帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠基于良好的散熱性能降低熱阻抗，抑制多個半導(dǎo)體芯片間的熱干涉，具有高可靠性的低成本的帶散熱鰭片的功率半導(dǎo)體模塊。本發(fā)明的帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊(100)的金屬底座(1)具有厚度較薄的頂板部(11)和厚度比該頂板部(11)厚的外周部(15)，頂板部(11)的一側(cè)面上搭載有絕緣基板(8)，該絕緣基板(8)的上側(cè)具有通過焊錫接合搭載了多個半導(dǎo)體芯片(IGBT芯片(3)、FWD芯片(4))的金屬箔(5)，該絕緣基板(8)的下側(cè)具有通過焊錫(6)與頂板部(11)的表面進(jìn)行接合的金屬箔(5)，金屬底座(1)一側(cè)具有將絕緣基板(8)和半導(dǎo)體芯片和將該半導(dǎo)體芯片之間進(jìn)行連接所需的金屬布線進(jìn)行樹脂封裝的結(jié)構(gòu)，與絕緣基板(8)相對的金屬底座(1)的另一側(cè)具有散熱鰭片(10)。
【專利說明】帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種用于電能變換裝置等的具有散熱用鰭片的半導(dǎo)體模塊。

【背景技術(shù)】
[0002] 圖7、圖8所示為現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體模塊200。圖5為使用該功率半導(dǎo)體模塊200 的電能變換裝置的逆變器電路圖。圖7為金屬底座101的俯視圖。金屬底座101如圖8(a) 所示具有散熱鰭片110。金屬底座101上面具有3個絕緣基板108,在每個絕緣基板108上 通過金屬箔105焊接搭載有IGBT 103和FWD 104的2組半導(dǎo)體芯片的組合。這里，IGBT 為絕緣柵雙極型晶體管，F(xiàn)WD為續(xù)流二極管，以下說明中用IGBT、FWD來表示。圖7所示的 每個半導(dǎo)體芯片通過圖中未示出的鋁線的鍵合或布線銅片的焊接來連接布線以連接成圖5 所示的U、V、W相的3相逆變器電路。另外，圖5中所示的Μ為作為示例表示的3相逆變器 電路的負(fù)載，不包含在3相逆變器電路自身中。圖8(a)為圖7的Α-Α'斷面圖，圖8(b)為 圖8(a)的虛線框內(nèi)的放大斷面圖。這里的U相、V相、W相的各層的半導(dǎo)體芯片與絕緣基 板、鍵合引線等一同由樹脂封裝（樹脂封裝）在金屬底座上。
[0003] 前述圖7、圖8所示的功率半導(dǎo)體模塊200,在動作過程中，IGBT (IGBT芯片）103 和FWD(FWD芯片）104會產(chǎn)生由導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗構(gòu)成的損耗，并由于該損耗使得半導(dǎo)體 芯片發(fā)熱。而由于發(fā)熱，會使得半導(dǎo)體芯片的接合溫度超過額定溫度，如果繼續(xù)上升的話則 會導(dǎo)致破壞元件，因此半導(dǎo)體芯片必須要在冷卻的同時進(jìn)行動作。在半導(dǎo)體芯片中所產(chǎn)生 的熱量通過接合在半導(dǎo)體芯片背面的焊錫106及其下方的絕緣基板108傳導(dǎo)到帶散熱鰭片 110的金屬底座101上，并由散熱鰭片110部分向外部散熱。為了使與金屬底座101接合的 絕緣基板108和半導(dǎo)體芯片進(jìn)行良好的冷卻，帶散熱鰭片110的金屬底座101優(yōu)選地可通 過圖中未示出的冷媒進(jìn)行冷卻。
[0004] 如上所述的與帶散熱鰭片110的功率半導(dǎo)體模塊200相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)有專利文獻(xiàn) 1中所公開的技術(shù)。
[0005] 專利文獻(xiàn)1中公開了用于功率半導(dǎo)體模塊的散熱用的絕緣電路基板及其冷卻結(jié) 構(gòu)以及功率半導(dǎo)體裝置及其冷卻結(jié)構(gòu)，圖7及圖8所示的結(jié)構(gòu)為在專利文獻(xiàn)1中公開的冷 卻結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上將U、V、W相的3相逆變器電路元件進(jìn)行組合的結(jié)構(gòu)。
[0006] 另外，公知文獻(xiàn)中，還記載了向接合在金屬底座上的半導(dǎo)體元件注入環(huán)氧樹脂以 延長鍵合引線的壽命的技術(shù)（專利文獻(xiàn)2)。
[0007] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008] 專利文獻(xiàn)
[0009] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2004-22914號公報（圖1)
[0010] 專利文獻(xiàn)2 :日本特開2008-270455號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 技術(shù)問題
[0012] 然而，在前述圖7、圖8所示的功率半導(dǎo)體模塊200動作時，在絕緣基板108上鄰近 設(shè)置的IGBT 103和FWD 104之間、相互鄰近設(shè)置的絕緣基板108和絕緣基板108之間會由 動作中產(chǎn)生的熱量相互發(fā)生熱干涉。由此，設(shè)置于中間部的半導(dǎo)體芯片的溫度將容易上升。
[0013] 例如，前述圖7、圖8所示的功率半導(dǎo)體模塊200動作時，由于所有半導(dǎo)體芯片都 會產(chǎn)生熱量，所以在圖7所示的鄰近設(shè)置的3個絕緣基板108之間發(fā)生熱干涉。因此，特別 是設(shè)置在中央的例如與V相對應(yīng)的絕緣基板108及其上焊接的半導(dǎo)體芯片受到兩側(cè)的熱干 涉，易使半導(dǎo)體芯片的溫度上升。這樣，功率半導(dǎo)體模塊200的動作溫度就會被中央的半導(dǎo) 體芯片所限制。另外，被焊接在金屬底座101上的U、V、W相的3個絕緣基板108的溫度伴 隨著功率半導(dǎo)體模塊200的動作會出現(xiàn)反復(fù)變化從而在焊錫上出現(xiàn)裂縫。而由于焊錫上出 現(xiàn)裂縫會發(fā)生功率半導(dǎo)體模塊200無法將半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的熱有效的傳導(dǎo)到散熱鰭片110 的問題。另外，由于與U、V、W相這3相對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片間的溫度不均勻和伴隨功率半導(dǎo) 體模塊200的動作溫度出現(xiàn)反復(fù)變化還會發(fā)生封裝樹脂從金屬底座101的表面剝離的問 題。
[0014] 本發(fā)明是考慮以上所述內(nèi)容而做出的。本發(fā)明的目的在于為消除前述問題，提供 一種能夠基于良好的散熱性能降低熱阻抗，緩解多個半導(dǎo)體芯片間的熱干涉且封裝樹脂難 以從金屬底座上剝離的具有高可靠性的帶散熱鰭片的低成本半導(dǎo)體模塊。
[0015] 技術(shù)方案
[0016] 根據(jù)本發(fā)明提供的一種帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊能夠?qū)崿F(xiàn)前述發(fā)明目的，該半導(dǎo) 體模塊具有金屬底座，所述金屬底座由金屬底座周圍的外周部和被該外周部包圍的頂板部 構(gòu)成，所述頂板部的一側(cè)的面上通過與各個半導(dǎo)體芯片分別對應(yīng)的多個絕緣基板設(shè)置有多 個半導(dǎo)體芯片，所述頂板部的另一側(cè)的面上設(shè)置有散熱鰭片，在所述多個半導(dǎo)體芯片上連 接有與半導(dǎo)體模塊外部進(jìn)行電氣連接的電氣布線，所述頂板部的厚度比所述外周部的厚度 薄，所述頂板部的所述多個半導(dǎo)體芯片間有溝槽，所述多個半導(dǎo)體芯片連同所述溝槽一塊 由樹脂進(jìn)行封裝。
[0017] 可選地，所述帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊還包括固定在所述金屬底座的外周部的端 子盒，并將所述端子盒內(nèi)部用樹脂進(jìn)行封裝。另外，優(yōu)選地，所述帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊 中，用于封裝所述端子盒內(nèi)部的樹脂為環(huán)氧樹脂。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述帶散熱鰭片的半導(dǎo)體 模塊中，在所述頂板部的通過多個絕緣基板設(shè)置的多個半導(dǎo)體芯片的外側(cè)還具有溝槽。
[0018] 可選地，所述帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊的所述溝槽的斷面形狀為V字形狀、矩形 形狀、半圓形狀中的一個形狀。
[0019] 有益效果
[0020] 根據(jù)本發(fā)明能夠提供基于良好的散熱性能降低熱阻抗，抑制由產(chǎn)品動作過程中受 到的熱沖擊而出現(xiàn)焊錫裂縫，具有高可靠性的低成本的帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊。
[0021] 通過作為本發(fā)明示例示出優(yōu)選實施方式的附圖及下面的相關(guān)說明，本發(fā)明的上述 及其它目的、特點及優(yōu)點將更加清楚。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022] 圖1示出在本發(fā)明的帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊的金屬底座上焊接有絕緣基板及 半導(dǎo)體芯片等的狀態(tài)的俯視圖。
[0023] 圖2示出本發(fā)明的帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊上的金屬底座的背面仰視圖。
[0024] 圖3示出本發(fā)明的帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊的沿圖1的B-B'線的斷面圖。
[0025] 圖4(a)示出本發(fā)明的帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊的沿圖1的C-C'線的斷面圖。
[0026] 圖4(b)為圖4(a)的虛線框內(nèi)的放大斷面圖。
[0027] 圖5示出使用該功率半導(dǎo)體模塊的電能變換裝置的逆變器電路圖。
[0028] 圖6示出本發(fā)明的帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊的C-C'斷面圖，示出在絕緣基板間 設(shè)置的凹陷部斷面形狀的不同示例的斷面圖。
[0029] 圖7示出在現(xiàn)有的帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊的金屬底座上焊接有絕緣基板及半 導(dǎo)體芯片等的狀態(tài)的俯視圖。
[0030] 圖8(a)示出現(xiàn)有的帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊的沿圖1的A-A'線的斷面圖。
[0031] 圖8(b)示出圖8(a)的虛線框內(nèi)的放大斷面圖。
[0032] 圖9示出本發(fā)明的帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊的第二實施例的斷面圖。圖9與實施 例1的圖3對應(yīng)。
[0033] 圖10示出本發(fā)明的帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊的第二實施例的斷面圖。圖10與實 施例1的圖4(a)對應(yīng)。
[0034] 符號說明
[0035] 1金屬底座
[0036] 2安裝孔
[0037] 3 IGBT 芯片
[0038] 4 FWD 芯片
[0039] 5金屬箔
[0040] 6 焊錫
[0041] 8絕緣基板
[0042] 10散熱鰭片
[0043] 11頂板部
[0044] 12 溝槽
[0045] 15外周部
[0046] hi外周部厚度
[0047] h2頂板部厚度
[0048] h3溝槽底部厚度

【具體實施方式】
[0049] 以下，參照附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明的帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊（功率半導(dǎo)體模 塊）的實施例。另外，在以下對實施例的說明及附圖中，相同的部件用相同的標(biāo)號表示，不 作重復(fù)說明。還有，為便于觀察或便于理解，在實施例中進(jìn)行說明的附圖的比例、尺寸比未 必絕對精確。在不脫離本發(fā)明的主旨的情況下，不局限于以下說明的實施例的記載內(nèi)容。
[0050] 實施例1
[0051] 圖1?圖4示出本發(fā)明的帶散熱鰭片10的功率半導(dǎo)體模塊100。圖5示出電能變 換裝置的逆變器電路圖，是功率半導(dǎo)體模塊100的等價電路。圖1為示出在金屬底座1上 通過焊接搭載有絕緣基板8及半導(dǎo)體芯片等的狀態(tài)的俯視圖。圖2為從背面的散熱鰭片一 側(cè)觀察的金屬底座1的仰視圖。圖3為圖1的B-B'斷面圖。圖4(a)為圖1的C-C'斷面 圖，圖4(b)為圖4(a)的虛線框內(nèi)的放大斷面圖。
[0052] 關(guān)于該功率半導(dǎo)體模塊100,將參照圖1?圖4進(jìn)行詳細(xì)說明。功率半導(dǎo)體模塊 1〇〇具有金屬底座1，在金屬底座1的外周部（法蘭部）設(shè)有能夠用螺母和螺釘安裝在外部 設(shè)備上的安裝孔2。功率半導(dǎo)體模塊100具有將半導(dǎo)體芯片（IGBT芯片3、FWD芯片4)通 過焊錫6焊接到絕緣基板8的表面的金屬箔5上，將通過焊錫6焊接有半導(dǎo)體芯片的絕緣 基板8焊接搭載到具有散熱鰭片10的金屬底座1表面上的結(jié)構(gòu)。但是，這些圖中所示的半 導(dǎo)體模塊100,為了便于理解內(nèi)部結(jié)構(gòu)而省略了用于電氣連接金屬底座1上的半導(dǎo)體芯片 間的金屬引線和進(jìn)行電信號的輸入輸出用的外部連接端子以及將金屬引線和外部連接端 子進(jìn)行封裝用的樹脂材料及包裹封裝樹脂的端子盒等。為了便于說明，將搭載在焊接于金 屬底座1上的絕緣基板8的部分分別稱為U相半導(dǎo)體單元、V相半導(dǎo)體單元、W相半導(dǎo)體單 J Li 〇
[0053] 金屬底座1為熱傳導(dǎo)率高的銅、鋁及銅或鋁的合金等金屬板構(gòu)成，具有與表面?zhèn)?的搭載有半導(dǎo)體芯片的位置相對應(yīng)的背面?zhèn)鹊奈恢蒙显O(shè)置散熱鰭片10的結(jié)構(gòu)。如圖2所 示的金屬底座1的背面?zhèn)仁境隽伺帕卸鄠€突起狀的針的針形散熱鰭片10的位置及針的陣 列，但是，散熱鰭片的形狀也可以變更為其他的矩形、葉片形、波紋形等。
[0054] 絕緣基板8具有在陶瓷板或用絕緣膜覆蓋的絕緣金屬板的背面（與金屬底座1相 接合的一側(cè)）整個面上固定有金屬箔，而在表面?zhèn)确謩e固定有加工成所需的布線圖案的金 屬箔的結(jié)構(gòu)。作為陶瓷板的材料可以使用氧化鋁、氮化鋁、氮化硅等瓷器用材料。作為絕緣 金屬板的金屬材料可以使用鋁合金等。半導(dǎo)體芯片（例如：IGBT芯片3、FWD芯片4)分別 焊接在絕緣基板8的表面?zhèn)冉饘俨系念A(yù)定位置處。
[0055] 雖然在前述圖1?圖4上并未示出，但功率半導(dǎo)體模塊100的金屬底座的外周部 15表面還粘貼有將用于外部信號的輸入輸出的外部連接端子一體地組合到其中的由成型 樹脂構(gòu)成的端子盒。
[0056] 半導(dǎo)體芯片焊接在絕緣基板8表面的加工成布線圖案的金屬箔5上。將3個絕緣 基板8上如圖1所示的U、V、W相各自的半導(dǎo)體芯片的組合與如圖5所示的3相逆變器電路 的U、V、W相的3相對應(yīng)的進(jìn)行設(shè)置。這些半導(dǎo)體芯片的上部電極通過金屬引線等與和端 子盒樹脂成型為一體而固定的外部連接端子的下端部或者其附近進(jìn)行引線鍵合連接，以使 半導(dǎo)體芯片如圖5所示的3相逆變器電路那樣進(jìn)行電氣連接。半導(dǎo)體芯片的上部電極的電 氣連接也可以采用使鋁合金或銅合金的板通過焊接等進(jìn)行接合的方法，以替代引線鍵合連 接。金屬引線可以使用由鋁、銅、金或其合金構(gòu)成的細(xì)線，并通過超聲焊接進(jìn)行接合連接。另 夕卜，在圖中未示出的端子盒的內(nèi)側(cè)使用硅凝膠、環(huán)氧樹脂等作為封裝樹脂進(jìn)行填充。并且， 封裝樹脂優(yōu)選使用能夠提高樹脂和金屬底座表面的附著性的環(huán)氧樹脂。
[0057] 如圖4的斷面圖（a)、（b)所示的本發(fā)明的功率半導(dǎo)體模塊100的一個特征為帶 散熱鰭片10的金屬底座1的頂板部11的厚度h2比外周部15的厚度hi要薄。進(jìn)一步地 本發(fā)明的另一個特征為相互鄰近設(shè)置的多個絕緣基板8之間的頂板部11的溝槽12的底部 (凹陷最低的部分）的厚度h3比所述頂板部11的溝槽12處以外的厚度h2要薄。
[0058] -方面，前述的現(xiàn)有的帶散熱鰭片110的金屬底座101中，如圖8所示頂板部111 的厚度及外周部的厚度相同，為均勻厚度。通常，在這種半導(dǎo)體模塊的外周部會設(shè)置有用于 通過螺母和螺釘安裝到外部設(shè)備上的安裝孔，并會在外周部施加很大的緊固力矩，所以無 法將厚度減小到低于與該緊固力矩相對應(yīng)的規(guī)定厚度（例如，在螺釘緊固力矩下外周部的 金屬底座不會變形的厚度）。
[0059] 另一方面，金屬底座1的厚度，例如，頂板部11的厚度可以為h2 = 3?5mm，外周 部15的厚度可以為hi = 4?6mm，溝槽12的底部的厚度可以為h3 = 2?4mm。溝槽12 的寬度可以為1?3mm，溝槽12的深度可以為1?3mm。
[0060] 帶散熱鰭片10的金屬底座1將半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)到冷媒中，該頂板部11 的厚度越薄，就越能夠降低熱阻抗。該熱阻抗表示為（1)式。
[0061] 熱阻抗Rth =金屬底座的頂板部的厚度L+ (金屬底座頂板部的焊接面積SX金 屬底座的熱傳導(dǎo)率λ)......(1)
[0062] (1)式中的熱阻抗Rth越小，就越能夠通過下述（2)式改善散熱性能使半導(dǎo)體芯片 的溫度越低，結(jié)果，就能夠提高半導(dǎo)體模塊的長期可靠性。
[0063] 半導(dǎo)體芯片與冷媒的溫度差ΛΤ =從半導(dǎo)體芯片到冷媒的熱阻抗RthX半導(dǎo)體芯 片的損失W......(2)
[0064] 從（1)式、（2)式可知，本發(fā)明的帶散熱鰭片10的半導(dǎo)體模塊100通過將頂板部 11的厚度h2設(shè)置為小于外周部15的厚度hi，能夠降低實際動作過程中的熱阻抗Rth，從而 降低半導(dǎo)體芯片溫度。
[0065] 進(jìn)一步地，在頂板部11，滿足頂板部11的厚度h2>溝槽12底部的厚度h3這一條 件的V字形溝槽12設(shè)置在相互鄰近設(shè)置的絕緣基板8之間。通過溝槽12抑制了相鄰的每 個絕緣基板8之間的金屬底座內(nèi)的熱傳導(dǎo)，能夠降低絕緣基板8之間的熱干涉，特別是能夠 降低搭載在中央的絕緣基板8上的易受到熱干涉的半導(dǎo)體芯片的溫度。雖然通過擴大絕緣 基板8間無溝槽的平坦金屬底座表面的間隔也能夠降低熱干涉，但是由于金屬底座的面積 會變大，所以從成本方面、小型化方面考慮都不是優(yōu)選的。由于能夠降低半導(dǎo)體單元間的熱 干涉，使各半導(dǎo)體單元間的溫度變均勻，金屬底座內(nèi)的溫度梯度變緩，所以能夠減少焊錫裂 縫的產(chǎn)生。在以上說明中，是在相互鄰近設(shè)置的3個絕緣基板8間的金屬底座1的表面設(shè) 有溝槽12,該溝槽形狀如圖6所示，可以為（a)的斷面V字形的溝槽12之外，還可以是（b) 的矩形的溝槽12a、（c)的半圓形的溝槽12b等的遵循了本發(fā)明宗旨的凹陷形狀。
[0066] 進(jìn)一步地通過該凹陷形狀帶來的本發(fā)明的效果為，在將金屬底座1上焊接的半導(dǎo) 體芯片結(jié)構(gòu)的整體使用例如環(huán)氧樹脂進(jìn)行封裝時，該溝槽12的表面積比平坦表面的情況 下要大，所以能夠提高環(huán)氧樹脂與金屬底座1的表面的附著強度。另外，通過在溝槽12內(nèi) 填充環(huán)氧樹脂還可期待環(huán)氧樹脂不易剝離的效果。為了取得該效果而使用的樹脂相比膠狀 樹脂優(yōu)選為類似環(huán)氧樹脂的自身強度高且樹脂封裝時壓縮應(yīng)力發(fā)生作用的樹脂。另外，為 了進(jìn)一步提高該樹脂不易剝離的效果，溝槽形狀采用開口部比底部寬度窄的形狀，則通過 將樹脂卡在溝槽的內(nèi)部形狀中所顯現(xiàn)出的壓縮效果還能夠發(fā)揮防止半導(dǎo)體芯片及焊錫出 現(xiàn)裂縫的效果。結(jié)果，根據(jù)提高環(huán)氧樹脂的附著強度及所述樹脂不易剝離的效果，由于能夠 在溫度變化時降低施加給焊錫的應(yīng)力，所以能夠抑制焊錫中出現(xiàn)裂縫等劣化現(xiàn)象從而能夠 提高半導(dǎo)體模塊的可靠性并延長使用壽命。另外，帶散熱鰭片的金屬底座的成型方法可以 使用切削、鍛造、金屬注塑成型（Metal Injection Mold)法等廣為人知的成型方法。
[0067] 以上雖然僅說明了設(shè)置有與U、V、W的各相對應(yīng)的3個半導(dǎo)體單元的情況，但如果 半導(dǎo)體單元數(shù)量為2個以上的話就能夠發(fā)揮本發(fā)明的效果。
[0068] 實施例2
[0069] 下面使用圖9及圖10來說明本發(fā)明的第二實施例。圖9及圖10分別為與第一實 施例中圖3、圖4(a)對應(yīng)的半導(dǎo)體模塊的斷面圖。在第二實施例中與實施例1的不同點在 于溝槽12還設(shè)置在位于外側(cè)的兩半導(dǎo)體單元的外側(cè)。通過所述設(shè)置于外側(cè)的溝槽具有能 夠?qū)⒎庋b樹脂更加堅固的粘在金屬底座上的效果。優(yōu)選地，封裝樹脂采用環(huán)氧樹脂。
[0070] 上述內(nèi)容僅表示出本發(fā)明的原理。進(jìn)一步地，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在本發(fā)明的基 礎(chǔ)上進(jìn)行更多的變形、變更，本發(fā)明的范圍不限于上述所示進(jìn)行說明的正確結(jié)構(gòu)及應(yīng)用例， 與之相對應(yīng)的所有的變形例及等同例均落入基于權(quán)利要求及其等同物所限定的本發(fā)明的 保護范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊，其特征在于， 所述半導(dǎo)體模塊具有金屬底座， 所述金屬底座由其周圍的外周部和被該外周部包圍的頂板部構(gòu)成，在所述頂板部的一 側(cè)的面上通過與各個半導(dǎo)體芯片分別對應(yīng)的多個絕緣基板設(shè)置有多個半導(dǎo)體芯片，在所述 頂板部的另一側(cè)的面上設(shè)置有散熱鰭片， 所述多個半導(dǎo)體芯片上連接有與半導(dǎo)體模塊外部進(jìn)行電氣連接的電氣布線， 所述頂板部的厚度比所述外周部的厚度薄， 所述頂板部的所述多個半導(dǎo)體芯片間有溝槽， 所述多個半導(dǎo)體芯片連同所述溝槽一塊由樹脂進(jìn)行封裝。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，還包括固定在所述 金屬底座的外周部的端子盒， 所述端子盒內(nèi)部連同所述多個半導(dǎo)體芯片和所述溝槽一塊由樹脂進(jìn)行封裝。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述樹脂為環(huán)氧 樹脂。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，在所述頂板部的 通過所述多個絕緣基板設(shè)置的所述多個半導(dǎo)體芯片的外側(cè)還具有溝槽。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶散熱鰭片的半導(dǎo)體模塊，其特征在于，所述溝槽的斷面形 狀為V字形狀、矩形形狀、半圓形狀中的一種形狀。
【文檔編號】H01L25/18GK104067388SQ201380005467
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2013年3月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月22日
【發(fā)明者】佐藤憲一郎 申請人:富士電機株式會社