用于制造光電子器件的方法和光電子器件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種用于制造光電子器件(200)的方法，所述方法能夠具有：將平坦化介質(zhì)(104)施加到襯底(102)的表面上，其中平坦化介質(zhì)(104)具有材料(106)，所述材料吸收波長(zhǎng)最大為600nm的電磁輻射；在材料(106)上或上方施加第一電極(112)；在第一電極(112)上或上方形成有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)(114)；并且在有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)(114)上或上方形成第二電極(116)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】用于制造光電子器件的方法和光電子器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種用于制造光電子器件的方法以及一種光電子器件。

【背景技術(shù)】
[0002] 光電子器件的、例如有機(jī)發(fā)光二極管的材料在紫外線(xiàn)（UV)輻照過(guò)強(qiáng)的情況下?lián)p 壞，這對(duì)功率數(shù)據(jù)產(chǎn)生不利影響。這例如是提高的工作電壓或者是電流效率或量子收益減 小直至發(fā)光失效。這能夠涉及整個(gè)有效面或也局部地出現(xiàn)。此外，有機(jī)材料能夠在一定程 度上受到損壞，使得局部地不再發(fā)生發(fā)光或轉(zhuǎn)換進(jìn)而光電子器件的有效發(fā)光面減小。
[0003] 通常使用的堿石灰平面玻璃（所謂的Soda Lime Floatglas，堿石灰浮法玻璃） 的UV吸收不足以防止有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)損壞。堿石灰浮法玻璃雖然在300nm之下具 有足夠的吸收，但是剛好在300nm至400nm的范圍中（這基本上相應(yīng)于UV-A輻射的波長(zhǎng)范 圍）是部分可穿透的。
[0004] 通常，可能的是，將附加的吸收UV的薄膜/層施加在0LED的襯底的外側(cè)上。然 而，這具有下述缺點(diǎn)，不能夠得到通常使用的高品質(zhì)的玻璃表面并且0LED附加地更易受刮 痕影響。
[0005] 此外，替選地，可能的是，例如通過(guò)改變玻璃配方將吸收UV的特性集成到襯底玻 璃中。當(dāng)然該解決方案與相對(duì)高的耗費(fèi)相關(guān)聯(lián)并且通常改變0LED的玻璃的大量其他特性。 尤其地，這種玻璃比通常使用的堿石灰浮法玻璃貴。
[0006] DE696 32 227T2描述一種電致變色的設(shè)備，其中至少一個(gè)透明的導(dǎo)電板設(shè)有吸收 UV的層，其中吸收UV的層設(shè)置在透明的襯底和透明的電極之間。吸收UV的層包含有機(jī)UV 吸收體并且基本上能夠單獨(dú)地由UV吸收體構(gòu)成或者由有機(jī)UV吸收體和基本層構(gòu)成。吸收 UV的層的厚度為10nm至100 μ m。
[0007] 通常，為了將UV吸收體施加到襯底上而將襯底平坦化并且隨后將嵌入到基體材 料中的UV吸收體施加到平坦化的襯底上。
[0008] 然而，該平坦化步驟是耗費(fèi)并且昂貴的。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 本發(fā)明基于下述問(wèn)題，提供一種用于制造光電子器件的方法以及一種光電子器 件，所述方法或所述光電子器件能夠更低成本地執(zhí)行或制造。
[0010] 所述問(wèn)題通過(guò)具有根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求所述的特征的一種用于制造光電子器件的 方法以及一種光電子器件來(lái)解決。
[0011] 本發(fā)明的改進(jìn)形式在從屬權(quán)利要求中得出。
[0012] 在不同的實(shí)施例中提供對(duì)光電子器件、例如對(duì)有源光電子器件、例如對(duì)發(fā)光器件、 例如對(duì)0LED的UV保護(hù)，同時(shí)獲得光電子器件的優(yōu)秀的襯底表面、例如玻璃表面，例如襯底 表面的、例如玻璃表面的外側(cè)。
[0013] 用于制造光電子器件的方法能夠具有：將平坦化介質(zhì)施加到襯底的表面上，例如 施加到襯底的內(nèi)側(cè)上（例如施加到光電子器件的襯底表面的、例如玻璃表面的內(nèi)側(cè)上，其 中平坦化介質(zhì)具有如下材料（在下文中也稱(chēng)作為吸收輻射的材料），所述材料吸收波長(zhǎng)最 大為600nm的電磁福射；在材料上或上方施加第一電極；在第一電極上或上方形成有機(jī)功 能層結(jié)構(gòu)；并且在有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)上或上方形成第二電極。
[0014] 根據(jù)該方法能夠棄用將襯底表面平坦化的附加的步驟，因?yàn)槲蛰椛涞牟牧希〒Q 言之作為平坦化介質(zhì)的一部分）隨平坦化介質(zhì)一起施加到襯底的表面上。因此該方法能夠 更低成本地執(zhí)行。同樣地，通過(guò)該方法得到應(yīng)用對(duì)表面質(zhì)量要求更低的更適宜的襯底（例 如平面玻璃或窗玻璃）的可能性。
[0015] 在一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，材料能夠設(shè)計(jì)成，使得吸收波長(zhǎng)最大為575nm、例如最大為 550nm、例如最大為525nm、例如最大為500nm、例如最大為475nm、例如最大為450nm、例如最 大為425nm、例如最大為400nm的輻射。因此材料能夠設(shè)計(jì)成，使得吸收波長(zhǎng)在紫外（UV) 輻射范圍中的輻射或者還有波長(zhǎng)在藍(lán)光范圍中的輻射，借此可能的是，有效地保護(hù)光電子 器件免受這種相應(yīng)的輻射。在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，材料能夠設(shè)計(jì)成，使得吸收波長(zhǎng)在大約 300nm至大約400nm的范圍中的福射（這基本上相應(yīng)于UV-A福射的波長(zhǎng)范圍）。
[0016] 在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，能夠施加一定厚度的平坦化介質(zhì)，使得吸收一定百分比的 電磁輻射，所述百分比在大約85 %至大約99 %的范圍中、例如在大約87 %至大約98 %的范 圍中、例如在大約89%至大約97%的范圍中、例如在大約91 %至大約96%的范圍中。在一 個(gè)設(shè)計(jì)方案中，能夠施加一定厚度的平坦化介質(zhì)，使得吸收一定百分比的電磁輻射，所述百 分比至少為85%、例如至少為87%、例如至少為89%、例如至少為91 %、例如至少為93%、 例如至少為95%、例如至少為97%、例如至少為99%。在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，能夠設(shè)計(jì)材 料并且能夠施加一定厚度的平坦化介質(zhì)，使得在上述波長(zhǎng)范圍中吸收上述百分比的電磁輻 射。
[0017] 在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，吸收波長(zhǎng)最大為600nm的福射的材料能夠混入載體材料， 使得形成平坦化介質(zhì)；并且在混入材料之后，能夠?qū)⑵教够橘|(zhì)施加到襯底的表面上。該 設(shè)計(jì)方案能夠?qū)崿F(xiàn)簡(jiǎn)單地進(jìn)而低成本地隨載體材料、例如基體材料一起施加吸收輻射的材 料，吸收輻射的材料被嵌入到所述基體材料中。
[0018] 在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，能夠?qū)⑵教够橘|(zhì)借助于下述方法中的一種施加到襯底的 表面上：離心涂鍍、刮涂、壓印、噴射、刷涂、輥涂、抽涂、擦涂、浸涂、流涂、裂紋澆注。在又一 個(gè)設(shè)計(jì)方案中，平坦化介質(zhì)能夠借助于無(wú)接觸的方法來(lái)施加。將平坦化介質(zhì)進(jìn)而將吸收輻 射的材料施加到襯底的表面上的許多不同的可能性引起靈活的并且多樣的可應(yīng)用的工藝。
[0019] 在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，平坦化介質(zhì)能夠是液體，并且能夠在施加平坦化介質(zhì)之后 將平坦化介質(zhì)硬化。當(dāng)平坦化介質(zhì)為液相時(shí)，能夠非常簡(jiǎn)單并且低成本地加工所述平坦化 介質(zhì)或?qū)⑵涫┘拥揭r底的表面上。
[0020] 在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，硬化能夠具有下述方法中的至少一個(gè)：包含在平坦化介質(zhì) 中的溶劑擴(kuò)散開(kāi)（所述溶劑是與吸收輻射的材料不同的材料）；用電磁輻射、例如用一個(gè)或 多個(gè)電子束來(lái)輻照平坦化介質(zhì)；和/或加熱平坦化介質(zhì)；和/或通過(guò)空氣濕氣聚合；和/或 消散平坦化介質(zhì)的兩個(gè)組成部分，例如在二組分漆的情況下。
[0021] 在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，平坦化介質(zhì)能夠具有聚合物，在所述聚合物上作為分子殘 基結(jié)合有吸收波長(zhǎng)最大為600nm的福射的材料。
[0022] 在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，光電子器件能夠具有或者是發(fā)光器件和/或太陽(yáng)能電池。
[0023] 在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，平坦化介質(zhì)能夠具有最大為0.25μπι、例如最大為 0. 24 μ m、例如最大為0. 23 μ m、例如最大為0. 22 μ m、例如最大為0. 21 μ m、例如最大為 0. 20 μ m、例如最大為0. 19 μ m、例如最大為0. 19 μ m、例如最大為0. 18 μ m、例如最大為 0. 17 μ m、例如最大為0. 16 μ m、例如最大為0. 15 μ m、例如最大為0. 13 μ m、例如最大為 0. 11 μ m、例如最大為0. 10 μ m、例如最大為0. 05 μ m的粗糙度。
[0024] 在不同的實(shí)施例中提供光電子器件，具有：襯底；施加在襯底的表面上的平坦化 介質(zhì)，其中平坦化介質(zhì)具有下述材料，所述材料吸收波長(zhǎng)最大為600nm的輻射；在材料上或 上方的第一電極；在第一電極上或上方的有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)；和在有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)上或上方 的第二電極。
[0025] 在一個(gè)設(shè)計(jì)方案中平坦化介質(zhì)和/或材料能夠具有一定厚度，使得吸收一定百分 比的電磁輻射，所述百分比在大約85%至大約99%的范圍中、例如在大約87%至大約98% 的范圍中、例如在大約89%至大約97%的范圍中、例如在大約91 %至大約96%的范圍中。 在一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，能夠施加一定厚度的平坦化介質(zhì)，使得吸收一定百分比的電磁輻射，所 述百分比至少為85%、例如至少為87%、例如至少為89%、例如至少為91%、例如至少為 93%、例如至少為95%、例如至少為97%、例如至少為99%。在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，能夠設(shè) 計(jì)材料并且能夠施加一定厚度的平坦化介質(zhì)，使得在上述波長(zhǎng)范圍中吸收上述百分比的電 磁輻射。
[0026] 在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，平坦化介質(zhì)能夠具有聚合物，在所述聚合物上結(jié)合有作為 分子殘基的吸收波長(zhǎng)最大為600nm的福射的材料。
[0027] 在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，材料能夠設(shè)計(jì)成，使得吸收波長(zhǎng)最大為575nm、例如最大為 550nm、例如最大為525nm、例如最大為500nm、例如最大為475nm、例如最大為450nm、例如最 大為425nm、例如最大為400nm的輻射。因此材料能夠設(shè)計(jì)成，使得吸收波長(zhǎng)在紫外（UV)輻 射范圍中的輻射或者還有波長(zhǎng)在藍(lán)光范圍中的輻射，借此可能的是，有效地保護(hù)光電子器 件免受這種輻射。
[0028] 在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，光電子器件能夠具有或者是發(fā)光器件和/或太陽(yáng)能電池。
[0029] 在又一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，平坦化介質(zhì)能夠具有最大為0. 25 μ m、例如最大為 0. 24 μ m、例如最大為0. 23 μ m、例如最大為0. 22 μ m、例如最大為0. 21 μ m、例如最大為 0. 20 μ m、例如最大為0. 19 μ m、例如最大為0. 19 μ m、例如最大為0. 18 μ m、例如最大為 0. 17 μ m、例如最大為0. 16 μ m、例如最大為0. 15 μ m、例如最大為0. 13 μ m、例如最大為 0. 11 μ m、例如最大為0. 10 μ m、例如最大為0. 05 μ m的粗糙度。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0030] 在附圖中并且在下文中詳細(xì)闡述本發(fā)明的實(shí)施例。
[0031] 附圖示出：
[0032] 圖1示出根據(jù)不同實(shí)施例的光電子器件在其制造的第一時(shí)間點(diǎn)的橫截面視圖；
[0033] 圖2示出根據(jù)不同實(shí)施例的光電子器件在其制造的第二時(shí)間點(diǎn)的橫截面視圖；
[0034] 圖3示出根據(jù)不同實(shí)施例的光電子器件的橫截面視圖；并且
[0035] 圖4示出根據(jù)不同實(shí)施例的光電子器件的橫截面視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0036] 在下面詳細(xì)的描述中參考所附的附圖，所述附圖形成所述描述的一部分，并且在 所述附圖中為了圖解說(shuō)明示出能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的具體的實(shí)施方式。在此方面，關(guān)于所描述 的附圖的定向而應(yīng)用方向術(shù)語(yǔ)例如"上"、"下"、"前"、"后"、"前部"、"后部"等等。因?yàn)閷?shí)施 方式的組成部分能夠以多個(gè)不同的取向來(lái)定位，所以方向術(shù)語(yǔ)用于圖解說(shuō)明并且不以任何 方式受到限制。要理解的是，能夠使用其他的實(shí)施方式并且能夠進(jìn)行結(jié)構(gòu)上的或邏輯上的 改變，而不偏離本發(fā)明的保護(hù)范圍。要理解的是，除非另作特別說(shuō)明，在此描述的不同的示 例的實(shí)施方式的特征能夠互相組合。因此，下面詳細(xì)的描述不應(yīng)解釋為是受限制的，并且本 發(fā)明的保護(hù)范圍通過(guò)所附的權(quán)利要求來(lái)限定。
[0037] 在本說(shuō)明書(shū)的范圍內(nèi)，術(shù)語(yǔ)"連接"、"聯(lián)接"以及"耦聯(lián)"用于描述直接的和間接的 連接、直接的或間接的聯(lián)接以及直接的或間接的耦聯(lián)。在附圖中，只要是適宜的，相同的或 類(lèi)似的元件就設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。
[0038] 在不同的實(shí)施例中，描述用于改進(jìn)UV耐抗性的集成的工藝，同時(shí)獲得光電子器件 的商品質(zhì)的關(guān)斷狀態(tài)的外觀。
[0039] 圖1示出根據(jù)不同實(shí)施例的光電子器件100在其制造的第一時(shí)間點(diǎn)的第一橫截面 視圖。
[0040] 盡管在下文中描述以有機(jī)發(fā)光二極管（英語(yǔ)為organic light emitting diode, OLED)的形式實(shí)施的發(fā)光器件的不同的實(shí)施例，還需指出的是，所述實(shí)施例也能夠以相應(yīng)的 方式用于其他的光電子器件，例如用于太陽(yáng)能電池。此外，發(fā)光器件能夠在不同的實(shí)施例中 構(gòu)成為有機(jī)發(fā)光晶體管。在不同的實(shí)施例中，發(fā)光器件能夠是集成電路的一部分。此外，能 夠設(shè)有多個(gè)發(fā)光器件，例如安置在共同的殼體中。
[0041] 有機(jī)發(fā)光二極管100形式的發(fā)光器件100能夠具有襯底102。襯底102例如能夠 用作為用于電子元件或?qū)拥?、例如用于發(fā)光元件的載體元件。襯底102例如能夠具有玻璃、 石英和/或半導(dǎo)體材料或任何其他合適材料或由其形成。此外，襯底102能夠具有塑料薄 膜或帶有一個(gè)或多個(gè)塑料薄膜的疊層或由其形成。塑料能夠具有一種或多種聚烯烴（例如 具有高密度或低密度的聚乙烯（PE)或聚丙烯（PP))或者由其形成。此外，塑料能夠具有聚 氯乙烯（PVC)、聚苯乙烯（PS)、聚酯和/或聚碳酸酯（PC)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚 醚砜（PES)和/或聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)或者由其形成。襯底102能夠具有一種或多 種上述材料。襯底102能夠構(gòu)成為是半透明的或甚至是透明的。
[0042] 術(shù)語(yǔ)"半透明"或"半透明層"在不同的實(shí)施例中能夠理解為：層對(duì)于光是可穿透 的，例如對(duì)于由發(fā)光器件所產(chǎn)生的例如一個(gè)或多個(gè)波長(zhǎng)范圍的光是可穿透的，例如對(duì)于可 見(jiàn)光的波長(zhǎng)范圍中的光是可穿透的（例如至少在380nm至780nm的波長(zhǎng)范圍的子范圍中）。 術(shù)語(yǔ)"半透明層"在不同的實(shí)施例中例如能夠理解為：全部的耦合輸入到結(jié)構(gòu)（例如層）中 的光量基本上也從所述結(jié)構(gòu)（例如層）中耦合輸出，其中光的一部分在此能夠被散射。 [0043] 術(shù)語(yǔ)"透明"或"透明層"在不同的實(shí)施例中能夠理解為：層對(duì)于光是可穿透的（例 如至少在380nm至780nm的波長(zhǎng)范圍的子范圍中），其中耦合輸入到結(jié)構(gòu)（例如層）中的光 基本上在沒(méi)有散射或光轉(zhuǎn)換的情況下也從所述結(jié)構(gòu)（例如層）中耦合輸出。因此，"透明" 在不同的實(shí)施例中能夠視作為"半透明"的特殊情況。
[0044] 對(duì)于例如應(yīng)當(dāng)提供單色發(fā)光的或發(fā)射光譜受限的電子器件的情況而言足夠的是： 光學(xué)半透明的層結(jié)構(gòu)至少在期望的單色光的波長(zhǎng)范圍的子范圍中或者對(duì)于受限的發(fā)射光 譜是半透明的。
[0045] 在不同的實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管100(或還有根據(jù)在上文中或還要在下文中 描述的實(shí)施例的發(fā)光器件）能夠設(shè)計(jì)成所謂的頂部和底部發(fā)射器。頂部和底部發(fā)射器也能 夠稱(chēng)作為光學(xué)透明器件，例如透明有機(jī)發(fā)光二級(jí)管。
[0046] 在不同的實(shí)施例中，能夠可選地在襯底102上或上方設(shè)置有阻擋層（沒(méi)有示出）。 阻擋層能夠具有下述材料中的一種或多種或者由其制成：氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、 氧化鉿、氧化鉭、氧化鑭、氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、氧化銦錫、氧化銦鋅、錯(cuò)摻雜的氧化鋅、 以及它們的混合物和合金。此外，阻擋層在不同的實(shí)施例中能夠具有在大約〇. lnm(原子 層）至大約5000nm的范圍中的層厚度，例如在大約10nm至大約200nm的范圍中的層厚度， 例如為大約40nm的層厚度。
[0047] 此外，在不同的實(shí)施例中，能夠在襯底102的上表面上或必要時(shí)在阻擋層的露出 的表面上施加平坦化介質(zhì)104。
[0048] 平坦化介質(zhì)104能夠具有材料106,所述材料吸收波長(zhǎng)最大為600nm的福射。材 料106能夠設(shè)計(jì)成，使得所述材料吸收波長(zhǎng)最大為575nm、例如最大為550nm、例如最大為 525nm、例如最大為500nm、例如最大為475nm、例如最大為450nm、例如最大為425nm、例如最 大為400nm的輻射。因此，材料106能夠直觀地設(shè)計(jì)成，使得所述材料吸收波長(zhǎng)在紫外（UV) 輻射范圍中的輻射或者還有波長(zhǎng)在藍(lán)光范圍中的輻射。
[0049] 材料106例如能夠是有機(jī)的UV吸收材料。在不同的實(shí)施例中，UV吸收材料能夠具 有苯并三唑結(jié)構(gòu)或二苯甲酮結(jié)構(gòu)。具有苯并三唑結(jié)構(gòu)的有機(jī)的UV吸收材料例如能夠具有 2-(2'-羥基-3'，5'-甲苯基）苯并三唑、2-(2'-羥基-3'，5'-二（〇,〇-二甲苯甲基） 苯基）苯并三唑、2-(2'-羥基-3'，5'-二叔丁基苯基）苯并三唑、2-(2'-羥基-3'-叔丁 基-5'-甲苯基）-5-氯苯并三唑和3- (5-氯-2H-苯并三唑-2-基）-5- (1，1-二聚吲哚-二 乙基）-4-羥基-苯甲酸辛酯。具有二苯甲酮結(jié)構(gòu)的有機(jī)的UV吸收材料能夠具有2, 4-二 羥基二苯甲酮、2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮-5-磺酸、2-羥 基-4-n-辛氧基二苯甲酮、2, 2' -二羥基-4, 4' -二甲氧基二苯甲酮、2, 2'，4, 4' -四羥基 二苯甲酮和2-羥基-4-甲氧基-2' -羧基二苯甲酮。該UV吸收材料能夠單獨(dú)地或作為混 合物使用。在替選的實(shí)施例中能夠使用其他合適的UV吸收材料。
[0050] 材料106能夠嵌在載體材料108中、例如嵌在基體材料108中或者混入載體材料 108。在不同的實(shí)施例中，基體材料能夠具有下述材料中的一種或多種：環(huán)氧樹(shù)脂、玻璃焊 料、丙烯酸酯（例如聚甲基苯烯酸甲酯）、所有可能的聚合物（例如聚碳酸酯、聚乙烯萘、聚 對(duì)苯二甲酸二乙酯、聚尿烷）、氧化鈦、氮化硅、氧化鋁。
[0051] 直觀地，在不同的實(shí)施例中，基體材料108和嵌入其中的吸收材料106形成平坦化 介質(zhì)104。
[0052] 在不同的實(shí)施例中，平坦化介質(zhì)104能夠以液相或氣相存在并且以液相或氣相施 加到襯底102的表面上。如果平坦化介質(zhì)104以液相存在，那么所述平坦化介質(zhì)（例如在吸 收材料106混入載體材料108之后）能夠借助于下述方法中的一個(gè)施加到襯底的表面上： 離心涂鍍、刮涂、壓印、噴射、刷涂、輥涂、抽涂、擦涂、浸涂、流涂、裂紋澆注。在又一個(gè)設(shè)計(jì)方 案中，平坦化介質(zhì)能夠借助于無(wú)接觸的方法來(lái)施加。將平坦化介質(zhì)進(jìn)而將吸收輻射的材料 施加到襯底的表面上的許多不同的可能性引起靈活的并且多樣的可應(yīng)用的工藝。
[0053] 隨后，能夠?qū)⑵教够橘|(zhì)104硬化，例如借助于擴(kuò)散包含在平坦化介質(zhì)中的溶劑 來(lái)硬化。在不同的實(shí)施例中，能夠使用下述溶劑中的一種或多種：丙酮、乙腈、苯胺、苯甲醚、 苯（粗苯）、芐腈、溴苯、1-丁醇、叔丁基甲醚（TBME)、丁內(nèi)酯、喹啉、氯苯、氯仿、環(huán)己烷、 二甘醇、乙醚、二甲基乙醚胺、二甲基甲酰胺、二甲亞砜、1，4-二氧雜環(huán)乙烷、冰醋酸、醋酸 酐、醋酸乙酯、乙醇、二氯乙烯、乙二醇、乙二醇二甲醚、甲酰胺、正己烷、正庚烷、2-丙醇（異 丙醇）、甲醇、3-甲基-1-丁醇（異戊醇）、2_甲基-2-丙醇（三丁醇）、二氯甲烷、甲乙酮 (丁酮）、N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP)、N-甲基甲酰胺、硝基苯、硝基甲烷、正戊烷、石油醚/ 輕汽油、哌啶、丙醇、碳酸丙烯酯（4-甲基-1，3-二呋喃-2-酮）、吡啶、二硫化碳、環(huán)砜烷、四 氯乙烯、四氯化碳、四氫呋喃、甲苯、1，1，1-三氯乙烷、三氯乙烯、三乙胺、三甘醇、三甘醇二 甲醚（Triglyme)、例如水、乙醇、丁醇、正丙醇、異丙醇、乙醇、均三甲基苯、苯乙醚、苯甲醚、 甲苯、丙二醇二丙烯酸酯（PGDA)、通常為乙二醇醚、甲乙酮、氯苯、乙醚、醋酸乙酯。替選地， 仍為液態(tài)的平坦化介質(zhì)104還能夠由光輻照從而光學(xué)硬化。還替選地，仍為液態(tài)的平坦化 介質(zhì)104能夠借助于溫度激活來(lái)硬化。
[0054] 替選地，材料106能夠具有聚合物，在所述聚合物上結(jié)合有作為分子殘基的吸收 波長(zhǎng)最大為600nm的波長(zhǎng)的材料。在該情況下，能夠直接將聚合物以簡(jiǎn)單的并且低成本的 方式施加到襯底102的表面上。
[0055] 在不同的實(shí)施例中，可以施加一定厚度的平坦化介質(zhì)104,使得吸收一定百分比的 光，所述百分比在大約85%至大約99%的范圍中。此外，平坦化介質(zhì)104能夠具有最大為 0. 25 μ m的粗糙度。
[0056] 在不同的實(shí)施例中，例如在將平坦化介質(zhì)104以濕法化學(xué)的方式沉積到襯底102 上的情況下，在平坦化介質(zhì)104中還能夠附加地引入或嵌有散射光的顆粒，所述散射光的 顆粒能夠引起進(jìn)一步改進(jìn)色角畸變和耦合輸出效率。散射光在此通過(guò)平坦化介質(zhì)和一個(gè)或 多個(gè)顆粒之間的折射率差引起。在不同的實(shí)施例中，作為散射光的顆粒例如能夠設(shè)有介電 的散射顆粒，例如金屬氧化物，例如氧化硅（Si02)、氧化鋅（ZnO)、氧化鋯（Zr02)、銦錫氧化 物（ΙΤ0)或銦鋅氧化物（ΙΖ0)、氧化鎵（Ga 20a，例如其中a = 1或3)、氧化鋁、或氧化鈦。其 他顆粒也能夠是適合的，例如氣泡、丙烯酸酯或玻璃空心球。此外，例如能夠?qū)⒔饘偌{米顆 粒、金屬如金、銀、鐵納米顆粒等設(shè)為散射光的顆粒。
[0057] 要說(shuō)明的是，平坦化介質(zhì)104的厚度取決于襯底102的要平坦化的表面106的粗 糙度和平坦化介質(zhì)104的或材料106的露出的表面的所期望的粗糙度。
[0058] 直觀地，因此，通過(guò)應(yīng)用平坦化介質(zhì)104和材料106實(shí)現(xiàn)襯底102的表面的平坦化 以及同時(shí)在例如從襯底側(cè)起由UV輻射進(jìn)行輻照時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)光電子器件的輻射保護(hù)。
[0059] 圖2示出根據(jù)不同實(shí)施例的光電子器件200在其制造的第二時(shí)間點(diǎn)的第二橫截面 視圖。
[0060] 在平坦化介質(zhì)104上或上方（或者例如當(dāng)在硬化之后僅還有材料106保留時(shí)，例 如在材料106上或上方）能夠設(shè)置發(fā)光器件200的電有源區(qū)域110。電有源區(qū)域110能夠 理解成發(fā)光器件200的下述區(qū)域，用于運(yùn)行發(fā)光器件200的電流在所述區(qū)域中流動(dòng)。在不同 的實(shí)施例中，電有源區(qū)域110能夠具有第一電極112、第二電極116和有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)114， 如其在下文中更詳細(xì)闡述的那樣。
[0061] 因此，在不同的實(shí)施例中，在平坦化介質(zhì)104上或上方能夠施加第一電極112 (例 如以第一電極層112的形式）。第一電極112(在下文中也稱(chēng)作為下部電極112)能夠由 能導(dǎo)電的材料構(gòu)成或者是能導(dǎo)電的材料，例如由金屬或透明導(dǎo)電氧化物（transparent conductive oxide, TC0)形成或由相同金屬的或不同金屬的和/或相同TC0的或不同TC0 的多個(gè)層的層堆來(lái)形成。透明導(dǎo)電氧化物是透明的、導(dǎo)電的材料，例如金屬氧化物，例如氧 化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化銦或銦錫氧化物（ΙΤ0)。除了二元的金屬氧化物化合物、 例如Zn0、Sn0 2*In203以夕卜，三元的金屬氧化物化合物、例如AlZn0、Zn2Sn0 4、CdSn03、ZnSn03、 Mgln204、GaIn03、Zn2In 205或In4Sn3012或不同的透明導(dǎo)電氧化物的混合物也屬于TC0族并且 能夠在不同的實(shí)施例中使用。此外，TC0不強(qiáng)制符合化學(xué)計(jì)量的組分并且還能夠是p型摻 雜的或η型摻雜的。
[0062] 在不同的實(shí)施例中，第一電極112能夠具有金屬；例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、 Ag、Au、Mg、Ca、Sm或Li、以及這些材料的化合物、組合或合金。
[0063] 在不同的實(shí)施例中，能夠由在TC0層上的金屬層的組合的層堆形成第一電極112， 或者反之。一個(gè)示例是施加在銦錫氧化物層（ΙΤ0)上的銀層（ΙΤ0上的Ag)或IT0-Ag-IT0 復(fù)層。
[0064] 在不同的實(shí)施例中，替選于或附加于上述材料，第一電極112能夠設(shè)有下述材料 中的一種或多種：由例如由Ag制成的金屬的納米線(xiàn)和納米微粒構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)；由碳納米管構(gòu) 成的網(wǎng)絡(luò)；石墨微粒和石墨層；由半導(dǎo)體納米線(xiàn)構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)。
[0065] 此外，第一電極112能夠具有導(dǎo)電聚合物或過(guò)渡金屬氧化物或?qū)щ娡该餮趸铩?br> [0066] 在不同的實(shí)施例中，第一電極112和襯底102能夠構(gòu)成為是半透明的或透明的。在 第一電極112由金屬形成的情況下，第一電極112例如能夠具有小于或等于大約25nm的層 厚度、例如小于或等于大約20nm的層厚度、例如小于或等于大約18nm的層厚度。此外，第 一電極112例如能夠具有大于或等于大約10nm的層厚度、例如大于或等于大約15nm的層 厚度。在不同的實(shí)施例中，第一電極112能夠具有在大約10nm至大約25nm的范圍內(nèi)的層 厚度、例如在大約l〇nm至大約18nm的范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約15nm至大約18nm的范 圍內(nèi)的層厚度。
[0067] 此外，對(duì)于第一電極112由透明導(dǎo)電氧化物（TC0)形成的情況而言，第一電極112 例如具有在大約50nm至大約500nm的范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約75nm至大約250nm的 范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約l〇〇nm至大約150nm的范圍內(nèi)的層厚度。
[0068] 此外，對(duì)于第一電極112由例如由如Ag構(gòu)成的能夠與導(dǎo)電聚合物組合的金屬的納 米線(xiàn)構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)形成、由能夠與導(dǎo)電聚合物組合的碳納米管構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)或者由石墨層和復(fù) 合材料形成的情況而言，第一電極112例如能夠具有在大約lnm至大約500nm的范圍內(nèi)的 層厚度、例如在大約l〇nm至大約400nm的范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約40nm至大約250nm 的范圍內(nèi)的層厚度。
[0069] 第一電極112能夠構(gòu)成為陽(yáng)極、即構(gòu)成為注入空穴的電極，或者構(gòu)成為陰極、即構(gòu) 成為注入電子的電極。
[0070] 第一電極112能夠具有第一電端子，第一電勢(shì)（由能量源（未不出）、例如電流源 或電壓源提供）能夠施加到所述第一電端子上。替選地，第一電勢(shì)能夠施加到或已施加到 襯底102上并且然后能夠經(jīng)由此間接地輸送給或已輸送給第一電極112。第一電勢(shì)例如能 夠是接地電勢(shì)或者不同地預(yù)設(shè)的參考電勢(shì)。
[0071] 此外，發(fā)光器件200的電有源區(qū)域110能夠具有有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)114,所述有 機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)施加在或已施加在第一電極112上或上方。
[0072] 有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)114能夠包含一個(gè)或多個(gè)發(fā)射體層118、例如具有發(fā)熒光的 和/或發(fā)磷光的發(fā)射體的發(fā)射體層，以及一個(gè)或多個(gè)空穴傳導(dǎo)層120 (也稱(chēng)作空穴傳輸層 120)。在不同的實(shí)施例中，替選地或附加地，能夠設(shè)有一個(gè)或多個(gè)電子傳導(dǎo)層122(也稱(chēng)作 電子傳輸層122)。
[0073] 能夠在根據(jù)不同實(shí)施例的發(fā)光器件200中用于發(fā)射體層118的發(fā)射體材料 的實(shí)例包括：有機(jī)的或有機(jī)金屬的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亞苯基的衍生物（例如 2-或2, 5-取代的聚-對(duì)-亞苯基乙烯撐）；以及金屬絡(luò)合物，例如銥絡(luò)合物，如發(fā)藍(lán)色 磷光的FIrPic (雙（3, 5-二氟-2-(2-吡啶基）苯基-(2-羧基吡啶基）-銥III)、發(fā)綠 色磷光的Ir (ppy) 3 (三（2-苯基吡啶）銥III)、發(fā)紅色磷光的Ru (dtb-bpy) 3*2 (PF6)) (三[4,4' -二-叔-丁基-(2, 2'）-聯(lián)吡啶]釕（III)絡(luò)合物）、以及發(fā)藍(lán)色熒光的 DPAVBi(4,4-雙[4-(二-對(duì)-甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯）、發(fā)綠色熒光的TTPA(9, 10-雙 [N，N-二-(對(duì)-甲苯基）-氨基]蒽）和發(fā)紅色熒光的DCM2(4-二氰基亞甲基）-2-甲 基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃）作為非聚合物發(fā)射體。這種非聚合物發(fā)射體例如 能夠借助于熱蒸鍍沉積。此外，能夠使用聚合物發(fā)射體，所述聚合物發(fā)射體尤其能夠借助于 濕法化學(xué)法、例如旋涂法（也稱(chēng)作Spin Coating)來(lái)沉積。
[0074] 發(fā)射體材料能夠以適合的方式嵌在基體材料中。
[0075] 需要指出的是，在其他的實(shí)施例中同樣設(shè)有其他適合的發(fā)射體材料。
[0076] 發(fā)光器件200的發(fā)射體層118的發(fā)射體材料例如能夠選擇為，使得發(fā)光器件200 發(fā)射白光。一個(gè)或多個(gè)發(fā)射體層118能夠具有多種發(fā)射不同顏色（例如藍(lán)色和黃色或者藍(lán) 色、綠色和紅色）的發(fā)射體材料，替選地，發(fā)射體層118也能夠由多個(gè)子層構(gòu)成，如發(fā)藍(lán)色熒 光的發(fā)射體層118或發(fā)藍(lán)色磷光的發(fā)射體層118、發(fā)綠色磷光的發(fā)射體層118和發(fā)紅色磷光 的發(fā)射體層118。通過(guò)不同顏色的混合，能夠得到具有白色的色彩印象的光的發(fā)射。替選 地，也能夠提出，在通過(guò)這些層產(chǎn)生的初級(jí)發(fā)射的光路中設(shè)置有轉(zhuǎn)換材料，所述轉(zhuǎn)換材料至 少部分地吸收初級(jí)輻射并且發(fā)射其他波長(zhǎng)的次級(jí)輻射，使得從（還不是白色的）初級(jí)輻射 通過(guò)將初級(jí)輻射和次級(jí)輻射組合得到白色的色彩印象。
[0077] 有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)114通常能夠具有一個(gè)或多個(gè)電致發(fā)光層。一個(gè)或多個(gè)電致 發(fā)光層能夠具有有機(jī)聚合物、有機(jī)低聚物、有機(jī)單體、有機(jī)的小的、非聚合物的分子（"小分 子（small molecules)"）或這些材料的組合。有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)114例如能夠具有構(gòu) 成為空穴傳輸層120的一個(gè)或多個(gè)電致發(fā)光層，使得例如在0LED的情況下實(shí)現(xiàn)將空穴有效 地注入到進(jìn)行電致發(fā)光的層或進(jìn)行電致發(fā)光的區(qū)域中。替選地，在不同的實(shí)施例中，有機(jī)電 致發(fā)光層結(jié)構(gòu)114能夠具有構(gòu)成為電子傳輸層122的一個(gè)或多個(gè)功能層，使得例如在0LED 中實(shí)現(xiàn)將電子有效地注入到進(jìn)行電致發(fā)光的層或進(jìn)行電致發(fā)光的區(qū)域中。例如能夠使用叔 胺、咔唑衍生物、導(dǎo)電的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩作為用于空穴傳輸層120的材料。在不同 的實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)電致發(fā)光層能夠構(gòu)成為進(jìn)行電致發(fā)光的層。
[0078] 在不同的實(shí)施例中，空穴傳輸層120能夠施加、例如沉積在第一電極112上或上 方，并且發(fā)射體層118能夠施加、例如沉積在空穴傳輸層120上或上方。在不同的實(shí)施例中， 電子傳輸層122能夠施加、例如沉積在發(fā)射體層118上或上方。
[0079] 在不同的實(shí)施例中，有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)114(即例如空穴傳輸層120和發(fā)射體層 118和電子傳輸層122的厚度的總和）具有最大為大約1. 5 μ m的層厚度、例如最大為大約 1. 2 μ m的層厚度、例如最大為大約1 μ m的層厚度、例如最大為大約800nm的層厚度、例如最 大為大約500nm的層厚度、例如最大為大約400nm的層厚度、例如最大為大約300nm的層厚 度。在不同的實(shí)施例中，有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)114例如能夠具有多個(gè)直接彼此相疊設(shè)置的 有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)的堆，其中每個(gè)0LED例如能夠具有最大為大約1.5μπι的層厚度、 例如最大為大約1. 2 μ m的層厚度、例如最大為大約1 μ m的層厚度、例如最大為大約800nm 的層厚度、例如最大為大約500nm的層厚度、例如最大為大約400nm的層厚度、例如最大為 大約300nm的層厚度。在不同的實(shí)施例中，有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)114例如能夠具有兩個(gè)、三 個(gè)或四個(gè)直接彼此相疊設(shè)置的0LED的堆，在此情況下，有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)114例如能夠 具有最大為大約3 μ m的層厚度。
[0080] 發(fā)光器件200可選地通常能夠具有另外的有機(jī)功能層，所述另外的有機(jī)功能層例 如設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)發(fā)射體層118上或其上方或設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)電子傳輸層122上或其 上方，用于進(jìn)一步改進(jìn)發(fā)光器件200的功能性進(jìn)而改進(jìn)效率。
[0081] 在有機(jī)電致發(fā)光層結(jié)構(gòu)114上或上方或者必要時(shí)在一個(gè)或多個(gè)另外的有機(jī)功能 層上或上方能夠施加第二電極116 (例如以第二電極層116的形式）。
[0082] 在不同的實(shí)施例中，第二電極116能夠具有與第一電極112相同的材料或者由其 形成，其中在不同的實(shí)施例中金屬是尤其適合的。
[0083] 在不同的實(shí)施例中，第二電極116(例如對(duì)于金屬的第二電極116的情況而言）例 如能夠具有小于或等于大約50nm的層厚度、例如小于或等于大約45nm的層厚度、例如小于 或等于大約40nm的層厚度、例如小于或等于大約35nm的層厚度、例如小于或等于大約30nm 的層厚度、例如小于或等于大約25nm的層厚度、例如小于或等于大約20nm的層厚度、例如 小于或等于大約15nm的層厚度、例如小于或等于大約10nm的層厚度。
[0084] 第二電極116通常能夠以與第一電極112類(lèi)似的或不同的方式構(gòu)成或已構(gòu)成。第 二電極116在不同的實(shí)施例中能夠由一種或多種材料并且以相應(yīng)的層厚度構(gòu)成或已構(gòu)成， 如這在上文中結(jié)合第一電極112所描述的那樣。在不同的實(shí)施例中，第一電極112和第二 電極116這兩者都透明地或半透明地構(gòu)成。因此，在圖1中示出的發(fā)光器件200能夠設(shè)計(jì) 成頂部和底部發(fā)射器（換言之作為透明的發(fā)光器件200)。
[0085] 第二電極116能夠構(gòu)成為陽(yáng)極、即構(gòu)成為空穴注入的電極，或者構(gòu)成為陰極、即構(gòu) 成為電子注入的電極。
[0086] 第二電極116能夠具有第二電端子，由能量源提供的第二電勢(shì)（所述第二電勢(shì)與 第一電勢(shì)不同）能夠施加到所述第二電端子上。第二電勢(shì)例如能夠具有一定數(shù)值，使得與 第一電勢(shì)的差具有在大約1. 5V至大約20V范圍內(nèi)的數(shù)值、例如在大約2. 5V至大約15V的 范圍內(nèi)的數(shù)值、例如在大約3V至大約12V的范圍內(nèi)的數(shù)值。
[0087] 在第二電極116上或上方進(jìn)而在電有源區(qū)域110上或上方可選地還能夠形成或已 形成封裝件124,例如阻擋薄層/薄層封裝件124的形式的封裝件。
[0088] "阻擋薄層"或"阻擋薄膜"124在本申請(qǐng)的范圍中例如能夠理解為下述層或?qū)咏Y(jié) 構(gòu)，所述層或?qū)咏Y(jié)構(gòu)適合于形成相對(duì)于化學(xué)雜質(zhì)或大氣物質(zhì)、尤其相對(duì)于水（濕氣）和氧氣 的阻擋。換言之，阻擋薄層124構(gòu)成為，使得其不能夠或至多極其少部分由損壞OLED的物 質(zhì)例如水、氧氣或溶劑穿過(guò)。
[0089] 根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層124能夠構(gòu)成單獨(dú)的層（換言之，構(gòu)成為單層）。根 據(jù)一個(gè)替選的設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層124能夠具有多個(gè)彼此疊加構(gòu)成的子層。換言之，根據(jù) 一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層124能夠構(gòu)成為層堆（Stack)。阻擋薄層124或阻擋薄層124的 一個(gè)或多個(gè)子層例如能夠借助于適合的沉積方法來(lái)形成，例如根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案借助于 原子層沉積方法（Atomic Layer Deposition(ALD))、例如等離子增強(qiáng)的原子層沉積方法 (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition(PEALD))或無(wú)等離子的原子層沉積方法 (Plasma-less Atomic Layer Deposition(PLALD))來(lái)形成，或根據(jù)另一個(gè)設(shè)計(jì)方案借助于 化學(xué)氣相沉積方法（Chemical Vapor Deposition(CVD))、例如等離子增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積 方法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD))或無(wú)等離子的化學(xué)氣相沉 積方法（Plasma-less Chemical Vapor Deposition (PLCVD))來(lái)形成，或借助于分子層沉積 (Molecular Layer Deposition (MLD)，或者替選地借助于另外適合的沉積方法來(lái)形成。
[0090] 通過(guò)應(yīng)用原子層沉積（ALD)能夠沉積極其薄的層。特別地，能夠沉積層厚度位于 原子層范圍內(nèi)的層。
[0091] 根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，在具有多個(gè)子層的阻擋薄層124中，能夠借助于原子層沉積 方法形成全部子層。僅具有ALD層的層序列也能夠稱(chēng)作"納米疊層（Nanolaminat)"。
[0092] 根據(jù)一個(gè)替選的設(shè)計(jì)方案，在具有多個(gè)子層的阻擋薄層124中，能夠借助于不同 于原子層沉積方法的沉積方法來(lái)沉積阻擋薄層124的一個(gè)或多個(gè)子層，例如借助于氣相沉 積方法來(lái)沉積。
[0093] 阻擋薄層124根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案能夠具有大約0· lnm(-個(gè)原子層）至大約 lOOOnrn的層厚度，例如根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案為大約10nm至大約100nm的層厚度、例如根據(jù)一 個(gè)設(shè)計(jì)方案為大約40nm的層厚度。
[0094] 根據(jù)其中阻擋薄層124具有多個(gè)子層的設(shè)計(jì)方案，全部子層能夠具有相同的層厚 度。根據(jù)另一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層124的各個(gè)子層能夠具有不同的層厚度。換言之，至少 一個(gè)子層能夠具有不同于一個(gè)或多個(gè)其他子層的層厚度。
[0095] 根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層124或阻擋薄層124的各個(gè)子層能夠構(gòu)成為是半透 明的或透明的層。換言之，阻擋薄層124(或阻擋薄層124的各個(gè)子層）能夠由半透明的或 透明的材料（或半透明的或透明的材料組合）制成。
[0096] 根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層124或（在具有多個(gè)子層的層堆的情況下）阻擋薄 層124的一個(gè)或多個(gè)子層具有下述材料中的一種或由下述材料中的一種制成：氧化鋁、氧 化鋅、氧化锫、氧化鈦、氧化鉿、氧化鉭、氧化鑭、氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、銦錫氧化物、銦 鋅氧化物、鋁摻雜的氧化鋅、以及它們的混合物和合金。在不同的實(shí)施例中，阻擋薄層124 或（在具有多個(gè)子層的層堆的情況下）阻擋薄層124的一個(gè)或多個(gè)子層能夠具有一種或多 種1?折射率的材料，換目之具有一種或多種具有1?折射率的材料，例如具有至少為2的折 射率的材料。
[0097] 在不同的實(shí)施例中，能夠在封裝件124上或上方設(shè)有粘接劑和/或保護(hù)漆126,借 助于所述粘接劑和/或保護(hù)漆例如將覆蓋件128 (例如玻璃覆蓋件128)固定、例如粘貼在 封裝件124上。在不同的實(shí)施例中，由粘接劑和/或保護(hù)漆126構(gòu)成的光學(xué)半透明層能夠 具有大于lym的層厚度，例如幾 μπι的層厚度。在不同的實(shí)施例中，粘接劑能夠具有層壓 粘接劑或是層壓粘接劑。要指出的是，例如當(dāng)設(shè)有保護(hù)漆126時(shí)，不一定需要覆蓋件128。
[0098] 在不同的實(shí)施例中，還能夠?qū)⑸⑸涔獾念w粒嵌入到粘接劑的層（也稱(chēng)作粘接層） 中，所述散射光的顆粒能夠引起進(jìn)一步改進(jìn)色角畸變和耦合輸出效率。在不同的實(shí)施例中， 例如能夠?qū)⒔殡姷纳⑸漕w粒設(shè)為散射光的顆粒，例如金屬氧化物，如氧化硅（Si0 2)、氧化鋅 (ZnO)、氧化鋯（Zr02)、銦錫氧化物（ΙΤ0)或銦鋅氧化物（ΙΖ0)、氧化鎵（Ga20a)、氧化鋁或氧 化鈦。其他顆粒也是適合的，只要其具有與半透明的層結(jié)構(gòu)的基體的有效折射率不同的折 射率，例如為氣泡、丙烯酸鹽或玻璃空心球。此外，例如能夠?qū)⒔饘俚募{米顆粒，金屬、如金、 銀，鐵納米顆粒等設(shè)為散射光的顆粒。
[0099] 在不同的實(shí)施例中，在第二電極116和由粘接劑和/或保護(hù)漆126構(gòu)成的層之間 還施加有或能夠施加有電絕緣層（未示出），例如為SiN，例如具有在大約300nm至大約 1. 5μπι的范圍中的層厚度，例如具有在大約500nm至大約Ιμπι的范圍中的層厚度，以便例 如在濕法化學(xué)工藝期間保護(hù)電學(xué)不穩(wěn)定的材料。
[0100] 在不同的實(shí)施例中，粘接劑能夠設(shè)計(jì)成，使得其本身具有比覆蓋件128的折射率 小的折射率。這種粘接劑例如能夠是低折射率的粘接劑，例如如丙烯酸鹽，丙烯酸鹽具有大 約1. 3的折射率。此外，能夠設(shè)有形成粘接劑層序列的多種不同的粘接劑。
[0101] 還需要指出的是，在不同的實(shí)施例中也能夠完全地棄用粘接劑126,例如在將由玻 璃制成的覆蓋件128借助于等離子噴射來(lái)施加到封裝件124上的實(shí)施例中放棄。
[0102] 此外，在不同的實(shí)施例中，能夠在發(fā)光器件200中附加地設(shè)有一個(gè)或多個(gè)抗反射 層（例如與封裝件124、如薄層封裝件124組合）。
[0103] 要指出的是，針對(duì)在上文中描述的其中吸收輻射的材料106僅在襯底102和電有 源區(qū)域110之間、更確切地說(shuō)例如在襯底102和第一電極112之間設(shè)置的實(shí)施例，第二電極 116能夠設(shè)計(jì)成是反射性的。
[0104] 圖3示出根據(jù)不同實(shí)施例的同樣示例性實(shí)施成有機(jī)發(fā)光二極管300的發(fā)光器件 300的橫截面視圖。
[0105] 根據(jù)圖3的有機(jī)發(fā)光二極管300在多方面與根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二極管200相 同，因此在下文中僅詳細(xì)闡述根據(jù)圖3的有機(jī)發(fā)光二極管300與根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二極 管200的不同之處；關(guān)于根據(jù)圖3的有機(jī)發(fā)光二極管300的其余元件，參照根據(jù)圖2的有機(jī) 發(fā)光二極管200的上述實(shí)施方案。
[0106] 不同于根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二極管200,在多個(gè)實(shí)施例中，如在圖3中示出的那樣， 設(shè)有附加的吸收輻射的材料302,例如設(shè)置在封裝件124和粘接劑和/或保護(hù)漆126之間。 附加的吸收輻射的材料302能夠如在上文中已經(jīng)描述的那樣設(shè)計(jì)成與材料106相同，并且 能夠以相同的方式制造和施加。吸收輻射的材料302能夠設(shè)計(jì)成吸收波長(zhǎng)最大為600nm的 輻射，例如所述吸收輻射的材料能夠設(shè)計(jì)成吸收UV輻射和/或藍(lán)光。在不同的實(shí)施例中， 能夠?qū)⑽蛰椛涞牟牧?02嵌入到載體材料的基體中。因此，直觀地，附加的吸收輻射的材 料302例如能夠以材料層形式施加在或已施加在封裝件124上或上方，并且粘接劑/保護(hù) 漆126能夠施加在或已施加在材料層上或上方、通常在附加的吸收輻射的材料302上方。
[0107] 然而，要指出的是，在不同的實(shí)施例中，吸收輻射的材料106、302在0LED的不同區(qū) 域中也能夠是不同的，然而，所述吸收輻射的材料始終具有期望的吸收輻射的特性。
[0108] 圖4示出根據(jù)不同實(shí)施例的同樣示例性實(shí)施成有機(jī)發(fā)光二極管400的發(fā)光器件 400的橫截面視圖。
[0109] 根據(jù)圖4的有機(jī)發(fā)光二極管400在多方面與根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二極管200相 同，因此在下文中僅詳細(xì)闡述根據(jù)圖4的有機(jī)發(fā)光二極管400與根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二極 管200的不同之處；關(guān)于根據(jù)圖4的有機(jī)發(fā)光二極管400的其余元件，參照根據(jù)圖2的有機(jī) 發(fā)光二極管200的上述實(shí)施方案。
[0110] 不同于根據(jù)圖2的有機(jī)發(fā)光二極管200,在不同的實(shí)施例中，如在圖4中示出的那 樣，將附加的吸收輻射的材料402混入、例如摻入粘接劑和/或保護(hù)漆126。附加的吸收輻 射的材料402能夠與如在上文中描述的材料106相同地設(shè)計(jì)。
[0111] 然而，要指出的是，在不同的實(shí)施例中，吸收輻射的材料1〇6、402在0LED的不同的 區(qū)域中也能夠是不同的，然而，所述吸收輻射的材料始終具有所期望的吸收輻射的特性。
[0112] 在不同的實(shí)施例中能夠提出，根據(jù)圖3和圖4的有機(jī)發(fā)光二極管300、400構(gòu)造成 透明的有機(jī)發(fā)光二極管。
[0113] 此外，能夠提出，吸收輻射的材料設(shè)計(jì)并且設(shè)置成，使得所述吸收輻射的材料總是 在其所設(shè)置的區(qū)域中提供濾波功能，其中傾斜邊緣具有透射光譜的大約為85%吸收的上邊 界和大約為2%吸收的下邊界。在不同的實(shí)施例中，邊緣陡度能夠位于大約為20nm的范圍 中。
[0114] 因此，在不同的實(shí)施例中提出，在有機(jī)發(fā)光二極管之內(nèi)的不同部位上引入特殊的 吸收輻射的材料，例如以特殊的吸收輻射的層、例如為特殊的阻擋UV的層的形式。例如在 襯底側(cè)發(fā)射的有機(jī)發(fā)光二極管的情況下，這種材料例如能夠以中間層的形式設(shè)置在或已設(shè) 置在襯底（例如玻璃襯底）和第一（例如透明的）電極之間。
[0115] 在透明的有機(jī)發(fā)光二極管的情況下，能夠在不同的實(shí)施例中提出，除了設(shè)置在襯 底和第一電極之間的吸收輻射的材料之外，也在電有源區(qū)域的另一側(cè)上進(jìn)而例如在封裝件 上或上方（例如在封裝件和覆蓋件之間）設(shè)有這種吸收輻射的材料。以該方式，能夠從兩側(cè) 保護(hù)有機(jī)發(fā)光二極管、例如有機(jī)功能層堆免受預(yù)設(shè)波長(zhǎng)的輻射、例如免受UV輻射的影響。
[0116] 例如以材料層的形式引入的材料在不同的實(shí)施例中不僅能夠以濕法化學(xué)的方式、 而且能夠借助于沉積方法、例如借助于真空沉積法來(lái)施加。
[0117] 在濕法化學(xué)的工藝中，吸收UV的顏料、換言之吸收UV的材料（例如，無(wú)機(jī)的：Ti02 或氧化鋅顏料，有機(jī)的：樟腦、水楊酸、肉桂酸）能夠嵌入到或已嵌入到透明的基體中并且 作為薄層（小于幾微米的層厚度）施加到襯底或薄膜封裝件上。在該透明的基體中也能夠 附加地引入如在上文中描述的散射光的顆粒（例如Ti02、A1203、孔、SiO)，以便散射可見(jiàn) 光。由此，除了 UV保護(hù)之外，也改進(jìn)了有機(jī)發(fā)光二極管的光耦合輸出。對(duì)于阻擋UV的層也 有助于改進(jìn)光耦合輸出的情況而言，需要注意該層的折射率。所述折射率應(yīng)至少等于或大 于襯底的、例如玻璃襯底的折射率（η?1.5)。為了能夠耦合輸出更多的光，該折射率應(yīng)大 于或等于有機(jī)層的折射率（通常η?1. 8)。引入的散射顆粒應(yīng)具有與基體的折射率差，以 獲得有效的光散射。
[0118] 借助于真空沉積（例如PECVD或ALD)例如可能的是，將薄的阻擋UV的層（層厚 度小于1 μ m)施加到襯底或封裝件上。在此，尤其有利的是，所述層位于0LED的內(nèi)部區(qū)域 中從而受到保護(hù)免受物理破壞，因?yàn)樗鰧臃駝t能夠非常容易被刮去（例如通過(guò)清潔OLED 而被刮去）。在此，在不同的實(shí)施例中，例如能夠?qū)i02、Zn02*SiN設(shè)為材料。這些材料 吸收例如在UV范圍中的光。同樣可能經(jīng)由多層薄層來(lái)建立用于UV光的鏡。
[0119] 在不同的實(shí)施例中，根據(jù)圖3的有機(jī)發(fā)光二極管300和根據(jù)圖4的有機(jī)發(fā)光二極 管也能夠設(shè)為彼此組合。
【權(quán)利要求】
1. 一種用于制造光電子器件（200)的方法，其中所述方法具有： ?將平坦化介質(zhì)（104)施加到襯底（102)的表面上，其中所述平坦化介質(zhì)（104)具有材 料（106)，所述材料吸收波長(zhǎng)最大為600nm的電磁福射； ?在所述材料（106)上或上方施加第一電極（112); ?在所述第一電極（112)上或上方形成有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)（114);并且 ?在所述有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)（114)上或上方形成第二電極（116)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其中以一定厚度施加所述平坦化介質(zhì)（104)，使得吸收一定百分比的光，所述百分比在 從大約85%至大約99%的范圍中。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法， ?其中將吸收波長(zhǎng)最大為600nm的輻射的所述材料（106)混入載體材料（108)，使得形 成所述平坦化介質(zhì)（104)，并且 ?其中在混入所述材料（106)之后，將所述平坦化介質(zhì)（104)施加到所述襯底（102)的 表面上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的方法， 其中將所述平坦化介質(zhì)（104)借助于下述方法中的一種施加到所述襯底（102)的表面 上：離心涂鍍、刮涂、壓印、噴射、刷涂、輥涂、抽涂、擦涂、浸涂、流涂、裂紋澆注。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法， ?其中所述平坦化介質(zhì)（104)是液體，并且 ?其中在施加所述平坦化介質(zhì)（104)之后，將所述平坦化介質(zhì)（104)硬化。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法， 其中所述硬化具有下述方法中的至少一個(gè)： ?將包含在所述平坦化介質(zhì)（104)中的溶劑擴(kuò)散開(kāi)； ?用電磁輻射、優(yōu)選用一個(gè)或多個(gè)電子束來(lái)輻照所述平坦化介質(zhì)（104)和/或； ?加熱所述平坦化介質(zhì)（104);和/或 ?通過(guò)空氣濕氣聚合；和/或 ?消散平坦化介質(zhì)的兩個(gè)組成部分。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的方法， 其中將所述材料（106)設(shè)計(jì)成，使得所述材料吸收波長(zhǎng)最大為400nm的輻射。
8. -種光電子器件（200)，具有： ?襯底（102); ?在所述襯底（102)的表面上施加的平坦化介質(zhì)（104)，其中所述平坦化介質(zhì)（104)具 有材料（106)，所述材料吸收波長(zhǎng)最大為600nm的輻射；和 ?在所述材料（106)上或上方的第一電極（112); ?在所述第一電極（112)上或上方的有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)（114);和 ?在所述有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)（114)上或上方的第二電極（116)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的光電子器件（200)， 其中所述平坦化介質(zhì)（104)和/或所述材料（106)具有一定厚度，使得吸收一定百分 比的光，所述百分比在大約85%至大約99%的范圍中。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的光電子器件（200)， 其中吸收波長(zhǎng)最大為600nm的輻射的所述材料（106)嵌入基體材料（108)中。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的光電子器件（200)， 其中所述平坦化介質(zhì)（104)具有聚合物，在所述聚合物上結(jié)合有作為分子殘基的所述 材料（106)，所述材料吸收波長(zhǎng)最大為600nm的福射。
12. 根據(jù)權(quán)利要求8至11中任一項(xiàng)所述的光電子器件（200)， 其中所述材料（106)設(shè)計(jì)成，使得所述材料吸收波長(zhǎng)最大為400nm的輻射。
13. 根據(jù)權(quán)利要求8至12中任一項(xiàng)所述的光電子器件（200)， 其中所述光電子器件（200)具有發(fā)光器件和/或太陽(yáng)能電池。
14. 根據(jù)權(quán)利要求8至13中任一項(xiàng)所述的光電子器件（200)， 其中所述平坦化介質(zhì)（104)具有最大為0. 25 μ m的粗糙度。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK104094438SQ201380007742
【公開(kāi)日】2014年10月8日 申請(qǐng)日期:2013年1月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月1日
【發(fā)明者】托馬斯·多貝廷, 本亞明·克魯馬赫爾, 蒂洛·羅伊施, 西蒙·希克坦茨, 斯蒂芬·賽德?tīng)? 丹尼爾·斯特芬·塞茨, 托馬斯·韋盧斯 申請(qǐng)人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司