技術(shù)編號(hào)：7038248
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種。光電轉(zhuǎn)換裝置(10)具有依次層積p型半導(dǎo)體層(31)、i型半導(dǎo)體層(32)以及n型半導(dǎo)體層(33)的光電轉(zhuǎn)換層(3)。p型半導(dǎo)體層(31)由p型硅薄膜(311～313)形成。p型硅薄膜(311，312)利用在1MHz～50MHz的高頻功率上疊加100Hz～1kHz的低頻脈沖功率后的脈沖功率作為等離子體激發(fā)功率，以高頻功率的密度為100～300mW/cm2、等離子體處理中的壓力為300～600Pa、等離子體處理時(shí)的基板溫度為140～190℃的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。