Led封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種LED封裝結(jié)構(gòu),包括基材,該基材包括基材主體和至少一個圍壩,每個圍壩為封閉的一圈,圍壩的高度大于LED芯片的厚度,圍壩所包圍的區(qū)域在垂直于圍壩高度方向上的尺寸大于或等于芯片在垂直于自身厚度方向上的尺寸;一一對應(yīng)的設(shè)置于圍壩所包圍的區(qū)域內(nèi)的芯片;電連接芯片陽極與基材的第一焊線,其與基材的連接點(diǎn)位于圍壩外;電連接芯片陰極與基材的第二焊線,其與基材的連接點(diǎn)位于圍壩外;填充于圍壩內(nèi)的封裝膠;設(shè)置于基材上的透鏡,透鏡包覆圍壩、封裝膠、第一焊線和第二焊線。上述封裝結(jié)構(gòu)中封裝膠僅包覆芯片,并不完全包覆焊線,從而使各處光線的光程差相同或相近,改善了發(fā)光顏色不均的問題,且有利于減少熒光粉的用量。
【專利說明】LED封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED照明【技術(shù)領(lǐng)域】,更具體地說,涉及一種LED封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法?!颈尘凹夹g(shù)】
[0002]LED (Light-Emitting Diode,發(fā)光二極管)是一種可以直接將電能轉(zhuǎn)化為光能的半導(dǎo)體器件,具有功耗小、亮度高、壽命長等諸多優(yōu)點(diǎn),是照明領(lǐng)域的研究熱點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于大型看板、交通信號燈、手機(jī)、掃描器、傳真機(jī)等的光源及照明裝置。
[0003]如圖1所示,常規(guī)LED封裝結(jié)構(gòu)包括:基材100,該基材100上具有兩個電極;設(shè)置于基材100表面上的LED芯片101 ;連接LED芯片101的陽極與基材100上的一個電極的第一焊線102和連接LED芯片101的陰極與基材100上的另一個電極的第二焊線103 ;包覆LED芯片101、第一焊線102和第二焊線103的封裝膠104,該封裝膠104為膠水與熒光粉混合而成。
[0004]由于兩條焊線位于LED芯片相對的兩端,含有熒光粉的封裝膠需將焊線與LED芯片全部包覆起來,這造成封裝結(jié)構(gòu)中LED芯片表面正上方輸出的光線與焊線所在的兩端輸出的光線的光程差不同,因此發(fā)光后LED芯片上方的顏色與焊線所在的兩端顏色不同,引起發(fā)光顏色不均的問題。如=LED封裝結(jié)構(gòu)通常采用藍(lán)色LED芯片激發(fā)黃色熒光粉以輸出白光,但是其兩端的發(fā)光顏色會偏黃。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明提供了一種LED封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法,以解決LED封裝結(jié)構(gòu)發(fā)光顏色不均的問題。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案:
[0007]—種LED封裝結(jié)構(gòu),包括:基材,所述基材包括平面板結(jié)構(gòu)的基材主體和設(shè)置于所述基材主體上的至少一個圍壩,每個所述圍壩為封閉的一圈,所述圍壩的高度大于LED芯片的厚度,且每個所述圍壩所包圍的區(qū)域在垂直于所述圍壩高度方向上的尺寸大于或等于所述LED芯片在垂直于自身厚度方向上的尺寸;一一對應(yīng)的設(shè)置于所述圍壩所包圍的區(qū)域內(nèi)的至少一個LED芯片;電連接所述LED芯片的陽極與所述基材的第一焊線,所述第一焊線與所述基材的連接點(diǎn)位于所述圍壩所包圍的區(qū)域外;電連接所述LED芯片的陰極與所述基材的第二焊線,所述第二焊線與所述基材的連接點(diǎn)位于所述圍壩所包圍的區(qū)域外;填充于所述圍壩所包圍的區(qū)域內(nèi)的封裝膠,所述封裝膠覆蓋所述LED芯片背離所述基材主體的表面,且所述封裝膠內(nèi)具有熒光粉;設(shè)置于所述基材上的透鏡,所述透鏡包覆所述圍壩、所述封裝膠、所述第一焊線和所述第二焊線。
[0008]優(yōu)選的,所述圍壩的高度與所述LED芯片的厚度之差的范圍為:0.2mm?0.5mm。
[0009]優(yōu)選的,每個所述圍壩所包圍的區(qū)域在垂直于所述圍壩高度方向上的尺寸與所述LED芯片在垂直于自身厚度方向上的尺寸之差小于或等于0.1mmX0.1mm。
[0010]優(yōu)選的,所述基材為一體結(jié)構(gòu)。[0011 ] 優(yōu)選的,所述基材為分體結(jié)構(gòu)。
[0012]優(yōu)選的,所述基材主體的材料為樹脂或陶瓷,所述圍壩的材料為膠類。
[0013]優(yōu)選的,當(dāng)所述圍壩為多個時(shí),所述圍壩均勻分布于所述基材主體上。
[0014]優(yōu)選的,所述封裝膠為熒光粉與膠水的混合物。
[0015]優(yōu)選的,所述透鏡為平面透鏡或曲面透鏡。
[0016]優(yōu)選的,所述透鏡的材料為硅膠。
[0017]本發(fā)明還提供了一種LED封裝方法,包括:提供基材,所述基材包括平面板結(jié)構(gòu)的基材主體和設(shè)置于所述基材主體上的至少一個圍壩,每個所述圍壩為封閉的一圈,所述圍壩的高度大于LED芯片的厚度,且每個所述圍壩所包圍的區(qū)域在垂直于所述圍壩高度方向上的尺寸大于或等于所述LED芯片在垂直于自身厚度方向上的尺寸;將至少一個所述LED芯片一一對應(yīng)的設(shè)置于所述圍壩所包圍的區(qū)域內(nèi);利用第一焊線電連接所述LED芯片的陽極與所述基材,利用第二焊線電連接所述LED芯片的陰極與所述基材,所述第一焊線與所述基材的連接點(diǎn)和所述第二焊線與所述基材的連接點(diǎn)均位于所述圍壩所包圍的區(qū)域外;在所述圍壩所包圍的區(qū)域內(nèi)填充封裝膠,使所述封裝膠覆蓋所述LED芯片背離所述基材主體的表面,所述封裝膠內(nèi)具有熒光粉;在所述基材上設(shè)置透鏡,使所述透鏡包覆所述圍壩、所述封裝膠、所述第一焊線和所述第二焊線。
[0018]優(yōu)選的,所述在所述凹槽內(nèi)填充封裝膠具體為:采用點(diǎn)膠工藝在所述凹槽內(nèi)填充封裝膠。
[0019]優(yōu)選的,所述在所述基材上設(shè)置透鏡具體為:采用壓模工藝在所述基材上設(shè)置透鏡。
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明所提供的技術(shù)方案至少具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0021]本發(fā)明所提供的LED封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法,基材上具有封閉的圍壩,圍壩的高度大于LED芯片的厚度,尺寸不小于LED芯片的尺寸,LED芯片位于圍壩所包圍的區(qū)域內(nèi),焊線與基材的連接點(diǎn)均位于圍壩所包圍的區(qū)域外,圍壩所包圍的區(qū)域內(nèi)填充有封裝膠,透鏡將圍壩、焊線與封裝膠全部包覆起來。上述結(jié)構(gòu)中,封裝膠僅包覆LED芯片,并不完全包覆焊線,即封裝膠大部分均覆蓋在LED芯片背離基材主體的表面,并不會距離LED芯片特別遠(yuǎn),從而使LED封裝結(jié)構(gòu)發(fā)光后,各處光線的光程差相同或相近,改善了 LED封裝結(jié)構(gòu)發(fā)光顏色不均的問題。
[0022]并且,本所提供的LED封裝結(jié)構(gòu)中封裝膠并不需要全部包覆焊線,因此相對于現(xiàn)有技術(shù)熒光粉的用量減少,從而節(jié)約了生產(chǎn)成本。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0023]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中LED封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖;
[0025]圖2為本發(fā)明實(shí)施例一所提供的LED封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖;
[0026]圖3?圖7為本發(fā)明實(shí)施例二所提供的LED封裝方法的工藝步驟圖?!揪唧w實(shí)施方式】
[0027]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。
[0028]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明,但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣,因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0029]其次,本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述,在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí),為便于說明,表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大,而且所述示意圖只是示例,其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外,在實(shí)際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0030]實(shí)施例一
[0031]本實(shí)施例提供了一種LED封裝結(jié)構(gòu),如圖2所示,包括:基材、LED芯片203、第一焊線204、第二焊線205、封裝膠206和透鏡207。
[0032]其中,基材包括:基材主體201和至少一個圍壩202,基材主體201為平面板結(jié)構(gòu),每個圍壩202為封閉的一圈。圍壩202的高度大于LED芯片203的厚度,且每個圍壩202所包圍的區(qū)域在垂直于自身深度方向上的尺寸大于或等于LED芯片203在垂直于自身厚度方向上的尺寸。
[0033]LED芯片203至少為一個,且與圍壩202——對應(yīng)的設(shè)置,位于圍壩202所包圍的區(qū)域內(nèi)。
[0034]第一焊線204電連接LED芯片203的陽極與基材,且第一焊線204與基材的連接點(diǎn)位于圍壩202所包圍的區(qū)域的外部。
[0035]第二焊線205電連接LED芯片203的陰極與基材,且第二焊線205與基材的連接點(diǎn)位于圍壩202所包圍的區(qū)域的外部。
[0036]封裝膠206填充于圍壩202所包圍的區(qū)域內(nèi),封裝膠206覆蓋LED芯片203背離基材主體201的表面,且封裝膠206內(nèi)具有熒光粉。
[0037]透鏡207設(shè)置于基材上,且包覆圍壩202、封裝膠206、第一焊線204和第二焊線205。
[0038]需要說明的是,所謂“圍壩所包圍的區(qū)域”是指由基材主體201、圍壩202和圍壩202背離基材主體201的頂面所在的平面包圍的區(qū)域。
[0039]LED芯片203由兩部分組成,一端是空穴占主導(dǎo)地位的P型半導(dǎo)體,另一端是電子占主導(dǎo)地位的N型半導(dǎo)體。當(dāng)這兩種半導(dǎo)體連接起來時(shí),二者之間形成一 PN結(jié),電流通過焊線(即第一焊線204與第二焊線205)作用于該芯片時(shí),電子會被推向P型半導(dǎo)體區(qū)域,與空穴復(fù)合,電子與空穴復(fù)合時(shí)會以光子的形式向外福射能量,從而使LED芯片發(fā)光。
[0040]另外,封裝膠206內(nèi)含有熒光粉,優(yōu)選為熒光粉與膠水的混合物。LED芯片203在電壓的作用下向外輻射光子時(shí),會激發(fā)熒光粉,最終合成需要顏色的光,因此,熒光粉的顏色需與LED芯片203的相匹配。
[0041]現(xiàn)有技術(shù)中,LED芯片需要發(fā)光時(shí),要向芯片的陰極和陽極施加電壓,因此需要利用焊線將芯片的陰極和陽極分別與基材上的電極電連接,而封裝LED芯片時(shí),又需將LED芯片與焊線都包覆起來,這就造成封裝后包覆焊線的封裝膠距離LED芯片的距離較遠(yuǎn),引起封裝結(jié)構(gòu)發(fā)光不均勻的問題。
[0042]本實(shí)施例所提供的LED封裝結(jié)構(gòu),避免利用封裝膠全部包覆焊線與LED芯片,而是利用封裝膠206僅僅將LED芯片203包覆起來,第一焊線204和第二焊線205僅有與芯片連接的一小部分在封裝膠206內(nèi),其余大部分是位于封裝膠206之外的,然后利用透鏡207將暴露在封裝膠206外的焊線與封裝膠一同包覆起來,實(shí)現(xiàn)了 LED芯片的封裝。
[0043]為了上述結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn),本實(shí)施例中利用具有圍壩202的基材,將LED芯片203置于圍壩202所包圍的區(qū)域內(nèi),然后連接焊線,并使焊線與基材的連接點(diǎn)位于圍壩202之外,之后在圍壩202內(nèi)填充封裝膠206,從而實(shí)現(xiàn)了封裝膠206僅包覆LED芯片203和焊線的一小部分,焊線的大部分處于封裝膠206之外的結(jié)構(gòu)。
[0044]本實(shí)施例所提供的LED的封裝結(jié)構(gòu)中封裝膠206并不是全部包覆芯片與焊線,因此不存在距離芯片較遠(yuǎn)的熒光粉(封裝膠206內(nèi)含有熒光粉),封裝膠206大部分均集中于LED芯片203朝向外部的表面(即背離基材主體201的表面)上,從而在發(fā)光時(shí),各處光線的光程差一致或接近,極好的改善了 LED封裝結(jié)構(gòu)存在的發(fā)光顏色不均勻的問題;并且,由于封裝膠206無需全部包覆焊線,大部分集中于LED芯片203的周圍(尤其是背離基材主體201的表面上),因此節(jié)約了封裝膠的用量,即節(jié)約了熒光粉的用量,從而降低了生產(chǎn)的成本。
[0045]本實(shí)施例中,所填充的封裝膠206全部位于圍壩202所包圍的區(qū)域內(nèi),封裝膠206需覆蓋LED芯片203的表面,因此,圍壩202的高度要大于LED芯片203的厚度,圍壩202的高度比LED芯片203的厚度大的程度需根據(jù)是實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定,在此提供一優(yōu)選范圍:圍壩202的高度與LED芯片203的厚度之差的范圍可為0.2mm?0.5mm,包括端點(diǎn)值。
[0046]為了使覆蓋在LED芯片203背離基材主體201底部的表面上的封裝膠206占整體封裝膠量的比例更高,進(jìn)一步的減少覆蓋在LED芯片203側(cè)面的封裝膠,本實(shí)施例中,圍壩202所包圍的區(qū)域在垂直于圍壩高度方向上的尺寸優(yōu)選的等于LED芯片203在垂直于自身厚度方向上的尺寸??紤]到生產(chǎn)設(shè)備的精度及生產(chǎn)的可行性問題,圍壩202所包圍的區(qū)域可略大于LED芯片203,但是如果圍壩202所包圍的區(qū)域太大,會影響本實(shí)施例改善發(fā)光的效果,因此圍壩202所包圍的區(qū)域不宜過大,圍壩202所包圍的區(qū)域的具體尺寸可結(jié)合生產(chǎn)時(shí)LED芯片203的尺寸,根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)計(jì)。本實(shí)施例提供一優(yōu)選的上限:圍壩202所包圍的區(qū)域在垂直于圍壩高度方向上的尺寸與LED芯片203在垂直于自身厚度方向上的尺寸的之差可小于或等于0.1mmX0.1mm,包括端點(diǎn)值。
[0047]需要說明的是,本實(shí)施例僅以方形的LED芯片為例進(jìn)行說明,基于本發(fā)明的發(fā)明構(gòu)思,本發(fā)明技術(shù)方案可適用于不同形狀的LED芯片,圍壩所包圍的區(qū)域的形狀優(yōu)選的應(yīng)與LED芯片的形狀相同,其尺寸應(yīng)略大于或等于LED芯片的尺寸。
[0048]本實(shí)施例中,稱圍壩202朝向自身所包圍的區(qū)域內(nèi)部的側(cè)壁為內(nèi)側(cè)壁,朝向自身所包圍的區(qū)域外部的側(cè)壁為外側(cè)壁。圍壩202的內(nèi)側(cè)壁與外側(cè)壁可以相互平行,也可以不平行;外側(cè)壁和外側(cè)壁可以垂直于基材主體201,也可以不垂直于基材主體201。本實(shí)施例中,外側(cè)壁優(yōu)選的垂直于基材主體201,內(nèi)側(cè)壁優(yōu)選的不垂直于基材主體201,使圍壩202所包圍的區(qū)域中緊挨基材主體201的底面的尺寸小于遠(yuǎn)離基材主體201的頂面的尺寸,該種結(jié)構(gòu)的圍壩202在工藝上脫模更加容易。
[0049]本實(shí)施例中所采用的具有圍壩202的基材可為一體結(jié)構(gòu),也可為分體結(jié)構(gòu)。[0050]當(dāng)基材為分體結(jié)構(gòu)時(shí),即基材主體201和圍壩202在不同的工藝步驟下形成,基材主體201的材料可選用樹脂或陶瓷等材料,圍壩202的材料可為膠類。制作本實(shí)施例中所采用的基材時(shí)優(yōu)選可利用壓模工藝。
[0051 ] 單個LED燈珠所發(fā)出的光比較微弱,因此在實(shí)際使用時(shí)一般是將多個LED燈珠組合使用。當(dāng)一塊基材上需封裝多個LED芯片時(shí),基材上需對應(yīng)的具有相同數(shù)目的多個圍壩,圍壩優(yōu)選的可均勻分布于基材的基材主體上。
[0052]基材上還需設(shè)置至少兩個電極,以供第一焊線204連接LED芯片203的陽極與基材上的一個電極,且供第二焊線205連接LED芯片203的陰極與基材上的另一電極。
[0053]本實(shí)施例所提供的LED封裝結(jié)構(gòu)對透鏡207的形狀并不限定,透鏡207可為平面透鏡或曲面透鏡等。透鏡207的材料需選用透光性和絕緣性好的材料,優(yōu)選為硅膠。
[0054]實(shí)施例二
[0055]針對實(shí)施例一所提供的LED封裝結(jié)構(gòu),本實(shí)施例提供了一種LED封裝方法,以單顆LED燈珠的封裝為例,如圖3?圖7所示,該方法包括:
[0056]步驟S1:提供基材,該基材包括平面板結(jié)構(gòu)的基材主體301和設(shè)置于基材主體301上的至少一個圍壩302,每個圍壩302為封閉的一圈,圍壩302的高度大于LED芯片的厚度,且每個圍壩302所包圍的區(qū)域在垂直于圍壩302高度方向上的尺寸大于或等于LED芯片在垂直于自身厚度方向上的尺寸;
[0057]上述結(jié)構(gòu)的基材可以為一體結(jié)構(gòu),也可以為分體結(jié)構(gòu),即基材主體301和圍壩302在不同的工藝步驟下形成,優(yōu)選的為采用壓模工藝在基材主體301的表面上壓模形成圍壩302。
[0058]圍壩302所包圍的區(qū)域的形狀優(yōu)選的可與待封裝的LED芯片的形狀相同,圍壩302所包圍的區(qū)域的尺寸優(yōu)選的可與待封裝的LED芯片的尺寸相同或略大于待封裝的LED芯片的尺寸。
[0059]步驟S2:將至少一個LED芯片401——對應(yīng)的設(shè)置于圍壩302所包圍的區(qū)域內(nèi);
[0060]步驟S3:利用第一焊線501電連接LED芯片401的陽極與基材,利用第二焊線502電連接LED芯片401的陰極與基材,第一焊線501與基材的連接點(diǎn)和第二焊線502與基材的連接點(diǎn)均位于圍壩302所包圍的區(qū)域的外部;
[0061]連接第一焊線501和第二焊線502時(shí)優(yōu)選的采用焊接技術(shù)。
[0062]步驟S4:在圍壩302所包圍的區(qū)域內(nèi)填充封裝膠601,使封裝膠601覆蓋LED芯片401背離基材主體301的表面,封裝膠601內(nèi)具有熒光粉;
[0063]填充封裝膠601可采用點(diǎn)膠工藝,也可采用印刷或灌模等工藝。
[0064]步驟S5:在基材上設(shè)置透鏡701,使透鏡701包覆圍壩302、封裝膠601、第一焊線501和第二焊線502。
[0065]設(shè)置透鏡701優(yōu)選的可采用壓模工藝,透鏡701的形狀可依照不同應(yīng)用來選擇,可為平面透鏡,也可為曲面透鏡等。
[0066]上述LED封裝方法所形成的LED封裝結(jié)構(gòu),避免了現(xiàn)有技術(shù)中為了將焊線全部包覆,而使包覆焊線的封裝膠距離LED芯片過遠(yuǎn)的問題,使具有熒光粉的封裝膠僅包覆LED芯片和極小部分的焊線,并不完全包覆芯片兩端的焊線,絕大部分位于LED芯片的表面,從而使封裝結(jié)構(gòu)發(fā)光時(shí)光線的光程差相同或相近,提高了發(fā)光顏色的均勻性;由于封裝膠無需包覆焊線,因此封裝膠的用量較現(xiàn)有技術(shù)減少,即熒光粉的用量減少,從而在一定程度上節(jié)約了生產(chǎn)成本。
[0067]雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上,然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下,都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾,或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此,凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括: 基材,所述基材包括平面板結(jié)構(gòu)的基材主體和設(shè)置于所述基材主體上的至少一個圍壩,每個所述圍壩為封閉的一圈,所述圍壩的高度大于LED芯片的厚度,且每個所述圍壩所包圍的區(qū)域在垂直于所述圍壩高度方向上的尺寸大于或等于所述LED芯片在垂直于自身厚度方向上的尺寸; 一一對應(yīng)的設(shè)置于所述圍壩所包圍的區(qū)域內(nèi)的至少一個LED芯片; 電連接所述LED芯片的陽極與所述基材的第一焊線,所述第一焊線與所述基材的連接點(diǎn)位于所述圍壩所包圍的區(qū)域外; 電連接所述LED芯片的陰極與所述基材的第二焊線,所述第二焊線與所述基材的連接點(diǎn)位于所述圍壩所包圍的區(qū)域外; 填充于所述圍壩所包圍的區(qū)域內(nèi)的封裝膠,所述封裝膠覆蓋所述LED芯片背離所述基材主體的表面,且所述封裝膠內(nèi)具有熒光粉; 設(shè)置于所述基材上的透鏡,所述透鏡包覆所述圍壩、所述封裝膠、所述第一焊線和所述第二焊線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述圍壩的高度與所述LED芯片的厚度之差的范圍為:0.2mm~0.5mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,每個所述圍壩所包圍的區(qū)域在垂直于所述圍壩高度方向上的尺寸與所述LED芯片在垂直于自身厚度方向上的尺寸之差小于或等于0.1謹(jǐn)X0.1謹(jǐn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所 述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述基材為一體結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述基材為分體結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述基材主體的材料為樹脂或陶瓷,所述圍壩的材料為膠類。
7.根據(jù)權(quán)利要求4~6任一項(xiàng)所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,當(dāng)所述圍壩為多個時(shí),所述圍壩均勻分布于所述基材主體上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述封裝膠為熒光粉與膠水的混合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述透鏡為平面透鏡或曲面透鏡。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述透鏡的材料為硅膠。
11.一種LED封裝方法,其特征在于,包括: 提供基材,所述基材包括平面板結(jié)構(gòu)的基材主體和設(shè)置于所述基材主體上的至少一個圍現(xiàn),每個所述圍現(xiàn)為封閉的一圈,所述圍現(xiàn)的聞度大于LED芯片的厚度,且每個所述圍現(xiàn)所包圍的區(qū)域在垂直于所述圍壩高度方向上的尺寸大于或等于所述LED芯片在垂直于自身厚度方向上的尺寸; 將至少一個所述LED芯片一一對應(yīng)的設(shè)置于所述圍壩所包圍的區(qū)域內(nèi); 利用第一焊線電連接所述LED芯片的陽極與所述基材,利用第二焊線電連接所述LED芯片的陰極與所述基材,所述第一焊線與所述基材的連接點(diǎn)和所述第二焊線與所述基材的連接點(diǎn)均位于所述圍壩所包圍的區(qū)域外;在所述圍壩所包圍的區(qū)域內(nèi)填充封裝膠,使所述封裝膠覆蓋所述LED芯片背離所述基材主體的表面,所述封裝膠內(nèi)具有熒光粉; 在所述基材上設(shè)置透鏡,使所述透鏡包覆所述圍壩、所述封裝膠、所述第一焊線和所述第二焊線。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED封裝方法,其特征在于,所述在所述凹槽內(nèi)填充封裝膠具體為:采用點(diǎn)膠工藝在所述凹槽內(nèi)填充封裝膠。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED封裝方法,其特征在于,所述在所述基材上設(shè)置透鏡具體為:采用壓模工藝在所述基材上設(shè)置透鏡。
【文檔編號】H01L33/48GK103682050SQ201310738130
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年12月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月27日
【發(fā)明者】黃勇鑫, 袁永剛 申請人:蘇州東山精密制造股份有限公司