透光性導(dǎo)電圖案部件及使用了其的透光性電磁屏蔽·天線部件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供通過(guò)金屬圖案部自身具有透光性而難以見(jiàn)到金屬圖案部、減少波紋、衍射導(dǎo)致的散射、且兼具充分的導(dǎo)電性的透光性導(dǎo)電圖案部件。通過(guò)具備使用含有氮原子的化合物構(gòu)成的基底層、使用銀或以銀為主要成分的合金而在上述基底層上的至少一部分上設(shè)置的具有透光性的導(dǎo)電圖案部的具有透光性的導(dǎo)電圖案部件來(lái)達(dá)到。
【專(zhuān)利說(shuō)明】透光性導(dǎo)電圖案部件及使用了其的透光性電磁屏蔽?天線 部件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及導(dǎo)電部自身也具有透光性的透光性導(dǎo)電圖案部件、及其制造方法、進(jìn) 而使用了其的透光性電磁屏蔽部件、透光性頻率選擇性電磁波屏蔽部件、透光性天線部件、 觸摸面板。

【背景技術(shù)】
[0002] 透光性導(dǎo)電圖案部件，在例如等離子體顯示面板的電磁波屏蔽等中得到利用。
[0003] 進(jìn)而，因最近的無(wú)線環(huán)境的擴(kuò)展，為了維持無(wú)線數(shù)據(jù)的安全、或者為了防止利用 了維持通信品質(zhì)的、例如多個(gè)的IC標(biāo)記時(shí)的混臺(tái)等，嘗試對(duì)窗玻璃、處理帶有IC標(biāo)記的 商品的收銀機(jī)間、商品分類(lèi)道的透明分離板附加電磁波屏蔽功能。在單純的屏蔽中，連 手機(jī)、公共無(wú)線的電波也屏蔽了，因此可頻率選擇性地進(jìn)行電磁波屏蔽的FSS (Frequency Selective Surface)正備受關(guān)注。FSS的特征在于在基材表面形成根據(jù)要屏蔽的電磁波的 頻率的導(dǎo)電性的獨(dú)立圖案。該圖案在面內(nèi)不連續(xù)地接合，因此表面電阻變高，但為了反射電 磁波，各自的圖案自身需要高的導(dǎo)電性。
[0004] 另外，透光性導(dǎo)電圖案部件可作為電視、收音機(jī)、無(wú)線LAN的透明接收天線而利 用，例如可在窗玻璃上附加這樣的透明接收天線。進(jìn)而，如果在非接觸IC卡的天線、無(wú)線標(biāo) 記的接收發(fā)送天線也利用透光性導(dǎo)電圖案部件，則可在IC卡表面具有天線，或制作透明的 無(wú)線標(biāo)記。
[0005] 作為這樣的透光性導(dǎo)電圖案部件，已知通過(guò)以下的方法而形成了的透光性導(dǎo)電圖 案部件：應(yīng)用鹵化銀照片感光材料的技術(shù)而將銀核形成為圖案狀來(lái)進(jìn)行物理顯像、鍍敷的 方法（專(zhuān)利文獻(xiàn)1)，用噴墨、絲網(wǎng)等的印刷法將含有鈀催化劑的墨涂布成圖案狀、進(jìn)行化學(xué) 鍍敷的方法（專(zhuān)利文獻(xiàn)2)，在形成為圖案狀的含有導(dǎo)電性高分子的涂膜上進(jìn)行化學(xué)鍍敷的 方法（專(zhuān)利文獻(xiàn)3)，進(jìn)而用光刻將金屬薄膜形成為圖案狀的方法。
[0006] 但是，在用鍍敷、光刻而制作了的金屬圖案部件中，沒(méi)有金屬圖案的部分具有透光 性，金屬圖案部本身沒(méi)有透光性。因此，進(jìn)行將金屬圖案部細(xì)化，盡管如此，仍可見(jiàn)到圖案 部，或者，根據(jù)圖案形狀在圖案部發(fā)生光的衍射，外光在選擇的方向被強(qiáng)烈地散射，或產(chǎn)生 波紋。另外，如果金屬圖案部自身將金屬部減薄至通過(guò)光的水平，則不出現(xiàn)導(dǎo)電性。
[0007] 作為減薄金屬而金屬部自身一邊具有透光性一邊呈現(xiàn)導(dǎo)電性的方法，已知層疊了 ITO/銀/ITO而成的電磁波屏蔽部件（專(zhuān)利文獻(xiàn)4)。
[0008] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0009] 專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0010] 專(zhuān)利文獻(xiàn)1 :日本特開(kāi)2008-277675號(hào)公報(bào) [0011] 專(zhuān)利文獻(xiàn)2 :日本特開(kāi)平11-170420號(hào)公報(bào)
[0012] 專(zhuān)利文獻(xiàn)3 :日本特開(kāi)2009-16496號(hào)公報(bào)
[0013] 專(zhuān)利文獻(xiàn)4 :日本特開(kāi)2005-277228號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0014] 發(fā)明要解決的課題
[0015] 但是，ITO使用稀有金屬的銦，因此材料成本高，另外為了降低電阻，需要在成膜后 在300°C左右下進(jìn)行退火處理。因此，需要用于高溫退火的大規(guī)模的裝置、用于處理的能量， 進(jìn)而，由于一般的膜基材沒(méi)有耐熱性而不能應(yīng)用。進(jìn)而，即使以這樣的層疊 ITO/銀/ITO的 構(gòu)成也難以謀求充分的導(dǎo)電性和透光性的并存。
[0016] 因此，本發(fā)明的目的在于，提供通過(guò)金屬圖案部自身具有透光性而難以見(jiàn)到金屬 圖案部、減少波紋（干涉條紋）及衍射導(dǎo)致的散射、且兼具充分的導(dǎo)電性的透光性導(dǎo)電圖 案部件、及提供通過(guò)使用該透光性導(dǎo)電圖案部件來(lái)謀求了性能的提高的透光性電磁屏蔽部 件、透光性頻率選擇性電磁波屏蔽部件、透光性天線部件、觸摸面板。
[0017] 用于解決課題的手段
[0018] 本發(fā)明的上述課題，通過(guò)以下的構(gòu)成而達(dá)到。
[0019] 即，本發(fā)明通過(guò)透光性導(dǎo)電圖案部件而達(dá)到，所述透光性導(dǎo)電圖案部件具備使用 含有氮原子的化合物而構(gòu)成的基底層、使用銀或以銀為主要成分的合金而在上述基底層上 的至少一部分上設(shè)置的具有透光性的導(dǎo)電圖案部。
[0020] 另外，本發(fā)明通過(guò)透光性導(dǎo)電圖案部件的制造方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，其特征在于，其為具備 使用含有氮原子的化合物而構(gòu)成的基底層和使用銀或以銀為主要成分的合金而在上述基 底層上的至少一部分上設(shè)置的具有透光性的導(dǎo)電圖案部而成的透光性導(dǎo)電圖案部件的制 造方法，其中，在所述基底層上形成了的銀或以銀為主要成分的合金是經(jīng)由形成了圖案的 掩模而通過(guò)蒸鍍法來(lái)形成為導(dǎo)電圖案部的。
[0021] 進(jìn)而，本發(fā)明通過(guò)透光性電磁屏蔽部件、透光性頻率選擇性電磁屏蔽部件、透光性 天線部件而達(dá)到，其特征在于，使用上述透光性導(dǎo)電圖案部件。
[0022] 如以上構(gòu)成了的本發(fā)明的透光性導(dǎo)電圖案部件為以下構(gòu)成：在使用含有氮原子的 化合物而構(gòu)成了的基底層上的至少一部分上設(shè)置使用了銀或以銀為主要成分的合金的具 有透光性的導(dǎo)電圖案部。
[0023] -般而言，如果要形成銀的薄膜層，貝U銀由于成為核生長(zhǎng)型（Volumer-Weber :VW 型）的膜生長(zhǎng)而形成以島狀孤立了的微小銀部的集合體。因此，微小銀部形成比推測(cè)的還 厚的膜厚，微小銀部的透光性大大降低。另外，由于為各自孤立了的狀態(tài)，導(dǎo)電圖案部沒(méi)有 呈現(xiàn)導(dǎo)電性。為了使導(dǎo)電性呈現(xiàn)，需要使銀生長(zhǎng)至以島狀孤立了的微小銀部進(jìn)行連接，若使 其生長(zhǎng)至該水平，則銀層自身的透射率進(jìn)一步大大地降低。
[0024] 在本發(fā)明中，在基底層的上部成膜導(dǎo)電圖案部時(shí)，構(gòu)成導(dǎo)電圖案部的銀原子與構(gòu) 成基底層的含有氮原子的化合物相互作用，銀原子在基底層表面的擴(kuò)散距離減少，銀的凝 聚受到抑制。因此，銀層通過(guò)單層生長(zhǎng)型（Frank-van der Merwe :FW型）的膜生長(zhǎng)而成膜。 因此，可得到雖然為薄的膜厚但均勻的膜厚的導(dǎo)電圖案部。其結(jié)果，可形成更薄的膜厚、具 有透光性的同時(shí)確保了導(dǎo)電性的導(dǎo)電圖案部。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0025] 圖IA是表示本發(fā)明的透光性導(dǎo)電圖案部件的一實(shí)施方式的構(gòu)成的平面示意圖； 圖IB是沿圖IA的1B-1B線的剖面示意圖。
[0026] 圖2A是表示本發(fā)明的透光性導(dǎo)電圖案部件的其它的實(shí)施方式的構(gòu)成的剖面示意 圖；圖2B是表示將圖2A的透光性導(dǎo)電圖案部件與基體側(cè)（對(duì)方側(cè)）粘接而轉(zhuǎn)印、剝下具有 脫模性的基材的情形的剖面示意圖。
[0027] 圖3是對(duì)于導(dǎo)電圖案部的形狀示出了幾個(gè)例子的附圖。其中，圖3A是表示直線狀 的導(dǎo)電圖案的附圖。圖3B是表示網(wǎng)眼狀的圖案中、示出了三角形狀的導(dǎo)電圖案的附圖。圖 3C是示出了圓形狀的導(dǎo)電圖案的附圖。
[0028] 圖4示出了作為導(dǎo)電圖案部的形狀開(kāi)放了端部的天線圖案例。
[0029] 圖5是表示將本發(fā)明的實(shí)施方式的透光性導(dǎo)電圖案部件作為觸摸面板用透明電 極1-1、1-2而使用了的觸摸面板21的示意構(gòu)成的透視圖。
[0030] 圖6是表示觸摸面板21的電極構(gòu)成的2張透明電極（本發(fā)明的實(shí)施方式的透光 性導(dǎo)電圖案部件）1-1、1-2的俯視圖。
[0031] 圖7是表不在構(gòu)成各y電極圖案5yl、5y2、…的菱形的圖案部分相對(duì)于構(gòu)成X電 極圖案5xl、5x2、…的菱形的圖案部分配置而在俯視地沒(méi)有重疊的位置上配置、形成在沒(méi)有 重疊的范圍盡量占大的范圍的形狀的情形的透明電極（本發(fā)明的實(shí)施方式的透光性導(dǎo)電 圖案部件）1-1、1-2的俯視圖。
[0032] 圖8是表示將本發(fā)明的實(shí)施方式的透光性導(dǎo)電圖案部件作為觸摸面板用透明電 極1-1U-2而使用了的觸摸面板21的概略構(gòu)成的剖面圖。
[0033] 圖9是表示使用鋁掩模的圖案而在由設(shè)于上述PET基材上的上述TH)構(gòu)成的基底 層上形成了的、由試樣101的銀構(gòu)成的網(wǎng)眼形狀的導(dǎo)電圖案部和在評(píng)價(jià)用中形成了的由銀 構(gòu)成的實(shí)體部（?夕部）的平面示意圖。
[0034] 圖IOA是用于說(shuō)明網(wǎng)眼狀（格子狀）的圖案部的L/S的平面示意圖；圖IOB是用 于示出比較試樣205的圖案部的構(gòu)成的沿圖IOA(鍍敷后）的10B-10B線的剖面示意圖。
[0035] 圖11是表示衰減率的評(píng)價(jià)裝置的配置的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0036] 以下，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選的方式進(jìn)行說(shuō)明。
[0037]〈透光性導(dǎo)電圖案部件〉
[0038] 本發(fā)明一方式涉及的透光性導(dǎo)電圖案部件，其特征在于，具備使用含有氮原子的 化合物而構(gòu)成的基底層和使用銀或以銀為主要成分的合金而在上述基底層上的至少一部 分上設(shè)置的具有透光性的導(dǎo)電圖案部。通過(guò)采用上述構(gòu)成，根據(jù)本發(fā)明的透光性導(dǎo)電圖案 部件，可在透光性導(dǎo)電圖案部件中金屬圖案部自身具有透光性的同時(shí)，謀求與金屬圖案部 的導(dǎo)電性的并存，另外，可謀求使用了該透光性導(dǎo)電圖案部件的透光性電磁屏蔽部件、透光 性頻率選擇性電磁波屏蔽部件、透光性天線部件的性能的提高。
[0039] 以下，一邊參照附圖，一邊對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。予以說(shuō)明，在附圖的說(shuō) 明中，對(duì)同一技術(shù)特征賦予同一符號(hào)，省略重復(fù)的說(shuō)明。另外，附圖的尺寸比率，為了方便說(shuō) 明而進(jìn)行夸張，有時(shí)與實(shí)際的比率不同。
[0040] 圖IA是表示本發(fā)明的透光性導(dǎo)電圖案部件的一實(shí)施方式的構(gòu)成的平面示意圖。 圖IB是沿圖IA的1B-1B線的剖面示意圖。圖2A是表示本發(fā)明的透光性導(dǎo)電圖案部件的其 它的實(shí)施方式的構(gòu)成的剖面示意圖。圖2B是表示將圖2A的透光性導(dǎo)電圖案部件粘接于基 體側(cè)（配對(duì)側(cè)）而轉(zhuǎn)印、剝下具有脫模性的基材的情形的剖面示意圖。如圖1A、B中所示， 透光性導(dǎo)電圖案部件11為層疊了基底層15和在其上部的至少一部上成膜了的具有透光性 的導(dǎo)電圖案部17的結(jié)構(gòu)，例如，在基材13的上部依次設(shè)有基底層15、具有透光性的導(dǎo)電圖 案部17。其中基底層15為使用含有氮原子的化合物而構(gòu)成了的層，具有透光性的導(dǎo)電圖案 部17為使用銀或以銀為主要成分的合金而構(gòu)成了的層。另外，如圖2A、B中所示，透光性導(dǎo) 電圖案部件11例如可以為在具有脫模性的基材13上依次設(shè)置保護(hù)層14、基底層15、具有 透光性的導(dǎo)電圖案部17、粘接層18而轉(zhuǎn)印到適當(dāng)?shù)幕w19(被轉(zhuǎn)印體，例如窗玻璃車(chē)的后 面玻璃等）來(lái)使用的構(gòu)成。優(yōu)選這些基材13、保護(hù)層14、基底層15、具有透光性的導(dǎo)電圖案 部17、粘接層18、進(jìn)而基體19均具有高的透光性。
[0041] 接著，對(duì)在這樣的透光性導(dǎo)電圖案部件11中使用的基材13、基底層15及導(dǎo)電圖案 部17以該順序說(shuō)明詳細(xì)的構(gòu)成。
[0042] (基材）
[0043] 在本發(fā)明的透光性導(dǎo)電圖案部件11中，優(yōu)選使用基材13?；?3為透明基材。 作為透明基材，只要具有高的透光性就沒(méi)有特別限制。例如，可以使用透明樹(shù)脂膜、玻璃，但 從撓性等的觀點(diǎn)考慮，更優(yōu)選為透明樹(shù)脂膜。特別是由于在本發(fā)明中不需要層疊 ITO/銀/ ITO這樣的高溫處理，因此可優(yōu)選應(yīng)用。
[0044] 對(duì)上述透明樹(shù)脂膜沒(méi)有特別限制，對(duì)于其材料、形狀、結(jié)構(gòu)、厚度等可以從公知的 物質(zhì)中適宜選擇。例如可以舉出：聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、改 性聚酯等雙軸拉伸聚酯系膜；聚乙烯（PE)樹(shù)脂膜、聚丙烯（PP)樹(shù)脂膜、聚苯乙烯樹(shù)脂膜、 環(huán)狀烯烴系樹(shù)脂等聚烯烴類(lèi)樹(shù)脂膜；聚氯乙烯、聚偏氯乙烯等乙烯基系樹(shù)脂膜；聚醚醚酮 (PEEK)樹(shù)脂膜、聚砜（PSF)樹(shù)脂膜、聚醚砜（PES)樹(shù)脂膜、聚碳酸酯（PC)樹(shù)脂膜、聚酰胺樹(shù) 脂膜、聚酰亞胺樹(shù)脂膜、丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂膜、三乙酰纖維素（TAC)樹(shù)脂膜等。
[0045] 〈基底層〉
[0046] 基底層15為使用含有氮原子的化合物而構(gòu)成的層。在這樣的基底層15為在基材 13上所成膜的層的情況下、作為其成膜方法，可以舉出：使用涂布法、噴墨法、涂敷法、浸漬 法等的濕法的方法、及使用蒸鍍法（電阻加熱、EB法（電子束蒸鍍法）等）、濺射法、CVD法 (化學(xué)氣相蒸鍍法）等干法的方法等。其中，可優(yōu)選使用蒸鍍法。
[0047] 基底層15的厚度只要可起到本發(fā)明的效果即可，優(yōu)選可為0. Inm以上（1分子膜 以上）?；讓?5的厚度的上限沒(méi)有特別限制，但優(yōu)選為1 μ m以下，更優(yōu)選為IOOnm以下。 若基底層15的厚度為0. Inm以上（1分子膜以上），則構(gòu)成導(dǎo)電圖案部的銀原子與構(gòu)成基 底層的含有氮原子的化合物相互作用，銀原子在基底層表面中的擴(kuò)散距離減少，銀的凝聚 受到抑制。因此，銀層可通過(guò)單層生長(zhǎng)型（FW型）的膜生長(zhǎng)而成膜。若基底層15的厚度為 1 μ m以下，則可以在不損傷高的透光性的情況下，起到上述效果。
[0048] 構(gòu)成基底層15的含有氮原子的化合物只要為分子內(nèi)含有氮原子的化合物就沒(méi)有 特別限定，但優(yōu)選具有以氮原子作為雜原子的雜環(huán)的化合物。作為以氮原子作為雜原子的 雜環(huán)，可以舉出：吖丙啶、吖丙因、吖丁啶、吖丁、氮雜環(huán)戊烷、唑、六氫吡啶、吡啶、氮雜環(huán)庚 烷、氮卓、咪唑、吡唑、噁唑、噻唑、咪唑啉、吡嗪、嗎啉、噻嗪、噴哚、異吲哚、苯并咪唑、嘌呤、 喹啉、異喹啉、喹喔啉、噌啉、蝶陡、η 丫陡、咔唑、苯并-C-噌啉、嚇啉、二氫嚇?lè)?、膽堿等。其 中，優(yōu)選具有吡啶環(huán)的化合物。另外，更優(yōu)選在化合物的末端具有以氮原子作為雜原子的雜 環(huán)。
[0049] 另外，作為如以上的具有以氮原子作為雜原子的雜環(huán)的化合物，特別優(yōu)選為由下 述通式⑴?⑶表示的化合物。
[0050] [通式⑴]
[0051] 通式（1)
[0052] (Arl) n I-Yl
[0053] 在通式（1)的式中，nl表示1以上的整數(shù)，Yl在nl為1的情況下表示取代基，在 nl為2以上的情況下表示單純的連接鍵或nl價(jià)的連接基團(tuán)。Arl表示由后述的通式（A) 表示的基團(tuán)，在nl為2以上的情況下，多個(gè)Arl可以相同，也可以不同。其中，由上述通式 (1)表示的化合物在分子內(nèi)具有至少2個(gè)由3環(huán)以上的環(huán)進(jìn)行稠合而成的稠合芳香族雜環(huán)，
[0054] 在通式⑴中，作為由Yl表示的取代基的例子，可以舉出：燒基（例如：甲基、乙 基、丙基、異丙基、叔丁基、戊基、己基、半基、十-燒基、十二燒基、十四燒基、十五燒基等）、 環(huán)燒基（例如：環(huán)戊基、環(huán)己基等）、稀基（例如：乙稀基、稀丙基等）、塊基（例如：乙塊基、 炔丙基等）、芳香族烴基（也稱(chēng)為芳香族碳環(huán)基、芳基等，例如：苯基、對(duì)氯苯基、均三甲苯 基、甲苯基、二甲苯基、萘基、蒽基、奧基、苊基、芴基、菲基、茚基、芘基、聯(lián)苯基）、芳香族雜環(huán) 基（例如：呋喃基、噻吩基、吡啶基、噠嗪基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、咪唑基、吡唑基、噻唑 基、喹唑啉基、咔唑基、咔啉基、二氮雜咔唑基（表示上述咔啉基的構(gòu)成咔啉環(huán)的任意的碳 原子之一用氮原子替換了的基團(tuán)）、酞嗪基等）、雜環(huán)基（例如：吡咯烷基、咪唑烷基、嗎啉 基、卩惡唑燒基等）、燒氧基（例如：甲氧基、乙氧基、丙氧基、戊氧基、己氧基、半氧基、十_燒 氧基等）、環(huán)烷氧基（例如、環(huán)戊氧基、環(huán)己氧基等）、芳氧基（例如：苯氧基、萘氧基等）、烷 硫基（例如：甲硫基、乙硫基、丙硫基、戊硫基、己硫基、半硫基、十-燒硫基等）、環(huán)燒硫基 (例如：環(huán)戊硫基、環(huán)己硫基等）、芳硫基（例如：苯硫基、奈硫基等）、燒氧基撰基（例如：甲 氧基撰基、乙氧基撰基、丁氧基撰基、半氧基撰基、十-燒氧基撰基等）、芳氧基撰基（例如： 苯氧基羰基、萘氧基羰基等）、氨磺?；ɡ纾喊被酋；?、甲基氨基磺酰基、二甲基氨基 磺酰基、丁基氨基磺?；?、己基氨基磺?；?、環(huán)己基氨基磺酰基、辛基氨基磺?；?、十二烷基 氨基磺酰基、苯基氨基磺?；?、萘基氨基磺?；?-吡啶基氨基磺?；龋Ⅴ；ɡ纾阂?醜基、乙基撰基、丙基撰基、戊基撰基、環(huán)己基撰基、半基撰基、2_乙基己基撰基、十_燒基撰 基、苯基撰基、蔡基撰基、批陡基撰基等）、醜氧基（例如、乙醜氧基、乙基撰基氧基、丁基撰 基氧基、辛基羰基氧基、十二烷基羰基氧基、苯基羰基氧基等）、酰胺基（例如：甲基羰基氨 基、乙基撰基氣基、-甲基撰基氣基、丙基撰基氣基、戊基撰基氣基、環(huán)己基撰基氣基、2_乙 基己基羰基氨基、辛基羰基氨基、十二烷基羰基氨基、苯基羰基氨基、萘基羰基氨基等）、氨 基甲醜基（例如：氣基撰基、甲基氣基撰基、-甲基氣基撰基、丙基氣基撰基、戊基氣基撰 基、環(huán)己基氣基撰基、半基氣基撰基、2_乙基己基氣基撰基、十_燒基氣基撰基、苯基氣基撰 基、蔡基氣基撰基、2 -批陡基氣基撰基等）、脈基（例如：甲基脈基、乙基脈基、戊基脈基、環(huán) 己基脲基、辛基脲基、十二烷基脲基、苯基脲基、萘基脲基、2-吡啶基氨基脲基等）、亞磺酰 基（例如：甲基亞磺?；?、乙基亞磺酰基、丁基亞磺?；?、環(huán)己基亞磺酰基、2-乙基己基亞磺 ?；?、十二烷基亞磺酰基、苯基亞磺酰基、萘基亞磺?；?-吡啶基亞磺?；龋⑼榛酋?基（例如：甲基磺?；⒁一酋；⒍』酋；?、環(huán)己基磺?；?、2-乙基己基磺?；?、十二 烷基磺?；龋?、芳基磺?；螂s芳基磺?；ɡ纾罕交酋；?、萘基磺酰基、2-吡啶基磺 ?；龋被ɡ纾喊被?、乙基氨基、二甲基氨基、丁基氨基、環(huán)戊基氨基、2-乙基己基氨 基、十二烷基氨基、苯胺基、萘基氨基、2-吡啶基氨基、哌啶基（也稱(chēng)為哌啶基）、2, 2, 6, 6-四 甲基哌啶基等）、鹵素原子（例如：氟原子、氯原子、溴原子等）、氟代烴基（例如：氟甲基、 三氟甲基、五氟乙基、五氟苯基等）、氰基、硝基、羥基、巰基、甲硅烷基（例如：三甲基甲硅烷 基、二異丙基甲娃燒基、二苯基甲娃燒基、苯基-乙基甲娃燒基等）、憐酸醋基（例如：-己 基憐醜基等）、亞憐酸醋基（例如：-苯基氧勝基等）、勝醜基等。
[0055] 這些取代基可以被上述的取代基進(jìn)一步取代。另外，這些取代基可以多個(gè)互相鍵 合而形成環(huán)。
[0056] 在通式⑴中，作為由Yl表示的nl價(jià)的連接基團(tuán)，具體而言，可以舉出2價(jià)的連 接基團(tuán)、3價(jià)的連接基團(tuán)、4價(jià)的連接基團(tuán)等。
[0057] 在通式⑴中，作為由Yl表示的2價(jià)的連接基團(tuán)，可以舉出：亞烷基（例如：亞乙 基、三亞甲基、四亞甲基、亞丙基、乙基亞乙基、五亞甲基、六亞甲基、2, 2, 4-三甲基六亞甲 基、七亞甲基、八亞甲基、九亞甲基、十亞甲基、i^一亞甲基、十二亞甲基、亞環(huán)己基（例如： 1，6-環(huán)己烷二基等）、亞環(huán)戊基（例如：1，5-環(huán)戊烷二基等）等）、亞烯基（例如：亞乙烯基、 亞丙烯基、亞丁烯基、亞戊烯基、1-甲基亞乙烯基、1-甲基亞丙烯基、2-甲基亞丙烯基、1-甲 基亞戊烯基、3-甲基亞戊烯基、1-乙基亞乙烯基、1-乙基亞丙烯基、1-乙基亞丁烯基、3-乙 基亞丁烯基等）、亞炔基（例如：亞乙炔基、1-亞丙炔基、1-亞丁炔基、1-亞戊炔基、1-亞己 炔基、2-亞丁炔基、2-亞戊炔基、1-甲基亞乙炔基、3-甲基-1-亞丙炔基、3-甲基-1-亞丁 炔基等）、亞芳基（例如：鄰亞苯基、對(duì)亞苯基、萘二基、蒽二基、丁省二基、芘二基、萘基萘二 基、聯(lián)苯二基（例如：[1，1' _聯(lián)苯]_4, 4' -二基、3, 3' -聯(lián)苯二基、3, 6_聯(lián)苯二基等）、二 聯(lián)苯二基、四聯(lián)苯二基、五聯(lián)苯二基、六聯(lián)苯二基、七聯(lián)苯二基、八聯(lián)苯二基、九聯(lián)苯二基、十 聯(lián)苯二基等）、亞雜芳基（例如：從由咔唑環(huán)、咔啉環(huán)、二氮雜咔唑環(huán)（也稱(chēng)為一氮雜咔啉 環(huán)，表示構(gòu)成咔啉環(huán)的碳原子之一以氮原子替換了的構(gòu)成的環(huán)構(gòu)成）、三唑環(huán)、吡咯環(huán)、吡啶 環(huán)、吡嗪環(huán)、喹喔啉環(huán)、噻吩環(huán)、噁二唑環(huán)、二苯并呋喃環(huán)、二苯并噻吩環(huán)、吲哚環(huán)構(gòu)成的組衍 生的2價(jià)的基團(tuán)等）、由氧及硫等硫?qū)僭卦印?環(huán)以上的環(huán)進(jìn)行稠合而成的稠合芳香族 雜環(huán)衍生的基團(tuán)等（在此，作為3環(huán)以上的環(huán)進(jìn)行稠合而成的稠合芳香族雜環(huán)，優(yōu)選為含有 選自N、0及S的雜原子作為構(gòu)成稠合環(huán)的元素的芳香族雜稠合環(huán)，具體而言，吖啶環(huán)、苯并 喹啉環(huán)、咔唑環(huán)、吩嗪環(huán)、菲陡環(huán)、鄰二氮菲環(huán)、咔啉環(huán)、哌嗪環(huán)、喹叨啉環(huán)、哌唑嗪環(huán)、喹寧叨 啉環(huán)、三苯二噻嗪環(huán)、三苯二噁嗪環(huán)、菲咯啉環(huán)、二蒽并噠嗪環(huán)、伯啶環(huán)、二氮雜咔唑環(huán)（表 示構(gòu)成咔啉環(huán)的碳原子的任意一個(gè)以氮原子替換了的基團(tuán)）、鄰二氮菲環(huán)、二苯并呋喃環(huán)、 二苯并噻吩環(huán)、萘并呋喃環(huán)、萘并噻吩環(huán)、苯并二呋喃環(huán)、苯并二噻吩環(huán)、萘并二呋喃環(huán)、萘 并二噻吩環(huán)、蒽并呋喃環(huán)、蒽并二呋喃環(huán)、蒽并噻吩環(huán)、蒽并二噻吩環(huán)、噻嗯環(huán)、吩噁嗪環(huán)、萘 并噻吩環(huán)（萘并噻吩環(huán)）等）。
[0058] 在通式（1)中，作為Yl表示的3價(jià)的連接基團(tuán)，例如可以舉出：乙烷三基、丙烷三 基、丁烷三基、戊烷三基、己烷三基、庚烷三基、辛烷三基、壬烷三基、癸烷三基、十一烷三基、 十二燒二基、環(huán)己燒二基、環(huán)戊燒二基、苯二基、蔡二基、批陡二基、咔唑二基等。
[0059] 在通式（1)中，作為由Yl表示的4價(jià)的連接基團(tuán)，為對(duì)上述的3價(jià)的基團(tuán)進(jìn)一步 賦予一個(gè)鍵合基而成的基團(tuán)，例如可以舉出：丙烷二亞基、1，3-丙烷二基-2-亞基、丁烷二 亞基、戊烷二亞基、己烷二亞基、庚烷二亞基、辛烷二亞基、壬烷二亞基、癸烷二亞基、i^一烷 二亞基、十二烷二亞基、環(huán)己烷二亞基、環(huán)戊烷二亞基、苯四基、萘四基、吡啶四基、咔唑四基 等。
[0060] 予以說(shuō)明，上述的2價(jià)的連接基團(tuán)、3價(jià)的連接基團(tuán)、4價(jià)的連接基團(tuán)可以分別進(jìn)一 步具有在通式（1)中由Yl表示的取代基。
[0061] 作為由通式（1)表示的化合物的優(yōu)選的方式，優(yōu)選Yl表示由3環(huán)以上的環(huán)進(jìn)行稠 合而成的稠合芳香族雜環(huán)衍生的基團(tuán)，作為該3環(huán)以上的環(huán)進(jìn)行稠合而成的稠合芳香族雜 環(huán)，優(yōu)選二苯并呋喃環(huán)或二苯并噻吩環(huán)。另外，優(yōu)選nl為2以上。
[0062] 進(jìn)而，由通式（1)表示的化合物在分子內(nèi)具有至少2個(gè)上述的3環(huán)以上的環(huán)進(jìn)行 稠合而成的稠合芳香族雜環(huán)。
[0063] 另外，在Yl表示nl價(jià)的連接基團(tuán)的情況下，為了高地保持由通式（1)表示的化合 物的三重態(tài)激發(fā)能量，Yl優(yōu)選為非共軛，進(jìn)而，從提高Tg(也稱(chēng)為玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)、玻璃化轉(zhuǎn) 變溫度）的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選由芳香環(huán)（芳香族烴環(huán)+芳香族雜環(huán)）構(gòu)成。
[0064] 在此，所謂非共軛，是指連接基團(tuán)無(wú)法由單鍵（也稱(chēng)為單鍵）和雙鍵的重復(fù)來(lái)表 記、或構(gòu)成連接基團(tuán)的芳香環(huán)彼此的共軛被空間上切割的情況。
[0065] [由通式㈧表示的基團(tuán)]
[0066] 通式（1)中的Arl表示由下述通式⑷表示的基團(tuán)。
[0067] [化學(xué)式1]
[0068] 通式⑷
[0069]

【權(quán)利要求】
1. 一種透光性導(dǎo)電圖案部件，其具備： 使用含有氮原子的化合物而構(gòu)成的基底層、 使用銀或以銀為主要成分的合金而在所述基底層上的至少一部分上設(shè)置的具有透光 性的導(dǎo)電圖案部。
2. 如權(quán)利要求1所述的透光性導(dǎo)電圖案部件，其中，所述導(dǎo)電圖案部的膜厚為4nm以上 且9nm以下。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的透光性導(dǎo)電圖案部件，其特征在于，所述含有氮原子的化合 物具有以氮原子作為雜原子的雜環(huán)。
4. 如權(quán)利要求1?3的任一項(xiàng)所述的透光性導(dǎo)電圖案部件，其特征在于，所述含有氮原 子的化合物含有具有吡啶環(huán)的基團(tuán)。
5. 如權(quán)利要求1?4的任一項(xiàng)所述的透光性導(dǎo)電圖案部件，其特征在于，所述含有氮原 子的化合物為由下述通式（1)表示的化合物； [化學(xué)式1] 通式（1) (Arl)nl-Yl 在通式（1)的式中，nl表示1以上的整數(shù)，Yl在nl為1的情況下表示取代基、在nl為 2以上的情況下表示單純的連接鍵或nl價(jià)的連接基團(tuán)；Arl表示由下述通式（A)表示的基 團(tuán)，在nl為2以上的情況下，多個(gè)Arl可以相同也可以不同；其中，所述由通式⑴表示的 化合物在分子內(nèi)具有至少2個(gè)由3環(huán)以上的環(huán)進(jìn)行稠合而成的稠合芳香族雜環(huán)， [化學(xué)式2] 通式⑷
在通式⑷的式中，X表示-N(R)-、-0-、-S-或-Si (R) (R'）-，El?E8表示-C (Rl)= 或-N =，R、R'及Rl表示氫原子、取代基或與Yl的連接部位；*表示與Yl的連接部位，Y2 表示單純的連接鍵或2價(jià)的連接基團(tuán)；Y3及Y4分別表示由5元或6元的芳香族環(huán)衍生的 基團(tuán)，至少一者表示由含有氮原子作為環(huán)構(gòu)成原子的芳香族雜環(huán)衍生的基團(tuán)；n2表示1?4 的整數(shù)。
6. 如權(quán)利要求5所述的透光性導(dǎo)電圖案部件，其中，所述由通式（1)表示的化合物為由 下述通式（2)表示的化合物； [化學(xué)式3] 通式（2)
在上述通式（2)的式中，Y5表示亞芳基、亞雜芳基或由這些的組合構(gòu)成的2價(jià)的連接 基團(tuán)；Ε51?Ε66分別表示-C(R3)=或-N =，R3表示氫原子或取代基；Υ6?Υ9分別表示 由芳香族烴環(huán)衍生的基團(tuán)或由芳香族雜環(huán)衍生的基團(tuán)，Y6或Y7的至少一者及Y8或Y9的至 少一者表示由含有N原子的芳香族雜環(huán)衍生的基團(tuán)；n3及n4表示O?4的整數(shù)，但n3+n4 為2以上的整數(shù)。
7. 如權(quán)利要求6所述的透光性導(dǎo)電圖案部件，其中，所述由通式（2)表示的化合物為由 下述通式（3)表示的化合物； [化學(xué)式4] 通式（3)
在上述通式（3)的式中，Y5表示亞芳基、亞雜芳基或由這些的組合構(gòu)成的2價(jià)的連接 基團(tuán)；E51?E66、E71?E88分別表示-C(R3)=或-N=，R3表示氫原子或取代基；其中， E71?E79的至少1個(gè)及E80?E88的至少1個(gè)表示-N = ;n3及n4表示O?4的整數(shù)，但 n3+n4為2以上的整數(shù)。
8. 如權(quán)利要求1?7的任一項(xiàng)所述的透光性導(dǎo)電圖案部件，其特征在于，其形成于透明 樹(shù)脂膜上。
9. 一種透光性導(dǎo)電圖案部件的制造方法，其特征在于，其為具備使用含有氮原子的化 合物而構(gòu)成的基底層、和使用銀或以銀為主要成分的合金而在所述基底層上的至少一部分 上設(shè)置的具有透光性的導(dǎo)電圖案部的透光性導(dǎo)電圖案部件的制造方法，其中， 在所述基底層上通過(guò)蒸鍍法而形成銀或以銀為主要成分的合金層。
10. -種透光性導(dǎo)電圖案部件的制造方法，其特征在于，其為具備使用含有氮原子的化 合物而構(gòu)成的基底層、和使用銀或以銀為主要成分的合金而在所述基底層上的至少一部分 上設(shè)置的具有透光性的導(dǎo)電圖案部的透光性導(dǎo)電圖案部件的制造方法， 在所述基底層上形成了的銀或以銀為主要成分的合金層是經(jīng)由形成了圖案的掩模而 通過(guò)蒸鍍法來(lái)形成為導(dǎo)電圖案部的。
11. 一種透光性導(dǎo)電圖案部件的制造方法，其特征在于，其為具備使用含有氮原子的 化合物而構(gòu)成的基底層、和使用銀或以銀為主要成分的合金而在所述基底層上的至少一部 分上設(shè)置的具有透光性的導(dǎo)電圖案部的透光性導(dǎo)電圖案部件的制造方法， 在所述基底層上形成銀或以銀為主要成分的合金層后， 在所述導(dǎo)電圖案部以外的區(qū)域?qū)⒚撱y液進(jìn)行圖案印刷， 接著，進(jìn)行水洗，由此形成導(dǎo)電圖案部。
12. -種透光性電磁屏蔽部件，其特征在于，使用有權(quán)利要求1?8的任一項(xiàng)所述的透 光性導(dǎo)電圖案部件。
13. -種透光性頻率選擇性電磁屏蔽部件，其特征在于，使用有權(quán)利要求1?8的任一 項(xiàng)所述的透光性導(dǎo)電圖案部件。
14. 一種透光性天線部件，其特征在于，使用有權(quán)利要求1?8的任一項(xiàng)所述的透光性 導(dǎo)電圖案部件。
【文檔編號(hào)】H01Q17/00GK104396358SQ201380020451
【公開(kāi)日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2013年4月5日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月18日
【發(fā)明者】小山博和 申請(qǐng)人:柯尼卡美能達(dá)株式會(huì)社