基底剝離裝置、剝離基底的方法及制造顯示裝置的方法
【專利摘要】提供了一種基底剝離裝置、一種剝離基底的方法以及一種用于制造顯示裝置的方法。將具有功率密度的激光提供給基底結(jié)合體。所述基底結(jié)合體包括第一基底和結(jié)合到第一基底的第二基底。將第二基底與第一基底分離。測(cè)量與第二基底分離的第一基底的光學(xué)性質(zhì)?；诘谝换椎墓鈱W(xué)性質(zhì)調(diào)節(jié)激光的功率密度。
【專利說(shuō)明】基底剝離裝置、剝離基底的方法及制造顯示裝置的方法
[0001]本申請(qǐng)要求于2013年3月11日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2013-0025733號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)以及于2013年11月28日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2013-0146379號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，上述專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用被包含于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種基底剝離裝置、一種用于剝離基底的方法以及一種用于制造柔性顯示裝置的方法，更具體地講，涉及一種利用激光的基底剝離裝置、一種用于剝離基底的方法以及一種用于制造柔性顯示裝置的方法。

【背景技術(shù)】
[0003]當(dāng)制造柔性顯示裝置時(shí)，在制造柔性顯示裝置的結(jié)構(gòu)的同時(shí)使用載體基底來(lái)支撐柔性顯示裝置的結(jié)構(gòu)。載體基底的柔性相對(duì)較低。在完成柔性顯示裝置的結(jié)構(gòu)之后，利用基底剝離裝置將載體基底與柔性顯示裝置的結(jié)構(gòu)分離。基底剝離裝置被用于利用激光將柔性裝置的結(jié)構(gòu)與載體基底分離。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，提供一種用于剝離基底的方法。將具有功率密度的激光照射在基底結(jié)合體上?；捉Y(jié)合體包括第一基底和結(jié)合到第一基底的第二基底。將第二基底與第一基底分離。測(cè)量與第二基底分離的第一基底的光學(xué)性質(zhì)。基于第一基底的光學(xué)性質(zhì)調(diào)節(jié)激光的功率密度。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，提供一種用于制造顯示裝置的方法。將具有功率密度的激光照射在基底結(jié)合體上?；捉Y(jié)合體包括第一基底和結(jié)合到第一基底的第二基底。測(cè)量基底結(jié)合體的反射率。將第一基底與第二基底彼此分離?；诜瓷渎收{(diào)節(jié)激光的功率山/又ο
[0006]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，一種基底剝離裝置包括激光照射單元和光學(xué)性質(zhì)檢測(cè)單元。激光照射單元被構(gòu)造為產(chǎn)生具有功率密度的激光并且將所述激光照射在基底結(jié)合體上。基底結(jié)合體包括第一基底和結(jié)合到第一基底的第二基底。光學(xué)性質(zhì)檢測(cè)單元被構(gòu)造為利用激光測(cè)量與第二基底分離的第一基底的光學(xué)性質(zhì)。基于第一基底的光學(xué)性質(zhì)來(lái)調(diào)節(jié)激光的功率密度。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，一種基底剝離裝置包括激光照射單元和光學(xué)性質(zhì)檢測(cè)單元。激光照射單元被構(gòu)造為將具有功率密度的激光照射在基底結(jié)合體上?；捉Y(jié)合體包括第一基底和結(jié)合到第一基底的第二基底。光學(xué)性質(zhì)檢測(cè)單元被構(gòu)造為測(cè)量基底結(jié)合體的光反射率?；诨捉Y(jié)合體的光反射率來(lái)調(diào)節(jié)激光的功率密度。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]通過(guò)參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的這些和其它特征將變得更明顯，在附圖中:
[0009]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于剝離基底的方法的流程圖；
[0010]圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的基底剝離裝置的框圖；
[0011]圖3是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的基底剝離裝置的側(cè)視圖；
[0012]圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的向其提供激光的基底結(jié)合體的剖視圖；
[0013]圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的彼此分離的第一基底和第二基底的剖視圖；
[0014]圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于測(cè)量第一基底的光學(xué)性質(zhì)的布置的視圖；
[0015]圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的激光的強(qiáng)度和透光率之間的關(guān)系的曲線圖；
[0016]圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于測(cè)量第一基底的光學(xué)性質(zhì)的布置的視圖；
[0017]圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于測(cè)量第一基底的光學(xué)性質(zhì)的布置的視圖；
[0018]圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的激光的強(qiáng)度和光反射率之間的關(guān)系的曲線圖；
[0019]圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于測(cè)量第一基底的光學(xué)性質(zhì)的布置的視圖；
[0020]圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于測(cè)量第一基底的光學(xué)性質(zhì)的布置的視圖；
[0021]圖13是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的激光的強(qiáng)度和回射率(retroreflect1n rat1)的關(guān)系的曲線圖；
[0022]圖14是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于測(cè)量第一基底的光學(xué)性質(zhì)的布置的視圖；
[0023]圖15是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于剝離基底的方法的流程圖；
[0024]圖16是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于測(cè)量基底結(jié)合體的光學(xué)性質(zhì)的布置的視圖；
[0025]圖17是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于制造柔性顯示裝置的方法的流程圖；
[0026]圖18是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于制造柔性顯示裝置的方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0027]下面將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明的構(gòu)思可以以不同的形式實(shí)施并且不應(yīng)該解釋為受限于這里闡述的實(shí)施例。在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，可能夸大了層和區(qū)域的厚度。也將理解的是，當(dāng)層被稱為“在”另一層或基底“上”時(shí)，其可直接在所述另一層或基底上，或還可存在中間層。貫穿說(shuō)明書(shū)和附圖，相同的附圖標(biāo)記可指示相同的元件。
[0028]在下文中，將參照附圖來(lái)描述本發(fā)明的實(shí)施例。
[0029]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于剝離基底的方法的流程圖。參照?qǐng)D1，用于剝離基底的方法包括:用具有預(yù)定的功率密度的激光照射基底結(jié)合體(S1);使基底結(jié)合體分離為第一基底和第二基底(S20);測(cè)量第一基底的光學(xué)性質(zhì)(S30);以及基于測(cè)量的光學(xué)性質(zhì)調(diào)節(jié)激光的輸出(S40)。圖1的剝離基底的方法可以通過(guò)基底剝離裝置來(lái)執(zhí)行。在下文中，將參照?qǐng)D2來(lái)描述基底剝離裝置。激光的輸出可以包括激光的強(qiáng)度或功率密度。激光可以以激光束的形式來(lái)提供。
[0030]圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的基底剝離裝置的框圖。基底剝離裝置10包括激光輸出單元11、控制單元12以及光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13。
[0031]激光輸出單元11可以產(chǎn)生激光并且將激光提供給基底結(jié)合體。激光照射到基底結(jié)合體上，并減小第一基底和第二基底之間的結(jié)合力以促進(jìn)基底的剝離?？梢哉{(diào)節(jié)激光輸出單元11產(chǎn)生的激光的輸出。
[0032]控制單元12可以控制激光輸出單元11以調(diào)節(jié)激光輸出單元11產(chǎn)生的激光的輸出。例如，控制單元12可以基于光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13測(cè)量的第一基底的光學(xué)性質(zhì)來(lái)控制激光輸出單元11。在示例性實(shí)施例中，可以基于光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13測(cè)量的第一基底的光學(xué)性質(zhì)來(lái)手動(dòng)控制激光輸出單元11。
[0033]在基底剝離之后或之前，光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13可以測(cè)量基底結(jié)合體的光學(xué)性質(zhì)。光學(xué)性質(zhì)可以包括透光率、光反射率或回射率，但是不限于此。光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13測(cè)量的光學(xué)性質(zhì)可與從激光輸出單元11產(chǎn)生的激光的輸出有關(guān)。隨后將參照?qǐng)D7、圖10和圖13來(lái)描述其細(xì)節(jié)。包括光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13的基底剝離裝置10可以基于測(cè)量的光學(xué)性質(zhì)來(lái)確定激光的輸出的程度，并且可以基于光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13的測(cè)量的光調(diào)節(jié)激光的輸出在合適的水平。如果激光的輸出過(guò)多，則可能損壞激光照射的基底結(jié)合體，反之，如果激光的輸出不足，則可能不會(huì)適當(dāng)?shù)貓?zhí)行基底的剝離。通過(guò)激光的輸出調(diào)節(jié)到合適的水平，基底剝離裝置10可以使基底剝離而不造成基底結(jié)合體的某些損壞。
[0034]在下文中，將參照?qǐng)D3更詳細(xì)地描述基底剝離裝置10。參照?qǐng)D3，基底剝離裝置10包括剝離區(qū)域R1、傳送區(qū)域R2和裝載區(qū)域R3。
[0035]在剝離區(qū)域Rl中，可以剝離基底結(jié)合體。例如，可以將基底結(jié)合體分為第一基底和第二基底。例如，第一基底可以包括透明玻璃基底，第二基底可以包括柔性顯示基底。基底剝離裝置10還包括第一工作臺(tái)14。第一工作臺(tái)14和激光輸出單元11 一起布置在剝離區(qū)域Rl中。基底結(jié)合體放置在第一工作臺(tái)14上，激光輸出單元11給基底結(jié)合體提供激光以使基底結(jié)合體分離為第一基底和第二基底。在示例性實(shí)施例中，激光輸出單元11可以布置在第一工作臺(tái)14上方，并且隨著它沿著水平方向移動(dòng)，可以給基底結(jié)合體提供激光。在其它實(shí)施例中，可以將激光輸出單元11布置在第一工作臺(tái)14的下方，隨著它沿著水平方向移動(dòng)，可以給基底結(jié)合體提供激光。第一工作臺(tái)14可以包括透明材料以透射激光L。
[0036]可以將在剝離區(qū)域Rl中與第二基底分離的第一基底通過(guò)傳送區(qū)域R2傳送到裝載區(qū)域R3?；讋冸x裝置10還包括與光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13 —起布置在傳送區(qū)域R2中的輥?zhàn)?5。輥?zhàn)?5可以將第一基底從剝離區(qū)域Rl傳送到裝載區(qū)域R3。輥?zhàn)?5可以包括沿著水平方向延伸的多個(gè)旋轉(zhuǎn)軸15a和布置在旋轉(zhuǎn)軸15a的圓周的多個(gè)接觸部件15b。旋轉(zhuǎn)軸15a可以接收來(lái)自動(dòng)力提供工具(未示出)的旋轉(zhuǎn)力，從而旋轉(zhuǎn)。接觸部件15b可以接觸通過(guò)傳送工具傳送的第一基底，并且可以通過(guò)向第一基底傳遞旋轉(zhuǎn)軸15a的旋轉(zhuǎn)力來(lái)傳送第一基底。接觸部件15b可以包括彈性材料以保護(hù)第一基底。第一基底的傳遞不限于利用輥?zhàn)?5。例如，可以利用傳送臂來(lái)傳遞第一基底。
[0037]光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13包括光照射單元13a和光接收單元13b。光照射單元13a布置在輥?zhàn)?5的上方，光接收單元13b布置在輥?zhàn)?5的下方。然而，光照射單元13a和光接收單元13b的布置可以根據(jù)示例性實(shí)施例而改變。在第一基底與基底結(jié)合體分離之后，光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13可以測(cè)量通過(guò)輥?zhàn)?5傳送的第一基底的光學(xué)性質(zhì)。在示例性實(shí)施例中，當(dāng)光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13測(cè)量第一基底的光學(xué)性質(zhì)時(shí)，輥?zhàn)?5可以使第一基底停止，從而使光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13在第一基底停止的狀態(tài)下測(cè)量第一基底的光學(xué)性質(zhì)。隨后將參照?qǐng)D6和圖7來(lái)描述光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13的細(xì)節(jié)。
[0038]可以通過(guò)輥?zhàn)?5將第一基底裝載在裝載區(qū)域R3中?；讋冸x裝置10還包括第二工作臺(tái)16，第二工作臺(tái)16布置在裝載區(qū)域R3中。在測(cè)量了第一基底的光學(xué)性質(zhì)之后，在第二工作臺(tái)16上裝載第一基底。
[0039]在下文中，將參照?qǐng)D1至圖7來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于剝離基底的方法。圖4是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的通過(guò)激光L照射的基底結(jié)合體的剖視圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的在基底結(jié)合體已經(jīng)被分離為第一基底和第二基底之后第一基底和第二基底的剖視圖。圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的測(cè)量第一基底20的光學(xué)性質(zhì)的視圖。圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的提供給基底結(jié)合體的激光輸出和第一基底20的透光率之間的關(guān)系的曲線圖。
[0040]在SlO中，在將基底結(jié)合體放置在第一工作臺(tái)14上的同時(shí)用激光L照射基底結(jié)合體?；捉Y(jié)合體包括第一基底20和第二基底30。第一基底20可以包括光學(xué)透明的材料并且透射激光L。例如，第一基底20可以包括玻璃。第一基底20可以具有比第二基底30相對(duì)更低的柔性度。第一基底20可以用作支撐第二基底30的載體基底，但是不限于此。
[0041]第二基底30布置在第一基底20上。第二基底30附著到第一基底20。第二基底30可以包括柔性基底，但是不限于此。此外，第二基底30可以包括布置在柔性基底上的像素。
[0042]更具體地講，第二基底30可以包括柔性基底、布置在柔性基底上的薄膜晶體管層以及連接到薄膜晶體管層的顯示層。
[0043]柔性基底可以包括包含卡普頓(kapton)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亞胺(PI)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚丙烯酸酯(PAR)或纖維增強(qiáng)塑料(FRP)的材料，但是不限于此。
[0044]薄膜晶體管層可以包括薄膜晶體管和用于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的布線。薄膜晶體管可以連接到顯示層以控制顯示層，因此可以在柔性顯示裝置的顯示層上顯示圖像。
[0045]顯示層可以連接到薄膜晶體管層。顯示層可以布置在薄膜晶體管層上。顯示層的詳細(xì)構(gòu)造可以根據(jù)柔性顯示裝置的種類而改變。柔性顯示裝置可以包括有機(jī)發(fā)光顯示裝置、液晶顯示裝置或電泳顯示器，但是不限于此。例如，如果柔性顯示裝置是有機(jī)發(fā)光顯示裝置，則顯示層可以包括布置在陰極電極和陽(yáng)極電極之間的有機(jī)發(fā)光層。另外，如果柔性顯示裝置是液晶顯示裝置，則顯示層可以包括第一電極和第二電極以在它們之間形成電場(chǎng)，并且也可以包括液晶層，所述液晶層包括其布置通過(guò)形成在第一電極和第二電極之間的電場(chǎng)而改變的液晶分子。
[0046]基底結(jié)合體還包括粘結(jié)層40。粘結(jié)層40布置在第一基底20和第二基底30之間。粘結(jié)層40可以起到促進(jìn)第一基底20和第二基底30之間的結(jié)合的作用。粘結(jié)層40可以包括光學(xué)透明或者至少透射激光L的材料。粘結(jié)層40可以具有高的熱阻抗。例如，粘結(jié)層40可以具有等于或高于220°C的玻璃轉(zhuǎn)變溫度。例如，粘結(jié)層40可以包含硅或丙烯酸聚合物粘結(jié)劑。在粘結(jié)層40包括多晶硅的情況下，粘結(jié)層40具有等于或高于220°C的玻璃轉(zhuǎn)變溫度。用作粘結(jié)層40的多晶硅可以包括硅氧化物作為主要成分的PDMS (聚二甲基硅氧烷)，并且這可以和硅石納米粉末一起使用?？梢砸杂∷⒎āⅹM縫涂覆法、旋涂法或浸潰法將粘結(jié)層40形成在第一基底20上。
[0047]在示例性實(shí)施例中，可以省略粘結(jié)層40并且可以將第一基底20直接結(jié)合到第二基底30而無(wú)需粘結(jié)層40?？梢酝ㄟ^(guò)在第一基底20上沉積或涂覆第二基底的基體材料形成第二基底30的基體基底?？梢栽诘谝换?0和第二基底30之間的界面處使第一基底20和第二基底30彼此物理結(jié)合或化學(xué)結(jié)合?？梢酝ㄟ^(guò)熱處理工藝增強(qiáng)第一基底20和第二基底30之間的結(jié)合力。
[0048]將激光L從激光輸出單元11提供給基底結(jié)合體。激光L可以入射到基底結(jié)合體的第一基底20上。入射到第一基底20上的激光L可以透射第一基底20并且可以到達(dá)粘結(jié)層40。透射到粘結(jié)層40的激光L可以通過(guò)消融去除掉粘結(jié)層40。粘結(jié)層40可以被完全去除或部分保留。第一基底20和第二基底30之間的結(jié)合力可以隨著粘結(jié)層40被去除而減小。
[0049]在第一基底20可以直接結(jié)合到第二基底30而無(wú)需粘結(jié)層40的示例性實(shí)施例中，入射到第一基底20上的激光L可以透射第一基底20并且可以到達(dá)第一基底20和第二基底30之間的界面。透射到界面的激光L可以使第一基底20與第二基底30分離。在示例性實(shí)施例中，激光L可以到達(dá)與第一基底20相鄰的第二基底30并且使第一基底20與第二基底30分離。
[0050]當(dāng)激光L被照射到粘結(jié)層40上或者粘結(jié)層40和第二基底30之間的界面上時(shí)，可能產(chǎn)生煙灰。產(chǎn)生的煙灰可能殘留在第一基底30上。產(chǎn)生的煙灰的量可能與激光L的輸出有關(guān)。例如，隨著激光L的輸出的增加，可能產(chǎn)生更多的煙灰。因此，通過(guò)檢測(cè)產(chǎn)生的煙灰的程度，可以估計(jì)激光L的輸出。如果激光L的輸出過(guò)多，則激光L可能損壞第二基底30。如果激光L的輸出不足，則第一基底20和第二基底30之間的結(jié)合力不足以被降低，因此在不造成第二基底30的某些損壞的情況下可能不會(huì)使第一基底20和第二基底30彼此分離。在第一基底20和第二基底30之間的結(jié)合力不足以被降低的狀態(tài)下，如果給基底結(jié)合體施加外力，則可能損壞第二基底30。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，可以利用使用激光L與第二基底30分離的第一基底20的光學(xué)性質(zhì)來(lái)檢測(cè)產(chǎn)生的煙灰的程度?？梢岳脺y(cè)量的第一基底20的光學(xué)性質(zhì)來(lái)調(diào)節(jié)激光L的輸出，從而使激光L具有合適的功率密度，以避免在第二基底30上造成一些損壞。因此，能夠防止在將第一基底20和第二基底30分離的工藝中可能發(fā)生的第二基底的損壞。隨后將描述其細(xì)節(jié)。
[0051]在S20中，將第一基底20和第二基底30彼此分離并且彼此分隔開(kāi)，如圖5所示?？梢栽趧冸x區(qū)域Rl中使第一基底20和第二基底30彼此分離?？梢允┘油饬σ允沟谝换?0和第二基底30彼此分離，并且可以由基底剝離裝置10提供外力。至少一部分粘結(jié)層40可能保持結(jié)合到第一基底20?？梢酝ㄟ^(guò)運(yùn)送設(shè)備將與第一基底20分離的第二基底30運(yùn)送到外側(cè)。
[0052]在S30中，可以在傳送區(qū)域R2中測(cè)量第一基底20的光學(xué)性質(zhì)(S30)。參照?qǐng)D6，光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13包括光照射單元13a和光接收單元13b。光照射單元13a給第一基底20提供測(cè)試光T。測(cè)試光T穿透第一基底20和粘結(jié)層40。光照射單元13a布置在第一基底20的上方，光接收單元13b布置在第一基底20的下方。例如，第一基底20布置在光照射單元13a和光接收單元13b之間。光接收單元13b可以接收通過(guò)第一基底20或第一基底20和粘結(jié)層40的測(cè)試光T。例如，測(cè)試光T穿透或貫穿第一基底20和粘結(jié)層40。
[0053]在S30中，第一基底20的光學(xué)性質(zhì)的測(cè)量還包括從光接收單元13b接收的測(cè)試光T來(lái)測(cè)量第一基底20的光學(xué)性質(zhì)。光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13測(cè)量的第一基底20的光學(xué)性質(zhì)可以是第一基底20的透光率。透光率通過(guò)將在光接收單元13b中接收的測(cè)試光T的光強(qiáng)度除以從光照射單元13a提供的測(cè)試光T的光強(qiáng)度來(lái)計(jì)算。
[0054]參照?qǐng)D7，在S40中，基于測(cè)量的透光率將激光L的輸出調(diào)節(jié)為具有在第一參考范圍Rl內(nèi)的透光率。如果增加激光L的輸出，則在S20中產(chǎn)生的煙灰的量也增加，因此降低了第一基底20的透光率。如果減小激光L的輸出，則在S20中產(chǎn)生的煙灰的量也降低，因此增加了第一基底20的透光率。第一參考范圍Rl包括與促進(jìn)第一基底20和第二基底30彼此分離并防止第二基底30的損壞的激光L的輸出相對(duì)應(yīng)的透光率的范圍。
[0055]例如，如果在S30中測(cè)量的透光率在第一參考范圍Rl內(nèi)，則保持激光的輸出而無(wú)需在S40中調(diào)節(jié)。然而，如果在S30中測(cè)量的透光率在第一參考范圍Rl之外，則在S40中調(diào)節(jié)激光L的輸出。例如，如果在S30中測(cè)量的透光率低于第一參考范圍R1，則降低激光L的輸出。如果在S30中測(cè)量的透光率高于第一參考范圍R1，則增加激光L的輸出。因此，基于與第二基底30分離的第一基底20的透光率，可以控制基底剝離裝置10以保持激光L的輸出在合適的水平?？梢曰诘谝换?0的透光率，利用控制單元12自動(dòng)地調(diào)節(jié)激光L的輸出，或者可以基于第一基底20的透光率，手動(dòng)地調(diào)節(jié)激光L的輸出。
[0056]如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的剝離基底的方法中，測(cè)量第一基底20的光學(xué)性質(zhì)以監(jiān)控激光L的輸出。如果激光L的輸出偏離圖7中所示的合適的范圍，則基于第一基底20的光學(xué)性質(zhì)調(diào)節(jié)激光L的輸出以使激光L的輸出具有適當(dāng)范圍。因此，可以使第一基底20和第二基底30彼此分離而沒(méi)有對(duì)第二基底30造成損壞，其中，在利用過(guò)量或不足的激光L的輸出將第二基底30與第一基底20分離時(shí)可能發(fā)生對(duì)第二基底30的損壞。
[0057]在下文中，將參照?qǐng)D8來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于剝離基底的方法。圖8示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的測(cè)量第一基底的光學(xué)性質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13的布置。
[0058]參照?qǐng)D8，除了光接收單元13b布置在第一基底20的上方并且光照射單元13a布置在第一基底20的下方之外，所述布置基本與圖6的布置相似。利用圖8的布置，以與參照?qǐng)D1至圖7描述的形式基本相似的形式來(lái)調(diào)節(jié)激光的輸出，因此將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
[0059]在下文中，將參照?qǐng)D2、圖3、圖9和圖10來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于剝離基底的方法。圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的激光輸出和光反射率的關(guān)系的曲線圖。圖9示出根據(jù)示例性實(shí)施例的光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13的布置。為了測(cè)量第一基底20的反射率，光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13利用光照射單元13a提供測(cè)試光T并且接收從第一基底20反射的光Ta。光照射單兀13a和光接收單兀13b均布置在第一基底20的上方并且布置在第一基底20的同一側(cè)。測(cè)試光T可以從第一基底20的第一表面反射并且第一表面靠近粘結(jié)層40，但是不限于此。測(cè)試光T也可以從第一基底20的第二表面反射。第二表面遠(yuǎn)離光照射單元13a并且與第一表面相對(duì)。測(cè)試光也可以從粘結(jié)層40反射。反射的測(cè)試光Ta被光接收單元13b接收。光照射單元13a和光接收單元13b單獨(dú)形成,但是不限于此。光照射單元13a和光接收單元13b也可以整體形成。
[0060]例如，通過(guò)將在光接收單元13b中接收的測(cè)試光Ta的光強(qiáng)度除以從光照射單元13a提供的測(cè)試光T的光強(qiáng)度來(lái)計(jì)算反射率。
[0061]圖10示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的激光輸出和光反射率之間的關(guān)系的曲線圖。參照?qǐng)D10，如果增加激光L的輸出，則在S20中產(chǎn)生的煙灰的量也增加，因此由煙灰吸收的測(cè)試光T的量增加。從而，降低了第一基底20的反射率。相反地，如果降低激光L的輸出，則反射率增加。與促進(jìn)第一基底20和第二基底30彼此分離并且防止第二基底30的損壞的激光L的輸出相對(duì)應(yīng)的光反射率的范圍可以包括第二參考范圍R2。
[0062]例如，如果在S30中測(cè)量的反射率在第二參考范圍R2內(nèi)，則激光L的輸出可以保持不變。然而，如果在S30中測(cè)量的反射率在第二參考范圍R2之外，則可以調(diào)節(jié)激光L的輸出。例如，如果測(cè)量的光反射率低于第二參考范圍R2，則激光L的輸出過(guò)多，因此可以控制基底剝離裝置10以將激光L的輸出降低至與第二參考范圍R2對(duì)應(yīng)的合適的水平。如果測(cè)量的光反射率大于第二參考范圍R2，則激光L的輸出不足，因此可以控制基底剝離裝置10以使激光L的輸出增加至與第二參考范圍R2對(duì)應(yīng)的合適的水平。除了利用反射率監(jiān)控激光L的輸出之外，以與參照?qǐng)D1至圖7描述的形式基本相似的形式執(zhí)行激光的輸出的調(diào)節(jié)，因此將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
[0063]在下文中，將參照?qǐng)D2和圖11來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于剝離基底的方法。圖11示出根據(jù)示例性實(shí)施例的光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13的布置。參照?qǐng)D11，除了光照射單元13a和光接收單元13b布置在第一基底20的下方，光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13的布置與圖9的布置基本相似。利用圖11的布置，可以將如上所述的用于剝離基底的方法應(yīng)用到基底結(jié)合體，因此將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
[0064]在下文中，將參照?qǐng)D2、圖3、圖4、圖12和圖13來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于剝離基底的方法。圖12示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于測(cè)量第一基底20的光學(xué)性質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13的布置，圖13是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的激光輸出和回射率之間的關(guān)系的曲線圖。
[0065]參照?qǐng)D12，為了測(cè)量回射率，光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13利用光照射單元13a給第一基底20提供測(cè)試光T并且利用光接收單元13b接收光Tb。光Tb被布置在第一基底20的下方的反射板13c反射。測(cè)試光T和反射光Tb均沿著彼此相反的方向穿透第一基底20。光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13可以包括光照射單元13a、光接收單元13b以及反射板13c。光照射單元13a和光接收單元13b可以獨(dú)立形成或整體形成。光照射單元13a和光接收單元13b布置在第一基底20的上方并且面向第一基底20的同一側(cè)。反射板13c布置在第一基底20的下方。在這種情況下，光照射單元13a和光接收單元13b可以布置在輥?zhàn)?5的上方，并且反射板13c可以布置在輥?zhàn)?5的下方。光照射單元13a將測(cè)試光T提供到第一基底20上。照射到第一基底20的上部上的測(cè)試光T穿透第一基底20并且到達(dá)反射板13c。反射板13c反射的測(cè)試光Tb被提供給基底并且穿透第一基底20。穿透第一基底20兩次的測(cè)試光Tb在光接收單元13b中被接收。
[0066]第一基底20的光學(xué)性質(zhì)的測(cè)量還包括從光接收單元13b接收的測(cè)試光Tb來(lái)測(cè)量第一基底20的光學(xué)性質(zhì)。通過(guò)光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13測(cè)量的第一基底20的光學(xué)性質(zhì)包括回射率。通過(guò)將在光接收單元13b中接收的測(cè)試光Tb的光強(qiáng)度除以從光照射單元13a提供的測(cè)試光T的光強(qiáng)度來(lái)計(jì)算回射率。由于回射率是從穿過(guò)第一基底20兩次的測(cè)試光Tb計(jì)算的，所以與從穿過(guò)第一基底20 —次的測(cè)試光計(jì)算的穿透率相比，回射率的變化更大，因此可以更精確地辨別激光L的輸出水平。
[0067]參照?qǐng)D13，回射率根據(jù)激光L的輸出而改變。如果增加激光L的輸出，則在S30中產(chǎn)生的煙灰的量也增加，因此第一基底20的回射率降低。如果降低激光L的輸出，則在S30中產(chǎn)生的煙灰的量也減少，因此第一基底20的回射率增加。與促進(jìn)第一基底20和第二基底30彼此分離并且防止第二基底30的損壞的激光L的輸出相對(duì)應(yīng)的回射率可以具有第三參考范圍R3。如果回射率在第三參考范圍R3內(nèi)，則激光的輸出的調(diào)節(jié)(S40)可以包括不改變激光L的輸出。如果回射率超過(guò)第三參考范圍R3，則激光L的輸出的調(diào)節(jié)可以包括增加激光L的輸出。因此，在激光L的輸出不足的情況下，可以控制基底剝離裝置10以將激光L的輸出維持在第三參考范圍R3內(nèi)。如果回射率低于第三參考范圍R3，則激光L的輸出的調(diào)節(jié)可以包括降低激光L的輸出。因此，在激光L的輸出過(guò)量的情況下，可以控制基底剝離裝置10以將激光L的輸出維持在第三參考范圍R3內(nèi)。除了利用回射率監(jiān)控激光L的輸出之外中，激光的輸出的調(diào)節(jié)以與參照?qǐng)D1至圖7描述的形式基本相似的形式來(lái)執(zhí)行，因此將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
[0068]在下文中，將參照?qǐng)D2和圖14來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于剝離基底的方法。圖14示出了根據(jù)示例性實(shí)施例的光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13的布置。參照?qǐng)D14，除了光照射單元13a和光接收單元13b布置在第一基底20的下方并且反射板13c布置在第一基底20的上方之外，光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13的布置與圖12的布置基本相似。利用圖14的布置，可以將如上所述的用于剝離基底的方法應(yīng)用到基底結(jié)合體，因此將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
[0069]在下文中，將參照?qǐng)D15和圖16來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于剝離基底的方法。圖15是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于剝離基底的方法的流程圖，圖16示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的測(cè)量基底結(jié)合體的光學(xué)性質(zhì)的布置。
[0070]參照?qǐng)D15，用于剝離基底的方法包括:利用激光照射基底結(jié)合體(SllO);測(cè)量基底結(jié)合體的光學(xué)性質(zhì)(S120);將第一基底和第二基底彼此分離(S130);以及基于光學(xué)性質(zhì)來(lái)調(diào)節(jié)激光的輸出(S140)。在用于剝離基底的方法中，利用激光照射基底結(jié)合體的步驟(SllO)與圖1中的利用激光照射基底結(jié)合體的步驟(SlO)基本相同，并且將第一基底和第二基底彼此分離的步驟(S130)與圖1中的將第一基底和第二基底彼此分離的步驟(S20)基本相同。
[0071]參照?qǐng)D16，測(cè)量基底結(jié)合體的光學(xué)性質(zhì)(S120)可以包括接收提供給第一基底20并且被基底結(jié)合體反射的光。光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13包括布置在基底結(jié)合體下方的光照射單元13a和光接收單元13b。光照射單元13a和光接收單元13b可以獨(dú)立形成，但是不限于此。光照射單元13a和光接收單元13b也可以整體形成。參照?qǐng)D2、圖3、圖15和圖16，光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13可以布置在剝離區(qū)域Rl中，并且基底結(jié)合體可以放置在第一工作臺(tái)14上。光照射單元13a給基底結(jié)合體提供測(cè)試光T使得測(cè)試光T入射到第一基底20上。測(cè)試光T可以被基底結(jié)合體反射。例如，測(cè)試光T從第一基底20的第一表面反射。第一表面靠近粘結(jié)層40。測(cè)試光T也可以被第一基底20的第二表面、第二基底30和/或粘結(jié)層40反射。第二表面與第一表面相對(duì)并且遠(yuǎn)離接收由基底結(jié)合體反射的測(cè)試光Tc的光接收單元 13b。
[0072]基底結(jié)合體的光學(xué)性質(zhì)的測(cè)量(S120)還可以包括從光接收單元13b接收的測(cè)試光Tc來(lái)計(jì)算基底結(jié)合體的光學(xué)性質(zhì)。由光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元13測(cè)量的基底結(jié)合體的光學(xué)性質(zhì)是光反射率。通過(guò)將在光接收單元13b中接收的測(cè)試光Tc的光強(qiáng)度除以從光照射單元13a提供的測(cè)試光T的光強(qiáng)度來(lái)計(jì)算光反射率。
[0073]基底結(jié)合體的光反射率和激光L的輸出之間的關(guān)系可以與第一基底20的光反射率和激光L的輸出之間的關(guān)系基本相同。由于基于光學(xué)性質(zhì)調(diào)節(jié)激光L的輸出(S140)的說(shuō)明與圖1中的調(diào)節(jié)激光L的輸出以對(duì)應(yīng)光學(xué)性質(zhì)(S40)的說(shuō)明基本相同，所以將省略其說(shuō)明。
[0074]將第一基底20和第二基底30彼此分離的步驟(S130)在利用光學(xué)性質(zhì)調(diào)節(jié)激光L的輸出的步驟(S140)之前?？蛇x擇地，可以在測(cè)量基底結(jié)合體的光學(xué)性質(zhì)的步驟(S120)與將第一基底20和第二基底30分離的步驟(S130)之間執(zhí)行調(diào)節(jié)激光L的輸出的步驟。
[0075]如上所述，已經(jīng)參照?qǐng)D1至圖16描述了基于第一基底的透光率、光反射率或回射率調(diào)節(jié)激光L的輸出以及基于基底結(jié)合體的光反射率調(diào)節(jié)激光L的輸出。然而，基于激光L的輸出的調(diào)節(jié)的光學(xué)性質(zhì)不限于此。例如，如果通過(guò)激光L的照射而產(chǎn)生的煙灰具有具體的顏色，或者第一基底20和第二基底30的顏色由于激光的照射而改變，則可以基于測(cè)試光T的顏色變化來(lái)調(diào)節(jié)激光L的輸出。另外，在測(cè)試光的折射性質(zhì)會(huì)根據(jù)煙灰的密度的增加而改變的情況下，可以基于第一基底或基底結(jié)合體的折射性質(zhì)的變化來(lái)調(diào)節(jié)激光L的輸出。
[0076]在下文中，將參照?qǐng)D17和圖18來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于制造柔性顯示裝置的方法。
[0077]圖17是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于制造柔性顯示裝置的方法的流程圖。
[0078]參照?qǐng)D17，用于制造柔性顯示裝置的方法包括:形成基底結(jié)合體(S210);將保護(hù)膜附著到基底結(jié)合體(S220);給基底結(jié)合體提供激光(S230);將第一基底和第二基底彼此分離(S240);測(cè)量第一基底的光學(xué)性質(zhì)(S250);基于所述光學(xué)性質(zhì)調(diào)節(jié)激光的輸出(S260);以及剝離保護(hù)膜(S270)。
[0079]在將保護(hù)膜附著到基底結(jié)合體的步驟(S220)中，將第一保護(hù)膜附著到第二基底。如果將保護(hù)膜附著到第二基底，則保護(hù)膜可以在第一基底和第二基底彼此分離的步驟(S240)之后支撐第二基底。因此，保護(hù)膜可有助于在第二基底與第一基底分離之后制造柔性顯示裝置的工藝。保護(hù)膜可以包括包含聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚醚砜的塑料或包含不銹鋼(SUS)的金屬箔。
[0080]在剝離保護(hù)膜的步驟(S270)中，可以將保護(hù)膜與第二基底分離。在示例性實(shí)施例中，可以省略將保護(hù)膜附著到基底結(jié)合體的步驟(S220)和剝離保護(hù)膜的步驟(S270)。
[0081]圖18是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于制造柔性顯示裝置的方法的流程圖。
[0082]參照?qǐng)D18，用于制造柔性顯示裝置的方法包括:形成基底結(jié)合體(S310);附著保護(hù)膜(S320);給基底結(jié)合體提供激光(S330);測(cè)量第一基底的光學(xué)性質(zhì)(S340);基于所述光學(xué)性質(zhì)調(diào)節(jié)激光的輸出(S350);將第一基底和第二基底彼此分離(S360);以及剝離保護(hù)膜(S370)。形成基底結(jié)合體的步驟(S310)的說(shuō)明與圖17的形成基底結(jié)合體的步驟(S210)的說(shuō)明基本相同。附著保護(hù)膜的步驟(S320)的說(shuō)明與圖17中的附著保護(hù)膜的步驟(S220)的說(shuō)明基本相同，以及利用激光照射基底結(jié)合體的步驟(S330)的說(shuō)明與圖17中的利用激光照射基底結(jié)合體的步驟(S230)的說(shuō)明基本相同。另外，將第一基底和第二基底彼此分離的步驟(S360)的說(shuō)明與圖17中的將第一基底和第二基底彼此分離的步驟(S240)的說(shuō)明基本相同，以及剝離保護(hù)膜的步驟(S370)的說(shuō)明與圖17中的剝離保護(hù)膜的步驟(S370)的說(shuō)明基本相同。因此，將省略其說(shuō)明。在示例性實(shí)施例中，可以省略將保護(hù)膜附著到基底結(jié)合體的步驟(S320)和剝離保護(hù)膜的步驟(S370)。
[0083]測(cè)量基底結(jié)合體的光學(xué)性質(zhì)的步驟(S340)可以包括接收照射到第一基底的第一表面上并且被基底結(jié)合體反射的光。光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元包括光照射單元和光接收單元。光照射單元和光接收單元可以獨(dú)立形成或整體形成?？梢詫⒐鈱W(xué)性質(zhì)測(cè)量單元布置在剝離區(qū)域中。光照射單兀給第一基底提供測(cè)試光。測(cè)試光被基底結(jié)合體反射。例如，測(cè)試光可以從第一基底和第二基底之間的界面反射。
[0084]測(cè)量基底結(jié)合體的光學(xué)性質(zhì)的步驟(S340)還可以包括從光接收單元接收的測(cè)試光來(lái)計(jì)算第一基底的光學(xué)性質(zhì)。由光學(xué)性質(zhì)測(cè)量單元測(cè)量的基底結(jié)合體的光學(xué)性質(zhì)包括光反射率。通過(guò)將在光接收單元中接收的測(cè)試光的光強(qiáng)度除以從光照射單元提供的測(cè)試光的光強(qiáng)度來(lái)計(jì)算光反射率。
[0085]基底結(jié)合體的光反射率和激光的輸出之間的關(guān)系與在圖10中示出的第一基底的光反射率和激光的輸出之間的關(guān)系可以基本相同。由于調(diào)節(jié)激光的輸出以對(duì)應(yīng)于光學(xué)性質(zhì)的步驟(S350)的說(shuō)明與圖1中的調(diào)節(jié)激光的輸出以對(duì)應(yīng)于光學(xué)性質(zhì)的步驟(S40)的說(shuō)明基本相同，所以將省略其說(shuō)明。
[0086]雖然已經(jīng)參照本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例示出并描述了本發(fā)明構(gòu)思，但是對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將清楚的是，在不脫離如權(quán)利要求所限定的本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的情況下，可以在此做出形式和細(xì)節(jié)方面的各種改變。
【權(quán)利要求】
1.一種用于剝離基底的方法，所述方法包括: 給基底結(jié)合體提供具有功率密度的激光，其中，基底結(jié)合體包括第一基底和結(jié)合到第一基底的第二基底； 將第二基底與第一基底分離； 測(cè)量與第二基底分離的第一基底的光學(xué)性質(zhì)；以及 基于第一基底的光學(xué)性質(zhì)調(diào)節(jié)激光的功率密度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于剝離基底的方法，其中，光學(xué)性質(zhì)包括第一基底的透光率，并且測(cè)量第一基底的光學(xué)性質(zhì)的步驟包括: 給第一基底提供測(cè)試光使得測(cè)試光穿過(guò)第一基底； 接收穿過(guò)第一基底的測(cè)試光；以及 從接收的測(cè)試光計(jì)算第一基底的透光率。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于剝離基底的方法，其中，調(diào)節(jié)激光的功率密度的步驟包括:如果透光率 小于預(yù)定的參考范圍，則降低激光的功率密度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于剝離基底的方法，其中，調(diào)節(jié)激光的功率密度的步驟包括:如果透光率大于預(yù)定的參考范圍，則增加激光的功率密度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于剝離基底的方法，其中，光學(xué)性質(zhì)包括光反射率，并且測(cè)量第一基底的光學(xué)性質(zhì)的步驟包括: 給第一基底提供測(cè)試光，從而使測(cè)試光從第一基底反射； 接收從第一基底反射的測(cè)試光；以及 利用提供給第一基底的測(cè)試光的第一強(qiáng)度和從第一基底反射的測(cè)試光的第二強(qiáng)度來(lái)計(jì)算光反射率。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于剝離基底的方法，其中，調(diào)節(jié)激光的功率密度的步驟包括:如果光反射率小于預(yù)定的參考范圍，則降低激光的功率密度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于剝離基底的方法，其中，調(diào)節(jié)激光的功率密度的步驟包括:如果光反射率大于預(yù)定的參考范圍，則增加激光的功率密度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于剝離基底的方法，其中，光學(xué)性質(zhì)包括回射率，并且測(cè)量第一基底的光學(xué)性質(zhì)的步驟包括: 給第一基底提供測(cè)試光，從而使測(cè)試光沿著第一方向穿過(guò)第一基底； 將穿過(guò)第一基底的測(cè)試光反射到第一基底，使得反射的測(cè)試光沿著與第一方向相反的第二方向穿過(guò)第一基底； 接收沿著第二方向穿過(guò)第一基底的測(cè)試光；以及 從提供給第一基底的測(cè)試光的第一強(qiáng)度和沿著第二方向穿過(guò)第一基底的測(cè)試光的第二強(qiáng)度來(lái)計(jì)算回射率。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于剝離基底的方法，其中，調(diào)節(jié)激光的功率密度的步驟包括:如果回射率小于預(yù)定的參考范圍，則降低激光的功率密度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于剝離基底的方法，其中，調(diào)節(jié)激光的功率密度的步驟包括:如果回射率大于預(yù)定的參考范圍，則增加激光的功率密度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于剝離基底的方法，其中，第二基底包括柔性基體材料和布置在柔性基體材料上的薄膜晶體管層。
12.一種用于制造顯示裝置的方法，所述方法包括: 給基底結(jié)合體提供具有功率密度的激光，其中，基底結(jié)合體包括第一基底和結(jié)合到第一基底的第二基底； 測(cè)量基底結(jié)合體的反射率； 將第二基底與第一基底彼此分離；以及 基于反射率調(diào)節(jié)激光的功率密度。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，將激光提供給第一基底的第一表面，并且測(cè)量基底結(jié)合體的反射率的步驟包括: 給基底結(jié)合體提供光，從而使光從基底結(jié)合體反射； 接收從基底結(jié)合體反射的光；以及 從接收的測(cè)試光計(jì)算反射率。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，如果反射率小于預(yù)定的參考范圍，則降低激光的功率密度。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，如果反射率大于預(yù)定的參考范圍，則增加激光的功率密度。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，第二基底包括柔性基體材料和布置在柔性基體材料上的薄膜晶體管層 。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，所述方法還包括:在給基底結(jié)合體提供激光之前，將保護(hù)膜附著到第二基底。
18.一種基底剝離裝置，所述基底剝離裝置包括: 激光照射單元，構(gòu)造為產(chǎn)生具有功率密度的激光并且將激光照射在基底結(jié)合體上，其中，基底結(jié)合體包括第一基底和結(jié)合到第一基底的第二基底；以及 光學(xué)性質(zhì)檢測(cè)單元，構(gòu)造為用激光測(cè)量與第二基底分離的第一基底的光學(xué)性質(zhì)， 其中，基于第一基底的光學(xué)性質(zhì)來(lái)調(diào)節(jié)激光的功率密度。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的基底剝離裝置，其中，光學(xué)性質(zhì)檢測(cè)單元包括: 光照射單元，布置在第一基底的上方并且構(gòu)造為將測(cè)試光照射在第一基底上，其中，測(cè)試光穿過(guò)第一基底； 光接收單元，布置在第一基底的下方并且構(gòu)造為接收穿過(guò)第一基底的測(cè)試光；以及光學(xué)性質(zhì)檢測(cè)單元，構(gòu)造為從光照射單元提供給第一基底的測(cè)試光的強(qiáng)度與光接收單元接收的測(cè)試光的強(qiáng)度來(lái)計(jì)算第一基底的透光率。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的基底剝離裝置，其中，光學(xué)性質(zhì)檢測(cè)單元包括: 光照射單元，布置在第一基底的上方并且構(gòu)造為將測(cè)試光照射在第一基底上，其中，測(cè)試光從第一基底反射； 光接收單元，布置在第一基底的上方并且構(gòu)造為接收從第一基底反射的測(cè)試光；以及光學(xué)性質(zhì)計(jì)算單元，構(gòu)造為從光照射單元提供給第一基底的測(cè)試光的強(qiáng)度與光接收單元接收的測(cè)試光的強(qiáng)度來(lái)計(jì)算第一基底的光反射率。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的基底剝離裝置，其中，光學(xué)性質(zhì)檢測(cè)單元包括: 光照射單元，布置在第一基底的上方并且構(gòu)造為將測(cè)試光照射在第一基底的一個(gè)表面上，其中，測(cè)試光沿著第一方向穿過(guò)第一基底；反射板，布置在第一基底的下方并且構(gòu)造為將穿過(guò)第一基底的測(cè)試光反射到第一基底，其中，從反射板反射的測(cè)試光沿著與第一方向相反的第二方向穿過(guò)第一基底； 光接收單元，布置在第一基底的上方并且構(gòu)造為接收沿著第二方向穿過(guò)第一基底的測(cè)試光；以及 光學(xué)性質(zhì)檢測(cè)單元，構(gòu)造為從光照射單元提供給第一基底的測(cè)試光的強(qiáng)度和光接收單元接收的測(cè)試光的強(qiáng)度來(lái)計(jì)算第一基底的回射率。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的基底剝離裝置，所述基底剝離裝置還包括構(gòu)造為基于第一基底的光學(xué)性質(zhì)來(lái)調(diào)節(jié)激光的功率密度的控制單元。
23.一種基底剝離裝置，所述基底剝離裝置包括: 激光照射單元，構(gòu)造為將具有功率密度的激光照射在基底結(jié)合體上，其中，基底結(jié)合體包括第一基底和結(jié)合到第一基底的第二基底；以及 光學(xué)性質(zhì)檢測(cè)單元，構(gòu)造為測(cè)量基底結(jié)合體的光反射率， 其中，基于基底結(jié)合體的光反射率來(lái)調(diào)節(jié)激光的功率密度。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的基底剝離裝置，其中，光學(xué)性質(zhì)檢測(cè)單元包括: 光照射單元，布置在第一基底的上方并且構(gòu)造為將測(cè)試光照射在第一基底上； 光接收單元，布置在第一基底的上方并且構(gòu)造為接收從基底結(jié)合體反射的測(cè)試光；以及 光學(xué)性質(zhì)檢測(cè)單元，構(gòu)造為從光照射單元提供的測(cè)試光的強(qiáng)度和光接收單元接收的測(cè)試光的強(qiáng)度來(lái)計(jì)算第一基底的光反射率。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的基底剝離裝置，所述基底剝離裝置還包括構(gòu)造為基于基底結(jié)合體的光反射率來(lái)調(diào)節(jié)激光的功率密度的控制單元。
【文檔編號(hào)】H01L21/683GK104051313SQ201410027800
【公開(kāi)日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2014年1月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月11日
【發(fā)明者】林亨哲, 金英求, 趙顯俊 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司