全鋁摻雜n型太陽能電池的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明的全鋁摻雜N型太陽能電池的制備方法，包括：提供一個(gè)N型半導(dǎo)體襯底；在N型半導(dǎo)體襯底正面形成N+層；在N+層上形成氮化硅薄膜；在N型半導(dǎo)體襯底背面形成全鋁背場(chǎng)；在氮化硅薄膜上制備正電極；對(duì)N型半導(dǎo)體襯底進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，使正電極與N+層相接觸，并在N型半導(dǎo)體襯底背面形成P型層；在全鋁背場(chǎng)表面制備背電極；低溫?zé)Y(jié)背電極。本發(fā)明的制備方法，采用全背場(chǎng)網(wǎng)版進(jìn)行印刷，經(jīng)高溫?zé)Y(jié)能夠形成良好的PN結(jié)，從而提高了太陽能電池的光電性能；經(jīng)過低溫?zé)Y(jié)制備出背電極，克服了傳統(tǒng)銀鋁背電極只能在高溫下完成燒結(jié)的問題，由于背電極燒結(jié)深度低，不會(huì)對(duì)PN結(jié)產(chǎn)生影響，能夠進(jìn)行后期組件焊接，且符合組件加工力學(xué)性能指標(biāo)。
【專利說明】全鋁摻雜N型太陽能電池的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種全鋁摻雜N型太陽能電池的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，太陽能電池發(fā)展迅速，傳統(tǒng)的P型硅太陽能電池占據(jù)著很大的市場(chǎng)。然而，P型硅通常采用硼摻雜，在P型硅太陽能電池中會(huì)存在大量的硼-氧對(duì)，這樣使得P型硅太陽能電池的性能衰減較快。相比之下，N型硅太陽能電池采用磷摻雜，由于不存在硼-氧對(duì)，能夠克服P型硅太陽能電池的光致衰減效應(yīng)，同時(shí)，其還具有對(duì)大部分金屬離子(金離子除外)的污染不敏感、較長(zhǎng)的少子壽命和擴(kuò)散長(zhǎng)度等優(yōu)勢(shì)，因此，N型硅太陽能電池逐漸成為研究的熱點(diǎn)。
[0003]目前，N型硅太陽能電池形成PN結(jié)的方法有硼擴(kuò)散法、離子注入法、鋁燒結(jié)法等，其中，鋁燒結(jié)法具有制備工藝簡(jiǎn)單、與傳統(tǒng)電池制備工藝相兼容、時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)，成為制備N型太陽能電池的重要工藝。通常情況下，N型太陽能電池的制備方法主要包括以下兩種工藝:
[0004]工藝一:
[0005]步驟Ml:對(duì)N型半導(dǎo)體襯底進(jìn)行表面處理和雙面制絨；
[0006]步驟M2:雙面擴(kuò)散硼處理；
[0007]步驟M3:雙面沉積氮化硅薄膜；
[0008]步驟M4:單面沉積二氧化硅薄膜；
[0009]步驟M5:采用熱磷酸去除半導(dǎo)體襯底背面的氮化硅薄膜；
[0010]步驟M6:對(duì)半導(dǎo)體襯底背面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成N+層；
[0011]步驟M7:采用氫氟酸溶液去除上述二氧化硅薄膜和正面的氮化硅薄膜；
[0012]步驟M8:刻蝕去除由于上述磷擴(kuò)散在硅片側(cè)面邊緣形成的擴(kuò)散層；
[0013]步驟M9:在半導(dǎo)體襯底的正面沉積氧化鋁和氮化硅薄膜，在半導(dǎo)體襯底的背面沉積氮化硅薄膜；
[0014]步驟MlO:絲網(wǎng)印刷正電極和背電極；
[0015]步驟Ml 1:燒結(jié)上述半導(dǎo)體襯底；
[0016]步驟M12:對(duì)半導(dǎo)體襯底的背面進(jìn)行激光開孔；
[0017]步驟M13:在半導(dǎo)體襯底的背面蒸鍍金屬鋁。
[0018]工藝二:
[0019]步驟N1:對(duì)N型半導(dǎo)體襯底進(jìn)行雙面制絨；
[0020]步驟N2:雙面擴(kuò)散磷，形成雙面的N+層；
[0021]步驟N3:濕法刻蝕，去除背面和側(cè)面邊緣的N+層；
[0022]步驟N4:在半導(dǎo)體襯底的正面沉積氮化硅薄膜；
[0023]步驟N5:依次印刷銀鋁漿背電極、鋁背電場(chǎng)和正電極；[0024]步驟N6:高溫?zé)Y(jié)上述半導(dǎo)體襯底。
[0025]上述工藝一非常復(fù)雜，掩膜的種類和成膜順序會(huì)稍有差異，但整體思路相同，需要增加硼擴(kuò)散爐、鋁蒸鍍?cè)O(shè)備和激光設(shè)備才能利用現(xiàn)有的P型太陽能電池的生產(chǎn)線，由于鋁蒸鍍?cè)O(shè)備不利于大規(guī)模生產(chǎn)且造價(jià)昂貴，從而增加了制造成本，因此，工藝一不適合目前的大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。
[0026]上述工藝二的各個(gè)制備步驟與目前P型太陽能電池的生產(chǎn)工藝相兼容，可以在現(xiàn)有的設(shè)備規(guī)模的基礎(chǔ)上進(jìn)行制造，并且避免增加不必要的成本。然而，由于在同一高溫下，銀鋁漿的燒結(jié)深度比純鋁擴(kuò)散深度大、金屬銀的摻雜不能形成PN結(jié)等因素，如果采用現(xiàn)有的先印刷銀鋁漿背電極、再印刷鋁背電場(chǎng)的工藝步驟，將導(dǎo)致在背電極處不能夠完全形成PN結(jié)，從而使得整個(gè)器件出現(xiàn)嚴(yán)重的漏電問題。再者，如果采用全背場(chǎng)網(wǎng)版，先印刷背電場(chǎng)再印刷背電極，那么，在后續(xù)的高溫?zé)Y(jié)后，將導(dǎo)致其無法進(jìn)行焊接形成電池組件。因此，急需改進(jìn)現(xiàn)有的N型太陽能電池的制備方法，從而使其在原有設(shè)備規(guī)模的基礎(chǔ)上制備出性能優(yōu)良的N型太陽能電池。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0027]為了克服上述問題，本發(fā)明旨在提供一種N型太陽能電池的制備方法，從而制備出性能良好的PN結(jié)，提高太陽能電池的光電性能，并能夠進(jìn)行后期組件的焊接，符合組件加工的力學(xué)性能指標(biāo)。
[0028]本發(fā)明提供的全鋁摻雜N型太陽能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0029]步驟SOl:提供一個(gè)N型半導(dǎo)體襯底；
[0030]步驟S02:在所述N型半導(dǎo)體襯底的正面形成N+層；
[0031]步驟S03:在所述N+層上形成氮化硅薄膜；
[0032]步驟S04:在所述N型半導(dǎo)體襯底的背面形成全鋁背場(chǎng)；
[0033]步驟S05:在所述氮化硅薄膜上制備正電極；
[0034]步驟S06:對(duì)所述N型半導(dǎo)體襯底進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，使所述正電極與所述N+層相接觸，并在所述N型半導(dǎo)體襯底的背面形成P型層；
[0035]步驟S07:在所述全鋁背場(chǎng)表面制備背電極；
[0036]步驟S08:低溫?zé)Y(jié)所述背電極。
[0037]優(yōu)選地，形成所述全鋁背場(chǎng)的方法包括:采用不含背電極圖形的全背場(chǎng)網(wǎng)版，在所述N型半導(dǎo)體襯底背面印刷形成所述全鋁背場(chǎng)。
[0038]優(yōu)選地，采用絲網(wǎng)印刷法制備成所述正電極和所述背電極。
[0039]優(yōu)選地，所述的背電極的漿料采用低溫?zé)Y(jié)型銀漿。
[0040]優(yōu)選地，所述低溫?zé)Y(jié)的溫度為70_570°C。
[0041]優(yōu)選地，所述高溫?zé)Y(jié)的溫度為600-1000°C。
[0042]優(yōu)選地，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積制備所述氮化硅薄膜。
[0043]優(yōu)選地,步驟S02具體包括:
[0044]步驟Al:對(duì)所述N型半導(dǎo)體襯底進(jìn)行表面處理,在所述N型半導(dǎo)體襯底的正面和背面形成絨面；
[0045]步驟A2:對(duì)所述N型半導(dǎo)體襯底的正面和背面進(jìn)行磷擴(kuò)散，從而形成N+層；[0046]步驟A3:采用濕法刻蝕，去除所述N型半導(dǎo)體襯底背面和側(cè)面邊緣由于所述磷擴(kuò)散形成的N+層。
[0047]優(yōu)選地，所述絨面的形狀為金字塔形狀。
[0048]優(yōu)選地，步驟A3還包括，采用濕法刻蝕去除所述N型半導(dǎo)體襯底背面和側(cè)面邊緣的由于磷擴(kuò)散形成的磷硅材料。
[0049]本發(fā)明的全鋁摻雜N型太陽能電池的制備方法，首先采用不含背電極圖形的全背場(chǎng)網(wǎng)版制備全鋁背場(chǎng)，并經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)，形成良好的PN結(jié)；然后采用低溫?zé)Y(jié)銀漿為漿料，經(jīng)過低溫?zé)Y(jié)制備出背電極，克服了傳統(tǒng)銀鋁背電極只能在高溫下完成燒結(jié)的問題，由于背電極的燒結(jié)溫度低，使得背電極的燒結(jié)深度小于鋁擴(kuò)散的深度，不會(huì)影響到PN結(jié)的質(zhì)量，并且低溫?zé)Y(jié)避免了背電極和全鋁背場(chǎng)形成銀鋁摻雜，使其能夠進(jìn)行后期組件焊接工藝，且符合組件加工力學(xué)性能指標(biāo)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0050]圖1為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例中形成的全鋁摻雜N型太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖
[0051]圖2為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的全鋁摻雜N型太陽能電池的制備方法的流程示意圖
[0052]圖3為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例中采用的全背場(chǎng)網(wǎng)版的圖形結(jié)構(gòu)示意圖
[0053]圖4為傳統(tǒng)的背電場(chǎng)網(wǎng)版的圖形結(jié)構(gòu)示意圖
【具體實(shí)施方式】
[0054]體現(xiàn)本發(fā)明特征與優(yōu)點(diǎn)的實(shí)施例將在后段的說明中詳細(xì)敘述。應(yīng)理解的是本發(fā)明能夠在不同的示例上具有各種的變化，其皆不脫離本發(fā)明的范圍，且其中的說明及圖示在本質(zhì)上當(dāng)做說明之用，而非用以限制本發(fā)明。
[0055]以下結(jié)合附圖1-4，通過具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明全鋁摻雜N型太陽能電池的制備方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式、使用非精準(zhǔn)的比例，且僅用以方便、明晰地達(dá)到輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0056]如前所述，如果采用現(xiàn)有的制備N型太陽能電池的背電場(chǎng)網(wǎng)版，在背電極處，銀鋁漿的摻雜形成的PN結(jié)不完整，漏電嚴(yán)重；此外，如果采用全背場(chǎng)網(wǎng)版制備鋁背場(chǎng)，以及傳統(tǒng)高溫?zé)Y(jié)漿料制備背電極，在高溫?zé)Y(jié)后其焊接性能非常差。因此，本發(fā)明對(duì)傳統(tǒng)的背電場(chǎng)網(wǎng)版進(jìn)行了改進(jìn)，采用全背場(chǎng)網(wǎng)版，這樣有利于形成完整的PN結(jié)；并對(duì)工藝步驟進(jìn)行了改進(jìn)，以及采用了低溫?zé)Y(jié)型漿料來制備背電極，由于采用了低溫?zé)Y(jié)背電極，從而避免了背電極和全鋁背場(chǎng)的相互摻雜，使其能夠進(jìn)行后期組件的焊接。
[0057]下面請(qǐng)參閱附圖1，圖1為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例中形成的全鋁摻雜N型太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明的該較佳實(shí)施例中，N型硅襯底5表面為金字塔絨面3，N+層4位于硅襯底5的正面，在金字塔絨面3的表面沉積有氮化硅薄膜2，正電極I穿過氮化硅薄膜2和金字塔絨面3與N+層4相接觸；在N型硅襯底5的背面表面設(shè)置有全鋁背場(chǎng)7，在全鋁背場(chǎng)7的表面設(shè)置有背電極8，在N型硅襯底5與全鋁背場(chǎng)7相接觸區(qū)域形成有P型層6。需要說明的是，本發(fā)明的N型半導(dǎo)體襯底可以但不限于為N型硅襯底，還可以為其它N型半導(dǎo)體襯底等，在該較佳實(shí)施例中，采用N型硅襯底進(jìn)行描述，該N型硅襯底可以為N型單晶硅襯底，但這不用于限制本發(fā)明的范圍；并且，本發(fā)明中的絨面可以為具有凹凸不平的形狀的表面，可以但不限于為金字塔形狀，比如還可以為線狀、樹枝狀、管狀等等，在該較佳實(shí)施例中，采用金字塔絨面，但這不用于限制本發(fā)明的范圍。
[0058]以下將結(jié)合附圖2-4對(duì)本發(fā)明的制備上述全鋁摻雜N型太陽能電池的方法作詳細(xì)說明。
[0059]請(qǐng)參閱圖2，圖2為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的全鋁摻雜N型太陽能電池的制備方法的流程示意圖。本發(fā)明的該較佳實(shí)施例中全鋁摻雜N型太陽能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0060]步驟SOl:提供一個(gè)N型半導(dǎo)體襯底；
[0061]具體的，在本實(shí)施例中，N型半導(dǎo)體襯底采用N型硅襯底；而本發(fā)明的N型半導(dǎo)體襯底可以但不限于為N型硅襯底，也可以為N型鍺襯底或氮化鎵襯底等。以下在本實(shí)施例中，以N型硅襯底進(jìn)行描述，但這不用于限制本發(fā)明的范圍。
[0062]步驟S02:在N型半導(dǎo)體襯底的正面形成N+層；
[0063]具體的，在本實(shí)施例中，形成N+層的方法可以包括以下步驟:
[0064]步驟Al:對(duì)N型硅襯底進(jìn)行表面處理,在N型硅襯底的正面和背面形成絨面；
[0065]步驟A2:對(duì)N型半導(dǎo)體襯底的正面和背面進(jìn)行磷擴(kuò)散，從而形成N+層；
[0066]步驟A3:采用濕法刻蝕，去除N型硅襯底背面和側(cè)面邊緣由于上述磷擴(kuò)散形成的N.層。
[0067]這里，所形成的絨面的形狀可以但不限于為金字塔形狀；在本發(fā)明中，其也可以為線狀、樹枝狀、管狀等，凡是具有凹凸不平的形貌的表面均可以作為本發(fā)明的絨面。磷擴(kuò)散的制備過程可以采用常規(guī)的工藝，本發(fā)明對(duì)此不作任何限制。
[0068]此外，在本發(fā)明的本實(shí)施例中，步驟A3還包括，采用濕法刻蝕去除N型硅襯底背面和側(cè)面邊緣由于上述磷擴(kuò)散形成的磷硅材料。這是由于在磷擴(kuò)散的過程中，磷不可避免地會(huì)與硅襯底中的硅發(fā)生反應(yīng)，生成磷硅材料，比如磷硅玻璃等，因此，在采用濕法刻蝕去除N型硅襯底背面和側(cè)面邊緣的N+層的時(shí)候，也要將該磷硅材料去除，否則，將影響到后續(xù)鋁的擴(kuò)散和PN結(jié)的質(zhì)量。
[0069]當(dāng)然，在本發(fā)明中，在N型半導(dǎo)體襯底的正面形成N+層的方法也可以為直接在正面制備絨面，然后對(duì)絨面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成N+層；也可以為直接在正面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成N+層等，本發(fā)明對(duì)此不作限制。而本實(shí)施例中的該形成過程對(duì)利用現(xiàn)有的P型硅生產(chǎn)線來進(jìn)行制備工藝更加有利。
[0070]步驟S03:在N+層上形成氮化硅薄膜；
[0071]具體的，本實(shí)施例中，在N型硅襯底的正面中形成N+層之后，可以但不限于采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積制備該氮化硅薄膜，所采用的工藝參數(shù)比如反應(yīng)壓強(qiáng)、氣體流量、反應(yīng)時(shí)間、反應(yīng)溫度等，可以根據(jù)實(shí)際工藝需要來設(shè)定，本發(fā)明對(duì)此不作任何限制。
[0072]步驟S04:在N型半導(dǎo)體襯底的背面形成全鋁背場(chǎng)；
[0073]具體的，本實(shí)施例中，在N型硅襯底的背面形成全鋁背場(chǎng)采用不含背電極圖形的全背場(chǎng)網(wǎng)版，在N型硅襯底背面印刷形成全鋁背場(chǎng)。這里，為了將全鋁背場(chǎng)和背電極依次進(jìn)行先后制備，將傳統(tǒng)的背場(chǎng)網(wǎng)版中的背電極圖形去掉，形成不含背電極圖形的全背場(chǎng)網(wǎng)版，這樣就可以單獨(dú)進(jìn)行全鋁背場(chǎng)的制備。請(qǐng)參閱圖3和圖4，圖3為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例中采用的全背場(chǎng)網(wǎng)版的圖形結(jié)構(gòu)示意圖，圖4為傳統(tǒng)的背電場(chǎng)網(wǎng)版的圖形結(jié)構(gòu)示意圖。與常規(guī)的背電場(chǎng)網(wǎng)版相比，本發(fā)明的全背場(chǎng)網(wǎng)版沒有設(shè)置背電極的不透漿區(qū)域圖形，因此稱為全背場(chǎng)網(wǎng)版。而采用傳統(tǒng)的背電場(chǎng)網(wǎng)版，會(huì)導(dǎo)致背電極處產(chǎn)生嚴(yán)重的漏電現(xiàn)象。需要說明的是，本發(fā)明的采用全背場(chǎng)網(wǎng)版形成全鋁背場(chǎng)的方法以及該全背場(chǎng)網(wǎng)版，不僅可以應(yīng)用于N型半導(dǎo)體襯底，還可以應(yīng)用于P型半導(dǎo)體襯底，即可以應(yīng)用于制備具有全鋁背場(chǎng)的N型或P型太陽能電池，其使用過程相同或類似，本實(shí)施例中以采用全背場(chǎng)網(wǎng)版制備全鋁背場(chǎng)進(jìn)而制備N型太陽能電池，然而制備P型太陽能電池的方法可以與制備本實(shí)施例中的N型太陽能電池的方法相同，因此本發(fā)明對(duì)采用全背場(chǎng)網(wǎng)版制備具有全鋁背場(chǎng)的P型太陽能電池的過程不再進(jìn)行贅述。
[0074]本實(shí)施例中全鋁背場(chǎng)的形成可以采用絲網(wǎng)印刷法，而在本發(fā)明中，全鋁背場(chǎng)的形成可以但不限于采用絲網(wǎng)印刷法，還可以采用表面蒸鍍、濺射等方法制備鋁背場(chǎng)，然而，由于絲網(wǎng)印刷技術(shù)具有操作簡(jiǎn)便、成本低廉等特點(diǎn)，因此本實(shí)施例中采用絲網(wǎng)印刷法來制備全鋁背場(chǎng)。
[0075]步驟S05:在氮化硅薄膜上制備正電極；
[0076]具體的，在本實(shí)施例中，可以采用絲網(wǎng)印刷法在N型硅襯底正面的氮化硅薄膜上形成正電極。
[0077]步驟S06:對(duì)N型半導(dǎo)體襯底進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，使正電極與N+層相接觸，并在N型半導(dǎo)體襯底的背面形成P型層；
[0078]具體的，在本實(shí)施例中，對(duì)整個(gè)N型硅襯底進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，所形成的正電極穿過氮化硅薄膜與N+層相接觸，高溫?zé)Y(jié)的溫度可以但不限于為600-1000°C，高溫?zé)Y(jié)可以使全鋁背場(chǎng)以及正電極，均與N型硅襯底形成歐姆接觸；并且，高溫條件下，全鋁背場(chǎng)與N型硅襯底相接觸的表面區(qū)域生長(zhǎng)出一層富含鋁的硅層，該硅層為P型層。
[0079]步驟S07:在全鋁背場(chǎng)表面制備背電極；
[0080]具體的，本實(shí)施例中，可以但不限于采用絲網(wǎng)印刷法進(jìn)行背電極的制備，特別的，背電極采用的漿料為低溫?zé)Y(jié)型材料，可以為低溫?zé)Y(jié)型銀漿；該低溫?zé)Y(jié)型銀漿可以采用常規(guī)的低溫?zé)Y(jié)型銀漿料即可完成低溫?zé)Y(jié)，這樣，背電極可以在較低的溫度下進(jìn)行燒結(jié)，從而有效避免了大量的銀元素?cái)U(kuò)散進(jìn)入P型層，避免穿透P型層。
[0081]步驟S08:低溫?zé)Y(jié)背電極。
[0082]具體的，本實(shí)施例中，低溫?zé)Y(jié)的溫度可以但不限于為70°C _570°C，經(jīng)低溫?zé)Y(jié)后，背電極與全鋁背場(chǎng)可以形成歐姆接觸。由于在較低的溫度下燒結(jié)背電極材料，使背電極的燒結(jié)深度遠(yuǎn)小于常規(guī)高溫?zé)Y(jié)條件下的燒結(jié)深度，這樣，可以避免背電極穿透P型層而導(dǎo)致漏電現(xiàn)象的發(fā)生。同時(shí)能夠有效避免背電極和全鋁背場(chǎng)的相互摻雜，使其能夠進(jìn)行后期組件的焊接。
[0083]綜上所述，本發(fā)明的全鋁摻雜N型太陽能電池的方法，通過采用不含背電極圖形的全背場(chǎng)網(wǎng)版首先制備全鋁背場(chǎng)，再制備背電極，并將全鋁背場(chǎng)與背電極分別采用高溫?zé)Y(jié)和低溫?zé)Y(jié)，高溫?zé)Y(jié)有利于在N型半導(dǎo)體襯底中形成P型層，從而形成良好的PN結(jié)，并且高溫?zé)Y(jié)可以使全鋁背場(chǎng)和正電極均與N型半導(dǎo)體襯底形成良好的歐姆接觸；低溫?zé)Y(jié)背電極，不僅可以減小背電極的燒結(jié)深度，還可以避免背電極與全鋁背場(chǎng)形成銀鋁摻雜，從而不會(huì)影響PN結(jié)的質(zhì)量，還能夠進(jìn)行后期組件的焊接，符合組件加工力學(xué)性能指標(biāo)。采用本發(fā)明的方法制備出的N型太陽能電池的開路電壓、短路電流、并聯(lián)電阻、填充因子和光電轉(zhuǎn)換效率等都有了明顯的提高，并且可以利用現(xiàn)有的P型太陽能電池的生產(chǎn)線來進(jìn)行制備，避免增加不必要的成本，還可以完成后續(xù)組件的焊接，更加有利于大規(guī)模批量生產(chǎn)。
[0084]以上所述的僅為本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，因此凡是運(yùn)用本發(fā)明的說明書及附圖內(nèi)容所作的等同結(jié)構(gòu)變化，同理均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種全鋁摻雜N型太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟SOl:提供一個(gè)N型半導(dǎo)體襯底； 步驟S02:在所述N型半導(dǎo)體襯底的正面形成N+層； 步驟S03:在所述N+層上形成氮化硅薄膜； 步驟S04:在所述N型半導(dǎo)體襯底的背面形成全鋁背場(chǎng)； 步驟S05:在所述氮化硅薄膜上制備正電極； 步驟S06:對(duì)所述N型半導(dǎo)體襯底進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，使所述正電極與所述N+層相接觸，并在所述N型半導(dǎo)體襯底的背面形成P型層； 步驟S07:在所述全鋁背場(chǎng)表面制備背電極； 步驟S08:低溫?zé)Y(jié)所述背電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全鋁摻雜N型太陽能電池的制備方法，其特征在于，形成所述全鋁背場(chǎng)的方法包括:采用不含背電極圖形的全背場(chǎng)網(wǎng)版，在所述N型半導(dǎo)體襯底背面印刷形成所述全鋁背場(chǎng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全鋁摻雜N型太陽能電池的制備方法，其特征在于，采用絲網(wǎng)印刷法制備形成所述正電極和所述背電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全鋁摻雜N型太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述的背電極的漿料采用低溫?zé)Y(jié)型銀漿。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全鋁摻雜N型太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述低溫?zé)Y(jié)的溫度為70-570°C。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全鋁摻雜N型太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述高溫?zé)Y(jié)的溫度為600-1000°C。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全鋁摻雜N型太陽能電池的制備方法，其特征在于，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積制備所述氮化硅薄膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全鋁摻雜N型太陽能電池的制備方法，其特征在于，步驟S02具體包括: 步驟Al:對(duì)所述N型半導(dǎo)體襯底進(jìn)行表面處理，在所述N型半導(dǎo)體襯底的正面和背面形成絨面； 步驟A2:對(duì)所述N型半導(dǎo)體襯底的正面和背面進(jìn)行磷擴(kuò)散，從而形成N+層； 步驟A3:采用濕法刻蝕，去除所述N型半導(dǎo)體襯底背面和側(cè)面邊緣由于所述磷擴(kuò)散形成的N+層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的全鋁摻雜N型太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述絨面的形狀為金字塔形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的全鋁摻雜N型太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟A3還包括，采用濕法刻蝕去除所述N型半導(dǎo)體襯底背面和側(cè)面邊緣的由于所述磷擴(kuò)散形成的磷硅材料。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK103746043SQ201410042959
【公開日】2014年4月23日 申請(qǐng)日期:2014年1月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月29日
【發(fā)明者】傅建奇, 張勤杰, 李秀青, 華永云, 顧生剛 申請(qǐng)人:北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司