發(fā)光二極管封裝方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管封裝方法，包括如下步驟：（1）至少提供一個基板，并在基板上開設用于容納LED芯片的凹腔；（2）在凹腔的腔底和腔壁鍍上反射膜層，反射膜層為鎳銀合金，厚度為45～50nm；（3）固晶工序，通過真空濺射方式在凹腔的腔底部的反射膜層上成型厚度為0.01～0.18mm的導熱層，放置LED芯片于導熱層上，并進行焊接，其中焊接的溫度為260～280℃；（4）在LED芯片的上方設置擴散增光層；（5）在擴散增光層上設置封裝膠層，封裝膠層的上表面為呈圓弧狀。本發(fā)明發(fā)光二極管封裝方法中，由于設置有導熱層，因此能夠具有較好的導熱性能，且設置有擴散增光層，能讓更多的光線照射出表面封裝膠層外，提高透光率。
【專利說明】發(fā)光二極管封裝方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉LED封裝【技術領域】，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝方法。

【背景技術】
[0002]隨著LED (發(fā)光二極管)照明技術的不斷發(fā)展，LED的生產規(guī)模在不斷擴大，LED的封裝技術是其在生產制造過程中的關鍵的一環(huán)。LED封裝是指發(fā)光芯片的封裝，相比集成電路封裝有較大不同。LED的封裝不僅要求能夠保護燈芯，而且還要能夠透光。所以LED的封裝對封裝材料有特殊的要求。
[0003]因此，亟需一種發(fā)光二極管封裝方法。


【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種發(fā)光二極管封裝方法。
[0005]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管封裝方法，包括如下步驟:
[0006](I)至少提供一個基板，并在所述基板上開設用于容納LED芯片的凹腔；
[0007](2)在所述凹腔的腔底和腔壁鍍上反射膜層，所述反射膜層為鎳銀合金，厚度為45 ?50nm ；
[0008](3)固晶工序，通過真空濺射方式在所述凹腔的腔底部的反射膜層上成型厚度為0.01?0.18mm的導熱層，放置LED芯片于所述導熱層上，并進行焊接，其中焊接的溫度為260 ?280。。；
[0009](4)在所述LED芯片的上方設置擴散增光層；
[0010](5)在所述擴散增光層上設置封裝膠層，所述封裝膠層的上表面為呈圓弧狀。
[0011]所述反射膜層為鎳銀合金，且厚度為48nm。
[0012]所述擴散增光層為透明硅膠內包覆有玻璃微珠的結構。
[0013]所述表面封裝膠層的上表面為弧形結構。
[0014]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明發(fā)光二極管封裝方法中，由于設置有所述導熱層，因此能夠具有較好的導熱性能，且設置有所述擴散增光層，能讓更多的光線照射出所述表面封裝膠層外，提高透光率。
[0015]通過以下的描述并結合附圖，本發(fā)明將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本發(fā)明的實施例。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明發(fā)光二極管封裝方法的流程框圖。
[0017]圖2為根據如圖1所示的發(fā)光二極管封裝方法制作出的發(fā)光二極管的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0018]現(xiàn)在參考附圖描述本發(fā)明的實施例，附圖中類似的元件標號代表類似的元件。如上所述，如圖1和2所示，本發(fā)明提供的發(fā)光二極管封裝方法100，包括如下步驟:
[0019]SOOl至少提供一個基板，并在所述基板上開設用于容納LED芯片的凹腔；
[0020]S002在所述凹腔的腔底和腔壁鍍上反射膜層，所述反射膜層為鎳銀合金，厚度為45 ?50nm ；
[0021]S003固晶工序，通過真空濺射方式在所述凹腔的腔底部的反射膜層上成型厚度為0.01?0.18mm的導熱層，放置LED芯片于所述導熱層上，并進行焊接，其中焊接的溫度為260 ?280。。；
[0022]S004在所述LED芯片的上方設置擴散增光層；
[0023]S005在所述擴散增光層上設置封裝膠層，所述封裝膠層的上表面為呈圓弧狀。
[0024]如圖2所示，根據本發(fā)明提供的發(fā)光二極管封裝方法100，所封裝出的發(fā)光二極管的結構不意圖，其包括:基板1、LED芯片2、反射膜層3、導熱層4、擴散增光層5及表面封裝膠層6，所述基板I上開設有用于安裝所述LED芯片2的凹腔(圖上未標識)，所述凹腔為呈倒圓臺形狀，且所述凹腔的底部設置有所述導熱層4，所述導熱層4的厚度為0.01?0.18mm，所述LED芯片2設置在所述導熱層4的上表面，所述基板I的上表面及所述凹腔的腔壁均設置有所述反射膜層3，所述反射膜層3的厚度為45?50nm，所述導熱層4為設置在所述反射膜層3上，所述擴散增光層5設置在所述LED芯片2上表面，并將所述LED芯片2覆蓋，所述表面封裝膠層6覆蓋封裝于所述擴散增光層6上表面。
[0025]所述反射膜層3為鎳銀合金，且厚度為48nm。
[0026]所述擴散增光層為透明硅膠內包覆有玻璃微珠的結構。
[0027]所述表面封裝膠層的上表面為弧形結構。
[0028]結合圖1和2，本發(fā)明發(fā)光二極管封裝方法中，由于設置有所述導熱層，因此能夠具有較好的導熱性能，且設置有所述擴散增光層，能讓更多的光線照射出所述表面封裝膠層外，提高透光率。
[0029]以上所揭露的僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，當然不能以此來限定本發(fā)明之權利范圍，因此依本發(fā)明申請專利范圍所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
【權利要求】
1.一種發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于，包括如下步驟: (O至少提供一個基板，并在所述基板上開設用于容納LED芯片的凹腔； (2)在所述凹腔的腔底和腔壁鍍上反射膜層，所述反射膜層為鎳銀合金，厚度為45?50nm ； (3)固晶工序，通過真空濺射方式在所述凹腔的腔底部的反射膜層上成型厚度為0.0l?0.18mm的導熱層，放置LED芯片于所述導熱層上，并進行焊接，其中焊接的溫度為260 ?280。。； (4)在所述LED芯片的上方設置擴散增光層； (5)在所述擴散增光層上設置封裝膠層，所述封裝膠層的上表面為呈圓弧狀。
2.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于:所述反射膜層為鎳銀合金，且厚度為48nm。
3.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于:所述擴散增光層為透明硅膠內包覆有玻璃微珠的結構。
4.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝方法，其特征在于:所述表面封裝膠層的上表面為弧形結構。
【文檔編號】H01L33/48GK104393142SQ201310738279
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2013年12月27日 優(yōu)先權日:2013年12月27日
【發(fā)明者】陳燕章 申請人:深圳市力維登光電科技有限公司