技術(shù)特征：
1.一種成像裝置(400)，包括：探測(cè)器陣列(412)，其具有至少一個(gè)探測(cè)器片塊(418)，所述探測(cè)器片塊包括：光傳感器陣列(422)，其具有定位于非光敏感區(qū)(426)內(nèi)的個(gè)體光敏感探測(cè)器像素(424)的二維陣列；讀出電子器件(432)，其耦合到所述光傳感器陣列并且包括分別針對(duì)所述個(gè)體光敏感探測(cè)器像素中的每個(gè)的個(gè)體讀出溝道阱(602、604)；以及針對(duì)探測(cè)器像素的抗混疊濾波器(800)，所述抗混疊濾波器(800)定位于所述探測(cè)器像素的所述個(gè)體讀出溝道阱的區(qū)域中。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置，其中，所述抗混疊濾波器的幾何結(jié)構(gòu)近似等于或小于探測(cè)器像素的幾何結(jié)構(gòu)。3.根據(jù)權(quán)利要求1至2中的任一項(xiàng)所述的成像裝置，其中，所述讀出電子器件的幾何結(jié)構(gòu)近似等于或小于所述探測(cè)器像素的幾何結(jié)構(gòu)。4.根據(jù)權(quán)利要求1至2中的任一項(xiàng)所述的成像裝置，其中，所述讀出電子器件包括：多個(gè)金屬層(802)，其中，所述抗混疊濾波器定位于所述讀出電子器件的所述多個(gè)金屬層中。5.根據(jù)權(quán)利要求1至2中的任一項(xiàng)所述的成像裝置，其中，所述抗混疊濾波器定位于對(duì)應(yīng)的讀出溝道阱中。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的成像裝置，其中，所述抗混疊濾波器包括兩個(gè)電容器。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的成像裝置，其中，所述抗混疊濾波器包括由絕緣體分隔的兩個(gè)導(dǎo)電電極。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成像裝置，其中，所述兩個(gè)導(dǎo)電電極中的每個(gè)的大約十分之一形成所述電容器中的一個(gè)電容器，并且所述兩個(gè)導(dǎo)電電極中的每個(gè)的大約十分之九形成所述電容器中的另一個(gè)電容器。9.根據(jù)權(quán)利要求1至2中的任一項(xiàng)所述的成像裝置，其中，所述光傳感...