一種干法刻蝕設(shè)備的下部電極基臺(tái)和干法刻蝕設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種干法刻蝕設(shè)備的下部電極基臺(tái)和干法刻蝕設(shè)備，用以提供一種新型的用于放置襯底基板的下部電極基臺(tái)，置于該下部電極基臺(tái)上的襯底基板經(jīng)干法刻蝕設(shè)備刻蝕后，可以避免襯底基板內(nèi)部結(jié)構(gòu)均勻性的破壞，避免顯示器件發(fā)生印花(Embossing?Mura)不良現(xiàn)象。所述干法刻蝕設(shè)備的下部電極基臺(tái)，包括：第一基板以及位于第一基板上的多個(gè)支撐件；其中，所述支撐件的頂部材質(zhì)至少包括樹脂。
【專利說明】一種干法刻蝕設(shè)備的下部電極基臺(tái)和干法刻蝕設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及刻蝕【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種干法刻蝕設(shè)備的下部電極基臺(tái)和干法刻蝕設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]在顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，通常通過干法刻蝕工藝對(duì)玻璃基板進(jìn)行刻蝕，以制作相應(yīng)的圖形。具體地，將待刻蝕的玻璃基板置于采用干法刻蝕設(shè)備中，利用等離子體放電來去除玻璃基板上待刻蝕的材料進(jìn)行刻蝕。
[0003]以下結(jié)合干法刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)說明其刻蝕的原理。
[0004]參見圖1，為現(xiàn)有技術(shù)干法刻蝕設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖，包括:反應(yīng)腔100、位于反應(yīng)腔100內(nèi)的上部電極101和下部電極102，位于下部電極102上用于放置玻璃基板104的基臺(tái)103 ;在具體實(shí)施時(shí)，將待刻蝕的玻璃基板104置于下部電極102上方的基臺(tái)103上，反應(yīng)腔100內(nèi)通入等離子氣體，將反應(yīng)腔100密閉，為上部電極101和下部電極102施加電壓，二者之間形成電勢差，從而促使等離子體向玻璃基板運(yùn)動(dòng)，對(duì)玻璃基板進(jìn)行刻蝕。
[0005]目前，一種較佳的下部電極102上方的基臺(tái)103由基板和基板表面的表面浮點(diǎn)(Embossing Dot)構(gòu)成，該表面浮點(diǎn)由氧化鋁陶瓷構(gòu)成，由于氧化鋁陶瓷的硬度較高，一般其硬度高于玻璃，當(dāng)待刻蝕的玻璃基板置于硬度較高的表面浮點(diǎn)上時(shí)，表面浮點(diǎn)不可避免地對(duì)所述玻璃基板的表面和/或內(nèi)部結(jié)構(gòu)造成一定程度的損傷，導(dǎo)致與表面浮點(diǎn)相接觸的位置及接觸附近區(qū)域的玻璃基板的厚度均勻性下降，和/或內(nèi)部結(jié)構(gòu)的均勻性下降。當(dāng)經(jīng)干法刻蝕過的玻璃基板作為顯示面板的襯底基板時(shí)，來自背光源或外界光源的光線透過所述玻璃基板時(shí)，容易造成光散射現(xiàn)象，光散射現(xiàn)象在顯示面板顯示圖像時(shí)會(huì)導(dǎo)致印花(Embossing Mura)不良現(xiàn)象的發(fā)生,嚴(yán)重影響顯示面板的光學(xué)特性,從而影響顯示面板圖像的顯示品質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供一種干法刻蝕設(shè)備的下部電極基臺(tái)和干法刻蝕設(shè)備，用以提供一種新型的用于放置襯底基板的下部電極基臺(tái)，置于該下部電極基臺(tái)上的襯底基板經(jīng)干法刻蝕設(shè)備刻蝕后，可以避免玻璃基板內(nèi)部結(jié)構(gòu)均勻性的破壞，避免顯示器件發(fā)生印花(Embossing Mura)不良現(xiàn)象。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供的干法刻蝕設(shè)備的下部電極基臺(tái)，包括:
[0008]第一基板以及位于所述第一基板上的多個(gè)支撐件；
[0009]其中，所述支撐件的頂部材質(zhì)至少包括樹脂。
[0010]較佳地，所述支撐件為表面浮點(diǎn)結(jié)構(gòu)。
[0011]較佳地，所述樹脂包括聚四氟乙烯和/或環(huán)氧樹脂。
[0012]較佳地，所述支撐件的頂部材質(zhì)還包括無機(jī)礦物材料。
[0013]較佳地，還包括位于所述第一基板上的樹脂層，所述樹脂層與所述各支撐件連接成一體式結(jié)構(gòu)。
[0014]較佳地，還包括:設(shè)置于所述第一基板上的多個(gè)用于緊固所述第一基板和所述樹脂層的緊固件。
[0015]較佳地，所述支撐件的頂部與所述樹脂層之間的垂直距離為0.4~0.6mm。
[0016]較佳地，所述支撐件的形狀為正立的錐形狀。
[0017]較佳地，所述錐形狀支撐件的側(cè)表面設(shè)置有凹陷區(qū)域，所述凹陷區(qū)域的凹陷方向朝向所述支撐件的頂部，且與所述第一基板具有設(shè)定夾角。
[0018]較佳地，所述支撐件的頂部為具有至少一個(gè)呈針刺狀的凸起結(jié)構(gòu)。
[0019]較佳地，所述支撐件的側(cè)表面至少包括多個(gè)由所述支撐件的頂部延伸至底部的第
一溝壑。
[0020]較佳地，所述支撐件的側(cè)表面還包括多個(gè)與所述第一溝壑的延伸方向相交叉的第
二溝壑。
[0021]較佳地，所述第一基板為陶瓷基板。
[0022]較佳地，還包括位于所述支撐件之間的氣孔，所述氣孔貫穿所述第一基板和所述樹脂層。
`[0023]本發(fā)明實(shí)施例提供一種干法刻蝕設(shè)備，包括上述任一方式的下部電極基臺(tái)。
[0024]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供一種干法刻蝕設(shè)備的下部電極基臺(tái)和干法刻蝕設(shè)備包括:第一基板以及位于第一基板上的多個(gè)支撐件；其中，支撐件的頂部材質(zhì)至少包括樹月旨。所述支撐件上與放置的襯底基板的接觸位置為樹脂材質(zhì)；樹脂的硬度較小。由包括樹脂的材料形成的支撐件頂部與襯底基板接觸，相比較現(xiàn)有技術(shù)采用陶瓷形成的支撐件與襯底基板，例如玻璃基板接觸，可以有效避免對(duì)襯底基板表面或內(nèi)部結(jié)構(gòu)的破損，從而避免所述刻蝕后的襯底基板作為顯示面板的襯底基板時(shí)出現(xiàn)印花(Embossing Mura)不良現(xiàn)象,提高了顯示面板的光學(xué)特性，從而提高了顯示面板圖像的顯示品質(zhì)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1為現(xiàn)有技術(shù)干法刻蝕設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的下部電極基臺(tái)俯視示意圖之一；
[0027]圖3為圖2所示的下部電極基臺(tái)在A-A向的截面圖；
[0028]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的包括樹脂層的下部電極基臺(tái)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的下部電極基臺(tái)俯視不意圖之二；
[0030]圖6為圖5所示的下部電極基臺(tái)在B-B向的截面圖；
[0031]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的支撐件結(jié)構(gòu)示意圖之一；
[0032]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的支撐件結(jié)構(gòu)示意圖之二 ；
[0033]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的支撐件結(jié)構(gòu)示意圖之三；
[0034]圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的支撐件結(jié)構(gòu)示意圖之四；
[0035]圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的設(shè)置有氣孔的下部電極基臺(tái)結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]本發(fā)明實(shí)施例提供一種干法刻蝕設(shè)備的下部電極基臺(tái)和干法刻蝕設(shè)備，用以提供一種新型的用于放置襯底基板的下部電極基臺(tái)，置于該下部電極基臺(tái)上的襯底基板經(jīng)干法刻蝕設(shè)備刻蝕后，可以避免襯底基板內(nèi)部結(jié)構(gòu)均勻性的破壞，避免顯示器件發(fā)生印花(Embossing Mura)的不良現(xiàn)象。
[0037]以下將結(jié)合附圖具體說明本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案，本發(fā)明說明書內(nèi)容和附圖僅用于解釋說明本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0038]本發(fā)明提供的干法刻蝕設(shè)備的下部電極基臺(tái)為位于下部電極上用于支撐待刻蝕的玻璃基板的基臺(tái)。所述基臺(tái)與所述下部電極疊層設(shè)置，二者的結(jié)合方式與現(xiàn)有技術(shù)類似，本發(fā)明下述主要對(duì)所述基臺(tái)做具體描述。
[0039]本發(fā)明實(shí)施例提供的襯底基板可以為玻璃基板或柔性基板等。本發(fā)明以玻璃基板為例說明。
[0040]參見圖2和圖3，圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的干法刻蝕設(shè)備的下部電極基臺(tái)俯視示意圖；圖3為圖2所示的下部電極基臺(tái)在A-A向的截面圖；
[0041]本發(fā)明實(shí)施例提供的干法刻蝕設(shè)備的下部電極基臺(tái)截面示意圖，包括:
[0042]第一基板I以及位于第一基板I上的多個(gè)支撐件2 ；
[0043]其中，支撐件2的頂部材質(zhì)至少包括樹脂。
[0044]圖2和圖3所示的支撐件2用于支撐置于第一基板I上的待刻蝕的玻璃基板，支撐件2的設(shè)置可以減小第一基板I與玻璃基板之間的接觸面積，保證玻璃基板在刻蝕過程中，各區(qū)域溫度一致，從而保證對(duì)玻璃基板刻蝕的均勻性。
[0045]本發(fā)明圖2和圖3所示的支撐件2的頂部材質(zhì)至少包括樹脂，即至少保證所述支撐件上與待刻蝕的玻璃基板的接觸位置為樹脂材質(zhì)；樹脂的硬度小于玻璃的硬度，陶瓷的硬度高于玻璃的硬度。由包括樹脂的材料形成的支撐件頂部與玻璃基板接觸，相比較現(xiàn)有技術(shù)采用陶瓷形成的支撐件與玻璃接觸，可以有效避免對(duì)玻璃基板表面或內(nèi)部結(jié)構(gòu)的破損，從而避免所述刻蝕后的玻璃基板作為顯示面板的襯底基板時(shí)引起印花(EmbossingMura)不良現(xiàn)象，提高了顯示面板的光學(xué)特性，從而提高了顯示面板圖像的顯示品質(zhì)。
[0046]所述支撐件的結(jié)構(gòu)不限，優(yōu)選為正立的錐形狀，后續(xù)將會(huì)針對(duì)支撐件的結(jié)構(gòu)做進(jìn)一步描述；所述第一基板的材質(zhì)不限，第一基板優(yōu)選為陶瓷基板。
[0047]進(jìn)一步地，所述支撐件為一體式結(jié)構(gòu)，即整個(gè)支撐件的制作材料相同，由包括樹脂的材料制作而成。這樣在制作過程中可以降低制作工藝難度。
[0048]優(yōu)選地,所述支撐件為表面浮點(diǎn)結(jié)構(gòu)(Embossing Dot),表面浮點(diǎn)結(jié)構(gòu)相比較無支撐件的第一基板，可以避免玻璃基板邊緣對(duì)應(yīng)的顯示面板產(chǎn)生印花不良。
[0049]所述樹脂可以為任何具有物理化學(xué)穩(wěn)定性、耐腐蝕性、高潤滑不粘性、良好電絕緣性、強(qiáng)抗老化能力、耐溫優(yōu)異等特點(diǎn)的樹脂。
[0050]優(yōu)選地,所述樹脂可以為聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene)和/或環(huán)氧樹月旨等。
[0051]所述聚四氟乙烯具有優(yōu)良的化學(xué)穩(wěn)定性、耐腐蝕性、高潤滑不粘性、良好電絕緣性、強(qiáng)抗老化能力、耐溫優(yōu)異，無毒性等特點(diǎn)，用于本發(fā)明支撐件制作，由于其高潤滑不粘性特點(diǎn)，在刻蝕過程中產(chǎn)生的粉塵落于支撐件上不容易與支撐件結(jié)合，支撐件上即使有少量粉塵，后續(xù)清洗也比較容易。
[0052]凡分子結(jié)構(gòu)中含有環(huán)氧基團(tuán)的高分子化合物統(tǒng)稱為環(huán)氧樹脂。固化后的環(huán)氧樹脂具有良好的物理、化學(xué)性能、介電性能良好、制品尺寸穩(wěn)定性好、硬度高，以及柔韌性較好等特點(diǎn)。用于本發(fā)明支撐件制作，在刻蝕過程中產(chǎn)生的粉塵落于支撐件上不容易與支撐件結(jié)合，支撐件上即使有少量粉塵，后續(xù)清洗也比較容易。
[0053]上述由樹脂材料制成的支撐件，為了進(jìn)一步提高支撐件的硬度，所述支撐件的頂部材質(zhì)除所述聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene)和/或環(huán)氧樹脂等之外,還可以包括無機(jī)礦物材料，無機(jī)礦物材料可以為高嶺土、云母、硅灰石、滑石粉等，無機(jī)礦物材料可以提高支撐件的硬度。
[0054]優(yōu)選地,整個(gè)支撐件由聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene)和/或環(huán)氧樹脂，混合有無機(jī)礦物材料制作而成。
[0055]本發(fā)明各支撐件可以分別制作在第一基板上，與第一基板結(jié)合。為了提高支撐件與第一基板之間的結(jié)合力，提高支撐件的穩(wěn)定性，將所述各支撐件制作為一體式結(jié)構(gòu)，其中一種實(shí)施方式為:如圖4所示，在圖3所示的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上:還包括位于第一基板I上的樹脂層3，樹脂層3與各支撐件2連接成一體式結(jié)構(gòu)。該一體式結(jié)構(gòu)方便整體更換。
[0056]樹脂層3與第一基板I疊層設(shè)置，二者的接觸面積較大，相對(duì)比較穩(wěn)固。具體實(shí)施過程中，支撐件與樹脂層的材質(zhì)相同，同一次工藝形成。
[0057]進(jìn)一步地，為了保證樹脂層3與第一基板I的平整性，所述一體式的樹脂層3與各支撐件2可以通過擠壓成型的方式或3D打印的方式制作而成，制成的一體式結(jié)構(gòu)中的樹脂層的平整度較好。
[0058]進(jìn)一步地，為了使得所述樹脂層3緊緊貼合在第一基板I上，避免長時(shí)間使用二者分離，參見圖5和圖6，圖6為圖5在B-B向的截面圖，基于前述實(shí)施例的下部電極基臺(tái)，還包括:設(shè)置于第一基板I上的多個(gè)用于緊固第一基板I和樹脂層3的緊固件4。
[0059]較佳地，緊固件4可以通過螺釘、螺栓、銷或鉚釘?shù)葘?shí)現(xiàn)。
[0060]進(jìn)一步地，還可以在具有緊固件4的基礎(chǔ)上，通過粘接劑將第一基板I和樹脂層3粘接，進(jìn)一步提高樹脂層3與第一基板I的穩(wěn)固性。
[0061]本發(fā)明由于支撐件與樹脂層為一體式，通過緊固件將第一基板與樹脂層緊緊固定，從而使得所述支撐件與第一基板緊緊固定，避免了支撐件從所述第一基板上脫落。
[0062]優(yōu)選地，參見圖6，支撐件2的頂部與樹脂層3之間的垂直距離h為0.4?0.6mm,優(yōu)選為0.5mm。
[0063]本發(fā)明上述任一方式的下部電極基臺(tái)中的支撐件的結(jié)構(gòu)為類似錐形的結(jié)構(gòu)，即支撐件的整體形狀為錐形狀，頂部結(jié)構(gòu)比較尖，這樣可以減少支撐件與置于其上的玻璃基板之間的接觸面積，保證玻璃基板上的局部溫度不受支撐件的影響。
[0064]以下將具體介紹本發(fā)明實(shí)施例提供的幾種典型的支撐件結(jié)構(gòu)。
[0065]參見圖7，為第一種較佳的支撐件結(jié)構(gòu)的放大示意圖；
[0066]支撐件2的形狀為正立的錐形狀，該錐形狀的支撐件2為圓錐形或三棱錐形，相比較三棱錐形，圓錐形支撐件2上落上的粉塵更容易順著側(cè)壁滑落到支撐件2底部周圍，延長了支撐件2的清洗周期。
[0067]較佳地，圖7所示的支撐件2的表面為光滑結(jié)構(gòu)，相比較粗糙結(jié)構(gòu)的表面，粉塵更容易順著側(cè)壁滑落到支撐件2底部周圍，延長了支撐件2的清洗周期。
[0068]參見圖8，為第二種較佳的支撐件結(jié)構(gòu)的放大示意圖；[0069]支撐件2的形狀為正立的錐形狀，該錐形狀的支撐件2為圓錐形或三棱錐形，錐形狀支撐件2的側(cè)表面設(shè)置有凹陷區(qū)域21，凹陷區(qū)域21的凹陷方向(如箭頭所示)朝向支撐件的頂部(O點(diǎn))，且與第一基板I具有設(shè)定夾角a。該錐形狀支撐件2類似常規(guī)的松樹狀。當(dāng)刻蝕過程中粉塵落到支撐件2的側(cè)壁時(shí)，由于側(cè)壁表面具有凹陷區(qū)域21 (即具有缺口)，側(cè)壁表面不容易形成一整層較厚的粉塵，進(jìn)一步有利于粉塵脫落于支撐件2底部周圍，更進(jìn)一步延長了支撐件的清洗周期。
[0070]優(yōu)選地，圖8所示的凹陷區(qū)域21為V型，V型凹陷區(qū)域21不容易積聚粉塵。
[0071]參見圖9，為第三種較佳的支撐件結(jié)構(gòu)的放大示意圖；
[0072]支撐件2的整體結(jié)構(gòu)不限，可以為桿狀，或橄欖球狀等，或者為圖7和圖8所示的結(jié)構(gòu)。
[0073]支撐件2的頂部為具有至少一個(gè)呈針刺狀的凸起結(jié)構(gòu)22。
[0074]多個(gè)呈針刺狀的凸起結(jié)構(gòu)22可以提高玻璃基板在支撐件上的穩(wěn)定性，同時(shí)減少支撐件與玻璃基板之間的接觸面積。
[0075]為了進(jìn)一步增加清洗支撐件的周期，還可以在圖9所示的支撐件2上設(shè)置溝壑，使得粉塵進(jìn)入溝壑沿著溝壑滑落到支撐件的底部周圍。
[0076]參見圖10，在圖9所示的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，支撐件2的側(cè)表面至少包括多個(gè)由支撐件的頂部延伸至底部的第一溝壑23 ；
[0077]進(jìn)一步地，支撐件2的側(cè)表面還包括多個(gè)與第一溝壑23的延伸方向相交叉的第二溝壑24。
[0078]參見圖11，為了降低玻璃基板的溫度，第一基板I上還設(shè)置有位于支撐件2之間的氣孔6，氣孔6貫穿第一基板I和樹脂層3。
[0079]本發(fā)明實(shí)施例提供的第一基板上支撐件的高度、形狀等外觀、排列分布及數(shù)量根據(jù)實(shí)際情況而定；氣孔的大小、排列分布及數(shù)量根據(jù)實(shí)際情況而定，適當(dāng)增加電極周邊的氣孔數(shù)目，更好的用于為玻璃基板降溫。
[0080]本發(fā)明實(shí)施例提供一種干法刻蝕設(shè)備，包括上述任一方式的下部電極基臺(tái)，該下部電極基臺(tái)下放放置有下部電極。
[0081]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供一種干法刻蝕設(shè)備的下部電極基臺(tái)包括:第一基板以及位于第一基板上的多個(gè)支撐件；其中，支撐件的頂部材質(zhì)至少包括樹脂。至少保證所述支撐件上與待刻蝕的玻璃基板的接觸位置為樹脂材質(zhì)；樹脂的硬度小于玻璃的硬度，陶瓷的硬度高于玻璃的硬度。由包括樹脂的材料形成的支撐件頂部與玻璃基板接觸，相比較現(xiàn)有技術(shù)采用陶瓷形成的支撐件與玻璃接觸，可以有效避免對(duì)玻璃基板表面或內(nèi)部結(jié)構(gòu)的破損，從而避免所述刻蝕后的玻璃基板作為顯示面板的襯底基板時(shí)，導(dǎo)致印花(EmbossingMura)不良現(xiàn)象，提高了顯示面板的光學(xué)特性，從而提高了顯示面板圖像的顯示品質(zhì)。
[0082]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種干法刻蝕設(shè)備的下部電極基臺(tái)，其特征在于，包括: 第一基板以及位于所述第一基板上的多個(gè)支撐件； 其中，所述支撐件的頂部材質(zhì)至少包括樹脂。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的下部電極基臺(tái)，其特征在于，所述支撐件為表面浮點(diǎn)結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的下部電極基臺(tái)，其特征在于，所述樹脂包括聚四氟乙烯和/或環(huán)氧樹脂。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的下部電極基臺(tái)，其特征在于，所述支撐件的頂部材質(zhì)還包括無機(jī)礦物材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的下部電極基臺(tái)，其特征在于，還包括位于所述第一基板上的樹脂層，所述樹脂層與所述各支撐件連接成一體式結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的下部電極基臺(tái)，其特征在于，還包括:設(shè)置于所述第一基板上的多個(gè)用于緊固所述第一基板和所述樹脂層的緊固件。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的下部電極基臺(tái)，其特征在于，所述支撐件的頂部與所述樹脂層之間的垂直距離為0.4?0.6mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的下部電極基臺(tái)，其特征在于，所述支撐件的形狀為正立的錐形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的下部電極基臺(tái)，其特征在于，所述錐形狀支撐件的側(cè)表面設(shè)置有凹陷區(qū)域，所述凹陷區(qū)域的凹陷方向朝向所述支撐件的頂部，且與所述第一基板具有設(shè)定夾角。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的下部電極基臺(tái)，其特征在于，所述支撐件的頂部為具有至少一個(gè)呈針刺狀的凸起結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的下部電極基臺(tái)，其特征在于，所述支撐件的側(cè)表面至少包括多個(gè)由所述支撐件的頂部延伸至底部的第一溝壑。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的下部電極基臺(tái)，其特征在于，所述支撐件的側(cè)表面還包括多個(gè)與所述第一溝壑的延伸方向相交叉的第二溝壑。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的下部電極基臺(tái)，其特征在于，所述第一基板為陶瓷基板。
14.根據(jù)權(quán)利要求5所述的下部電極基臺(tái)，其特征在于，還包括位于所述支撐件之間的氣孔，所述氣孔貫穿所述第一基板和所述樹脂層。
15.一種干法刻蝕設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1-14任一所述的下部電極基臺(tái)。
【文檔編號(hào)】H01L21/3065GK103811332SQ201410051082
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2014年2月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月14日
【發(fā)明者】梁魁 申請人:北京京東方顯示技術(shù)有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司