等離子體cvd裝置用的晶片加熱器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種等離子體CVD裝置用的晶片加熱器，能夠在晶片表面的整個(gè)面上以形成更均勻的膜厚的方式成膜。晶片加熱器(10)由陶瓷制成，具備具有升降銷通孔(11b)的晶片載置面(11a)，從晶片載置面(11a)側(cè)開始依次埋設(shè)有等離子體CVD用的高頻電路(13)和發(fā)熱體電路(14)，在從與晶片載置面(11a)垂直的方向?qū)@些高頻電路(13)和發(fā)熱體電路(14)這兩個(gè)電路的圖案進(jìn)行投影的情況下，在形成于升降銷通孔(11b)的周圍且局部不存在高頻電路(13)的環(huán)狀區(qū)域內(nèi)配置發(fā)熱體電路(14)的一部分。
【專利說明】等離子體CVD裝置用的晶片加熱器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片的等離子體CVD(化emical Vapor D巧osition,化學(xué)氣相 沉積）裝置所使用的晶片加熱器，特別是涉及埋設(shè)有高頻電路W及發(fā)熱體的晶片加熱器。

【背景技術(shù)】
[0002] -直W來，提出了在半導(dǎo)體設(shè)備的制造工序、檢查工序中使用的晶片加熱器的各 種結(jié)構(gòu)。例如，作為等離子體CVD裝置用的晶片加熱器，如專利文獻(xiàn)1所示，提出了將發(fā)熱 體和等離子體電路埋設(shè)于不同層的大致圓板形狀的晶片加熱器，示出了如下技術(shù)：利用發(fā) 熱體對(duì)放置于該晶片加熱器的上表面的晶片載置面的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行加熱，并且利用等離 子體電路在該晶片加熱器的上部空間產(chǎn)生等離子體而對(duì)半導(dǎo)體晶片的表面進(jìn)行成膜。
[0003] 一般來說，在放置有半導(dǎo)體晶片并對(duì)其進(jìn)行加熱的上述晶片加熱器中，設(shè)置有約 3?4處垂直地貫通晶片載置面的、也被稱為升降銷通孔的貫通孔，利用從該里出入的升降 銷的上端部來支撐半導(dǎo)體晶片的下表面。由此來進(jìn)行將處理前的半導(dǎo)體晶片放置于晶片載 置面或?qū)⑻幚硗戤叺陌雽?dǎo)體晶片從晶片載置面舉起的操作。
[0004] 專利文獻(xiàn)1 ;日本特開2006-332068號(hào)公報(bào)
[0005] 近年來，存在需求半導(dǎo)體設(shè)備的更高品質(zhì)和更低價(jià)格的傾向，因此在對(duì)晶片表面 成膜時(shí)使膜的厚度在整個(gè)表面上變得均勻該一點(diǎn)被重視起來。但是，在升降銷通孔的上部 空間內(nèi)成膜時(shí)的等離子體的電場(chǎng)變?nèi)?，因此在晶片表面?nèi)的位于該升降銷通孔的上方的部 分存在膜厚變薄的傾向，無法對(duì)晶片表面在整個(gè)表面成膜為均勻的膜厚。其結(jié)果是，在升降 銷通孔的上方成膜的半導(dǎo)體芯片在檢查階段被判斷為次品的概率變高，成為成品率降低的 原因。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明鑒于W上現(xiàn)有情況，其目的在于提供一種等離子體CVD裝置用的晶片加熱 器，能夠W在晶片表面的整個(gè)面上具有大致均勻的膜厚的方式進(jìn)行成膜。
[0007] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的晶片加熱器由陶瓷制成，具備具有升降銷通孔的晶 片載置面，該晶片加熱器的特征在于，從上述晶片載置面?zhèn)乳_始依次埋設(shè)有等離子體CVD 用的高頻電路和發(fā)熱體電路，在從與上述晶片載置面垂直的方向?qū)ι鲜龈哳l電路和發(fā)熱體 電路該兩個(gè)電路的圖案進(jìn)行投影的情況下，在形成于上述升降銷通孔的周圍且局部不存在 上述高頻電路的環(huán)狀區(qū)域內(nèi)配置有上述發(fā)熱體電路的一部分。
[0008] 根據(jù)本發(fā)明，即使在升降銷通孔的周圍局部地不設(shè)置等離子體CVD用的高頻電 路，也能夠在晶片整個(gè)面上W大致均勻的膜厚成膜，因此能夠提高半導(dǎo)體裝置的成品率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009] 圖1是本發(fā)明的晶片加熱器的一個(gè)具體例的立體圖。
[0010] 圖2是圖1的晶片加熱器的縱剖視圖。
[0011] 圖3是說明圖1的晶片加熱器的制造方法的立體圖。
[0012] 圖4A是本發(fā)明的晶片加熱器的升降銷通孔周圍的高頻電路和發(fā)熱體電路的圖案 的投影圖。
[0013] 圖4B是本發(fā)明的晶片加熱器的升降銷通孔周圍的高頻電路和發(fā)熱體電路的其他 圖案的投影圖。
[0014] 圖5是現(xiàn)有的晶片加熱器的升降銷通孔周圍的高頻電路和發(fā)熱體電路的圖案的 投影圖。

【具體實(shí)施方式】
[0015] 首先列出本發(fā)明的實(shí)施方式來進(jìn)行說明。本發(fā)明的實(shí)施方式的晶片加熱器由陶瓷 制成，具備具有升降銷通孔的晶片載置面，從上述晶片載置面?zhèn)乳_始依次埋設(shè)有等離子體 CVD用的高頻電路和發(fā)熱體電路，在從與上述晶片載置面垂直的方向?qū)υ撔└哳l電路和發(fā) 熱體電路該兩個(gè)電路的圖案進(jìn)行投影的情況下，在形成于上述升降銷通孔的周圍且局部不 存在上述高頻電路的環(huán)狀區(qū)域內(nèi)配置有上述發(fā)熱體電路的一部分。
[0016] 由此，即使在升降銷通孔的周圍局部地不設(shè)置等離子體CVD用的高頻電路，也能 夠在晶片的整個(gè)面上W大致均勻的膜厚成膜，因此能夠提高半導(dǎo)體裝置的成品率。在上述 本發(fā)明的晶片加熱器中，優(yōu)選上述環(huán)狀區(qū)域的外徑為10?40mm。由此能夠更顯著地起到上 述提高成品率的效果。
[0017] 接著，參照附圖對(duì)本發(fā)明的晶片加熱器的一個(gè)具體例進(jìn)行說明。圖1所示的本發(fā) 明的一個(gè)具體例的晶片加熱器10在進(jìn)行等離子體CVD處理的未圖示的真空腔室內(nèi)設(shè)置于 圓筒形狀的筒狀支撐體20的上端部，由大致圓板形狀的晶片保持體11構(gòu)成，所述晶片保持 體11在上表面具有放置半導(dǎo)體晶片S的晶片載置面11a。在晶片保持體11設(shè)有沿其厚度 方向貫通的4個(gè)升降銷通孔1化，利用從此出入的升降銷12的升降來進(jìn)行半導(dǎo)體晶片S的 放置、舉起。另外，升降銷的根數(shù)W及為此而設(shè)置的升降銷通孔的數(shù)目不限于4個(gè)，3根升降 銷也多被使用。
[0018] 晶片保持體11由對(duì)腔室內(nèi)所使用的腐蝕性氣體的耐腐蝕性良好的陶瓷形成。作 為優(yōu)選的陶瓷，可W列舉出氧化鉛、氮化鉛、碳化娃、氮化娃、莫來石、莫來石-氧化鉛復(fù)合 體等。其中尤其優(yōu)選導(dǎo)熱性、均熱性優(yōu)良并且對(duì)腐蝕性氣體的耐腐蝕性也優(yōu)良的氮化鉛。氮 化鉛是難燒結(jié)材料，因此即使含有少量的燒結(jié)助劑也沒有關(guān)系。特別是含有1質(zhì)量％ ^下 的紀(jì)等稀±類元素的陶瓷的燒結(jié)性優(yōu)良，并且不易產(chǎn)生由燒結(jié)助劑造成的腐蝕。
[0019] 在該晶片保持體11內(nèi)，如圖2所示，從晶片載置面11a側(cè)開始依次相互分離地埋 設(shè)有高頻電路（等離子體電路）13和發(fā)熱體電路14。位于上側(cè)的高頻電路13與晶片載置 面11a平行地配置，其大致中央部與從晶片保持體11的背面?zhèn)鹊拇笾轮醒氩坎迦氲母哳l施 加用電極棒15的一端部連接。另一方面，位于下側(cè)的發(fā)熱體電路14也與晶片載置面11a 平行地配置，其兩端部與從晶片保持體11的背面?zhèn)鹊拇笾轮醒氩坎迦氲募訜崞鞴╇娪秒?極棒16的一端部連接。
[0020] 筒狀支撐體20 W將該些高頻施加用電極棒15 W及加熱器供電用電極棒16收容 于內(nèi)側(cè)的方式安裝于晶片保持體11的下表面。筒狀支撐體20的上下兩端部分別形成有在 整周向外側(cè)彎曲的凸緣部，在該凸緣部沿周向等間隔地設(shè)有多個(gè)螺栓插通孔。通過插通于 此的螺栓，將上側(cè)凸緣部與晶片保持體11的背面結(jié)合，將下側(cè)凸緣部與設(shè)置于真空腔室的 底部的金屬凸緣17結(jié)合。優(yōu)選在該些凸緣部的凸緣面上設(shè)置0型圈等密封部件，由此能夠 將筒狀支撐體20的內(nèi)側(cè)氣密地密封，從而能夠保護(hù)被收容在筒狀支撐體20的內(nèi)側(cè)的高頻 施加用電極棒15、加熱器供電用電極棒16免受真空腔室內(nèi)的腐蝕氣體環(huán)境的腐蝕。
[0021] 在晶片支持體11的上方W與晶片載置面11a相對(duì)的方式設(shè)有噴頭18,從設(shè)置于該 噴頭18的下表面的多個(gè)貫通孔向晶片載置面11a噴射等離子體的原料氣體F。噴頭18還 具有等離子體上部電極的作用，通過與作為等離子體下部電極的上述高頻電路13之間的 放電將該原料氣體F等離子化。由此，在對(duì)放置于晶片載置面11a的半導(dǎo)體晶片S進(jìn)行加 熱的同時(shí)，利用所產(chǎn)生的等離子體P對(duì)該半導(dǎo)體晶片S的表面進(jìn)行基于等離子體CVD的成 膜。
[0022] 高頻電路13優(yōu)選由鍛W(鶴）、或者WW或Mo為主成分的金屬鉛或金屬網(wǎng)形 成。另一方面，發(fā)熱體電路14優(yōu)選由鍛W、或者WW或Mo為主成分的金屬鉛或金屬線形 成。埋設(shè)有該些高頻電路13 W及發(fā)熱體電路14的晶片保持體11可W利用后金屬化法 (post-metallization method)、粉末成型法（powder molding method)來制造。
[0023] 在利用后金屬化法制造的情況下，準(zhǔn)備H張具有大致相同外徑的圓板形狀的優(yōu)選 由氮化鉛燒結(jié)板構(gòu)成的陶瓷板，在其中兩張板的單面?zhèn)确謩e利用W糊來絲網(wǎng)印刷、脫脂W 及燒成高頻電路13 W及發(fā)熱體電路14的圖案。將該樣形成了電路的兩張?zhí)沾砂迮c剩下的 一張?zhí)沾砂逡黄鸢凑請(qǐng)D3所示的順序重疊并接合。由此，可得到從晶片載置面11a側(cè)開始 依次埋設(shè)有等離子體用的高頻電路13和發(fā)熱體電路14的層疊結(jié)構(gòu)體。
[0024] 另一方面，在利用粉末成型法制造的情況下，在例如使氮化鉛燒結(jié)前的粉末成形 時(shí)或預(yù)備成形后的狀態(tài)下，使作為高頻電路13的例如Mo制的金屬鉛或金屬網(wǎng)與作為發(fā)熱 體電路14的例如Mo制的金屬鉛或金屬線在厚度方向上分離地配置，根據(jù)需要進(jìn)一步加入 氮化鉛粉末來成形。通過對(duì)得到的成形體進(jìn)行燒結(jié)，可得到從晶片載置面11a側(cè)開始依次 埋設(shè)有等離子體用的高頻電路13和發(fā)熱體電路14的層疊結(jié)構(gòu)體。
[00巧]在利用上述方法得到的層疊結(jié)構(gòu)體中，在比安裝后述的筒狀支撐體20的位置靠 外側(cè)的位置上，在周向上大致均勻地穿孔有使4根升降銷12分別插通的4個(gè)升降銷通孔 1化。升降銷12的外徑一般為3?7mm，因此優(yōu)選升降銷通孔Ub的內(nèi)徑為比升降銷12的 外徑稍大的4?10mm。進(jìn)而，從作為晶片載置面11a的上表面的相反側(cè)的面進(jìn)行錫孔加工， 使埋設(shè)的各電路的一部分露出，并在此處連接電極棒15、16。并且，準(zhǔn)備能夠在內(nèi)側(cè)收容電 極棒15、16的大小的筒狀支撐體20,將該筒狀支撐體20的上側(cè)的凸緣部安裝到作為晶片保 持體的所述層疊結(jié)構(gòu)體的下表面的大致中央部。由此完成晶片加熱器。另外，在升降銷的 根數(shù)為3根的情況下，也可W與上述的升降銷的根數(shù)為4根的情況同樣地進(jìn)行制造。
[0026] 如上所述，在該筒狀支撐體20的外側(cè)配置有升降銷12,因此升降銷通孔Ub的內(nèi) 壁暴露于等離子體CVD的工藝氣氣氛中。因此，高頻電路13從該內(nèi)壁露出而引起電位集中， 為了使其不被工藝氣或清洗氣腐蝕等，埋設(shè)有高頻電路13的層中的升降銷通孔Ub的附近 成為被稱為"回拉"的、無高頻電路13環(huán)繞的區(qū)域（W下稱為回拉區(qū)域）。將該升降銷通孔 1化及設(shè)置在其周圍的無高頻電路13環(huán)繞的環(huán)狀區(qū)域（即回拉區(qū)域）稱為無高頻電路圓形 區(qū)域13a。因此，無高頻電路圓形區(qū)域13a的外徑與回拉區(qū)域的外徑相等。
[0027] 另外，為了在放置于晶片載置面11a的半導(dǎo)體晶片S的上方，在晶片表面的整個(gè)面 上均勻地產(chǎn)生等離子體，希望將作為高頻電路13的例如鍛W網(wǎng)或Mo網(wǎng)在與晶片保持體11 內(nèi)的晶片載置面11a平行的整個(gè)層均勻地環(huán)繞。但是，在晶片保持體11上如上所述地沿厚 度方向貫通有升降銷通孔1化，因此無法在該貫通部分設(shè)置高頻電路13。進(jìn)而，如上所述， 升降銷通孔Ub的周圍的環(huán)狀區(qū)域也是回拉區(qū)域，因此無法設(shè)置高頻電路13。
[0028] 其結(jié)果是，在無高頻電路圓形區(qū)域13a中等離子體的密度降低，成膜膜厚不足。因 此，在本發(fā)明的一個(gè)具體例的晶片加熱器中配置成，在從晶片加熱器10的正上方對(duì)埋設(shè)于 晶片保持體11的高頻電路13 W及發(fā)熱體電路14該兩個(gè)電路的圖案進(jìn)行投影時(shí)，在升降銷 通孔1化周圍的局部不存在高頻電路13的環(huán)狀區(qū)域內(nèi)存在發(fā)熱體電路14的一部分。換言 之，使發(fā)熱體電路14的一部分存在于上述升降銷通孔1化周圍的局部不存在高頻電路13 的環(huán)狀區(qū)域的正下方。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在升降銷通孔1化周圍的環(huán)狀區(qū)域中，與未配置發(fā)熱 體電路14的一部分的情況相比，溫度變成高溫，由此能夠補(bǔ)償因等離子體密度的降低而導(dǎo) 致的成膜膜厚的減少。
[0029] 存在于無高頻電路圓形區(qū)域13a的正下方的一部分發(fā)熱體電路14的形狀并不特 別限定，但在從晶片加熱器10的正上方對(duì)該些高頻電路13的圖案和發(fā)熱體電路14的圖案 進(jìn)行投影的情況下，例如可W如圖4A所示，由曲率半徑W沿著無高頻電路圓形區(qū)域13a的 周緣部的方式局部地不同的圓弧狀的導(dǎo)電線形成發(fā)熱體電路14的一部分。另外，也可W如 圖4B所示，在無高頻電路圓形區(qū)域13a的內(nèi)外不改變電路圖案地形成發(fā)熱體電路14的一 部分。在圖4A的情況下，能夠進(jìn)一步提高在無高頻電路圓形區(qū)域13a的發(fā)熱密度，因此能 夠W更均勻的膜厚進(jìn)行成膜。另一方面，在圖4B的情況下，不需要對(duì)發(fā)熱體電路14在周向 上進(jìn)行定位，因此能夠簡(jiǎn)單地進(jìn)行制造。
[0030] 在上述無高頻電路圓形區(qū)域的正下方配置發(fā)熱體電路的一部分而產(chǎn)生的提高成 品率的效果在無高頻電路圓形區(qū)域的外徑為10?40mm時(shí)尤為顯著。該是因?yàn)?，若無高頻 電路圓形區(qū)域的外徑小于10mm，則該無高頻電路圓形區(qū)域部分的上部空間中的等離子體密 度的降低變小，對(duì)膜厚產(chǎn)生的影響幾乎消失。另一方面還因?yàn)?，該外徑超過40mm時(shí)，等離 子體密度的降低變得過大，即使想要利用加熱器的發(fā)熱密度來對(duì)此進(jìn)行彌補(bǔ)也無法完全彌 補(bǔ)，導(dǎo)致無高頻電路圓形區(qū)域上的膜厚降低。
[0031] W上列舉了具體例子對(duì)本發(fā)明的晶片加熱器進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限定于上 述具體例。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求書的記載來表示，進(jìn)而包含與權(quán)利要求書的記載等同 的含義W及范圍內(nèi)的所有變更。
[003引（實(shí)施例）
[003引（實(shí)施例1)
[0034] 制造了由氮化鉛（A1N)制的晶片保持體構(gòu)成的晶片加熱器。首先，在A1N粉末中 作為燒結(jié)助劑加入0. 5質(zhì)量％的Y2化，進(jìn)而加入有機(jī)溶劑和粘接劑，利用球磨混合進(jìn)行24小 時(shí)的混合。通過噴霧干燥法對(duì)得到的漿液進(jìn)行處理來制造顆粒，通過沖壓法使該顆粒加壓 成形來制造成形體。將得到的成形體在氮?dú)夥罩蠾 80(TC進(jìn)行脫脂處理后，在氮?dú)夥罩蠾 180(TC進(jìn)行燒結(jié)，從而獲得A1N燒結(jié)體。利用該方法制造了上板、中板、W及下板該H張A1N 燒結(jié)體。
[0035] 接著，利用W糊在中板的上表面印刷高頻電路，在下板的下表面印刷發(fā)熱體電路。 在高頻電路的印刷中，在與后述的各升降銷通孔對(duì)應(yīng)的位置上，W在升降銷通孔的周圍沿 著整周均勻地回拉的方式形成了外徑20mm的無高頻電路圓形區(qū)域。另一方面，關(guān)于發(fā)熱體 電路，為了將晶片保持體的晶片載置面在整個(gè)面上均勻加熱，利用W噴鍛適當(dāng)加入折返部 的同時(shí)形成由厚度為20 ym、寬度大約為3mm的導(dǎo)電線構(gòu)成的電路圖案。此時(shí)，發(fā)熱體電路 的圖案如圖4A所示，在從與晶片載置面垂直的方向?qū)Ω哳l電路的圖案和發(fā)熱體電路的圖 案進(jìn)行投影的情況下，在無高頻電路圓形區(qū)域的區(qū)域內(nèi)，形成沿著該通孔的周緣部圓弧狀 地彎曲的圖案。
[0036] 在燒成該些電路圖案后，在中板W及下板的上表面涂敷AI2O3-Y2O3-AIN類的接合 糊，使上板、中板W及下板重合，在氮?dú)夥罩屑訜岬耐瑫r(shí)向單軸方向加壓。由此，得到了埋設(shè) 有局頻電路W及發(fā)熱體電路的直徑為330mm、厚度為20mm的晶片保持體。在該晶片保持體 的預(yù)定位置上設(shè)置內(nèi)徑為4mm的升降銷通孔。進(jìn)而，從晶片保持體的背面?zhèn)刃纬煞謩e到達(dá) 高頻電路W及發(fā)熱體電路的錫孔，安裝有高頻電路用的W制的電極棒和向發(fā)熱體電路供電 的W制的電極棒。
[0037] 接著，利用與上述同樣的A1N粉末進(jìn)行燒結(jié)后，進(jìn)行切削加工，制造出在兩端形成 有外徑為75mm、高度為20mm的凸緣部的外徑為45mm、壁厚為3mm、高度為240mm的陶瓷制的 筒狀支撐體。利用插通于該凸緣部的貫通孔的螺栓的螺紋緊固來將該筒狀支撐體的上側(cè)的 凸緣部與上述晶片保持體的背面結(jié)合。該樣一來，制造出樣本1的晶片加熱器。
[003引為了進(jìn)行比較，制造出樣本2 (比較例）的晶片加熱器，在所述樣本2中，除了 W下 所示的結(jié)構(gòu)W外的其他結(jié)構(gòu)與上述樣本1相同：如圖5所示，W從與晶片載置面垂直的方向 對(duì)高頻電路的圖案和發(fā)熱體電路的圖案進(jìn)行投影的情況下，在無高頻電路圓形區(qū)域的區(qū)域 內(nèi)不存在發(fā)熱體電路的方式形成了發(fā)熱體電路的圖案。
[0039] 將該樣制造出的樣本1 W及樣本2的晶片加熱器分別放入平行平板型的等離子 體CVD裝置的真空腔室內(nèi)，將發(fā)熱體電路的電極棒連接到外部電源上。另外，作為等離子 體的下部電極的高頻電路的電極棒經(jīng)由設(shè)置于筒狀支撐體的下部的金屬刷而接地，并且， 將設(shè)置于真空腔室內(nèi)的上部的還起到等離子體的上部電極的作用的噴頭連接到RF(Radio 化equen巧，射頻）電源上。
[0040] 接著，向該噴頭施加13. 56MHz、400W的高頻的同時(shí)，從該噴頭的下部貫通孔流過 原料氣體，從而在放置于晶片載置面的半導(dǎo)體晶片和上部電極間產(chǎn)生等離子體，在半導(dǎo)體 晶片的表面成膜。對(duì)上部電極的施加時(shí)間為每一張半導(dǎo)體晶片的成膜處理為20砂。原料氣 體使用Si&W及馬0。由此，在半導(dǎo)體晶片（直徑12英寸）的上表面上堆積了大約2000A 的Si化膜。另外，利用膜厚計(jì)對(duì)半導(dǎo)體晶片的Si化膜的膜厚分布進(jìn)行測(cè)定，求出整個(gè)面的平 均膜厚，計(jì)算了 4處升降銷通孔的正上方的膜厚相對(duì)于整個(gè)面的平均膜厚的平均比例。其 結(jié)果在下述表1中示出。
[00川【表1】
[0042]

【權(quán)利要求】
1. 一種晶片加熱器，由陶瓷制成，具備具有升降銷通孔的晶片載置面，該晶片加熱器的 特征在于， 從上述晶片載置面?zhèn)乳_始依次埋設(shè)有等離子體CVD用的高頻電路和發(fā)熱體電路，在從 與上述晶片載置面垂直的方向?qū)ι鲜龈哳l電路和發(fā)熱體電路該兩個(gè)電路的圖案進(jìn)行投影 的情況下，在形成于上述升降銷通孔的周圍且局部不存在上述高頻電路的環(huán)狀區(qū)域內(nèi)配置 有上述發(fā)熱體電路的一部分。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片加熱器，其特征在于， 上述環(huán)狀區(qū)域的外徑為10?40mm。
【文檔編號(hào)】H01L21/67GK104465453SQ201410039716
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年1月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月20日
【發(fā)明者】三云晃, 木村功一, 夏原益宏, 仲田博彥 申請(qǐng)人:住友電氣工業(yè)株式會(huì)社