影像感測晶片封裝體及其制作方法
【專利摘要】一種影像感測晶片封裝體及其制作方法，該影像感測晶片封裝體包含一基底、形成于基底上的影像感測元件、設(shè)置于基底上并圍繞影像感測元件的間隔材，以及設(shè)置于間隔材上的透光基板。透光基板的一側(cè)具有應(yīng)力缺口以及延伸自應(yīng)力缺口的一斷裂面。本發(fā)明可有效減短切割時(shí)間、提升制程效率、減少材料損耗的成本。
【專利說明】影像感測晶片封裝體及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種晶片封裝體與其制作方法，且特別是有關(guān)于一種影像感測晶片封裝體與其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]影像感測晶片封裝體通常包括有影像感測晶片以及設(shè)置于其上的透明基板。透明基板可作為影像感測晶片封裝體制作過程中的支撐，使制程得以順利進(jìn)行。
[0003]然而，透光基板的材料多為高硬度的玻璃，當(dāng)切割晶圓時(shí)，由于玻璃的硬度較高，因此，需要花費(fèi)大量的時(shí)間在裁切玻璃的步驟上，使得生產(chǎn)效率難以提升。除此之外，因?yàn)椴ＡУ挠捕容^高，故裁切時(shí)刀片的汰換率極高，又會(huì)增加額外的刀片更換成本。
[0004]因此，需要一種有效率的影像感測晶片封裝體的制作方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的就是在提供一種影像感測晶片封裝體與其制作方法，用以提升影像感測晶片封裝體的生產(chǎn)效率。
[0006]本發(fā)明的一態(tài)樣提出一種影像感測晶片封裝體，包含一基底、形成于基底上的影像感測元件、設(shè)置于基底上并圍繞影像感測元件的間隔材，以及設(shè)置于間隔材上的透光基板。透光基板的一側(cè)具有應(yīng)力缺口以及延伸自應(yīng)力缺口的一斷裂面。
[0007]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)力缺口的剖面形狀為V字形，斷裂面自該V字形的頂端延伸，應(yīng)力缺口的表面粗糙度不同于斷裂面的表面粗糙度。
[0008]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，影像感測晶片封裝體還包含光學(xué)構(gòu)件，光學(xué)構(gòu)件形成于影像感測元件上。
[0009]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，透光基板包含面對基底的內(nèi)表面以及與內(nèi)表面相對的外表面，應(yīng)力缺口形成于內(nèi)表面。
[0010]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，影像感測晶片封裝體還包含膠帶，膠帶貼附于透光基板的外表面。
[0011 ] 于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，基底與間隔材鄰接應(yīng)力缺口的一側(cè)面為一垂直表面。
[0012]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，影像感測晶片封裝體，還包含接觸區(qū)、導(dǎo)通孔、導(dǎo)體層與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。接觸區(qū)連接影像感測元件。導(dǎo)通孔貫穿基底。導(dǎo)體層形成于導(dǎo)通孔的側(cè)壁與基底的外表面，導(dǎo)體層并與接觸區(qū)連接。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)置于位于基底的外表面上的導(dǎo)體層，使影像感測元件通過接觸區(qū)以及導(dǎo)體層，與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接。
[0013]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，影像感測晶片封裝體還包含封裝層，封裝層設(shè)置于基底的外表面上。封裝層具有開口，開口露出部分的導(dǎo)體層與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
[0014]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，基底鄰近應(yīng)力缺口的一側(cè)面為一斜面，間隔材包含連接斜面與應(yīng)力缺口的凹槽。[0015]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，影像感測晶片封裝體還包含接觸區(qū)、導(dǎo)體層與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。接觸區(qū)形成于基底上，接觸區(qū)連接影像感測元件。導(dǎo)體層形成于凹槽、斜面與基底的外表面上，其中接觸區(qū)接觸導(dǎo)體層。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)置于位于基底的外表面上的部分導(dǎo)體層，使影像感測元件通過接觸區(qū)及導(dǎo)體層與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接。
[0016]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，影像感測晶片封裝體還包含封裝層，封裝層設(shè)置于基底的外表面上。封裝層具有開口，開口露出部分的導(dǎo)體層與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
[0017]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，透光基板包含面對基底的內(nèi)表面以及與內(nèi)表面相對的一表面，應(yīng)力缺口形成于外表面。
[0018]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，基底具有超出于間隔材的延伸段，影像感測晶片封裝體還包含接觸區(qū)，接觸區(qū)設(shè)置于延伸段上，并與影像感測元件連接。
[0019]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，影像感測元件與接觸區(qū)分別位于封裝材的兩側(cè)。
[0020]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，影像感測晶片封裝體還包含膠帶，膠帶貼附于基底的外表面。
[0021]本發(fā)明的另一態(tài)樣為一種影像感測晶片封裝體的制作方法，包含:提供一晶圓；切割晶圓的基底；形成多個(gè)應(yīng)力缺口于晶圓的透光基板的表面上；以及施加壓力于透光基板，使該透光基板沿應(yīng)力缺口破片，以使晶圓分割為多個(gè)影像感測晶片封裝體。
[0022]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，提供一晶圓的步驟包含:提供一基底；形成多個(gè)影像感測元件于基底上；形成多個(gè)間隔材于基底上，其中間隔材圍繞影像感測元件；以及設(shè)置透光基板于所述間隔材上，透光基板與基底之間具有多個(gè)空腔，影像感測元件分別位于空腔中。
[0023]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，切割晶圓的基底的步驟包含切割間隔材與透光基板，以形成應(yīng)力缺口于透光基材的表面。
[0024]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，影像感測晶片封裝體的制作方法還包含:形成多個(gè)接觸區(qū)于基底上，接觸區(qū)連接影像感測元件；形成多個(gè)導(dǎo)通孔貫穿基底，導(dǎo)通孔對應(yīng)于所述接觸區(qū)；形成導(dǎo)體層于導(dǎo)通孔的側(cè)壁與基底的外表面上；以及形成多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)于部分的導(dǎo)體層上。
[0025]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，切割晶圓的基底的步驟包含形成多個(gè)梯形凹槽于基底與間隔材上。
[0026]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，影像感測晶片封裝體的制作方法還包含:形成多個(gè)接觸區(qū)于基底上，接觸區(qū)連接影像感測元件；形成導(dǎo)體層于梯形凹槽的表面與基底的外表面上，接觸區(qū)接觸導(dǎo)體層；以及形成多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)于部分的導(dǎo)體層上。
[0027]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)力缺口位于梯形凹槽上，部分的導(dǎo)體層填入該應(yīng)力缺口中。
[0028]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，提供晶圓的步驟包含:提供基底；形成多個(gè)影像感測元件與多個(gè)接觸區(qū)于基底上，接觸區(qū)連接至影像感測元件；形成多個(gè)間隔材于基底上，其中間隔材圍繞影像感測元件；以及設(shè)置透光基板于間隔材上，透光基板與基底之間具有多個(gè)空腔，其中部分的空腔容置有影像感測元件，另一部分的空腔中容置有接觸區(qū)。
[0029]于本發(fā)明的一或多個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)力缺口形成于透光基板對應(yīng)于接觸區(qū)的位置處。[0030]當(dāng)在切割晶圓為多個(gè)影像感測晶片封裝體時(shí)，可以先在透光基板上形成應(yīng)力缺口，接著施加壓力于透光基板上，使得透光基板沿著應(yīng)力缺口的方向破片。又因?yàn)橥腹饣宓牟牧蠟椴Ａ?，因此在破片時(shí)會(huì)從應(yīng)力缺口的位置沿著晶格排列的方向裂開。相較于傳統(tǒng)使用刀片切割的方式，本發(fā)明可以有效減短切割時(shí)間、提升制程效率，以及減少材料損耗的成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1A到圖1E分別繪示本發(fā)明的影像感測晶片封裝體的制作方法第一實(shí)施例的流程不意圖。
[0032]圖2繪示圖1E中的影像感測晶片封裝體的局部放大圖。
[0033]圖3A到圖3G分別繪示本發(fā)明的影像感測晶片封裝體的制作方法第二實(shí)施例的流程不意圖。
[0034]圖4繪示圖3G中的影像感測晶片封裝體的局部放大圖。
[0035]圖5A到圖分別繪示本發(fā)明的影像感測晶片封裝體的制作方法第三實(shí)施例的流程不意圖。
[0036]圖6繪示圖中的影像感測晶片封裝體的局部放大圖。
[0037]附圖中符號的簡單說明如下:
[0038]100、300、500:晶圓;110、310、510:基底;112、312、512:內(nèi)表面;114、314、514:夕卜表面;116、316、516:斷裂面;120、320、520:影像感測元件;122、322、522:光學(xué)構(gòu)件；130、330,530:間隔材；140、340、540:透光基板；142、342、542:內(nèi)表面；144、344、544:外表面；150,350,550:膠帶；160、360、560:應(yīng)力缺口 ；162、362、562:下壓工具;170、370、570:接觸區(qū);172、372:導(dǎo)體層;174、374:導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；180:導(dǎo)通孔;190、390:封裝層;192、392:開口 ；200,400,600:影像感測晶片封裝體；318:梯形凹槽；332:凹槽；380:斜面；518:延伸段。
【具體實(shí)施方式】
[0039]以下將以圖式及詳細(xì)說明清楚說明本發(fā)明的精神，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】普通技術(shù)人員在了解本發(fā)明的較佳實(shí)施例后，當(dāng)可由本發(fā)明所教示的技術(shù)，加以改變及修飾，其并不脫離本發(fā)明的精神與范圍。
[0040]參照圖1A至圖1E，其分別繪示本發(fā)明的影像感測晶片封裝體的制作方法第一實(shí)施例的流程示意圖。
[0041]圖1A為提供一晶圓100。晶圓100包含有一基底110、形成于基底110上的多個(gè)影像感測元件120與接觸區(qū)170、多個(gè)間隔材130以及一透光基板140。其中基底110可以為硅基板，影像感測元件120以及接觸區(qū)170可以通過光刻制程形成于基底110上，接觸區(qū)170為導(dǎo)體材料，接觸區(qū)170還通過金屬內(nèi)連線而與影像感測元件120連接。影像感測元件120位于基底110與透光基板140之間所形成的空腔處。間隔材130設(shè)置于基底110上，并圍繞影像感測元件120設(shè)置。間隔材130的具體位置為位于接觸區(qū)170上方。間隔材130還用以連接基底110以及透光基板140?；?10至少包含有硅基板。間隔材130的材料可以為如光致抗蝕劑等有機(jī)材料。透光基板140可以為玻璃基板，以提供足夠的支撐與保護(hù)，并使光線得以進(jìn)入影像感測元件120之中。透光基板140與基底110之間具有空腔，影像感測元件120位于空腔之中。晶圓100還包含有光學(xué)構(gòu)件122。光學(xué)構(gòu)件122為形成于影像感測元件120的表面，以提升影像感測元件的成像品質(zhì)。光學(xué)構(gòu)件122可以為微透鏡陣列。圖1B中，包含在基底110形成導(dǎo)通孔180。導(dǎo)通孔180為形成于每一個(gè)間隔材130下方的基材110上，導(dǎo)通孔180為貫穿基底110，使得導(dǎo)通孔180的一端通往接觸區(qū)170，導(dǎo)通孔180可以經(jīng)由蝕刻的方式形成。本實(shí)施例中，每一個(gè)間隔材130下方形成有兩個(gè)導(dǎo)通孔 180。
[0042]接著，圖1B中還包含形成導(dǎo)體層172。導(dǎo)體層172為形成于導(dǎo)通孔180以及基底110上。導(dǎo)體層172可以通過物理或是化學(xué)氣相沉積的方式形成于導(dǎo)通孔180的側(cè)壁以及基底Iio的外表面114上。導(dǎo)體層172還與接觸區(qū)170連接。
[0043]圖1B中還包含形成封裝層190，封裝層190為設(shè)置于基底110的外表面114上。封裝層190可以為涂布于基底110上的綠漆(solder mask)。封裝層190上具有開口 192，以露出位于開口 192中的部分導(dǎo)體層172。封裝層190可以用以定義出導(dǎo)電的位置，并可保護(hù)位于其下的導(dǎo)體層172。
[0044]圖1B還包含形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)174。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)174形成于位于基底110的外表面114上并暴露于封裝層190的開口 192的導(dǎo)體層172上。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)174舉例而言可以為錫球。使得影像感測元件120通過接觸區(qū)170以及導(dǎo)體層172，與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)174電性連接。而后導(dǎo)電結(jié)構(gòu)174可以再與外部電路連接，使得影像感測元件120可以與外部電路電性連接。
[0045]接著，圖1C為切割晶圓100的基底110。切割晶圓100的基底110的步驟可以通過刀片切割或是激光切割的方式進(jìn)行?；?10具有面對透光基板140的一內(nèi)表面112以及與內(nèi)表面112相對的一外表面114。切割晶圓100的方向是從基底110的外表面114向內(nèi)表面112切割。切割基底110的位置大致為在對應(yīng)于間隔材130的位置進(jìn)行切割。更體地說，為沿著兩導(dǎo)通孔180之間切過基底110與間隔材130。晶圓100在透光基板140上還可貼附有膠帶150，膠帶150可以為UV膠帶。透光基板140具有面對基底110的一內(nèi)表面142以及與內(nèi)表面142相對的一外表面144。切割晶圓100的基底110與間隔材130的制程可以延續(xù)而后略微切入透光基板140的內(nèi)表面142，以形成應(yīng)力缺口 160于透光基板140的內(nèi)表面142上。應(yīng)力缺口 160的剖面形狀大致為V字形。
[0046]圖1D為施加壓力于透光基板140上，特別是在對應(yīng)于應(yīng)力缺口 160的位置下壓。更具體地說，壓力為施加于透光基板140上的膠帶150，并直接對應(yīng)于應(yīng)力缺口 160的位置。此步驟可以利用銳物或是鈍物等下壓工具162下壓膠帶150對應(yīng)于應(yīng)力缺口 160的位置，使得下壓的壓力傳遞至透光基板140，進(jìn)而使得玻璃材料的透光基板140從應(yīng)力缺口 160處，沿著晶格排列方向破片。
[0047]由于透光基板140非采用刀片切割或是激光切割的方式破片，因此，在斷面處會(huì)因晶格排列而呈現(xiàn)具有一定規(guī)律斷裂面116。其中斷裂面116自應(yīng)力缺口 160的V字形的頂端延伸，且應(yīng)力缺口 160的表面粗糙度不同于斷裂面116的表面粗糙度。在此步驟中，晶圓100可被分割為多個(gè)影像感測晶片封裝體200。
[0048]最后，圖1E為將影像感測晶片封裝體200自膠帶150上取下，以得到獨(dú)立的影像感測晶片封裝體200。膠帶150本身具有一定的延展性，因此，通過拉開膠帶150使其延展，便可加大各個(gè)影像感測晶片封裝體200之間的距離，以方便將其從膠帶150上取下。
[0049]參照圖2，其繪示圖1E中的影像感測晶片封裝體200的局部放大圖。影像感測晶片封裝體200包含有基底110、形成于基底110上的影像感測元件120、形成于基底110上并圍繞影像感測元件120的間隔材130，以及位于間隔材130上的透光基板140。透光基板140上具有應(yīng)力缺口 160，透光基板140自應(yīng)力缺口 160延伸的表面為斷裂面116。本實(shí)施例中，基底110與間隔材130鄰接應(yīng)力缺口 160的一側(cè)面為一垂直表面。
[0050]影像感測元件120形成于基底110上，并位于基底110與透光基板140之間所形成的空腔處。接觸區(qū)170形成于基底110上，位于間隔材130下方，接觸區(qū)170電性連接至影像感測元件120。導(dǎo)通孔180則是貫穿基底110，導(dǎo)通孔180的一端通往接觸區(qū)170。導(dǎo)體層172為形成于導(dǎo)通孔180以及基底110上。導(dǎo)體層172還與接觸區(qū)170連接。影像感測晶片封裝體200包含有封裝層190，封裝層190為設(shè)置于基底110的外表面114上。封裝層190可以為涂布于基底110上的綠漆(solder mask)。封裝層190上具有開口 192，以露出位于開口 192中的部分導(dǎo)體層172。封裝層190可以用以定義導(dǎo)電區(qū)塊，并可保護(hù)位于其下的導(dǎo)體層172。影像感測晶片200包含有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)174。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)174設(shè)置于位于基底110的外表面114上并外露于封裝層190的開口 192的導(dǎo)體層172，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)174舉例而言可以為錫球。使得影像感測元件120通過接觸區(qū)170以及導(dǎo)體層172，與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)174電性連接。而后導(dǎo)電結(jié)構(gòu)174可以再與外部電路連接，使得影像感測元件120可以與外部電路電性連接。
[0051]影像感測晶片封裝體200還包含有光學(xué)構(gòu)件122。光學(xué)構(gòu)件122為形成于影像感測元件120的表面，以提升影像感測元件的成像品質(zhì)。光學(xué)構(gòu)件122可以為微透鏡陣列。
[0052]由于應(yīng)力缺口 160是采用切割的方式形成，而斷裂面116是通過裂片的方式形成，因此，兩者會(huì)分別具有不同的表面粗糙度。又因?yàn)橥腹饣?40是用裂片的方式分離，相較于傳統(tǒng)采用刀片切割的方式，有效縮短所需要的時(shí)間、提升制程效率，并可降低切割工具磨損的成本。
[0053]參照圖3A至圖3G，其分別繪示本發(fā)明的影像感測晶片封裝體的制作方法第二實(shí)施例的流程示意圖。
[0054]圖3A為提供一晶圓300。晶圓300包含有一基底310、形成于基底310上的多個(gè)影像感測元件320與接觸區(qū)370、多個(gè)間隔材330以及一透光基板340。其中基底310可以為硅基板，影像感測元件320與接觸區(qū)370可以通過光刻制程形成于基底310上。接觸區(qū)370為導(dǎo)體材料，接觸區(qū)370還通過金屬內(nèi)連線而與影像感測元件320連接。間隔材330設(shè)置于基底310上，并圍繞影像感測元件320設(shè)置。間隔材330還用以連接基底310以及透光基板340?；?10至少包含有娃基板。間隔材330的材料可以為如光致抗蝕劑等有機(jī)材料。透光基板340可以為玻璃基板，以提供足夠的支撐與保護(hù)，并使光線得以進(jìn)入影像感測元件320之中。透光基板340與基底310之間具有空腔，影像感測元件320位于空腔之中。接觸區(qū)370位于間隔材330下方?；?10上還設(shè)置有光學(xué)構(gòu)件322。光學(xué)構(gòu)件322為形成于影像感測元件320的表面，以提升影像感測元件的成像品質(zhì)。光學(xué)構(gòu)件322可以為微透鏡陣列。圖3B為切割晶圓300的基底310。切割晶圓300的基底310的步驟可以通過治具裁切或是蝕刻方式進(jìn)行?；?10具有面對透光基板340的一內(nèi)表面312以及與內(nèi)表面312相對的一外表面314。切割晶圓300的方向是從基底310的外表面314向內(nèi)表面312切割。切割基底310的位置大致為在對應(yīng)于間隔材330的位置進(jìn)行切割。本實(shí)施例中，切割晶圓300的基底310的步驟為在基底310與間隔材330上形成多個(gè)梯形凹槽318。梯形凹槽318寬度較小的一端位于間隔材330上。晶圓300還可貼附有膠帶350，膠帶350可以為UV膠帶。接觸區(qū)370會(huì)外露于梯形凹槽318的表面。
[0055]圖3C為形成多個(gè)應(yīng)力缺口 360于晶圓300的透光基板340的表面上。透光基板340具有面對基底310的一內(nèi)表面342以及與內(nèi)表面342相對的一外表面344。應(yīng)力缺口360為形成在透光基板340的內(nèi)表面342上。形成應(yīng)力缺口 360的制程可以通過刀片切割或是激光切割的方式，使得應(yīng)力缺口 360形成于透光基板340的內(nèi)表面342上。應(yīng)力缺口360的剖面形狀大致為V字形。應(yīng)力缺口 360為切過梯形凹槽318的頂面。
[0056]圖3D為形成導(dǎo)體層372于基底310的外表面314以及梯形凹槽318的側(cè)壁上。導(dǎo)體層372還與接觸區(qū)370連接。導(dǎo)體層372與接觸區(qū)370連接處近似于T形。導(dǎo)體層372可以通過物理或是化學(xué)氣象沉積的方式形成于基底310的外表面314與梯形凹槽318的側(cè)壁上。部分的導(dǎo)體層372還填入應(yīng)力缺口 360中。
[0057]圖3E為在基底310的外表面314上涂布封裝層390。封裝層390可以為綠漆。封裝層390可用以保護(hù)導(dǎo)體層372并定義出導(dǎo)電區(qū)塊。封裝層390上具有多個(gè)開口 392，用以露出部分的導(dǎo)體層372。接著，多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)374形成于外露于封裝層390的開口 392的導(dǎo)體層372上，使得影像感測元件320通過接觸層370以及導(dǎo)體層372與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)374連接。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)374為用以與外部電路連接，通過接觸區(qū)370、導(dǎo)體層372以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)374溝通影像感測元件320與外部電路。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)374可以為錫球。
[0058]圖3F為施加壓力于透光基板340上，特別是在對應(yīng)于應(yīng)力缺口 360的位置下壓。更具體地說，壓力為施加于透光基板340上的膠帶350，并直接對應(yīng)于應(yīng)力缺口 360的位置。此步驟可以利用銳物或是鈍物等下壓工具362下壓膠帶350對應(yīng)于應(yīng)力缺口 360的位置，使得下壓的壓力傳遞至透光基板340，進(jìn)而使得玻璃材料的透光基板340從應(yīng)力缺口 360處，沿著晶格排列方向破片。由于透光基板340非采用刀片切割或是激光切割的方式破片，因此，在斷面處會(huì)因晶格排列而呈現(xiàn)具有一定規(guī)律的斷裂面316。其中斷裂面316自應(yīng)力缺口 360的V字形的頂端延伸，且應(yīng)力缺口 360的表面粗糙度不同于斷裂面316的表面粗糙度。在此步驟中，晶圓300可被分割為多個(gè)影像感測晶片封裝體400。
[0059]圖3G為將影像感測晶片封裝體400自膠帶350上取下，以得到獨(dú)立的影像感測晶片封裝體400。膠帶350本身具有一定的延展性，因此，通過拉開膠帶350使其延展，便可加大各個(gè)影像感測晶片封裝體400之間的距離，以方便將其從膠帶350上取下。
[0060]參照圖4，其繪示圖3G中的影像感測晶片封裝體400的局部放大圖。影像感測晶片封裝體400包含有基底310、形成于基底310上的影像感測元件320與接觸區(qū)370、形成于基底310上并圍繞影像感測元件320的間隔材330，以及位于間隔材330上的透光基板340。透光基板340上具有應(yīng)力缺口 360，透光基板340自應(yīng)力缺口 360延伸的表面為斷裂面316。本實(shí)施例中，基底310鄰接應(yīng)力缺口 360的一側(cè)面為一斜面380。間隔材330上具有凹槽332，以連接斜面380與應(yīng)力缺口 360。
[0061]影像感測晶片封裝體400包含導(dǎo)體層372以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)374。影像感測元件320形成于基底310上，并位于基底310與透光基板340之間所形成的空腔處。接觸區(qū)370形成于基底310上，位于間隔材330下方，接觸區(qū)370通過金屬內(nèi)連線連接至影像感測元件320。
[0062]導(dǎo)體層372為形成于基底310的外表面314、斜面380以及間隔材330的凹槽332上。導(dǎo)體層372可以通過物理或是化學(xué)氣相沉積的方式形成于基底310的外表面314、斜面380以及間隔材330的凹槽332上。導(dǎo)體層372還與接觸區(qū)370連接。
[0063]導(dǎo)電結(jié)構(gòu)374設(shè)置于位于基底310的外表面314上的導(dǎo)體層372,導(dǎo)電結(jié)構(gòu)372舉例而言可以為錫球。使得影像感測元件320通過接觸區(qū)370以及導(dǎo)體層372，與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)374電性連接。而后導(dǎo)電結(jié)構(gòu)374可以再與外部電路連接，使得影像感測元件320可以與外部電路電性連接。
[0064]影像感測晶片封裝體400包含有光學(xué)構(gòu)件322。光學(xué)構(gòu)件322為形成于影像感測元件320的表面，以提升影像感測元件的成像品質(zhì)。光學(xué)構(gòu)件322可以為微透鏡陣列。
[0065]影像感測晶片封裝體400包含有封裝層390，封裝層390為設(shè)置于基底310的外表面314上。封裝層390可以為涂布于基底310上的綠漆。封裝層390上具有開口 392，以露出位于開口 392中的部分導(dǎo)體層372，以及位于該部分導(dǎo)體層372上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)374。封裝層390可以避免導(dǎo)電結(jié)構(gòu)374彼此接觸而短路，并可保護(hù)位于其下的導(dǎo)體層372。
[0066]由于應(yīng)力缺口 160是采用切割的方式形成，而斷裂面116是通過裂片的方式形成，因此，兩者會(huì)分別具有不同的表面粗糙度。又因?yàn)橥腹饣?40是用裂片的方式分離，相較于傳統(tǒng)采用刀片切割的方式，有效縮短所需要的時(shí)間、提升制程效率，并可降低切割工具磨損的成本。
[0067]參照圖5A至圖5D，其分別繪示本發(fā)明的影像感測晶片封裝體的制作方法第三實(shí)施例的流程示意圖。
[0068]圖5A為提供一晶圓500。晶圓500包含有一基底510、形成于基底510上的多個(gè)影像感測元件520與接觸區(qū)570、多個(gè)間隔材530與一透光基板540。其中基底510可以為硅基板，影像感測元件520與接觸區(qū)570可以通過光刻制程形成于基底510上。接觸區(qū)570為導(dǎo)體。間隔材530設(shè)置于基底510上，并圍繞影像感測元件520設(shè)置。間隔材530還用以連接基底510以及透光基板540。接觸區(qū)570位于基底510上，接觸區(qū)570以及影像感測元件520分別位于間隔材530的兩側(cè)。
[0069]基底510至少包含有娃基板。間隔材530的材料可以為如光致抗蝕劑等有機(jī)材料。透光基板540可以為玻璃基板，以提供足夠的支撐與保護(hù)，并使光線得以進(jìn)入影像感測元件520之中。晶圓500還包含有膠帶550，基底510具有面對透光基板540的一內(nèi)表面512以及與內(nèi)表面512相對的一外表面514。膠帶550為粘附于基底510的外表面514。
[0070]透光基板540與基底510之間具有空腔，影像感測元件520位于部分的空腔之中，接觸區(qū)570位于另一部分的空腔之中。每一接觸區(qū)570分別通過金屬內(nèi)連線與鄰近的影像感測元件520連接。
[0071]基底510上還設(shè)置有光學(xué)構(gòu)件522。光學(xué)構(gòu)件522為形成于影像感測元件520的表面，以提升影像感測元件的成像品質(zhì)。光學(xué)構(gòu)件522可以為微透鏡陣列。
[0072]圖5B為形成多個(gè)應(yīng)力缺口 560于晶圓500的透光基板540的表面上。透光基板540具有面對基底510的一內(nèi)表面542以及與內(nèi)表面542相對的一外表面544。應(yīng)力缺口560為形成在透光基板540的外表面544上。形成應(yīng)力缺口 560的制程可以通過刀片切割或是激光切割的方式進(jìn)行。應(yīng)力缺口 560的剖面形狀大致為V字形。應(yīng)力缺口 560的位置為在透光基板540對應(yīng)于接觸區(qū)570的所述空腔的位置。應(yīng)力缺口 560的位置為位于間隔材530之外，即應(yīng)力缺口 560的位置不與間隔材530重疊。
[0073]圖5C為施加壓力于透光基板540上，特別是在應(yīng)力缺口 560的位置下壓。此步驟可以利用銳物或是鈍物等下壓工具562下壓于應(yīng)力缺口 560的位置，使得下壓的壓力穿透至透光基板540，進(jìn)而使得玻璃材料的透光基板540從應(yīng)力缺口 560處，沿著晶格排列方向破片。由于透光基板540非采用刀片切割或是激光切割的方式破片，因此，在斷面處會(huì)因晶格排列而呈現(xiàn)具有一定規(guī)律的斷裂面516。其中斷裂面516自應(yīng)力缺口 560的V字形的頂端延伸，且應(yīng)力缺口 560的表面粗糙度不同于斷裂面516的表面粗糙度。接觸區(qū)570上方被斷開的透光基板540可再被移除。
[0074]圖為切割晶圓500的基底510。切割晶圓500的基底510的步驟可以通過刀片切割或是激光切割的方式進(jìn)行。切割晶圓500的方向可以從基底510的內(nèi)表面512向外表面514切割。切割基底510的位置大致為切過相鄰兩接觸區(qū)570之間。在此步驟中，晶圓500可被分割為多個(gè)影像感測晶片封裝體600。之后，便可以將影像感測晶片封裝體600自膠帶550上取下，以得到獨(dú)立的影像感測晶片封裝體600。
[0075]參照圖6，其繪示圖中的影像感測晶片封裝體600的局部放大圖。影像感測晶片封裝體600包含有基底510、形成于基底510上的影像感測元件520、形成于基底510上并圍繞影像感測元件520的間隔材530、位于間隔材530上的透光基板540，以及形成于基底510上的接觸區(qū)570。透光基板540上具有應(yīng)力缺口 560，透光基板540自應(yīng)力缺口 560延伸的表面為斷裂面516。
[0076]影像感測元件520形成于基底510上，并位于基底510與透光基板540之間所形成的空腔處?；?10具有超出間隔材530的延伸段518，接觸區(qū)570設(shè)置于延伸段518上。接觸區(qū)570與影像感測元件520連接，接觸區(qū)570與影像感測元件520分別位于間隔材530的兩側(cè)。影像感測元件520通過接觸區(qū)570可以與外部電路電性連接。
[0077]影像感測晶片封裝體600包含有光學(xué)構(gòu)件522。光學(xué)構(gòu)件522為形成于影像感測元件520的表面，以提升影像感測元件的成像品質(zhì)。光學(xué)構(gòu)件522可以為微透鏡陣列。
[0078]由上述本發(fā)明較佳實(shí)施例可知，應(yīng)用本發(fā)明具有下列優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)在切割晶圓為多個(gè)影像感測晶片封裝體時(shí)，可以先在透光基板上形成應(yīng)力缺口，接著施加壓力于透光基板上，使得透光基板沿著應(yīng)力缺口的方向破片。又因?yàn)橥腹饣宓牟牧蠟椴Ａ?，因此在破片時(shí)會(huì)從應(yīng)力缺口的位置沿著晶格排列的方向裂開。相較于傳統(tǒng)使用刀片切割的方式，本發(fā)明可以有效減短切割時(shí)間、提升制程效率，以及減少材料損耗的成本。
[0079]以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種影像感測晶片封裝體，其特征在于，包含: 一基底; 一影像感測元件，形成于該基底； 一間隔材，設(shè)置于該基底上，并圍繞該影像感測元件；以及 一透光基板，設(shè)置于該間隔材上，該透光基板的一側(cè)具有一應(yīng)力缺口以及延伸自該應(yīng)力缺口的一斷裂面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1 所述的影像感測晶片封裝體，其特征在于，該應(yīng)力缺口的剖面形狀為V字形，該斷裂面自該V字形的頂端延伸，該應(yīng)力缺口的表面粗糙度不同于該斷裂面的表面粗糙度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像感測晶片封裝體，其特征在于，還包含一光學(xué)構(gòu)件，該光學(xué)構(gòu)件形成于該影像感測元件上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像感測晶片封裝體，其特征在于，該透光基板包含面對該基底的一內(nèi)表面以及與該內(nèi)表面相對的一外表面，該應(yīng)力缺口形成于該內(nèi)表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的影像感測晶片封裝體，其特征在于，還包含一膠帶，該膠帶貼附于該透光基板的該外表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的影像感測晶片封裝體，其特征在于，該基底與該間隔材鄰接該應(yīng)力缺口的一側(cè)面為一垂直表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的影像感測晶片封裝體，其特征在于，還包含: 一接觸區(qū)，形成于該基底上，該接觸區(qū)連接該影像感測元件； 一導(dǎo)通孔，貫穿該基底； 一導(dǎo)體層，形成于該導(dǎo)通孔的側(cè)壁與該基底的一外表面，并與該接觸區(qū)連接；以及 一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，設(shè)置于位于該基底的該外表面上的該導(dǎo)體層，使該影像感測元件通過該接觸區(qū)以及該導(dǎo)體層與該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的影像感測晶片封裝體，其特征在于，還包含一封裝層，該封裝層設(shè)置于該基底的該外表面上，且具有一開口，該開口露出部分的該導(dǎo)體層與該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的影像感測晶片封裝體，其特征在于，該基底鄰近該應(yīng)力缺口的一側(cè)面為一斜面，該間隔材包含連接該斜面與該應(yīng)力缺口的一凹槽。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的影像感測晶片封裝體，其特征在于，還包含: 一接觸區(qū)，形成于該基底上，該接觸區(qū)連接該影像感測元件； 一導(dǎo)體層，形成于該凹槽、該斜面與該基底的一外表面上，其中該接觸區(qū)接觸該導(dǎo)體層；以及 一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，設(shè)置于位于該基底的外表面上的部分該導(dǎo)體層，使該影像感測元件通過該接觸區(qū)及該導(dǎo)體層與該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的影像感測晶片封裝體，其特征在于，還包含一封裝層，該封裝層設(shè)置于該基底的該外表面上，且具有一開口，該開口露出部分的該導(dǎo)體層與該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像感測晶片封裝體，其特征在于，該透光基板包含面對該基底的一內(nèi)表面以及與該內(nèi)表面相對的一外表面，該應(yīng)力缺口形成于該外表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的影像感測晶片封裝體，其特征在于，該基底具有超出于該間隔材的一延伸段，該影像感測晶片封裝體還包含一接觸區(qū)，該接觸區(qū)設(shè)置于該延伸段上，并與該影像感測元件連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的影像感測晶片封裝體，其特征在于，該影像感測元件與該接觸區(qū)分別位于該間隔材的兩側(cè)。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的影像感測晶片封裝體，其特征在于，還包含一膠帶，該膠帶貼附于該基底的該外表面。
16.一種影像感測晶片封裝體的制作方法，其特征在于，包含: 提供一晶圓； 切割該晶圓的一基底； 形成多個(gè)應(yīng)力缺口于該晶圓的一透光基板的表面上；以及 施加壓力于該透光基板，使該透光基板沿所述應(yīng)力缺口破片，以使該晶圓分割為多個(gè)影像感測晶片封裝體。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的影像感測晶片封裝體的制作方法，其特征在于，提供一晶圓的步驟包含: 提供該基底； 形成多個(gè)影像感測元件于該基底上； 形成多個(gè)間隔材于該基底上，其中所述間隔材圍繞所述影像感測元件；以及 設(shè)置該透光基板于所述間隔材上，該透光基板與該基底之間具有多個(gè)空腔，所述影像感測元件分別位于所述空腔中。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的影像感測晶片封裝體的制作方法，其特征在于，切割該晶圓的一基底的步驟包含切割所述間隔材與該透光基板，以形成所述應(yīng)力缺口于該透光基材的表面。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的影像感測晶片封裝體的制作方法，其特征在于，還包含: 形成多個(gè)接觸區(qū)于該基底上，所述接觸區(qū)連接所述影像感測元件； 形成多個(gè)導(dǎo)通孔貫穿該基底，所述導(dǎo)通孔對應(yīng)于所述接觸區(qū)； 形成一導(dǎo)體層于該導(dǎo)通孔的側(cè)壁與該基底的一外表面上；以及 形成多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)于部分的該導(dǎo)體層上。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的影像感測晶片封裝體的制作方法，其特征在于，切割該晶圓的一基底的步驟包含形成多個(gè)梯形凹槽于該基底與該間隔材上。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的影像感測晶片封裝體的制作方法，其特征在于，還包含: 形成多個(gè)接觸區(qū)于該基底上，該接觸區(qū)連接所述影像感測元件； 形成一導(dǎo)體層于所述梯形凹槽的表面與該基底的一外表面上，所述接觸區(qū)接觸該導(dǎo)體層；以及 形成多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)于部分的該導(dǎo)體層上。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的影像感測晶片封裝體的制作方法，其特征在于，所述應(yīng)力缺口分別位于所述梯形凹槽上，部分的該導(dǎo)體層填入所述應(yīng)力缺口中。
23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的影像感測晶片封裝體的制作方法，其特征在于，提供一晶圓的步驟包含: 提供該基底；形成多個(gè)影像感測元件與多個(gè)接觸區(qū)于該基底上，所述接觸區(qū)連接至所述影像感測元件； 形 成多個(gè)間隔材于該基底上，其中所述間隔材圍繞所述影像感測元件；以及設(shè)置該透光基板于所述間隔材上，該透光基板與該基底之間具有多個(gè)空腔，其中部分的所述空腔容置有所述影像感測元件，另一部分的所述空腔中容置有所述接觸區(qū)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的影像感測晶片封裝體的制作方法，其特征在于，所述應(yīng)力缺口形成于該透光基板對應(yīng)于所述接觸區(qū)的位置處。
【文檔編號】H01L27/146GK103928478SQ201410012965
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年1月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月10日
【發(fā)明者】陳志豪, 樓百堯, 陳世光 申請人:精材科技股份有限公司