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應(yīng)用于開關(guān)型調(diào)節(jié)器的集成電路組件的制作方法

文檔序號:7040890閱讀:144來源:國知局
應(yīng)用于開關(guān)型調(diào)節(jié)器的集成電路組件的制作方法
【專利摘要】公開了一種應(yīng)用于開關(guān)型調(diào)節(jié)器的集成電路組件,包括:引線框,具有多個引腳和第一基底;第一和第二功率器件芯片,分別在正面具有第一和第三電極,在背面具有第二電極;控制芯片,正面具有第一和第二驅(qū)動電極以及多個輸入輸出電極;其中,第一功率器件芯片的第一電極通過導(dǎo)電凸塊電連接到第一基底上,第二功率器件芯片的第二電極附著在第一基底上并與第一基底形成電連接;第一功率器件芯片的第三電極和第二功率器件芯片的第三電極分別電連接到第一驅(qū)動電極和第二驅(qū)動電極;第一功率器件芯片的第二電極和第二功率器件芯片的第一電極分別電連接到引線框的引腳。該集成電路組件可以減小鍵合線引入的寄生電阻和功耗,并且利用大面積的基底改善散熱。
【專利說明】應(yīng)用于開關(guān)型調(diào)節(jié)器的集成電路組件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝組件,更具體地涉及應(yīng)用于開關(guān)型調(diào)節(jié)器的集成電路組件。
【背景技術(shù)】
[0002]開關(guān)型調(diào)節(jié)器,例如直流-直流變換器,用來給各種各樣的電系統(tǒng)提供穩(wěn)定的電壓源。低電源設(shè)備中(如手提電腦、手機等)電池管理尤其需要高效率的直流-直流變換器。開關(guān)型調(diào)節(jié)器把輸入直流電壓轉(zhuǎn)換成高頻率電壓,然后將高頻輸出電壓進行濾波進而轉(zhuǎn)換成直流輸出電壓。開關(guān)型調(diào)節(jié)器的一部分可以集成在一個封裝組件中。
[0003]隨著電子元件的小型化、輕量化以及多功能化的需求的增加,希望在應(yīng)用于開關(guān)型調(diào)節(jié)器的集成電路組件中集成更多的元件,同時減小封裝尺寸。除了集成電路芯片之外,應(yīng)用于開關(guān)型調(diào)節(jié)器的集成電路組件還可以包含傳統(tǒng)的分立元件,例如電感和功率器件。這樣可以盡可能減少外圍元件的使用。在這種封裝組件中,集成電路芯片和分立元件的配置及其連接方法對封裝組件的尺寸和性能具有至關(guān)重要的影響。
[0004]圖1示出了典型的開關(guān)型調(diào)節(jié)器10的電路示意圖。該開關(guān)型調(diào)節(jié)器包括控制級和功率級。控制級包括控制芯片Ul。功率級包括功率器件Ql和Q2。功率器件例如為場效應(yīng)晶體管或者雙極型晶體管。功率器件Ql和Q2串聯(lián)在輸入電壓Vin和地GND之間,其中間節(jié)點作為輸出端Lx??刂菩酒琔l的輸入輸出電極連接至輸入輸出電極10s,其驅(qū)動電極連接至功率器件Ql和Q2的各自柵電極,用于控制功率器件Ql和Q2的導(dǎo)通和斷開,從而產(chǎn)生輸出電壓。
[0005]在功率器件Ql和Q2均為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(N-MOSFET)的情形下,高壓側(cè)功率器件Ql的漏電極連接至輸入電壓Vin,低壓側(cè)功率器件Q2的源電極連接至地GND。功率器件Ql的源電極與功率器件Q2的漏電極相連,作為輸出端Lx。
[0006]在功率器件Ql和Q2均為P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的情形下,高壓側(cè)功率器件Ql的源電極連接至輸入電壓Vin,低壓側(cè)功率器件Q2的漏電極連接至地GND。功率器件Ql的漏電極與功率器件Q2的源電極相連,作為輸出端Lx。
[0007]可以將開關(guān)型調(diào)節(jié)器10的控制芯片Ul以及功率器件Ql和Q2封裝在一個封裝料中,形成集成電路組件。
[0008]在現(xiàn)有技術(shù)的應(yīng)用于開關(guān)型調(diào)節(jié)器的集成電路組件中,功率器件Ql和Q2面朝上安裝在引線框上,然后利用鍵合線將功率器件Ql和Q2的各自一個電極連接到公共的引腳LX上。鍵合線的使用引入了附加的寄生電阻,導(dǎo)致能量損耗,并且不利于功率器件Ql和Q2的散熱。
[0009]因此,期望進一步減小應(yīng)用于開關(guān)型調(diào)節(jié)器的集成電路組件的功耗以及改善其散熱。

【發(fā)明內(nèi)容】
[0010]有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種應(yīng)用于開關(guān)型調(diào)節(jié)器的集成電路組件,以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于鍵合線的使用而對其性能造成不利影響的問題。
[0011]根據(jù)本發(fā)明,提供一種應(yīng)用于開關(guān)型調(diào)節(jié)器的集成電路組件,包括:引線框,其具有多個引腳和第一基底;第一功率器件芯片,其正面具有第一電極和第三電極,背面具有第二電極;第二功率器件芯片,其正面具有第一電極和第三電極,背面具有第二電極;控制芯片,其正面具有第一驅(qū)動電極和第二驅(qū)動電極以及多個輸入輸出電極;其中,所述第一功率器件芯片的第一電極通過導(dǎo)電凸塊電連接到所述第一基底上,所述第二功率器件芯片的第二電極附著在所述第一基底上并與所述第一基底形成電連接,所述第一基底作為開關(guān)引腳;所述第一驅(qū)動電極電連接到所述第一功率器件芯片的第三電極,以及所述第二驅(qū)動電極電連接到第二功率器件芯片的第三電極;第一功率器件芯片的第二電極和所述第二功率器件芯片的第一電極分別電連接到所述引線框的各個引腳。
[0012]優(yōu)選地,在所述的集成電路組件中,所述多個引腳包括第一引腳,所述第一驅(qū)動電極電連接到所述第一引腳,并且,所述第一功率器件芯片的第三電極通過導(dǎo)電凸塊電連接到所述第一引腳。
[0013]優(yōu)選地,在所述的集成電路組件中,所述第一驅(qū)動電極通過鍵合線電連接到所述
第一引腳。
[0014]優(yōu)選地,在所述的集成電路組件中,所述多個引腳包括第二引腳,所述的集成電路組件還包括封裝料,在所述封裝料內(nèi)部,所述第一引腳電連接所述第二引腳,所述第一驅(qū)動電極經(jīng)由所述第二引腳電連接至所述第一引腳。
[0015]優(yōu)選地,在所述的集成電路組件中,所述多個引腳包括第二引腳,所述的集成電路組件還包括封裝料,在所述封裝料外部,所述第一引腳電連接所述第二引腳,所述第一驅(qū)動電極經(jīng)由所述第二引腳電連接至所述第一引腳。
[0016]優(yōu)選地,在所述的集成電路組件中,所述第一功率器件芯片的第二電極通過鋁帶或者銅夾電連接到所述弓I線框的一個輸入電壓引腳,所述第二功率器件芯片的第一電極通過鍵合線電連接到所述引線框的一個接地引腳。
[0017]優(yōu)選地,在所述的集成電路組件中,所述第三電極為柵電極,所述第一電極為源電極,且所述第二電極為漏電極。
[0018]優(yōu)選地,在所述的集成電路組件中,所述第三電極為柵電極,所述第一電極為漏電極,且所述第二電極為源電極。
[0019]優(yōu)選地,在所述的集成電路組件中,所述引線框還包括第二基底,所述控制芯片的背面通過絕緣層附著在所述第二基底上,其正面的第一驅(qū)動電極、第二驅(qū)動電極和多個輸入輸出電極通過一組鍵合線分布電連接到所述第一功率器件芯片的柵電極、所述第二功率器件芯片的柵電極和所述弓I線框的各個弓I腳。
[0020]優(yōu)選地,在所述的集成電路組件中,所述控制芯片的背面通過絕緣層附著在所述第二功率器件芯片的正面,并暴露出所述第二功率器件芯片的所述第一電極的至少一部分和所述第三電極的至少一部分。
[0021]優(yōu)選地,在所述的集成電路組件中,所述控制芯片倒裝在所述引線框上。
[0022]優(yōu)選地,所述的集成電路組件還包括封裝料,所述封裝料覆蓋控制芯片、第一功率器件芯片、第二功率器件芯片和引線框。[0023]在根據(jù)本發(fā)明的應(yīng)用于開關(guān)型調(diào)節(jié)器的集成電路組件中,第一功率器件芯片的第一電極通過導(dǎo)電凸塊電連接到第一基底上,第二功率器件芯片的第二電極附著在第一基底上并與第一基底形成電連接。第一基底作為開關(guān)引腳。由于功率器件芯片與開關(guān)引腳之間的連接不需要使用鍵合線,因此減小了寄生電阻,并且相應(yīng)地減小了功耗。在集成電路組件尺寸允許的范圍內(nèi),第一基底的面積可以盡可能大。第一功率器件芯片的源電極和第二功率器件芯片的漏電極與基底的大面積接觸有利于熱耗散。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]通過以下參照附圖對本發(fā)明實施例的描述,本發(fā)明的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點將更為清楚,在附圖中:
[0025]圖1示出了典型的開關(guān)型調(diào)節(jié)器的電路示意圖;
[0026]圖2示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的應(yīng)用于開關(guān)型調(diào)節(jié)器的集成電路組件的示意性結(jié)構(gòu)圖;
[0027]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的應(yīng)用于開關(guān)型調(diào)節(jié)器的集成電路組件的示意性結(jié)構(gòu)圖;以及
[0028]圖4示出根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的應(yīng)用于開關(guān)型調(diào)節(jié)器的集成電路組件的示意性結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
[0029]以下將參照附 圖更詳細地描述本發(fā)明的各種實施例。在各個附圖中,相同的元件采用相同或類似的附圖標記來表示。
[0030]為了清楚起見,附圖中的各個部分沒有按比例繪制。為了簡明起見,可以在一幅圖中描述經(jīng)過數(shù)個步驟后獲得的組件結(jié)構(gòu)。此外,還可能省略某些公知的細節(jié),例如,在所有的附圖中未示出焊料,在一些附圖中未示出用于支撐引線框的支撐材料和/或外部框架。
[0031]應(yīng)當理解,在描述組件結(jié)構(gòu)時,當將一層、一個區(qū)域稱為位于另一層、另一個區(qū)域“上面”或“上方”時,可以指直接位于另一層、另一個區(qū)域上面,或者在其與另一層、另一個區(qū)域之間還包含其它的層或區(qū)域。并且,如果將器件翻轉(zhuǎn),該一層、一個區(qū)域?qū)⑽挥诹硪粚?、另一個區(qū)域“下面”或“下方”。如果為了描述直接位于另一層、另一個區(qū)域上面的情形,本文將采用“直接在……上面”或“在……上面并與之鄰接”的表述方式。
[0032]在下文中描述了本發(fā)明的許多特定的細節(jié),例如集成電路組件的結(jié)構(gòu)、材料、尺寸、處理工藝和技術(shù),以便更清楚地理解本公開。但正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠理解的那樣,可以不按照這些特定的細節(jié)來實現(xiàn)本公開。
[0033]圖2示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的應(yīng)用于開關(guān)型調(diào)節(jié)器的集成電路組件100的示意性結(jié)構(gòu)圖。在該集成電路組件100中,兩個功率器件芯片和一個控制芯片140安裝在引線框110上。應(yīng)當注意,該集成電路組件100可以包括更多的晶體管和/或集成電路。
[0034]引線框110包括用于外部連接的引腳、用于內(nèi)部連接的引腳、以及用于支撐芯片的基底。用于外部連接的引腳與圖1所示的開關(guān)型調(diào)節(jié)器10的輸入輸出電極相對應(yīng),包括輸入輸出引腳10S、輸入電壓引腳Vin和接地引腳GND。用于內(nèi)部連接的引腳包括柵極引腳GATEl,在封裝料內(nèi)部或外部延伸,用于將集成電路組件100內(nèi)部的器件彼此電連接?;譙UB用于支撐控制芯片140。
[0035]在該實施例中,高壓側(cè)功率器件芯片120的漏電極朝上放置。在高壓側(cè)功率器件芯片120的上表面,漏電極經(jīng)由鋁帶或者銅夾151與輸入電壓引腳Vin相連接。在高壓側(cè)功率器件芯片120的下表面,高壓側(cè)功率器件芯片120的源電極經(jīng)由導(dǎo)電凸塊121連接至基底LX,基底LX還作為開關(guān)引腳。此外,在高壓側(cè)功率器件芯片120的下表面,高壓側(cè)功率器件芯片120的柵電極經(jīng)由導(dǎo)電凸塊122連接至柵極引腳GATE1,進而柵極引腳GATEl經(jīng)由鍵合線152連接至控制芯片140的一個驅(qū)動電極。
[0036]低壓側(cè)功率器件芯片130的漏電極朝下放置。在低壓側(cè)功率器件芯片130的上表面,低壓側(cè)功率器件芯片130的源電極經(jīng)由鍵合線152連接至接地引腳,柵電極經(jīng)由鍵合線152連接至控制芯片140的另一個驅(qū)動電極。在低壓側(cè)功率器件芯片130的下表面,漏電極例如利用導(dǎo)電粘接劑粘接在基底LX上。
[0037]控制芯片140面朝上放置。進一步地,控制芯片140的底部利用絕緣粘接劑附著在基底SUB上??刂菩酒?40的輸入輸出電極經(jīng)由鍵合線152與輸入輸出引腳IOs相連接??刂菩酒?40的一個驅(qū)動電極經(jīng)由鍵合線152與一個驅(qū)動電極引腳(未示出)電連接。然后,該驅(qū)動電極引腳與柵極引腳GATEl相連接,使得控制芯片140的一個驅(qū)動電極與高壓側(cè)功率器件芯片120的柵電極相連接??刂菩酒?40的另一個驅(qū)動電極經(jīng)由鍵合線152直接與低壓側(cè)功率器件芯片130的柵電極電連接。
[0038]封裝料160覆蓋高壓側(cè)功率器件芯片120、低壓側(cè)功率器件芯片130和控制芯片140。引線框110的外部引腳的端部和/或底部從封裝料160中露出,用于提供集成電路組件100與外部電路(例如電路板)的電連接。引線框110的基底從封裝料160的底部露出。引線框110的內(nèi)部引腳位于封裝料160的內(nèi)部。可選地,引線框110的內(nèi)部引腳也可以從封裝料160中露出。在所述封裝料的內(nèi)部或外部,引線框110的一個驅(qū)動電極引腳與柵極引腳GATEl相連接,使得控制芯片140的一個驅(qū)動電極經(jīng)由驅(qū)動電極引腳電連接至柵極引腳 GATEI。
[0039]在第一實施例中,集成電路組件100的高壓側(cè)功率器件芯片120的源電極與低壓側(cè)功率器件芯片130的漏電極附著在公共的基底LX上。該基底LX作為開關(guān)引腳。由于功率器件芯片與開關(guān)引腳之間的連接不需要使用鍵合線,因此減小了寄生電阻,并且相應(yīng)地減小了功耗。在組件尺寸允許的范圍內(nèi),基底LX的面積可以盡可能大。高壓側(cè)功率器件芯片120的源電極和低壓側(cè)功率器件芯片130的漏電極與基底LX的大面積接觸有利于熱耗散。
[0040]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的應(yīng)用于開關(guān)型調(diào)節(jié)器的集成電路組件200的示意性結(jié)構(gòu)圖。在該集成電路組件200中,兩個功率器件芯片和一個控制芯片140安裝在引線框HO上。應(yīng)當注意,該集成電路組件200可以包括更多的晶體管和/或集成電路。
[0041]第二實施例與第一實施例的不同之后在于控制芯片140堆疊在低壓側(cè)功率器件芯片130上。控制芯片140面朝上放置。進一步地,控制芯片140的底部利用絕緣粘接劑附著在低壓側(cè)功率器件芯片130的一側(cè)表面上。在該側(cè)表面上設(shè)置柵電極和源電極,并且控制芯片140露出柵電極的至少一部分和源電極的至少一部分,用于電連接。從而,引線框110可以省去基底SUB。
[0042]根據(jù)第二實施例的集成電路組件200的其他部分與根據(jù)第一實施例的集成電路組件100相同。
[0043]在第二實施例中,由于控制芯片140堆疊在低壓側(cè)功率器件芯片130上,因此可以進一步減小集成電路組件的占用面積。
[0044]圖4示出根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的應(yīng)用于開關(guān)型調(diào)節(jié)器的集成電路組件300的示意性結(jié)構(gòu)圖。在該集成電路組件300中,兩個功率器件芯片和一個控制芯片140安裝在引線框110上。應(yīng)當注意,該集成電路組件300可以包括更多的晶體管和/或集成電路。
[0045]第三實施例與第一實施例的不同之后在于控制芯片140倒裝安裝在引線框110上。進一步地,半導(dǎo)體芯片140包括內(nèi)部電路、與內(nèi)部電路電連接的各自的導(dǎo)電凸塊141。控制芯片140面朝下放置。進一步地,控制芯片140的導(dǎo)電凸塊141與引線框110的相應(yīng)引腳形成焊料互連。具體地,控制芯片140的輸入輸出電極與引線框110的輸入輸出引腳IOs形成焊料互連。在封裝料160的內(nèi)部,柵極引腳GATEl可以延伸到控制芯片140下方??刂菩酒?40的一個驅(qū)動電極與柵極引腳GATEl形成焊料互連,從而與高壓側(cè)功率器件芯片120的柵電極相連接。弓丨線框110包括附加的柵極引腳GATE2。控制芯片140的另一個驅(qū)動電極與柵極引腳GATE2形成焊料互連,進而經(jīng)由鍵合線152與低壓側(cè)功率器件芯片130的柵電極電連接。
[0046]根據(jù)第三實施例的集成電路組件300的其他部分與根據(jù)第一實施例的集成電路組件100相同。
[0047]在第三實施例中,由于控制芯片140倒裝安裝在引線框110上,因此可以進一步減少鍵合線的使用,從而減小了寄生電阻,并且相應(yīng)地減小了功耗。
[0048]在上述的第一至第三實施例,高壓側(cè)功率器件120和低壓側(cè)功率器件130均為N型器件,例如N-M0SFET。該N-MOSFET的正面具有源電極和柵電極,背面具有漏電極。
`[0049]在替代的實施例中,高壓側(cè)功率器件120和低壓側(cè)功率器件130可以均為P型器件,例如P-M0SFET。該P-MOSFET的正面具有漏電極和柵電極,背面具有源電極。
[0050]在該替代的實施例中,高壓側(cè)功率器件芯片120的源電極連接至輸入電壓引腳Vin,低壓側(cè)功率器件芯片Q2的漏電極連接至接地引腳GND。在高壓側(cè)功率器件芯片120的下表面,漏電極經(jīng)由導(dǎo)電凸塊121連接至基底LX。在低壓側(cè)功率器件芯片130的下表面,漏電極例如利用導(dǎo)電粘接劑粘接在基底LX上?;譒X還作為開關(guān)引腳。
[0051]應(yīng)當說明的是,在本文中,諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來,而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關(guān)系或者順序。而且,術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含,從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素,而且還包括沒有明確列出的其他要素,或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下,由語句“包括一個……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。
[0052]依照本發(fā)明的實施例如上文所述,這些實施例并沒有詳盡敘述所有的細節(jié),也不限制該發(fā)明僅為所述的具體實施例。顯然,根據(jù)以上描述,可作很多的修改和變化。本說明書選取并具體描述這些實施例,是為了更好地解釋本發(fā)明的原理和實際應(yīng)用,從而使所屬【技術(shù)領(lǐng)域】技術(shù)人員能很好地利用本發(fā)明以及在本發(fā)明基礎(chǔ)上的修改使用。本發(fā)明僅受權(quán)利要求書及其全部范圍和等效物的限制。
【權(quán)利要求】
1.一種應(yīng)用于開關(guān)型調(diào)節(jié)器的集成電路組件,包括: 引線框,其具有多個引腳和第一基底; 第一功率器件芯片,其正面具有第一電極和第三電極,背面具有第二電極; 第二功率器件芯片,其正面具有第一電極和第三電極,背面具有第二電極; 控制芯片,其正面具有第一驅(qū)動電極和第二驅(qū)動電極以及多個輸入輸出電極; 其中,所述第一功率器件芯片的第一電極通過導(dǎo)電凸塊電連接到所述第一基底上,所述第二功率器件芯片的第二電極附著在所述第一基底上并與所述第一基底形成電連接,所述第一基底作為開關(guān)引腳; 所述第一驅(qū)動電極電連接到所述第一功率器件芯片的第三電極,以及所述第二驅(qū)動電極電連接到第二功率器件芯片的第三電極; 所述第一功率器件芯片的第二電極和所述第二功率器件芯片的第一電極分別電連接到所述引線框的各個引腳。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路組件,其中,所述多個引腳包括第一引腳,所述第一驅(qū)動電極電連接到所述第一引腳,并且,所述第一功率器件芯片的第三電極通過導(dǎo)電凸塊電連接到所述第一引腳。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路組件,其中,所述第一驅(qū)動電極通過鍵合線電連接到所述第一引腳。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路組件,其中,所述多個引腳包括第二引腳,所述集成電路組件還包括封裝料,在所述封裝料內(nèi)部,所述第一引腳電連接所述第二引腳,所述第一驅(qū)動電極經(jīng)由所述第二引腳電連接至所述第一引腳。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路組件,其中,所述多個引腳包括第二引腳,所述集成電路組件還包括封裝料,在所述封裝料外部,所述第一引腳電連接所述第二引腳,所述第一驅(qū)動電極經(jīng)由所述第二引腳電連接至所述第一引腳。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的集成電路組件,其中所述第一功率器件芯片的第二電極通過鋁帶或者銅夾電連接到所述引線框的一個輸入電壓引腳,所述第二功率器件芯片的第一電極通過鍵合線電連接到所述引線框的一個接地引腳。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路組件,所述第三電極為柵電極,所述第一電極為源電極,且所述第二電極為漏電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路組件,所述第三電極為柵電極,所述第一電極為漏電極,且所述第二電極為源電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的集成電路組件,其中所述引線框還包括第二基底,所述控制芯片的背面通過絕緣層附著在所述第二基底上,其正面的第一驅(qū)動電極、第二驅(qū)動電極和多個輸入輸出電極通過一組鍵合線分布電連接到所述第一功率器件芯片的柵電極、所述第二功率器件芯片的柵電極和所述引線框的各個引腳。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的集成電路組件,所述控制芯片的背面通過絕緣層附著在所述第二功率器件芯片的正面,并暴露出所述第二功率器件芯片的所述第一電極的至少一部分和所述第三電極的至少一部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的集成電路組件,所述控制芯片倒裝在所述引線框上。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路組件,還包括封裝料,所述封裝料覆蓋控制芯片、第一功率器件芯片、 第二功率器件芯片和引線框。
【文檔編號】H01L25/16GK103762212SQ201410033517
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2014年1月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月24日
【發(fā)明者】葉佳明 申請人:矽力杰半導(dǎo)體技術(shù)(杭州)有限公司
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