膠完全保留部分801的交界處，可以使刻蝕后形成的所述第二過孔401的邊緣距離靠近的該交界處的距離大約為2 μ m。這樣做的目的是避免第二過孔401的尺寸與所述第一過孔301的尺寸相同，從而在后續(xù)像素電極601通過這些過孔與所述漏極205電連接時(shí)，可以避免像素電極601與所述第一透明電極層40短路。
[0098]S204、如圖7d所示，采用灰化工藝去除所述第二過孔401下方的所述樹脂層薄膜30a，使形成在所述樹脂層30上的所述第一過孔301的尺寸小于所述第二過孔401的尺寸。
[0099]由于光刻膠和樹脂層薄膜的材料相近，因此，在刻蝕所述第二過孔401下方的所述樹脂層薄膜30a時(shí)，也同時(shí)會刻蝕位于所述樹脂層薄膜30a上方的光刻膠完全保留部分801的光刻膠。此外，這里考慮到刻蝕樹脂層薄膜30a時(shí)需保證形成的第一過孔301的尺寸小于所述第二過孔401的尺寸，在刻蝕所述第一過孔301時(shí)，盡量避免橫向方向的刻蝕，因此，這里采用干法刻蝕的灰化工藝來進(jìn)行刻蝕，在此過程中控制相關(guān)工藝過程，使形成的第一過孔301的尺寸小于所述第二過孔401的尺寸。
[0100]S205、如圖7e所示，采用剝離工藝去除剩余的所述光刻膠。
[0101]當(dāng)然，在上述S201-S205的過程中，也可以同步制備形成位于周邊區(qū)域的第五過孔302和第六過孔402，其原理與上述類似，在此不再贅述。
[0102]基于上述描述，考慮到有機(jī)透明絕緣層30與薄膜晶體管20的結(jié)合強(qiáng)度不是很理想，在本發(fā)明實(shí)施例中，優(yōu)選在所述薄膜晶體管20和所述有機(jī)透明絕緣層30之間還形成保護(hù)層70，其中，所述保護(hù)層70包括與所述第二過孔401重疊的第四過孔701，且所述第四過孔701尺寸小于所述第二過孔401的尺寸。
[0103]當(dāng)然，所述保護(hù)層還可以包括與所述第六過孔402重疊的第八過孔702，且所述第八過孔702的尺寸小于所述第六過孔402的尺寸。
[0104]這里，所述保護(hù)層70可以為氮化硅層、或氧化硅層、或氮氧化硅層。
[0105]基于此，在形成所述薄膜晶體管20的基板上，依次形成包括所述第四過孔701的保護(hù)層70、包括所述第一過孔301的有機(jī)透明絕緣層30、包括所述第二過孔401的第一透明電極層40、包括所述第三過孔501的鈍化層50，具體可以通過如下過程實(shí)現(xiàn):
[0106]S301、如圖8a所示，在形成有所述薄膜晶體管20的基板上形成保護(hù)層薄膜70a。
[0107]S302、如圖Sb所示，在所述保護(hù)層薄膜70a上方通過一次構(gòu)圖工藝處理形成包括所述第一過孔301的有機(jī)透明絕緣層30、以及包括所述第二過孔401的所述第一透明電極層40。
[0108]當(dāng)然，所述有機(jī)透明絕緣層30還可以包括位于陣列基板周邊區(qū)域的第五過孔302，所述第一透明電極層40還可以包括位于陣列基板周邊區(qū)域的第六過孔402。
[0109]S303、如圖Sc所示，在形成有所述第一透明電極層40的基板上形成鈍化層薄膜，并通過一次構(gòu)圖工藝處理，形成包括所述第三過孔501的鈍化層50和包括第四過孔701的保護(hù)層70。
[0110]其中，所述第三過孔501和第四過孔701與所述第二過孔401重疊，且所述述第三過孔501和第四過孔701的尺寸小于所述第二過孔401的尺寸。
[0111]當(dāng)然所述鈍化層50還可以包括位于陣列基板周邊區(qū)域的第七過孔502，所述保護(hù)層70還可以包括位于陣列基板周邊區(qū)域的第八過孔702，且所述第七過孔502和所述第八過孔702與所述第六過孔402重疊，但所述第七過孔502和所述第八過孔702的尺寸小于所述第六過孔402的尺寸。
[0112]在上述步驟S301-S303的基礎(chǔ)上，如圖9所示，形成包括像素電極601的第二透明電極層；其中，所述像素電極601通過所述第三過孔501、所述第二過孔401、所述第一過孔301和第四過孔701與所述漏極205電連接。
[0113]當(dāng)然，所述第二透明電極層還可以包括位于陣列基板周邊區(qū)域的透明電極保留圖案602，所述透明電極保留圖案602通過所述第七過孔502、第六過孔402、以及第五過孔302、第八過孔702與所述數(shù)據(jù)線引線206電連接。
[0114]通過上述的方法，可以制備得到相應(yīng)結(jié)構(gòu)的陣列基板，基于此，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，參考圖5所示，該陣列基板包括:襯底基板10、設(shè)置在所述襯底基板10上的薄膜晶體管20 ;設(shè)置在所述薄膜晶體管20上方的包括第一過孔301的有機(jī)透明絕緣層30、以及位于所述有機(jī)透明絕緣層30上方的包括第二過孔401的第一透明電極層40 ;其中，所述第一過孔301和所述第二過孔401 (見制備陣列基板的過程示意圖圖3)重疊，且所述第一過孔301的尺寸小于所述第二過孔401的尺寸；其中，包括所述第一過孔301的有機(jī)透明絕緣層30和包括所述第二過孔401的所述第一透明電極層40通過一次構(gòu)圖工藝制備形成(參考圖7a-7e)。
[0115]此處，參考圖5所示，例如可以將所述第一過孔301和所述第二過孔401與所述漏極205對應(yīng)，并將所述第一透明電極層40作為公共電極，這樣在后續(xù)形成像素電極601時(shí)，便可以通過所述第一過孔301和第二過孔401與所述漏極205電連接，并避免與第一透明電極層40發(fā)生短路。
[0116]在此基礎(chǔ)上，參考圖5所示，在陣列基板的周邊區(qū)域，所述第一透明電極層40還包括第六過孔402 (見制備陣列基板的過程示意圖圖3)、所述有機(jī)透明絕緣層30還包括第五過孔302 (見制備陣列基板的過程示意圖圖3);其中，所述第五過孔302、第六過孔402與源漏金屬層的數(shù)據(jù)線引線206對應(yīng)，且所述第六過孔402的尺寸大于所述第五過孔302的尺寸。
[0117]這樣，便可以通過第五過孔302和第六過孔402將所述數(shù)據(jù)線引線206換層到陣列基板的上層，從而實(shí)現(xiàn)與驅(qū)動IC的連接。
[0118]參考圖5所示，在所述第一過孔301和所述第二過孔401與所述漏極205對應(yīng)的情況下，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述第一透明電極層40上方的包括第三過孔501 (見制備陣列基板的過程示意圖圖4)的鈍化層50和位于所述鈍化層50上方的包括像素電極601的第二透明電極層；其中，所述第三過孔501和所述第二過孔401重疊，且所述第三過孔501的尺寸小于所述第二過孔401的尺寸；所述像素電極601至少通過所述第三過孔501、所述第二過孔401、所述第一過孔301與所述薄膜晶體管的漏極205電連接。
[0119]進(jìn)一步的，如圖9所示，所述陣列基板還包括:設(shè)置在所述薄膜晶體管20和所述有機(jī)透明絕緣層30之間的包括第四過孔701的保護(hù)層70 ;所述第四過孔701和所述第二過孔401重疊，且所述第四過孔701的尺寸小于所述第二過孔401的尺寸；所述像素電極601通過所述第三過孔501、第二過孔401、第一過孔301、第四過孔701與所述漏極205電連接；其中，包括所述第四過孔701的保護(hù)層70和包括所述第三過孔501的鈍化層50通過一次構(gòu)圖工藝制備形成(參考圖8a-8c)。
[0120]當(dāng)然，在陣列基板的周邊區(qū)域，所述保護(hù)層70還包括第八過孔702，所述第八過孔702和所述第六過孔402重疊，且所述第八過孔702的尺寸小于所述第六過孔402的尺寸。在此情況下，透明電極保留圖案602通過第七過孔502、第六過孔402、第五過孔302、以及第八過孔702與所述數(shù)據(jù)線引線206電連接。
[0121]基于上述描述，所述有機(jī)透明絕緣層的材料為樹脂。所述有機(jī)透明絕緣層的厚度可以為1.0?2.5μπι。
[0122]本發(fā)明實(shí)施例還提供了 一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的陣列基板。
[0123]該顯示裝置具體可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
[0124]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝處理形成薄膜晶體管； 在形成有所述薄膜晶體管的基板上，通過一次構(gòu)圖工藝處理形成包括第一過孔的有機(jī)透明絕緣層、以及位于所述有機(jī)透明絕緣層上方的包括第二過孔的第一透明電極層；其中，所述第一過孔和所述第二過孔重疊，且所述第一過孔的尺寸小于所述第二過孔的尺寸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過一次構(gòu)圖工藝處理形成包括第一過孔的有機(jī)透明絕緣層、以及位于所述有機(jī)透明絕緣層上方的包括第二過孔的第一透明電極層，具體包括: 在形成有所述薄膜晶體管的基板上，依次形成樹脂層薄膜和透明導(dǎo)電薄膜，并在所述透明導(dǎo)電薄膜上形成光刻膠； 采用普通掩膜板對形成有所述光刻膠的基板進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全去除部分至少與待形成的所述第二過孔對應(yīng)，且與待形成的所述第二過孔對應(yīng)的所述光刻膠完全去除部分的寬度小于待形成的所述第二過孔的寬度； 采用濕法刻蝕工藝對所述光刻膠完全去除部分下方的所述透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行過刻蝕，形成包括所述第二過孔的所述第一透明電極層； 采用灰化工藝去除所述第二過孔下方的所述樹脂層薄膜，使形成在所述樹脂層上的所述第一過孔的尺寸小于所述第二過孔的尺寸； 采用剝離工藝去除剩余的所述光刻膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述 的方法，其特征在于，所述樹脂層薄膜的厚度為1.0~2.5 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 在形成有所述第一透明電極層的基板上，通過構(gòu)圖工藝處理依次形成包括第三過孔的鈍化層和包括像素電極的第二透明電極層；其中，所述第三過孔和所述第二過孔重疊，且所述第三過孔的尺寸小于所述第二過孔的尺寸；所述像素電極至少通過所述第三過孔、所述第二過孔、所述第一過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括:在所述薄膜晶體管和所述有機(jī)透明絕緣層之間形成包括第四過孔的保護(hù)層；其中，所述第四過孔和所述第二過孔重疊，且所述第四過孔的尺寸小于所述第二過孔的尺寸； 在形成有所述薄膜晶體管的基板上，依次形成包括所述第四過孔的保護(hù)層、包括所述第一過孔的有機(jī)透明絕緣層、包括所述第二過孔的第一透明電極層、包括所述第三過孔的鈍化層，具體包括: 在形成有所述薄膜晶體管的基板上形成保護(hù)層薄膜，并在所述保護(hù)層薄膜上方通過一次構(gòu)圖工藝處理形成包括所述第一過孔的有機(jī)透明絕緣層、以及包括所述第二過孔的所述第一透明電極層； 在形成有所述第一透明電極層的基板上形成鈍化層薄膜，并通過一次構(gòu)圖工藝處理，形成包括所述第三過孔的鈍化層和包括第四過孔的保護(hù)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝處理形成薄膜晶體管，包括: 在襯底基板上通過一次構(gòu)圖工藝處理形成包括柵極的柵金屬層，并形成柵絕緣層；在形成有所述柵絕緣層的基板上通過一次構(gòu)圖工藝處理形成半導(dǎo)體有源層、包括源極、漏極的源漏金屬層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述通過一次構(gòu)圖工藝處理形成半導(dǎo)體有源層、包括源極、漏極的源漏金屬層，具體包括: 在所述柵絕緣層上依次形成半導(dǎo)體有源層薄膜以及金屬薄膜，并在所述金屬薄膜上形成光刻膠； 采用半階掩模板或灰階掩膜板對形成有所述光刻膠的基板進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分至少對應(yīng)待形成的所述源極和所述漏極的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分對待形成所述源極和所述漏極之間的區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)其他區(qū)域； 采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分的所述源漏金屬層薄膜和所述半導(dǎo)體有源層薄膜； 采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠，并刻蝕形成所述源極和所述漏極、以及所述半導(dǎo)體有源層； 采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠。
8.一種陣列基板，其特征在于，包括:襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的薄膜晶體管； 設(shè)置在所述薄膜晶體管上方的包括第一過孔的有機(jī)透明絕緣層、以及位于所述有機(jī)透明絕緣層上方的包括第二過孔的第一透明電極層；其中，所述第一過孔和所述第二過孔重疊，且所述第一過孔的尺寸小于所述第二過孔的尺寸； 其中，包括所述第一過孔的有機(jī)透明絕緣層和包括所述第二過孔的所述第一透明電極層通過一次構(gòu)圖工藝制備形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述有機(jī)透明絕緣層的材料為樹脂。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述有機(jī)透明絕緣層的厚度為1.0 ~2.5 μ m0
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括: 設(shè)置在所述第一透明電極層上方的包括第三過孔的鈍化層和位于所述鈍化層上方的包括像素電極的第二透明電極層；其中，所述第三過孔和所述第二過孔重疊，且所述第三過孔的尺寸小于所述第二過孔的尺寸；所述像素電極至少通過所述第三過孔、所述第二過孔、所述第一過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括:設(shè)置在所述薄膜晶體管和所述有機(jī)透明絕緣層之間的包括第四過孔的保護(hù)層； 所述第四過孔和所述第二過孔重疊，且所述第四過孔的尺寸小于所述第二過孔的尺寸；所述像素電極還通過所述第四過孔與所述漏極電連接； 其中，包括所述第四過孔的保護(hù)層和包括所述第三過孔的鈍化層通過一次構(gòu)圖工藝制備形成。
13.—種顯示裝置，其 特征在于，包括權(quán)利要求8至12任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L27/12GK103855087SQ201410062127
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2014年2月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月24日
【發(fā)明者】嚴(yán)允晟, 崔承鎮(zhèn) 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司