本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光器件(OLED)及一種照明設(shè)備。

背景技術(shù)：
一般而言，OLED依序包括基板、第一電極層、包括發(fā)光層的有機(jī)層、及第二電極層。在底部發(fā)光器件(bottomemittingdevice)的結(jié)構(gòu)中，該第一電極層可形成為透明電極層，并且該第二電極層可形成為反射電極層。再者，在頂部發(fā)光器件(topemittingdevice)的結(jié)構(gòu)中，第一電極層可形成為反射電極層，并且第二電極層可形成為透明電極層。通過兩電極層，分別注入電子(electron)與空穴(hole)，所注入的電子與空穴在發(fā)光層中重新結(jié)合(recombination)，導(dǎo)致產(chǎn)生光。該光線在底部發(fā)光器件中可向基板側(cè)發(fā)射，在頂部發(fā)光器件中向第二電極層發(fā)射。在OLED的結(jié)構(gòu)中，通常用作透明電極層的銦錫氧化物(ITO)、有機(jī)層，和通常由玻璃形成的基板的折射率分別約為2.0、1.8和1.5。在這樣的折射率關(guān)系中，例如，由于全內(nèi)反射(totalinternalreflection)現(xiàn)象，在底部發(fā)光器件的有機(jī)發(fā)光層中產(chǎn)生的光被有機(jī)層與第一電極層間的界面或基板所捕獲(trap)，且僅有極少量光發(fā)射出。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
目的本發(fā)明提供一種OLED及一種照明設(shè)備。解決方案本發(fā)明的示例性的OLED，可包括：電子注入電極層及空穴注入電極層。在OLED中，該電子注入電極層及該空穴注入電極層可彼此對置而配置，且有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)可存在于其間。該有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)可為包括至少一層的含功能性有機(jī)材料的層壓結(jié)構(gòu)。該有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)可包括低折射有機(jī)層。在此使用的術(shù)語“低折射有機(jī)層”可指包含有機(jī)化合物且整個層的折射率為1.7以下的層。此處使用的術(shù)語“折射率”除非另有定義，其可指相對于約550至633nm波長的光線的折射率。該有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)除低折射有機(jī)層外還包括發(fā)光層。該OLED可包括散射層。例如，該散射層可形成于與該電子或空穴注入電極層、特別是空穴注入電極層接觸或鄰接的一個表面。此處，與散射層接觸或鄰接的電極層的一個表面可為，與有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)接觸或鄰接的電極層表面的相對側(cè)表面。在一個實(shí)例中，該OLED還可包括基底層。在該基底層的頂部，形成一結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)中依序形成電子或空穴注入電極層、有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)及空穴或電子注入電極層。在此結(jié)構(gòu)中，散射層可配置于基底層和形成在該基底層頂部的電子或空穴注入電極層之間。圖1示出示例性的有機(jī)發(fā)光器件100的結(jié)構(gòu)，其中，在基底層105上依序形成空穴注入電極層101、有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)103及電子注入電極層102，且在該空穴注入電極層101及該基底層之間形成散射層104。該有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)103包括低折射有機(jī)層1031及發(fā)光層1032。作為該基底層，可依需要選擇合適的材料而無特別的限制。在一實(shí)例中，該OLED可為底部發(fā)光器件，且在此情況下，該基底層可為透明基底層，例如，相對于可見光區(qū)波長的光線的透光率為50、60、70、80或90％以上的基底層。作為該透明基底層，可使用玻璃基底層或者透明聚合物基底層。作為該玻璃基底層，可使用包括鈣鈉玻璃、含鋇/鍶玻璃、鉛玻璃、鋁硅酸鹽玻璃、硼硅酸鹽玻璃、鋇硼硅酸鹽玻璃或石英的基底層，并且作為該聚合物基底層，可使用包括聚碳酸酯(PC，polycarbonate)、丙烯酸樹脂、聚(對苯二甲酸乙二酯)(PET，poly(ethyleneterephthatle))、聚(醚硫醚)(PES，poly(ethersulfide))，或者聚砜(PS，polysulfone)的基底層，但本發(fā)明并不限于此。視需要，該基底層可為具有驅(qū)動薄膜電晶體(TFT)的驅(qū)動薄膜電晶體基板。該空穴注入電極層例如可使用具有相當(dāng)高的功函數(shù)(workfunction)的透明傳導(dǎo)材料而形成。例如，該空穴注入電極層可包括具有約4.0eV以上的功函數(shù)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物，或者包括至少其中兩種的混合物。此材料可為傳導(dǎo)性透明材料，例如，諸如金的金屬、CuI、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、ZnO、SnO2或In2O3。該空穴注入電極層可使用上述材料通過例如真空沉積法或者濺射法形成。該空穴注入電極層可具有10％以上的透光率，及幾百Ω/sq以下(例如100Ω/sq以下)的表面電阻(surfaceresistance)。該空穴注入電極層的厚度可依據(jù)透光率或表面電阻，但通?？蔀?0至150nm或10至200nm的范圍內(nèi)。該電子注入電極層可使用，例如，具有相對小的功函數(shù)的材料形成。作為此材料，可使用如鉀、鋰、鈉、鎂、鑭、銫、鈣、鍶、鋇、鋁、銀、銦、錫、鋅或鋯的金屬或者選自其中的兩種以上成分的合金，例如，鎂/銦合金、鎂/鋁合金、鋁/鋰合金、鋁/鈧/鋰合金、鎂/銀合金或鋁/鈣合金。該電子注入電極層例如可使用沉積法或?yàn)R射法等形成。在該示例性的OLED中，該電子和空穴注入電極層中，在基底層上形成的電極層可為透明電極層，并且在該有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)上形成的電極層可為反射電極層。該有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)至少包括低折射有機(jī)層及發(fā)光層。該低折射有機(jī)層可為包括有機(jī)化合物的層，例如，具有1.7以下、小于1.7、1.68以下、1.66以下、1.65以下、1.63以下、1.60以下、1.55以下或1.52以下的折射率的一層。此處，該低折射有機(jī)層的折射率的下限例如可為0.5或0.7或更高，但是并不特別限于此。在一實(shí)例中，該低折射有機(jī)層可與作為反射電極層而形成的電子或空穴注入電極層、例如作為反射電極層而形成的電子注入電極層接觸或鄰接而形成。在此位置形成的該低折射有機(jī)層，可通過與該散射層的有機(jī)相互作用而減小反射電極層的光吸收、和基于表面等離子體(surfacePlasmon)的漸逝耦合(evanescentcoupling)的影響，并增加該器件的光提取效率。當(dāng)與該低折射有機(jī)層接觸或相鄰的電極為電子注入電極層時，包含在該低折射有機(jī)層中的有機(jī)化合物可為電子接受有機(jī)化合物(electronacceptingcompound)。包含該電子接受有機(jī)化合物的該低折射有機(jī)層可作為電子注入層、電子傳輸層，或電子注入/傳輸層。作為該電子接受有機(jī)化合物，可使用已知任意的化合物而無特別的限制。作為這樣的有機(jī)化合物，可使用：芳族胺化合物，例如4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯基胺(4,4’,4”-tri(N-carbaolyl)triphenylamine)等；多環(huán)化合物，如對三聯(lián)苯(P-terphenyl)或四聯(lián)苯(quaterphenyl)，或其衍生物；多環(huán)烴化合物，如萘(naphthalene)、并四苯(tetracene)、芘(pyrene)、暈苯(coronene)、(chrysene)、蒽(anthracene)、二苯蒽(diphenylanthracene)、稠四苯(naphthacene)或菲(phenanthrene)，或其衍生物；或者雜環(huán)化合物，如啡咯啉(phenanthroline)、紅菲咯啉(bathophenanthroline)、啡啶(phenanthridine)、吖啶(acridine)、喹啉(quinoline)、喹喔啉(quinoxaline)、或吩嗪(phenazine)，或其衍生物。此外，熒光素(fluoroceine)、苝(perylene)、酞苝(phthaloperylene)、萘苝(naphthaloperylene)、苝酮(perynone)、酞苝酮(phthaloperynone)、萘苝酮(naphthaloperynone)、二苯基丁二烯(diphenylbutadiene)、四苯基丁二烯(tetraphenylbutadiene)、噁二唑(oxadiazole)、醛連氮(aldazine)、二苯并噁唑啉(bisbenzoxazoline)、聯(lián)苯乙烯(bisstyryl)、吡嗪(pyrazine)、環(huán)戊二烯(cyclopentadiene)、8-羥基喹啉(oxine)、氨基喹啉(aminoquinoline)、亞胺(imine)、二苯乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑(diaminocarbazole)、吡喃(pyrane)、噻喃(thiopyrane)、聚甲炔(polymethine)、部花青素(merocyanine)、喹吖啶酮(quinacridone)、紅熒烯(rubrene)，或其衍生物；于日本專利公開號第1988-295695號、日本專利公開號第1996-22557號、日本專利公開號第1996-81472號、日本專利公開號第1993-009470號、日本專利公開號第1993-017764號公開的金屬螯合配合物，例如所述配合物具有至少一種作為配體的金屬螯合8-羥基喹啉化合物(metalchelatedoxinoidcompounds)如：8-羥基喹啉化合物，包括：三(8-羥基喹啉)鋁[tris(8-quinolinolato)aluminium]、雙(8-羥基喹啉)鎂、雙[苯并(f)-8-羥基喹啉]鋅{bis[benzo(f)-8-quinolinolato]zinc}、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁、三(8-羥基喹啉)銦[tris(8-quinolinolato)indium]、三(5-甲基-8-羥基喹啉)鋁、8-羥基喹啉鋰、三(5-氯-8-羥基喹啉)鎵、雙(5-氯-8-羥基喹啉)鈣，及其衍生物；于日本專利公開號第1993-202011號、日本專利公開號第1995-179394號、日本專利公開號第1995-278124號或日本專利公開號第1995-228579號公開的噁二唑(oxadiazole)化合物；于日本專利公開號第1995-157473號公開的三嗪(triazine)化合物；于日本專利公開號第1994-203963號公開的茋類(stilbene)衍生物；二苯乙烯基亞芳(distyrylarylene)衍生物；于日本專利公開號第1994-132080號或日本專利公開號第1994-88072號公開的苯乙烯基衍生物；于日本專利公開號第1994-100857號或日本專利公開號第1994-207170號公開的二烯烴衍生物；熒光增白劑，如苯并噁唑(benzooxazole)化合物、苯并噻唑(benzothiazole)化合物，或苯并咪唑(benzoimidazole)化合物；二苯乙烯基苯(distyrylpyrazine)化合物，如1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)苯、1,4-雙(3-甲基苯乙烯基)苯、1,4-雙(4-甲基苯乙烯基)苯、二苯乙烯基苯、1,4-雙(2-乙基苯乙烯基)苯、1,4-雙(3-乙基苯乙烯基)苯、1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)-2-甲基苯或1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)-2-乙基苯；二苯乙烯基吡嗪化合物，如2,5-雙(4-甲基苯乙烯基)吡嗪、2,5-雙(4-乙基苯乙烯基)吡嗪、2,5-雙[2-(1-萘基)乙烯基]吡嗪、2,5-雙(甲氧基乙烯基)吡嗪、2,5-雙[2-(4-聯(lián)苯基)乙烯基]吡嗪或2,5-雙[2-(1-芘基l)乙烯基]吡嗪；二甲基啶(dimethylidine)化合物或其衍生物，如1,4-亞苯基二甲基啶、4,4’-亞苯基二甲基啶、2,5-二甲苯二甲基啶、2,6-亞萘基二甲基啶、1,4-亞聯(lián)苯基二甲基啶、1,4-對-亞苯基二甲基啶、9,10-蒽二基二甲基啶(9,10-anthracenediyldimethylidine)，或4,4’-(2,2-二-叔-丁基苯基)聯(lián)苯、4,4’-(2,2-聯(lián)苯基乙烯基)聯(lián)苯等；于日本專利公開號第1994-49079號或日本專利公開號第1994-293778號公開的硅烷胺(silanamine)衍生物；于日本專利公開號第1994-279322號或日本專利公開號第1994-279323號公開的多官能苯乙烯基化合物；于日本專利公開號第1994-107648號或日本專利公開號第1994-092947號公開的噁二唑衍生物；于日本專利公開號第1994-206865號公開的蒽化合物；于日本專利公開號第1994-145146號公開的oxynate衍生物；如日本專利公開號第1992-96990號公開的四苯基丁二烯化合物；如日本專利公開號第1991-296595號公開的有機(jī)三官能化合物；于日本專利公開號第1990-191694號公開的香豆素(coumarin)衍生物；于日本專利公開號第1990-196885號公開的苝衍生物；于日本專利公開號第1990-255789號公開的萘衍生物；如日本專利公開號第1990-289676號或日本專利公開號第1990-88689號公開的酞苝酮(phthaloperynone)衍生物；或如日本專利公開號第1990-250292號公開的苯乙烯基胺衍生物，上述化合物被用作包含于低折射層的電子接受有機(jī)化合物。該有機(jī)化合物通常具有1.7至1.8的折射率。為維持包含此有機(jī)化合物的低折射有機(jī)層較低的折射率，該低折射有機(jī)層除該有機(jī)化合物外還可包含具有低折射率的材料(下文稱為低折射材料)。作為此低折射材料，例如，可使用具有1.6以下折射率的材料。低折射材料的折射率的下限例如可為0.5或0.7或更高，但不特別限于此。作為該材料，可使用選自氟化鋰(LiF)、氟化鎂(MgF)、氟化鉀(KF)、氟化鈉(NaF)、氟化鋁(AlF3)、氟化鋇(BaF2)、氟化鈹(BeF2)、氟化鎘(CdF2))、氟化鈣(CaF2)、氟化銫(CsF)、氟化釷(ThF4)、氟化釔(YF3)、二氯化鐵(FeCl2)、氧化釩(V2O5)及Na5Al3F14錐冰晶石(Chiolite)中的一種或兩種以上的混合物。只要控制低折射有機(jī)層使得其具有上述范圍的折射率，對包含于該低折射有機(jī)層中的低折射材料的含量無特別限制。在一實(shí)例中，基于包含于該低折射有機(jī)層內(nèi)的有機(jī)化合物為100重量份計，低折射材料的含量可為150重量份以下、140重量份以下、130重量份以下、120重量份以下、110重量份以下或100重量份以下。此處使用的“重量份”單位除非另有特別定義，其指成分之間的重量比。通過該低折射有機(jī)層的折射率來確定低折射材料比例的下限，因此無特別限制。如上所述，例如，可以通過使用有機(jī)化合物及低折射材料的共沉積方法來形成包含該有機(jī)化合物及上文所述的該低折射材料的低折射有機(jī)層。該低折射有機(jī)層可具有例如15nm以上、18nm以上、20nm以上、30nm以上、40nm以上、50nm以上、55nm以上、60nm以上、65nm以上或70nm以上的厚度。在此范圍內(nèi)，可使器件的衰退效果最小化，并且使光提取效率最大化。對該低折射有機(jī)層的厚度上限無特別的限制。例如，該低折射有機(jī)層可具有150nm以下、100nm以下或85nm以下的厚度。該發(fā)光層例如可使用本技術(shù)領(lǐng)域熟知的各種熒光或磷光有機(jī)材料而形成。該發(fā)光層也可通過使用如上所述的電子接受有機(jī)化合物、或者選自下述的電子供給有機(jī)化合物的表現(xiàn)出發(fā)光特性的適當(dāng)?shù)姆N類來形成。該發(fā)光層的材料可為，例如：Alq系材料，如三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(III)(tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(III))(Alg3)、4-MAlq3或Gaq3等；環(huán)戊二烯(cyclopenadiene)衍生物，如C-545T(C26H26N2O2S)、DSA-胺、TBSA、BTP、PAP-NPA、螺-FPA、Ph3Si(PhTDAOXD)、1,2,3,4,5-五苯基-1，3-環(huán)戊二烯(PPCP，1,2,3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene)、4,4’-雙(2,2’-二苯基乙烯基)-1,1’-聯(lián)苯(DPVBi，4,4'-bis(2,2'-diphenylyinyl)-1,1'-biphenyl)、二苯乙烯基苯或其衍生物；或者4-(二氰基亞甲基)-2-叔-丁基-6-(1,1,7,7,-四甲基久洛尼定-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB，4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran)、DDP、AAAP或NPAMLI；或磷光材料(phosphorescentmaterial)，如Firpic、m-Firpic、N-Firpic、bon2Ir(acac)、(C6)2Ir(acac)、bt2Ir(acac)、dp2Ir(acac)、bzq2Ir(acac)、bo2Ir(acac)、F2Ir(bpy)、F2Ir(acac)、op2Ir(acac)、ppy2Ir(acac)、tpy2Ir(acac)、面式-三[2-(4,5’-二氟苯基)吡啶-C’2,N]銥(III)(FIrppy，fac-tris[2-(4,5'-difluorophenyl)pyridine-C'2,N]iridium(III))或雙(2-(2’-苯并[4,5-a]噻吩基)吡啶-N,C3’)銥(乙酰丙酮)(Btp2Ir(acac)，bis(2-(2'-benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3')iridium(acetylactonate))，但并不限于此。該發(fā)光層可包含作為主體(host)的材料，并包含主體摻雜體系(Host-Dopantsystem)，所述主體摻雜體系包括作為摻雜劑的苝(perylene)、二苯乙烯基聯(lián)苯(distyrylbiphenyl)、DPT、喹吖啶酮(quinacridone)、紅熒烯(rubrene)、BTX、ABTX，或DCJTB等。該有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)可以包括本領(lǐng)域已知的其他層而以各種形式存在，只要該有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)至少包含該低折射有機(jī)層和該發(fā)光層。例如，當(dāng)該低折射有機(jī)層包含電子接受有機(jī)化合物而作為電子傳輸層時，作為可進(jìn)一步包含于該有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)中的層，可以列舉出空穴注入層(HIL，HoleInjectingLayer)、空穴傳輸層(HTL，HoleTransportingLayer)、電子注入層(EIL，ElectronInjectingLayer)，或空穴阻擋層(HBL，HoleBlockingLayer)等。此處，該空穴注入層例如可為與該空穴注入電極層接觸而進(jìn)一步包含的層，以協(xié)助空穴從該電極層順利地注入至該有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)內(nèi)。此外，該空穴傳輸層例如可存在于該發(fā)光層及該空穴注入電極層之間，并且具有與該發(fā)光層的最高占據(jù)分子軌道(HOMO，highestoccupiedmolecularorbital)相比更高水平的HOMO，從而協(xié)助空穴的順利傳輸。舉例而言，該空穴注入或空穴傳輸層可包含電子供給有機(jī)化合物(electrondonatingorganiccompound)。作為電子供給有機(jī)化合物，可使用N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基苯基、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-4,4’-二氨基聯(lián)苯、2,2-雙(4-二-對-甲苯基氨基苯基)丙烷、N,N,N’,N’-四-對-甲苯基-4,4’-二氨基聯(lián)苯、雙(4-二-對-甲苯基氨基苯基)苯基甲烷、N,N’-二苯基-N,N’-二(4-甲氧基苯基)-4,4’-二氨基聯(lián)苯、N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基二苯醚、4,4’-雙(二苯基氨基)四苯[4,4'-bis(diphenylamino)quadriphenyl]、4-N,N-二苯基氨基-(2-二苯基乙烯基)苯、3-甲氧基-4’-N,N-二苯基氨基苯乙烯基苯、N-苯基咔唑、1,1-雙(4-二-對-三氨基苯基)環(huán)己烷、1,1-雙(4-二-對-三氨基苯基)-4-苯基環(huán)己烷、雙(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷、N,N,N-三(對-甲苯基)胺、4-(二-對-甲苯基氨基)-4’-[4-(二-對-甲苯基氨基)苯乙烯基]茋、N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基聯(lián)苯N-苯基咔唑、4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]聯(lián)苯、4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]對-三聯(lián)苯、4,4’-雙[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、4,4’-雙[N-(3-苊基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、1,5-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘、4,4’-雙[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯苯基氨基]聯(lián)苯、4,4’-雙[N-(1-蒽基)-N-苯基氨基]-對-三聯(lián)苯、4,4’-雙[N-(2-菲基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、4,4’-雙[N-(8-熒蒽基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、4,4’-雙[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、4,4’-雙[N-(2-苝基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、4,4’-雙[N-(1-暈苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(4,4'-bis[N-(1-coronenyl)-N-phenylamino]biphenyl)、2,6-雙(二-對-甲苯基氨基)萘、2,6-雙[二-(1-萘基)氨基]萘、2,6-雙[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘、4,4”-雙[N,N-二(2-萘基)氨基]三聯(lián)苯、4,4-雙{N-苯基-N-[4-(1-萘基)苯基]氨基}聯(lián)苯、4,4’-雙[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]聯(lián)苯、2,6-雙[N,N-二-(2-萘基)氨基]氟或4,4”-雙(N,N-二-對-甲苯基氨基)三聯(lián)苯，或芳胺類化合物，如雙(N-1-萘基)(N-2-萘基)胺，但本發(fā)明不限于此。該空穴注入層或空穴傳輸層可通過在聚合物中分散該有機(jī)化合物，或也可以使用由該有機(jī)化合物衍生的聚合物而形成。此外，也可使用π-共軛聚合物(π-conjugatedpolymers)如聚對苯乙炔及其衍生物，空穴傳輸非共軛聚合物如聚(N-乙烯基咔唑)或聚硅烷的σ-共軛聚合物。該空穴注入層可使用導(dǎo)電聚合物例如金屬酞菁(如銅酞菁)或非金屬酞菁、碳層及聚苯胺來形成，或者通過將芳胺化合物作為氧化劑與Lewis酸反應(yīng)而形成。該電子注入層作為協(xié)助電子自電極層注入有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)的層，需要時也可與該電子注入電極層接觸而進(jìn)一步包含。可使用已知材料如LiF或CsF形成該電子注入層。該空穴阻擋層可為能夠通過阻止從該空穴注入電極層注入的空穴穿過該發(fā)光層到達(dá)該電子注入電極層而增強(qiáng)該器件的生命周期和效率的層，當(dāng)需要時，可使用已知材料在該發(fā)光層及該電子注入電極層之間的適當(dāng)部位形成。該有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)可以以各種結(jié)構(gòu)形成。例如，當(dāng)?shù)驼凵溆袡C(jī)層作為電子傳輸層時，該有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)可包含：發(fā)光層及低折射有機(jī)層；發(fā)光層、低折射有機(jī)層及電子注入層；空穴傳輸層、發(fā)光層及低折射有機(jī)層；空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層及低折射有機(jī)層；空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層及低折射有機(jī)層；空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層及低折射有機(jī)層；空穴傳輸層、發(fā)光層、低折射有機(jī)層及電子注入層；或空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、低折射有機(jī)層及電子注入層，其為自該空穴注入電極層依序形成，但本發(fā)明不限于此。當(dāng)需要時，該有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)可具有包含兩層以上的發(fā)光層的結(jié)構(gòu)。包含兩層以上的發(fā)光層的該結(jié)構(gòu)可包括被具有電荷產(chǎn)生特性的中間電極層分開的兩層以上的發(fā)光層，或電荷產(chǎn)生層(CGL，ChargeGeneratingLayer)存在于該有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)內(nèi)的適當(dāng)位置，但本發(fā)明不限于此。該OLED也可包含散射層。該散射層可為通過與該低折射有機(jī)層的相互作用而增加該器件的光提取效率的層，并且只要其用于使入射的光散射，就可使用任何已知材料和結(jié)構(gòu)而形成該散射層。在一實(shí)例中，該散射層可為包含散射顆粒的層。圖2示例性顯示了在基底層105上形成包含散射顆粒301的散射層的形態(tài)。圖2的該散射層包含散射顆粒301及粘合劑302。此處使用的術(shù)語“散射顆?！崩缈芍?，具有與用于形成該散射層的粘合劑或之后描述的平坦化層不同的折射率的顆粒。該顆?？删哂?.0至3.5的折射率，例如，約1.0至2.0、1.2至1.8、或者約2.1至3.5，或2.2至3.0的折射率，且平均直徑約為50至20000或100至5000nm。該顆?？蔀榍蛐巍E圓形、多邊形或不定形，但本發(fā)明不特別限于此。該散射顆粒例如可包含：有機(jī)材料如聚苯乙烯或其衍生物、丙烯酸樹脂或其衍生物、硅樹脂或其衍生物，或酚醛樹脂或其衍生物，或無機(jī)材料如氧化硅、氧化鋁、氧化鈦或氧化鋯。該散射顆?？砂鲜霾牧现腥我环N，或其兩種以上的材料；或視需要可以核/殼型顆粒或中空型顆粒而形成。該散射層還可包含用于維持該散射顆粒的粘合劑。作為該粘合劑，例如作為可維持該散射層的材料，可使用相近的其他材料，例如具有與該基底層105相同折射率的材料。作為該粘合劑，例如，熱或光固化單體的、低聚的、或聚合的有機(jī)材料如聚酰亞胺、具有芴環(huán)的卡多樹脂(caldoresin)、氨基甲酸酯、環(huán)氧化合物、聚酯、或丙烯酸酯，或無機(jī)材料如二氧化硅、氮化硅(silicon)、氮氧化硅(siliconoxynitride)，或聚硅氧烷，或有機(jī)\無機(jī)復(fù)合材料。該散射層例如可為具有不平坦結(jié)構(gòu)的層。圖3示例性顯示具有不平坦結(jié)構(gòu)的散射層401形成于基底層105上。當(dāng)適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)該散射層的不平坦結(jié)構(gòu)時，可使入射的光散射。舉例來說，可通過涂布熱或光固化材料，并在固化或進(jìn)行蝕刻步驟期間與能夠轉(zhuǎn)印期望形狀的不平整結(jié)構(gòu)的模具接觸而固化該材料。在另一方法中，該散射層可通過將具有合適尺寸和形狀的顆粒混入用于形成該散射層的粘合劑而形成。在此情況下，該顆粒不需要為具有散射功能的顆粒，但是也可使用具有散射功能的顆粒。舉例來說，該散射層可通過如下方法形成：用濕式涂布法涂布材料，并施加熱或光輻射等，以溶膠-凝膠法、如化學(xué)氣相沉積(CVD，ChemicalVaporDeposition)法或物理氣相沉積(PVD，PhysicalVaporDeposition)法的沉積法或微壓印法固化該材料。該OLED還可包含形成于該散射層頂部的平坦化層。圖4和5示例性顯示進(jìn)一步包含平坦化層的OLED。圖4顯示了平坦化層501形成于具有圖2所示結(jié)構(gòu)的散射層上，且圖5顯示了平坦化層501形成于具有圖3所示結(jié)構(gòu)的散射層上。該平坦化層提供了可以在散射層上形成如空穴注入電極層等電極層的表面，根據(jù)情況，通過與散射層的相互作用可實(shí)現(xiàn)更優(yōu)良的光提取效率。該平坦化層例如可具有與相鄰的電極層相同的折射率，例如，約1.8至3.5或2.2至3.0。該平坦化層可例如通過將具有高折射率且平均直徑約為1至100、10至90、20至80、30至70、30至60或30至50nm的高折射顆粒與用于形成該平坦化層的粘合劑混合的方法而形成。作為該高折射顆粒，例如可使用氧化鋁、氧化鈦或氧化鋯。在一實(shí)例中，作為高折射顆粒，可使用氧化鈦，例如金紅石型(rutile-type)氧化鈦。該金紅石型氧化鈦可具有較之其它顆粒更高的折射率，因此，雖然用于形成平坦化層的材料中高折射顆粒的含量相對小，但是該平坦化層可具有高折射率。當(dāng)該高折射率顆粒在材料中的比例相對低時，可實(shí)現(xiàn)較高品質(zhì)的平坦化層。在另一實(shí)例中，也可使用由化合物如金屬(鋯、鈦或銫等)的烷氧化物或?；?acylate)等與具有極性基團(tuán)(如羧基或羥基等)的粘合劑混合制備的材料形成該平坦化層。烷氧化物或?；锏然衔锟膳c該粘合劑的極性基團(tuán)進(jìn)行縮合反應(yīng)，并提供金屬至粘合劑的主鏈，從而實(shí)現(xiàn)高折射率。烷氧化物或?；锏膶?shí)例可包括鈦烷氧化物(titaniumalkoxide)，如四-正-丁氧基鈦、四異丙氧基鈦、四-正-丙氧基鈦或四乙氧基鈦；?；?，如硬脂酸鈦；鈦螯合物；鋯烷氧化物，如四-正-丁氧基鋯、四-正-丙氧基鋯、四異丙氧基鋯或四乙氧基鋯；?；?，如三丁氧基硬脂酸鋯；或鋯螯合物。此外，作為具有極性基團(tuán)的粘合劑，可使用選自該散射層中描述的粘合劑種類中的適當(dāng)?shù)姆N類。此外，該平坦化層可如下形成：將金屬烷氧化物(如鈦烷氧化物或鋯烷氧化物等)與溶劑(如醇或水等)混合制備涂布溶液，在涂布該涂布溶液之后，在適當(dāng)?shù)臏囟认乱匀苣z-凝膠涂布法燒結(jié)該涂布溶液。該散射層或該平坦化層可具有比形成于其上的空穴或電子注入電極層更小的投影面積。該散射層或該散射層及平坦化層也可具有比該基底層更小的投影面積。此處所用的術(shù)語“投影面積”是指，當(dāng)從沿平行于該基板的表面的法線方向的上方或下方觀察該基板時，所確認(rèn)的目標(biāo)物的投影面積，例如，基底層、散射層或電極層的面積。據(jù)此，舉例而言，雖然因散射層的表面是以不平整的形態(tài)形成的，因此使散射層的實(shí)際表面積比電極層大，但當(dāng)從上方觀察該散射層所確認(rèn)到的面積比從上方觀察該電極層所確認(rèn)到的面積小時，就理解為該散射層具有比電極層更小的投影面積。當(dāng)該散射層具有比該基底層及該電極層更小的投影面積時，該散射層可以各種類型存在。舉例來說，如圖6所示，僅可在該基底層105邊緣之外的部分形成該散射層104，或者如圖7所示，該散射層104可部分地保留在基底層105的邊緣。圖8示例性顯示從上方觀察圖6的散射層。如圖8所示，當(dāng)從上方觀察該散射層時所確認(rèn)到的該電子或空穴注入電極層101的投影面積(A)比配置于其下方的散射層104的投影面積(B)大。該電極層101的投影面積(A)與該散射層的投影面積(B)的比值(A/B)可為，例如1.04以上、1.06以上、1.08以上、1.1以上或1.15以上。當(dāng)該散射層的投影面積小于該電極層的投影面積時，如下所述可以實(shí)現(xiàn)散射層未暴露于外部環(huán)境的結(jié)構(gòu)，投影面積比例(A/B)的上限無特別的限制。在考慮基板制造的一般環(huán)境下，該比值(A/B)的上限可為，例如約2.0、約1.5、約1.4、約1.3或約1.25。此處，在其上未形成有散射層的基底層頂部也可形成該電子注入或空穴注入電極層。該電子層可與該基底層接觸而形成，或者在電極層及該基底層之間包含另一組件。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)散射層沒有暴露在外部環(huán)境的結(jié)構(gòu)。例如，如圖8所示，該電子注入或空穴注入電極層可形成在如下區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域包含從上方觀察時散射層的全部周邊區(qū)域之外的區(qū)域。在此情況下，例如，如圖7所示，當(dāng)多個散射層104存在于該基底層上時，該電極層101形成在如下區(qū)域上，該區(qū)域包含散射層104中的至少一個散射層的全部周邊區(qū)域之外的區(qū)域，例如，所述散射層為至少在其頂部形成有有機(jī)層的散射層。例如，在圖7的結(jié)構(gòu)中，當(dāng)在存在于右側(cè)邊緣及左側(cè)邊緣的散射層的頂部形成有機(jī)層時，圖7的結(jié)構(gòu)可改變?yōu)殡姌O層形成在如下區(qū)域上的結(jié)構(gòu)，該區(qū)域是向左側(cè)和右側(cè)延伸而存在于右側(cè)邊緣及左側(cè)邊緣的散射層的周邊區(qū)域之外。在這種結(jié)構(gòu)中，當(dāng)將之后描述的封裝結(jié)構(gòu)粘附于在下方未形成有散射層的電極層時，可形成散射層沒有暴露在外部環(huán)境的結(jié)構(gòu)。據(jù)此，可防止外部濕氣或氧氣穿透該高折射層的滲入及類似行為，可穩(wěn)定地確保該封裝結(jié)構(gòu)或該電極與該基板之間的粘合強(qiáng)度，且可優(yōu)異地維持該器件邊緣的表面硬度。在用于形成該電極層的沉積或?yàn)R射步驟期間，例如，通過形成與所述散射層等相比具有更大投影面積的電極層而進(jìn)行投影面積的調(diào)節(jié)，需要時，移除該散射層和/或平坦化層的規(guī)定部分以進(jìn)行圖案化。該OLED可以適當(dāng)存在于封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)，以避免來自外部環(huán)境的濕氣或氧氣等。即，該OLED可進(jìn)一步包含用于保護(hù)該電極層及該有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)的封裝結(jié)構(gòu)。該封裝結(jié)構(gòu)例如可為，如玻璃罐或金屬罐的罐，或覆蓋該有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)的整個表面的膜。圖9示例性顯示進(jìn)一步包括如玻璃罐或金屬罐的罐型封裝結(jié)構(gòu)901作為用于保護(hù)電子注入電極層102及有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)103的封裝結(jié)構(gòu)的形態(tài)。如圖9所示，該封裝結(jié)構(gòu)901例如可通過粘合劑902粘附至空穴注入電極層101。該封裝結(jié)構(gòu)例如粘附至在下方不存在散射層104的空穴注入電極層101。例如，如圖9所示，通過該粘合劑902該封裝結(jié)構(gòu)901可粘附至存在于基底層105邊緣的電極層101。以此方法，可使基于該封裝結(jié)構(gòu)的保護(hù)效果最大化。該封裝結(jié)構(gòu)例如可為，用于覆蓋該有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)及該電子注入電極層的整個表面的膜。圖10顯示覆蓋有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)103及電子注入電極層的整個表面的示意性膜型封裝結(jié)構(gòu)1001。如圖10所示，例如，該膜型封裝結(jié)構(gòu)1001可具有，覆蓋有機(jī)層壓結(jié)構(gòu)103及該電極層102的整個表面，同時粘附至位于形成有散射層104及空穴注入電極層101的基底層105頂部的第二基板1002。于此，作為該第二基板1002，例如可使用玻璃基板、金屬基板、聚合物膜或阻擋層。舉例來說，膜型封裝結(jié)構(gòu)可以通過如下方式形成：涂布通過熱或紫外線(UV)輻射等來固化的、如環(huán)氧樹脂的液體材料，并固化所述液體材料，或者使用預(yù)先制成的粘合片將該基板與上層基板層疊，其中所述粘合片為使用環(huán)氧樹脂制成的膜狀粘合片。當(dāng)需要時，該封裝結(jié)構(gòu)可包括水分吸收劑或吸氣劑(getter)等，例如，如氧化鈣或氧化鈹?shù)慕饘傺趸?、如氯化鈣的金屬鹵化物，或五氧化二磷。例如，該水分吸收劑或吸氣劑可包含于該膜型封裝結(jié)構(gòu)的內(nèi)部，或者存在于罐型封裝結(jié)構(gòu)的規(guī)定位置。該封裝結(jié)構(gòu)還可包含阻擋膜或?qū)щ娔?。如圖9或10所示，該封裝結(jié)構(gòu)例如可粘附至，下方未形成有該散射層104的空穴注入電極層101頂部。據(jù)此，可實(shí)現(xiàn)該散射層等不暴露于外部環(huán)境的密封結(jié)構(gòu)。該密封結(jié)構(gòu)例如可指，該散射層的整個表面被該基底層、該電極層和/或該封裝結(jié)構(gòu)包圍，或被包含該基底層、該電極層和/或該封裝結(jié)構(gòu)的密封結(jié)構(gòu)包圍而不暴露于外部環(huán)境的狀態(tài)。該密封結(jié)構(gòu)可僅由該基底層、該電極層和/或該封裝結(jié)構(gòu)而形成，或者包含該基底層、該電極層、該封裝結(jié)構(gòu)及其他組件，例如，導(dǎo)電材料或中介層，只要該低折射層沒有暴露于外部環(huán)境即可。例如，在圖9或10中，在基底層105與該電極層101接觸的部分、或電極層101與該封裝結(jié)構(gòu)901或1001接觸的部分、或除此之外的位置，可以存在其他組件。作為該其他組件，可使用具有低滲水性的有機(jī)、無機(jī)或有機(jī)/無機(jī)復(fù)合材料，或者絕緣層或輔助電極層。本發(fā)明的另一方面提供OLED的用途。OLED可有效應(yīng)用于液晶顯示器(LCD，LiquidCrystalDisplay)的背光、照明裝置、感測器、印刷機(jī)、復(fù)印機(jī)的光源、汽車儀表的光源、信號光、指示燈、顯示裝置、用于平板發(fā)光裝置的光源、顯示器、裝飾或者其它種類的光源。在一個實(shí)例中，本發(fā)明涉及包含OLED的照明裝置。當(dāng)該OLED應(yīng)用于照明裝置或用于其他用途時，其他組成該裝置的元件或組成該裝置的方法無特別限制，但相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域悉知的所有任意材料或方法可拿來使用，只要它們是用于OLED即可。發(fā)明效果本發(fā)明的示例性O(shè)LED可使基于反射電極層的光吸收和表面等離子體的漸逝耦合最小化，并表現(xiàn)出優(yōu)異的發(fā)光效率。附圖的簡要說明圖1顯示該OLED示例性實(shí)施方案的示意圖。圖2及3顯示該散射層示例性實(shí)施方案的示意圖。圖4及5顯示形成有平坦化層的OLED的示例性實(shí)施方案的示意圖。圖6至8顯示OLED中的基底層、散射層及空穴注入電極層的示例性實(shí)施方案的示意圖。圖9及10顯示OLED的示例性實(shí)施方案的示意圖。附圖標(biāo)記說明100、200：有機(jī)發(fā)光器件101、102：電極層103：有機(jī)層疊結(jié)構(gòu)1031：低折射有機(jī)層1032：發(fā)光層105：基底層301：散射顆粒302：粘合劑104、401：散射層501：平坦化層示例性實(shí)施方案將參照實(shí)施例與比較例來詳細(xì)描述OLED，但OLED的范圍不限于以下實(shí)施例。實(shí)施例1將1g的聚合物珠(XX75BO，平均直徑：約3μm，Sekisui制)充分分散在10g的四甲氧基硅烷(tetramethoxysilane)中以制備溶膠-凝膠涂布溶液。之后，在玻璃基板上涂布已制備的涂布溶液并進(jìn)行了溶膠-凝膠反應(yīng)來形成散射層。接著，在散射層頂部涂布高折射涂布溶液，以及以如上述相同的方式進(jìn)行溶膠-凝膠反應(yīng)，形成具有約1.8的折射率的平坦化層，該高折射涂布溶液如下制備：將具有約10nm的平均直徑且折射率約為2.5的高折射氧化鈦顆粒以如上文所述相同的方式混入含有四甲氧基硅烷的溶膠-凝膠涂布溶液。之后，通過照射激光至所形成的層上以移除部分光散射層和平坦化層，這樣，使得剩余光散射層和平坦化層的位置對應(yīng)于接著形成的有機(jī)層的發(fā)光區(qū)域。移除之后，通過已知的濺射方法，在玻璃基板的整個表面上形成包含ITO(IndiumTinOxide)的空穴注入電極層以具有預(yù)定的厚度。之后，通過已知的沉積方法依序形成包含N-N′-二-[(1-萘基)-N,N’-二苯基]-1,1′-二苯基)-4,4′-二胺(α-NPD)(N-N′-Di-[(1-naphthyl)-N-N′-diphenyl]-1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine)的空穴注入層和發(fā)光層(4,4’,4”-三(N-咔唑基)-三苯胺(4,4’,4”-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine)(TCTA):Firpic,TCTA:Fir6)。然后，在發(fā)光層頂部，通過將電子傳輸化合物4,4’,4”-三(N-咔唑基)-三苯胺(TCTA,4,4’,4”-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine)與低折射材料LiF(折射率：約1.39)共沉積形成約70nm厚度的低折射有機(jī)層，以具有約1.66的整層的折射率。之后，通過真空沉積方法，在低折射有機(jī)層頂部形成作為電子注入折射電級的鋁(Al)電級來制造器件。之后，在Ar氣氛下，在手套箱中將封裝結(jié)構(gòu)粘附至該器件來制造了裝置。之后，移至大氣中，測量了半球(HalfMoon)的電流密度為3mAcm-2時的電壓-電流特性、亮度及效率。同時，在此，折射率為使用Nanoview公司制造的橢偏儀(ellipsometer)在約550nm的波長所測量的數(shù)值。比較例1以與實(shí)施例1相同的方法制造OLED，不同在于在發(fā)光層上形成僅由作為電子傳輸化合物的TCTA(4,4’,4”-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine)而構(gòu)成的層以具有約70nm的厚度來代替低折射有機(jī)層。比較例2以與實(shí)施例1相同的方法制造OLED，不同在于未形成散射層和平坦化層。比較例3以與實(shí)施例1相同的方法制造OLED，不同在于未形成散射層和平坦化層，并且在發(fā)光層上形成僅由作為電子傳輸化合物的TCTA(4,4’,4”-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine)而構(gòu)成的層以具有約70nm的厚度來代替低折射有機(jī)層。比較例4以與實(shí)施例1相同的方法制造OLED，不同在于在發(fā)光層上形成由作為電子傳輸化合物的TCTA與具有約1.79折射率的氧化釔(Y2O3)而構(gòu)成的共沉積層以具有約70nm的厚度來代替低折射有機(jī)層。比較例5以與實(shí)施例1相同的方法制造OLED，不同在于在發(fā)光層上形成僅由作為電子傳輸化合物的TCTA而構(gòu)成的層以具有約20nm的厚度來代替低折射有機(jī)層。表1顯示了關(guān)于實(shí)施例和比較例的性能評估結(jié)果。表1中，通過已知方法進(jìn)行了絕對量子效率(absolutequantumefficiency)的評估。表1驅(qū)動電壓(V)絕對量子效率(％)實(shí)施例12.748.1比較例12.830.6比較例22.719.2比較例32.716.5比較例43.229.1比較例52.520.1