光電轉(zhuǎn)換裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種光電轉(zhuǎn)換裝置及其制造方法。光電轉(zhuǎn)換裝置(10)具有依次層積p型半導(dǎo)體層(31)、i型半導(dǎo)體層(32)以及n型半導(dǎo)體層(33)的光電轉(zhuǎn)換層(3)。p型半導(dǎo)體層(31)由p型硅薄膜(311～313)形成。p型硅薄膜(311，312)利用在1MHz～50MHz的高頻功率上疊加100Hz～1kHz的低頻脈沖功率后的脈沖功率作為等離子體激發(fā)功率，以高頻功率的密度為100～300mW/cm2、等離子體處理中的壓力為300～600Pa、等離子體處理時(shí)的基板溫度為140～190℃的條件，沉積具有p型導(dǎo)電型的硅薄膜并且氮化而形成。而且，p型硅薄膜(313)利用上述條件進(jìn)行沉積。
【專利說明】光電轉(zhuǎn)換裝置及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及光電轉(zhuǎn)換裝置及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，作為將光能轉(zhuǎn)換為電能的光電轉(zhuǎn)換裝置，已知專利文獻(xiàn)i所述的光電轉(zhuǎn)換 >j_U P33 裝置。
[0003]該光電轉(zhuǎn)換裝置由至少具有一個(gè)光電轉(zhuǎn)換層的結(jié)構(gòu)形成，該光電轉(zhuǎn)換層是依次層 積含有硅原子的P型半導(dǎo)體層、i型半導(dǎo)體層、以及n型半導(dǎo)體層的pin結(jié)構(gòu)。
[0004]而且，P型半導(dǎo)體層含有0.001?10(原子％)的氮原子，具有晶硅相。由此，開 放電壓以及短路電流增加，能夠提高光電轉(zhuǎn)換效率。
[0005]此外，目前已知專利文獻(xiàn)2所述的光電轉(zhuǎn)換裝置。該光電轉(zhuǎn)換裝置由與 專利文獻(xiàn)1所述的光電轉(zhuǎn)換裝置相同的結(jié)構(gòu)形成，p型半導(dǎo)體層含有濃度為A(原 子％ )的氮原子和濃度為B (原子％ )的硼原子，濃度A及濃度B滿足0. 11 - 0. 99A+0· 042A2 < B < 0· 2+0. 2Α+0· 05A2的關(guān)系。由此，開放電壓以及短路電流增加，能夠 提高光電轉(zhuǎn)換效率。
[0006] 進(jìn)而，專利文獻(xiàn)3公開一種導(dǎo)電性氮化硅膜的制造方法。該導(dǎo)電性氮化硅膜的制 造方法包括：形成摻雜為η型或p型的微晶硅膜的第一步驟；對(duì)微晶硅膜照射含有氮的等 離子體而使微晶硅膜氮化，由此形成導(dǎo)電性氮化硅膜的第二步驟。在第一步驟中，在形成微 晶硅膜時(shí)所導(dǎo)入的原料氣的稀釋率為150以上、600以下。
[0007] 由此，能夠制作折射率低、且具有導(dǎo)電性的導(dǎo)電性氮化硅膜。而且，通過利用該導(dǎo) 電性氮化硅膜連接構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換裝置的兩個(gè)光電轉(zhuǎn)換層，能夠提高光電轉(zhuǎn)換效率。
[0008] 專利文獻(xiàn)1 :(日本）專利第4441298號(hào)公報(bào)
[0009] 專利文獻(xiàn)2 :(日本）專利第4215697號(hào)公報(bào)
[0010] 專利文獻(xiàn)3 :(日本）特開2011-19S920號(hào)公報(bào)
[0011] 在專利文獻(xiàn)1、2所述的ρ型半導(dǎo)體層的制作方法中，在ρ型半導(dǎo)體層的沉積工序 中使用氮（Ν2)氣作為原料氣，控制Ν2氣相對(duì)于硅烷（SiH4)氣的流量比，由此，控制ρ型半 導(dǎo)體層的膜中的氮含有濃度。
[0012] 但是，在基于用來制造大面積薄膜太陽(yáng)能電池的等離子體CVD(Chemical Vapour Deposition :化學(xué)氣相沉積）法的娃半導(dǎo)體層的沉積工序中，難以在光電轉(zhuǎn)換裝直的整個(gè) 面內(nèi)實(shí)現(xiàn)均勻的氮含有濃度。
[0013] 作為其原因，可以認(rèn)為是在專利文獻(xiàn)1、2所述的ρ型半導(dǎo)體層的制作方'法中，在電 極面積超過lm 2這樣的大面積等離子體CVD裝置中，難以在整個(gè)電極面積上確保面內(nèi)均勻 性來供給原料氣，而且由于電極面內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度的分布，難以確保N 2氣的分解能量的面內(nèi) 均勾性。
[0014] 而且，專利文獻(xiàn)3所述的導(dǎo)電性氮化硅膜滿足對(duì)于配置在兩個(gè)光電轉(zhuǎn)換層之間的 中間層所要求的特性，專利文獻(xiàn)3未公開相對(duì)于ρ型半導(dǎo)體層或η型半導(dǎo)體層來說、用來既 能提高開放電壓又能維持高填充因子（FF)的制造條件。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0015] 因此，本發(fā)明提供在大面積的光電轉(zhuǎn)換裝置中提高氮含有濃度的面內(nèi)均勻性、且 具有高轉(zhuǎn)換效率的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法。
[0016] 而且，本發(fā)明提供在大面積的光電轉(zhuǎn)換裝置中提高氮含有濃度的面內(nèi)均勻性、且 具有高轉(zhuǎn)換效率的光電轉(zhuǎn)換裝置。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，光電轉(zhuǎn)換裝置為具有將光能轉(zhuǎn)換為電能的光電轉(zhuǎn)換部的 光電轉(zhuǎn)換裝置，具有基板與第一及第二硅類半導(dǎo)體層。第一硅類半導(dǎo)體層配置在基板的上 方，并且構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換部，且具有p型導(dǎo)電型。第二硅類半導(dǎo)體層配置在基板的上方，并且 構(gòu)成光電轉(zhuǎn)換部，且具有η型導(dǎo)電型。而且，第一及第二硅類半導(dǎo)體層的至少一方形成為由 不含有氮原子的層從厚度方向夾住含有氮原子的層的結(jié)構(gòu)、或形成為由具有低于第一氮原 子濃度的第二氮原子濃度的層從厚度方向夾住具有第一氮原子濃度的層的結(jié)構(gòu)。
[0018] 而且，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法為通過等離子體CVD法 制造光電轉(zhuǎn)換裝置的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，包括：在基板的上方沉積具有Ρ型導(dǎo)電型 或η型導(dǎo)電型的第一硅類半導(dǎo)體層的第一等離子體處理工序、將激發(fā)了含有氮原子的原料 氣的等離子體向第一硅類半導(dǎo)體層照射的第二等離子體處理工序、將具有與第一硅類半導(dǎo) 體層相同的導(dǎo)電型的第二硅類半導(dǎo)體層在第一硅類半導(dǎo)體層上沉積的第三等離子體處理 工序，第二等離子體處理工序利用在1MHz?50MHz的高頻功率上疊加了 100Hz?1kHz的低 頻脈沖功率后的脈沖功率作為等離子體激發(fā)功率，高頻功率的密度為l〇〇mW/cm 2?300mW/ cm2,等離子體處理中的壓力為300Pa?600Pa，等離子體處理時(shí)的基板溫度為14(TC? 190。。。
[0019]本發(fā)明的實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置具有：具有ρ型導(dǎo)電型的第一硅類半導(dǎo)體層、 以及具有η型導(dǎo)電型的第二硅類半導(dǎo)體層，第一及第二硅類半導(dǎo)體層的至少一方形成為由 不含有氮原子的層從厚度方向夾住含有氮原子的層的結(jié)構(gòu)、或形成為由具有低于第一氮原 子濃度的第二氮原子濃度的層從厚度方向夾住具有第一氮原子濃度的層的結(jié)構(gòu)。
[0020]通過該結(jié)構(gòu)，因?yàn)椴恍枰^度提高作為導(dǎo)電型層整體的氮原子濃度，所以不會(huì)增 大串聯(lián)電阻，能夠提高開放電壓。而且，通過在氮低濃度層中嵌入氮高濃度層的結(jié)構(gòu)，容易 在大面積的基板整體上實(shí)現(xiàn)均勻地含有氮，作為結(jié)果，能夠在大面積的光電轉(zhuǎn)換裝置整體 上提高轉(zhuǎn)換效率。
[0021]而且，在本發(fā)明的實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法中，使用在1MHz?50MHz 的高頻功率上疊加了 100Hz?1kHz的低頻脈沖功率后的脈沖功率作為等離子體激發(fā)功率， 利用高頻功率的密度為100mW/cm2? 3〇OmW/cm2、等離子體處理中的壓力為300Pa?600Pa、 等離子體處理時(shí)的基板溫度為140°C?l 9〇°C的條件，沉積第一硅類半導(dǎo)體層，并且氮化第 一硅類半導(dǎo)體層，從而形成具有P型導(dǎo)電型或η型導(dǎo)電型的硅類半導(dǎo)體層。其結(jié)果為，使形 成具有Ρ型導(dǎo)電型或η型導(dǎo)電型的硅類半導(dǎo)體層時(shí)的放電在基板整個(gè)面內(nèi)均勻，并且能夠 提高氮?dú)獾姆纸獗嚷试陔姌O面內(nèi)的均勻性。
[0022]因此，在具有Ρ型導(dǎo)電型或η型導(dǎo)電型的硅類半導(dǎo)體層中，氮原子濃度的面內(nèi)均勻 性提高，在光電轉(zhuǎn)換裝置中抑制填充因子的降低,從而提高開放電壓。
[0023] 由此，能夠提高大面積的光電轉(zhuǎn)換裝置的轉(zhuǎn)換效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024] 圖1是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖；
[0025] 圖2是表示第一實(shí)施方式的其他光電轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖；
[0026] 圖3是表示太陽(yáng)能電池模塊的結(jié)構(gòu)的剖面圖；
[0027] 圖4是太陽(yáng)能電池模塊的立體分解圖；
[0028] 圖5是表示制造第一實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的等離子體裝置結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)圖；
[0029] 圖6是表示制造第一實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的其他等離子體裝置結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)圖」
[0030] 圖7是圖5所示的等離子體裝置以及圖6所示的等離子體裝置中的脈沖功率的示 意圖；
[0031] 圖8是表示制造圖3所示的太陽(yáng)能電池模塊的制造方法的第一工序圖；
[0032] 圖9是表示制造圖3所示的太陽(yáng)能電池模塊的制造方法的第二工序圖；
[0033] 圖10是表示圖8所示的工序（c)的詳細(xì)工序的第一工序圖；
[0034] 圖11是表示圖8所示的工序（c)的詳細(xì)工序的第二工序圖；
[0035] 圖12是表示開放電壓以及轉(zhuǎn)換效率的RF功率依賴性的示意圖；
[0036] 圖13是表示串聯(lián)電阻以及填充因子的RF功率依賴性的示意圖；
[0037]圖14是表示開放電壓以及轉(zhuǎn)換效率的成膜壓力依賴性的示意圖；
[0038]圖15是表示串聯(lián)電阻以及填充因子的成膜壓力依賴性的示意圖；
[0039]圖16是表示開放電壓以及轉(zhuǎn)換效率的基板溫度依賴性的示意圖；
[0040]圖17是表示串聯(lián)電阻以及填充因子的基板溫度依賴性的示意圖；
[0041] 圖18是表示開放電壓以及轉(zhuǎn)換效率的占空比依賴性的示意圖；
[0042] 圖19是表示串聯(lián)電阻以及填充因子的占空比依賴性的示意圖；
[0043] 圖2〇是表示開放電壓以及轉(zhuǎn)換效率的等離子體處理時(shí)間依賴性的示意圖；
[0044] 圖21是表示串聯(lián)電阻以及填充因子的等離子體處理時(shí)間依賴性的示意圖；
[0045] 圖22是表示氮濃度以及硼濃度在深度方向的分布的示意圖；
[0046]圖23是表示第二實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖；
[0047] 圖24是說明圖23所示的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法的第一工序圖；
[0048] 圖25是說明圖23所示的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法的第二工序圖；
[0049] 圖26是說明圖23所示的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法的第三工序圖；
[0050] 圖27是表示第二實(shí)施方式的其他光電轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖；
[0051] 圖28是表示圖27所示的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法的第一工序圖；
[0052] 圖29是表示圖27所示的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法的第二工序圖；
[0053] 圖30是表示圖27所示的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法的第三工序圖；
[0054] 圖31是表示圖27所示的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法的第四工序圖；
[0055] 圖32是表示圖27所示的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法的第五工序圖。

【具體實(shí)施方式】
[0056] 參照附圖，針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說明。另外，附圖中相同或相當(dāng)?shù)牟?分使用相同的標(biāo)記，不重復(fù)進(jìn)行說明。
[0057] 在該說明書中，所謂"非晶相"，是指硅（Si)原子等任意排列的狀態(tài)。而且，所謂 "微晶相"，是指在Si原子等的任意分布中粒徑為數(shù)nm?數(shù)百nm左右的Si等晶粒所存在 的狀態(tài)。進(jìn)而，雖然非晶硅標(biāo)記為"a-Si"，但該標(biāo)記表示含有氫⑻原子。對(duì)于非晶碳化硅 (a-SiC)、非晶氮化硅（a-SiN)、非晶硅鍺（a-SiGe)、非晶鍺（a-Ge)、微晶碳化硅（μ c-SiC)、 微晶氮化硅（μ c-SiN)、微晶硅（μ c-Si)、微晶硅鍺（μ c-SiGe)、以及微晶鍺（μ c-Ge)，也 同樣表不含有Η原子。
[0058] [第一實(shí)施方式]
[0059]圖1是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖。參照?qǐng)D1，本發(fā) 明第一實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置10具有：基板1、透明導(dǎo)電膜2、光電轉(zhuǎn)換層3、以及背面電 極4。
[0060] 光電轉(zhuǎn)換層3包括：Ρ型半導(dǎo)體層31、i型半導(dǎo)體層32、η型半導(dǎo)體層33。ρ型半 導(dǎo)體層31由ρ型娃薄膜311?313形成。
[0061] 透明導(dǎo)電膜2與基板1相接配置。
[0062] 光電轉(zhuǎn)換層3由在透明導(dǎo)電膜2上依次層積ρ型半導(dǎo)體層31、i型半導(dǎo)體層32、 以及η型半導(dǎo)體層33的結(jié)構(gòu)形成，與透明導(dǎo)電膜2相接配置。
[0063] Ρ型半導(dǎo)體層31與透明導(dǎo)電膜2相接配置。更具體地說，ρ型半導(dǎo)體層31的ρ型 硅薄膜311與透明導(dǎo)電膜2相接配置，ρ型硅薄膜312與ρ型硅薄膜311相接配置，ρ型硅 薄膜313與ρ型硅薄膜312相接配置。
[0064] i型半導(dǎo)體層32與Ρ型半導(dǎo)體層31的ρ型硅薄膜313相接配置，η型半導(dǎo)體層33 與i型半導(dǎo)體層32相接配置。
[0065] 背面電極4由透明導(dǎo)電膜與反射層的雙層結(jié)構(gòu)形成。而且，背面電極4的透明導(dǎo) 電膜與光電轉(zhuǎn)換層3的η型半導(dǎo)體層33相接配置，反射層與透明導(dǎo)電膜相接配置。
[0066] 基板1由絕緣性的玻璃形成、或在需要具有撓性的情況下由聚酰亞胺等樹脂形 成。
[0067] 透明導(dǎo)電膜2例如由：[T0(Indium Tin Oxide :氧化銦錫）、Sn02、Zn0等形成。
[0068] ρ 型硅薄膜 311、313 的各薄膜由 ρ 型 a-SiC、p 型 a_SiN、p 型 a_Si、p 型 a-SiGe、p 型 μ c_SiC、ρ 型 μ c_SiN、ρ 型 μ c-Si、ρ 型 μ c-SiGe 中的任一種形成。
[0069] ρ 型硅薄膜 312 由在 ρ 型 a-SiC、p 型 a_SiN、p 型 a-Si、p 型 a-SiGe、p 型 yc-SiC、 ρ型μ c-SiN、ρ型μ c-Si、ρ型μ c-SiGe的任一種中添加氮原子的物質(zhì)形成。另外，在ρ 型硅薄膜312由與ρ型硅薄膜311、313相同的ρ型a-SiN或ρ型μ c-SiN形成的情況下， P型硅薄膜312的氮濃度高于ρ型硅薄膜311、313的氮濃度。
[0070]因此，ρ型半導(dǎo)體層31形成為由不含有氮原子的層（ρ型硅薄膜311、313)從厚度 方向夾住含有氮原子的層（ρ型硅薄膜312)的結(jié)構(gòu)、或形成為由具有低于第一氮原子濃度 的第二氮原子濃度的層（P型硅薄膜 311、313)從厚度方向夾住具有第一氮原子濃度的層（ρ 型硅薄膜312)的結(jié)構(gòu)。
[0071] i 型半導(dǎo)體層 32 由 i 型 a-SiC、i 型 a-SiN、i 型 a-Si、i 型 a-SiGe、i 型 a-Ge、i 型 μ c-SiC、i 型 μ c-SiN、i 型 μ c-Si、i 型 μ c-SiGe、i 型 μ c-Ge 中的任一種形成。而且，i 型半導(dǎo)體層 32 在由 i 型 a-SiC、i 型 a-SiN、i 型 a-SiGe、i 型 μ c-SiC、i 型 μ c-SiN、i 型 μ c-SiGe中的任一種形成的情況下，光學(xué)能隙可以從光的入射側(cè)向背面?zhèn)戎饾u減小。
[0072] η 型半導(dǎo)體層 33 由 η 型 a_SiC、n 型 a-SiN、n 型 a_Si、n 型 a-SiGe、n 型 μ c-SiC、 1!型4(3-5丨1^、11型4(3-3;1、1!型4(3-5166中的任一種形成。
[0073]這樣，P型半導(dǎo)體層31、i型半導(dǎo)體層32以及n型半導(dǎo)體層33分別由硅類半導(dǎo)體 層形成。
[0074]而且，Ρ型半導(dǎo)體層31、i型半導(dǎo)體層32以及η型半導(dǎo)體層33可以由彼此相同的 硅類半導(dǎo)體層形成，也可以由彼此不同的硅類半導(dǎo)體層形成。例如可以由微晶硅形成ρ型 半導(dǎo)體層31及i型半導(dǎo)體層32,由非晶娃形成η型半導(dǎo)體層33?；蛘撸梢杂煞蔷蓟?形成Ρ型半導(dǎo)體層31，由微晶硅形成i型半導(dǎo)體層32,由非晶硅形成 η型半導(dǎo)體層33。 [0075]此外，i型半導(dǎo)體層32及η型半導(dǎo)體層33分別可以為單層結(jié)構(gòu)，也可以為多層結(jié) 構(gòu)。在i型半導(dǎo)體層 32及η型半導(dǎo)體層33分別由多層結(jié)構(gòu)形成的情況下，其多層結(jié)構(gòu)可 以由彼此相同的硅類半導(dǎo)體層形成，也可以由彼此不同的硅類半導(dǎo)體層形成。
[0076]構(gòu)成背面電極4的透明導(dǎo)電膜由n〇、Sn02、ZnO等形成。而且，構(gòu)成背面電極4的 透明導(dǎo)電膜可以由與透明導(dǎo)電膜2相同的材料形成，也可以由與透明導(dǎo)電膜2不同的材料 形成。
[0077]而且，構(gòu)成背面電極4的發(fā)射層由銀（Ag)、鋁（A1)等高反射率的金屬膜、或白色且 反射率較高的1102等形成。
[0078] 上述光電轉(zhuǎn)換裝置10的結(jié)構(gòu)為太陽(yáng)光從基板1側(cè)射入情況下的結(jié)構(gòu)，稱為超直型 結(jié)構(gòu)。
[0079] 光電轉(zhuǎn)換裝置10也可以是太陽(yáng)光從背面電極4側(cè)射入的亞直型結(jié)構(gòu)。在該情況 下，只要在基板1上形成反射電極來替代透明導(dǎo)電膜2,在反射電極上依次層積 n型半導(dǎo)體 層33、i型半導(dǎo)體層32以及ρ型半導(dǎo)體層31，在ρ型半導(dǎo)體層31上形成透明導(dǎo)電膜即可。
[0080] 圖2是表示第一實(shí)施方式的其他光電轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖。第一實(shí)施方式的 光電轉(zhuǎn)換裝置可以為圖2所示的光電轉(zhuǎn)換裝置10A。
[0081] 參照?qǐng)D2,光電轉(zhuǎn)換裝置10A是在圖1所示的光電轉(zhuǎn)換裝置10中添加光電轉(zhuǎn)換層 5的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)與光電轉(zhuǎn)換裝置10相同。
[0082]光電轉(zhuǎn)換層5配置在透明導(dǎo)電膜2與光電轉(zhuǎn)換層3之間。光電轉(zhuǎn)換層5由在透明 導(dǎo)電膜2上依次層積ρ型半導(dǎo)體層51、i型半導(dǎo)體層52及η型半導(dǎo)體層53的結(jié)構(gòu)形成。 [0083] Ρ型半導(dǎo)體層51與透明導(dǎo)電膜2相接配置，i型半導(dǎo)體層52與ρ型半導(dǎo)體層51 相接配置，η型半導(dǎo)體層53與i型半導(dǎo)體層52相接配置。
[0084] 而且，在光電轉(zhuǎn)換裝置10A中，ρ型半導(dǎo)體層31的ρ型硅薄膜311與光電轉(zhuǎn)換層5 的η型半導(dǎo)體層53相接配置。
[0085] Ρ 型半導(dǎo)體層 51 由 ρ 型 a-SiC、p 型 a-SiN、p 型 a-Si、p 型 a-SiGe、p 型 μ c-SiC、 p型μ c_SiN、p型μ c-Si、p型μ C-SiGe中的任一種形成。
[0086] i 型半導(dǎo)體層 52 由 i 型 a-SiC、i 型 a-SiN、i 型 a_Si、i 型 a-SiGe、i 型 a-Ge、i 型 μ c-SiC、i 型 μ c-SiN、i 型 μ c-Si、i 型 μ c-SiGe、i 型 μ c-Ge 中的任一種形成。而且，i 型半導(dǎo)體層 52 在由 i 型 a-SiC、i 型 a-SiN、i 型 a-SiGe、i 型 μ c-SiC、i 型 μ c-SiN、i 型 μ c-SiGe中的任一種形成的情況下，光學(xué)能隙可以從光的入射側(cè)向背面?zhèn)戎饾u減小。
[0087] η 型半導(dǎo)體層 53 由 η 型 a-SiC、n 型 a-SiN、n 型 a-Si、n 型 a_SiGe、n 型 μ c-SiC、 η型uc-SiN、n型yc-Si、n型yc-SiGe中的任一種形成。
[0088]這樣，P型半導(dǎo)體層51、i型半導(dǎo)體層52及η型半導(dǎo)體層53分別由娃類半導(dǎo)體層 形成。而且，Ρ型半導(dǎo)體層51、i型半導(dǎo)體層52及η型半導(dǎo)體層53與上述ρ型半導(dǎo)體層 31、i型半導(dǎo)體層32及η型半導(dǎo)體層33相同，可以由彼此相同的硅類半導(dǎo)體層形成，也可 以由彼此不同的硅類半導(dǎo)體層形成。
[0089] 此外，在光電轉(zhuǎn)換裝置10Α中，光電轉(zhuǎn)換層5的ρ型半導(dǎo)體層51也與ρ型半導(dǎo)體 層31相同，可以形成為由不含有氮原子的層從厚度方向夾住含有氮原子的層的結(jié)構(gòu)、或形 成為由具有低于弟一風(fēng)原子濃度的弟一風(fēng)原子濃度的層從厚度方向夾住具有第一氮原子 濃度的層的結(jié)構(gòu)。
[0090]在上面，針對(duì)具有一個(gè)光電轉(zhuǎn)換層3的光電轉(zhuǎn)換裝置10、以及具有兩個(gè)光電轉(zhuǎn)換 層3,5的光電轉(zhuǎn)換裝置10Α進(jìn)行了說明。但是，在第一實(shí)施方式中，不限于此，第一實(shí)施方 式的光電轉(zhuǎn)換裝置可以由在厚度方向上層積三個(gè)以上光電轉(zhuǎn)換層的結(jié)構(gòu)形成，通常至少具 有一個(gè)由pin結(jié)構(gòu)形成的光電轉(zhuǎn)換層，在至少一個(gè)光電轉(zhuǎn)換層中, ρ型半導(dǎo)體層及η型半導(dǎo) 體層的至少一方只要形成為由不含有氮原子的層從厚度方向夾住含有氮原子的層的結(jié)構(gòu) 即可、或者形成為由具有低于第一氮原子濃度的第二氮原子濃度的層從厚度方向夾住具有 第一氮原子濃度的層的結(jié)構(gòu)即可。
[0091]圖3是表示太陽(yáng)能電池模塊的結(jié)構(gòu)的剖面圖。參照?qǐng)D3,太陽(yáng)能電池模塊40具有： 基板41、透明導(dǎo)電膜42、光電轉(zhuǎn)換層43、背面電極44、電極48。
[0092] 基板41由與上述基板1相同的材料形成。
[0093]透明導(dǎo)電膜42在基板41的面內(nèi)方向上隔著分離槽45配置在基板41上，由與上 述透明導(dǎo)電膜2相同的材料形成。
[0094] 光電轉(zhuǎn)換層43以填埋分離槽45的方式配置在透明導(dǎo)電膜42上。在該情況下，光 電轉(zhuǎn)換層43在基板41的面內(nèi)方向上經(jīng)由接觸線46進(jìn)行配置。而且，光電轉(zhuǎn)換層43例如 由圖1所示的光電轉(zhuǎn)換層3或圖2所示的兩個(gè)光電轉(zhuǎn)換層3,5形成，通常由一個(gè)以上的光 電轉(zhuǎn)換層（具有pin結(jié)構(gòu)）形成。
[0095]背面電極44以填埋接觸線46的方式配置在光電轉(zhuǎn)換層43上。在該情況下，背面 電極44在基板41的面內(nèi)方向上隔著分離槽47進(jìn)行配置。而且，背面電極44由與上述背 面電極4相同的材料形成。
[0096]電極48配置在基板41的面內(nèi)方向上的兩端部的背面電極44上。
[0097] 在太陽(yáng)能電池模塊40中，一個(gè)光電轉(zhuǎn)換層43由透明導(dǎo)電膜42與背面電極44夾 著，背面電極44連接在與相鄰的光電轉(zhuǎn)換層43相接的透明導(dǎo)電膜42上。其結(jié)果為，太陽(yáng) 能電池模塊40由在基板41的面內(nèi)方向上串聯(lián)多層光電轉(zhuǎn)換層43的結(jié)構(gòu)形成，稱為所謂的 集成型太陽(yáng)能電池。而且，在太陽(yáng)能電池模塊40中，從兩個(gè)電極48取出光產(chǎn)生的光電流。 這樣，在太陽(yáng)能電池模塊40中，一組透明導(dǎo)電膜42、光電轉(zhuǎn)換層43及背面電極44由圖1所 示的光電轉(zhuǎn)換裝置10或圖2所示的光電轉(zhuǎn)換裝置ι 〇Α形成。
[0098] 圖4是太陽(yáng)能電池模塊的立體分解圖。參照?qǐng)D4,太陽(yáng)能電池模塊40進(jìn)而具有： 母線Ιδ?，152、引線1δ3,154、密封材料157、背面板158以及接線盒159。
[00"]母線Ιδ?與一個(gè)電極48電連接，母線152與另一個(gè)電極48電連接。
[0!00]引線I53與母線151電連接，引線154與母線152電連接。
[0101] 密封材料157具有與形成于背面板158的貫通孔158A相同的貫通孔。而且，將密 封材料157及背面板158層積、加熱并壓接在透明導(dǎo)電膜42、光電轉(zhuǎn)換層43、背面電極44、 電極4S、母線151，1δ2、以及引線153,154上。將接線盒159經(jīng)由貫通孔158A與引線153， 154的一端電連接。
[0102]圖5是表示制造第一實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的等離子體裝置結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)圖。
[0103] 參照?qǐng)D5,等離子體裝置1〇〇具有：腔體1〇1、陽(yáng)極102、陰極103、配管104、氣體供 給裝置105、排氣管106、閘閥107、真空泵108、阻抗匹配電路109、以及電源110。
[0104] 腔體101與接地電位GND電連接。陽(yáng)極102及陰極103具有平板狀，大致平行地 配置在腔體101內(nèi)。而且，陽(yáng)極102與接地電位GND電連接，陰極103與阻抗匹配電路109 連接。此外，陽(yáng)極102內(nèi)置加熱裝置，支承基板120。進(jìn)而，陰極103在陽(yáng)極102側(cè)的表面具 有用來向陽(yáng)極102與陰極103之間的放電區(qū)域供給原料氣的多個(gè)孔（未圖示）。并且，陽(yáng)極 102及陰極103的面積例如為1. 65m2。
[0105] 配管104的一端與氣體供給裝置105連接，另一端與陰極103連接。
[0106] 氣體供給裝置105與配管104連接。而且，氣體供給裝置105經(jīng)由配管104,向陰 極1〇 3的內(nèi)部供給硅烷（SiH4)氣、氮（N2)氣、氫（H2)氣、甲烷（CH 4)氣、乙硼烷（BA)氣以 及磷化氫（PH3)氣。
[0107] 排氣管106的一端與腔體101連接。閘閥107在腔體101側(cè)配置在排氣管106中。 真空泵108在閘閥107的下游測(cè)配置在排氣管106中。而且，作為真空泵108使用千式真 空泵。
[0108] 閘閥107將腔體101內(nèi)的壓力設(shè)定為希望的壓力。真空栗108經(jīng)由閘閥1〇7排放 腔體101內(nèi)的氣體。
[0109] 阻抗匹配電路109連接在陰極103與電源110之間。而且，阻抗匹配電路109調(diào) 節(jié)阻抗,使電源110所供給的功率的反射波最小，從而向陰極103供給功率。
[0110] 電源110向阻抗匹配電路109供給在頻率為1MHz?50MHz的高頻功率上疊加了 頻率為100Hz?1kHz的低頻脈沖后的脈沖功率。
[0111] 圖6是表示制造第一實(shí)施方式的光電轉(zhuǎn)換裝置的其他等離子體裝置結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)圖。
[0112] 參照?qǐng)D6,等離子體裝置100A具有：腔體131、陽(yáng)極132A?132D、陰極133A? 133D、配管134A?134D、氣體供給裝置135、排氣管136、閘閥137、真空泵138、阻抗匹配電 路139、以及電源140。
[0113] 腔體131與接地電位GND電連接。陽(yáng)極132A?132D及陰極133A?13邪具有平 板狀。陽(yáng)極132A及陰極133A大致平行地配置在腔體131內(nèi)，陽(yáng)極lMB及陰極1 33B大致 平行地配置在腔體131內(nèi)，陽(yáng)極132C及陰極133C大致平行地配置在腔體131內(nèi)，陽(yáng)極132D 及陰極133D大致平行地配置在腔體131內(nèi)。
[0114] 而且，陽(yáng)極132A?132D與接地電位GND電連接，陰極133A?133D與阻抗匹配電 路139連接。此外，陽(yáng)極132A?132D內(nèi)置加熱裝置，分別支承基板121?124。進(jìn)而，陰極 133A在與陽(yáng)極132A相對(duì)的表面具有用來向陽(yáng)極132A與陰極13說之間的放電區(qū)域供給原 料氣的多個(gè)孔（未圖示），陰極133B在與陽(yáng)極132B相對(duì)的表面具有用來向陽(yáng)極132B與陰 極133B之間的放電區(qū)域供給原料氣的多個(gè)孔（未圖示），陰極133C在與陽(yáng)極132C相對(duì)的 表面具有用來向陽(yáng)極132C與陰極13%之間的放電區(qū)域供給原料氣的多個(gè)孔（未圖示），陰 極133D在與陽(yáng)極132D相對(duì)的表面具有用來向陽(yáng)極132〇與陰極1：33D之間的放電區(qū)域供給 原料氣的多個(gè)孔（未圖示）。并且，陽(yáng)極132A?132D及陰極133A? 133D的面積例如為 1. 65m2。
[0115] 配管134A連接在氣體供給裝置135與陰極IMA之間，配管134B連接在氣體供 給裝置135與陰極133B之間，配管1 34C連接在氣體供給裝置1：35與陰極1：33C之間，配管 134D連接在氣體供給裝置135與陰極133D之間。
[0116] 氣體供給裝置135與配管134A?134D連接。而且，氣體供給裝置135經(jīng)由配管 134A?134D，分別向陰極133A?13邪的內(nèi)部供給SiH 4氣、N2氣、H2氣、CH4氣、B2H 6氣以及 PH3 氣。
[0117] 排氣管136的一端與腔體131連接。閘閥137在腔體131側(cè)配置在排氣管I36中。 真空栗138在閘閥137的下游測(cè)配置在排氣管136中。而且，真空栗138使用千式真空栗。
[0118] 閘閥137將腔體131內(nèi)的壓力設(shè)定為希望的壓力。真空泵138經(jīng)由閘閥137排放 腔體131內(nèi)的氣體。
[0119] 阻抗匹配電路139連接在陰極133A?133D與電源140之間。而且，阻抗匹配電路 139調(diào)節(jié)阻抗，使電源140供給的功率的反射波最小，從而向陰極133A?133D供給功率。
[0120] 電源140向阻抗匹配電路139供給在頻率為1MHz?50MHz的高頻功率上疊加了 頻率為100Hz?1kHz的低頻脈沖后的脈沖功率。
[0121] 這樣，等離子體裝置100A通過一個(gè)電源140向四個(gè)陰極133A?133D供給脈沖功 率。
[0122] 圖7是圖5所示的等離子體裝置100以及圖6所示的等離子體裝置100A中的脈 沖功率的示意圖。
[0123] 參照?qǐng)D7,電源110,140產(chǎn)生低頻脈沖功率LP及高頻功率RF，并且在高頻功率RF 上疊加所產(chǎn)生的低頻脈沖功率LP，生成脈沖功率PP，分別向阻抗匹配電路109,139供給所 生成的脈沖功率PP。
[0124] 低頻脈沖功率LP具有100Hz?1kHz的頻率，高頻功率RF具有1MHz?50MHz的 頻率。其結(jié)果為，脈沖功率PP由在100Hz?1kHz的頻率上間歇出現(xiàn)高頻功率的功率形成。 [0 125]圖8及圖9分別是表示制造圖3所示的太陽(yáng)能電池模塊40的制造方法的第一及 第二工序圖。
[0126]另外，在圖8及圖9中，以太陽(yáng)能電池模塊40的光電轉(zhuǎn)換層43由圖2所示的兩個(gè) 光電轉(zhuǎn)換層5,3形成，基板41、透明導(dǎo)電膜42、p型半導(dǎo)體層51、i型半導(dǎo)體層52、n型半導(dǎo) 體層53、P型半導(dǎo)體層 31、i型半導(dǎo)體層32、η型半導(dǎo)體層33及背面電極44由以下材料形 成的情況為例，說明太陽(yáng)能電池模塊40的制造方法。而且，將配置在光入射側(cè)的光電轉(zhuǎn)換 層5定義為頂層，將光電轉(zhuǎn)換層 3定義為底層。
[0127]基板41由絕緣性的玻璃形成，透明導(dǎo)電膜42由Sn02形成。ρ型半導(dǎo)體層51由ρ 型a-SiC形成，p型摻雜劑為硼（B)。i型半導(dǎo)體層52由i型a- Si形成。η型半導(dǎo)體層53 由在η型a-Si上層積η型μ c-Si的雙層結(jié)構(gòu)（η型a-Si/n型 μ c_Si)形成，η型摻雜劑 為磷（Ρ)。
[0128]而且，Ρ型半導(dǎo)體層31由ρ型μ c-Si形成，ρ型摻雜劑為Β。在此，ρ型硅薄膜 311，313的各薄膜由ρ型μ C-Si形成，p型硅薄膜312由p型 μ c-SiN形成。i型半導(dǎo)體 層32由i型μ c-Si形成。η型半導(dǎo)體層33由在η型a-Si上層積η型μ c-Si的雙層結(jié)構(gòu) (η型a-Si/n型μ c-Si)形成，η型摻雜劑為P。
[0129] 進(jìn)而，背面電極44由透明導(dǎo)電膜與反射層的雙層結(jié)構(gòu)形成，透明導(dǎo)電膜由Ζη0形 成，反射層由Ag形成。
[0130] 如果開始制造太陽(yáng)能電池模塊40,則在基板41上形成由Sn02形成的透明導(dǎo)電膜 42(參照?qǐng)D8的工序（a))。在該情況下，基板41的尺寸例如為lOOOmmX 1400_。
[0131] 然后，從基板41側(cè)向透明導(dǎo)電膜42照射激光，在透明導(dǎo)電膜42上形成分離槽 45(參照?qǐng)D8的工序（b))。在該情況下，分離槽4δ例如以10mm的間距形成。而且，激光由 YAG激光的第二諧波（波長(zhǎng)：532nm)或YV04(Yttrium Orthovanadate)激光的第二諧波（波 長(zhǎng)：532nm)形成。
[0132] 工序（b)之后，將光電轉(zhuǎn)換層5及光電轉(zhuǎn)換層3通過等離子體CVD法依次層積在 透明導(dǎo)電膜42上，以填埋分離槽45的方式形成光電轉(zhuǎn)換層4 3(參照?qǐng)D8的工序（c))。
[0133] 然后，從基板41側(cè)向光電轉(zhuǎn)換層43照射激光，在光電轉(zhuǎn)換層43上形成分離槽 49 (參照?qǐng)D8的工序（d))。在該情況下，分離槽49例如以10mm的間距形成。而且，激光使 用上述激光。
[0134] 工序（d)之后，通過濺射法在光電轉(zhuǎn)換層43上沉積由ZnO形成的透明導(dǎo)電膜，接 著，通過濺射法在透明導(dǎo)電膜上沉積由Ag形成的反射層，以填埋分離槽49的方式形成背 面電極44(參照?qǐng)D8的工序（e))。在該情況下，透明導(dǎo)電膜（=ZnO)的膜厚例如為40? lOOnm，反射層（=Ag)的膜厚例如為50?200nm。由于形成背面電極44,分離槽49成為 接觸線46。
[0135] 工序（e)之后，從基板41側(cè)向光電轉(zhuǎn)換層43及背面電極44照射激光，在光電轉(zhuǎn) 換層4 3及背面電極44形成分離槽47 (參照?qǐng)D9的工序（f))。在該情況下，分離槽47例如 以10mm的間距形成。
[0136] 之后，從基板41側(cè)向透明導(dǎo)電膜42、光電轉(zhuǎn)換層43及背面電極44照射激光，除 去基板41周緣部的透明導(dǎo)電膜42、光電轉(zhuǎn)換層43及背面電極44,形成剪裁區(qū)域（參照?qǐng)D 9的工序（g))。
[0137] 然后，在基板41的面內(nèi)方向的兩端部，在背面電極44上形成電極48(參照?qǐng)D9的 工序（h))。之后，如上所述，將母線151，152與電極48電連接，將引線153,154分別與母線 151,152電連接，層積、加熱并壓接密封材料157及背面板158,將接線盒159與引線153， 154連接，從而完成太陽(yáng)能電池模塊40。
[0138] 太陽(yáng)能電池模塊40的集成層數(shù)被接觸線46分離的光電轉(zhuǎn)換層43的串聯(lián)數(shù)） 例如為45層。
[0139]圖10及圖11分別為表示圖8所示的工序（c)的詳細(xì)工序的第一及第二工序圖。 [0140]另外，雖然圖10及圖11表示在一個(gè)透明導(dǎo)電膜42上形成光電轉(zhuǎn)換層43的工序 圖，但實(shí)際上，光電轉(zhuǎn)換層43形成在被分離槽45分離的多個(gè)透明導(dǎo)電膜42上。
[0141]而且，表1表示用來形成P型半導(dǎo)體層51、i型半導(dǎo)體層52、n型半導(dǎo)體層53、p型 半導(dǎo)體層31、i型半導(dǎo)體層32及η型半導(dǎo)體層33的原料氣的流量。
[0142] [表 1]
[0143]

【權(quán)利要求】
1. 一種光電轉(zhuǎn)換裝置，為具有將光能轉(zhuǎn)換為電能的光電轉(zhuǎn)換部的光電轉(zhuǎn)換裝置； 其特征在于，具有：基板； 將所述基板作為支承基體而形成，且構(gòu)成所述光電轉(zhuǎn)換部的硅類半導(dǎo)體層； 所述硅類半導(dǎo)體層具有：具有P型導(dǎo)電型的第一硅類半導(dǎo)體層； 具有η型導(dǎo)電型的第二硅類半導(dǎo)體層； 具有i型導(dǎo)電型的第三硅類半導(dǎo)體層； 所述第一硅類半導(dǎo)體層以及所述第二硅類半導(dǎo)體層的至少一方形成為由不含有氮原 子的層從厚度方向夾住含有氮原子的層的結(jié)構(gòu)、或形成為由具有低于第一氮原子濃度的第 二氮原子濃度的層從厚度方向夾住具有所述第一氮原子濃度的層的結(jié)構(gòu)。
2. 如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述基板具有：作為所述光電轉(zhuǎn)換 部的支承基體的絕緣性支承體； 與所述絕緣性支承體相接而配置在所述絕緣性支承體上的透明導(dǎo)電膜。
3. 如權(quán)利要求2所述的光電轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述絕緣性支承體由透光性基板 形成； 所述透明導(dǎo)電膜配置在所述透光性基板與所述第一硅類半導(dǎo)體層之間。
4. 如權(quán)利要求2所述的光電轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述絕緣性支承體由非透光性基 板形成； 所述透明導(dǎo)電膜配置在所述非透光性基板與所述第二硅類半導(dǎo)體層之間。
5. 如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述基板由硅基板形成； 所述第一硅類半導(dǎo)體層相對(duì)于所述硅基板，配置在與所述第二硅類半導(dǎo)體層相反的一 側(cè)。
6. 如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述基板由硅基板形成； 所述第一硅類半導(dǎo)體層配置在所述硅基板的一側(cè)； 所述第二硅類半導(dǎo)體層在所述硅基板的面內(nèi)方向上與所述第一硅類半導(dǎo)體層相鄰而 配置。
7. -種光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，為通過等離子體CVD法制造光電轉(zhuǎn)換裝置的光電轉(zhuǎn) 換裝置的制造方法； 其特征在于，包括：在基板的上方沉積具有P型導(dǎo)電型或η型導(dǎo)電型的第一硅類半導(dǎo)體 層的第一等離子體處理工序； 將激發(fā)了含有氮原子的原料氣而產(chǎn)生的等離子體向所述第一硅類半導(dǎo)體層照射的第 二等離子體處理工序； 將具有與所述第一硅類半導(dǎo)體層相同的導(dǎo)電型的第二硅類半導(dǎo)體層沉積在所述第一 硅類半導(dǎo)體層上的第三等離子體處理工序； 所述第二等離子體處理工序利用在1MHz?50MHz的高頻功率上疊加100Hz?1kHz的 低頻脈沖功率后的脈沖功率作為等離子體激發(fā)功率，所述高頻功率的密度為lOOmW/cm2? 300mW/cm 2,等離子體處理工序中的壓力為300Pa?600Pa，等離子體處理時(shí)的基板溫度為 140°C ?190°C。
8. 如權(quán)利要求7所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，所述低頻脈沖的占空 比為(λ 1?〇· 5。
9. 如權(quán)利要求7或8所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，所述第二等離子體 處理工序中的等離子體照射時(shí)間為5?60秒。
10. 如權(quán)利要求7至9中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，所述第 一等離子體處理工序至所述第三等離子體處理工序在同一個(gè)處理室內(nèi)進(jìn)行。
11. 如權(quán)利要求7至10中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，所述第 一等離子體處理工序至所述第三等離子體處理工序在相同的處理壓力下進(jìn)行。
12. 如權(quán)利要求7至11中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，所述第 一硅類半導(dǎo)體層以及所述第二硅類半導(dǎo)體層為微晶硅半導(dǎo)體層。
13. 如權(quán)利要求7至12中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，所述第 一等離子體處理工序以及所述第三等離子體處理工序?yàn)槌练e具有P型導(dǎo)電型的硅類半導(dǎo) 體層的工序。
14. 如權(quán)利要求7至13中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，在通過 所述第一等離子體處理工序至所述第三等離子體處理工序沉積具有P型導(dǎo)電型的硅類半 導(dǎo)體層后，進(jìn)而具有沉積具有本征導(dǎo)電型的微晶硅的第四等離子體處理工序。
15. 如權(quán)利要求7至14中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，利用 所述第一等離子體處理工序至所述第三等離子體處理工序而制造的、具有P型導(dǎo)電型層的 pin型光電轉(zhuǎn)換部在同一個(gè)處理室內(nèi)進(jìn)行制造。
16. 如權(quán)利要求7至15中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，實(shí)施所 述等離子體處理工序的處理室具有被供給等離子體激發(fā)功率的一對(duì)陰極與陽(yáng)極； 對(duì)于一個(gè)光電轉(zhuǎn)換部，所述陰極與陽(yáng)極的尺寸為lm2?3m2。
17. 如權(quán)利要求7至16中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，其特征在于，實(shí)施所 述等離子體處理工序的處理室具有多對(duì)陰極與陽(yáng)極； 一個(gè)電源向多對(duì)所述陰極與陽(yáng)極供給所述等離子體激發(fā)功率。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK104285304SQ201380024434
【公開日】2015年1月14日 申請(qǐng)日期:2013年4月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月10日
【發(fā)明者】西村和仁, 奈須野善之, 本多真也, 山田隆 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社