薄膜晶體管、陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種薄膜晶體管、陣列基板及其制備方法、顯示裝置，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，其可解決現(xiàn)有的薄膜晶體管、陣列基板及其制備方法、顯示裝置中由于像素尺寸的減少無法在相鄰數(shù)據(jù)線之間同層制作漏極的問題。本發(fā)明的薄膜晶體管、陣列基板及其制備方法、顯示裝置采用了將漏極與柵極同層設(shè)置，克服了在數(shù)據(jù)線垂直方向上由于曝光分辨率不足無法與數(shù)據(jù)線同層制作漏極的現(xiàn)象。
【專利說明】薄膜晶體管、陣列基板及其制備方法、顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種薄膜晶體管、陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilm Transistor Liquid CrystalDisplay, TFT-1XD)技術(shù)的發(fā)展，高像素分辨率的顯示技術(shù)逐漸成為主流，但隨著像素分辨率的不斷提高，像素尺寸的不斷減小，利用現(xiàn)有的薄膜晶體管(TFT)設(shè)計存在一個共同的問題是，布線時用來傳導(dǎo)像素電壓的漏極空間越來越小，直至在現(xiàn)有TFT設(shè)計情況下，無法利用漏極來傳導(dǎo)像素電壓。
[0003]如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的高級超維場轉(zhuǎn)換模式陣列基板中，每個像素中具有一板狀電極，板狀電極上設(shè)有絕緣層，絕緣層上設(shè)有狹縫電極，其中此處以狹縫電極是像素電極3而板狀電極是公共電極4作為例子(當(dāng)然，若狹縫電極是公共電極而板狀電極是像素電極也是可行的);其中，薄膜晶體管的漏極7設(shè)置在相鄰像素單元的數(shù)據(jù)線2之間，漏極7與數(shù)據(jù)線2的之間的距離為Dl。
[0004]同時，如圖2所示，為了簡化制備工藝，故源極6和漏極7與數(shù)據(jù)線2同層設(shè)置(SP在一次構(gòu)圖工藝中通過同一材料層形成)，并且源極6與數(shù)據(jù)線2連接，數(shù)據(jù)信號依次經(jīng)源極6，有源區(qū)5，漏極7，過孔8，過孔9傳至像素電極3，由于圖2為剖面圖，像素電極3沒有完全剖出。
[0005]如圖3所示，狹縫電極為像素電極3設(shè)置于鈍化層15上，過孔9中填充的材料與像素電極3相同，并同時形成；
`[0006]板狀電極為公共電極4設(shè)置于平坦化層14上，過孔8中的填充材料與公共電極4相同，并同時形成。
[0007]由于像素尺寸的減小，制作時相鄰數(shù)據(jù)線2之間的橫向(與數(shù)據(jù)線垂直方向)曝光分辨率已經(jīng)無法支持同層制作漏極7。換句話說，Dl已經(jīng)受限于現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)據(jù)線2制程的曝光分辨率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)中現(xiàn)有的陣列基板、顯示裝置中由于像素尺寸的減少無法在相鄰數(shù)據(jù)線之間同層制作漏極的問題，提供一種能夠在相鄰數(shù)據(jù)線之間設(shè)置漏極的薄膜晶體管、陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
[0009]本發(fā)明的一個目的是提供一種薄膜晶體管，包括柵極、源極、漏極、有源區(qū)，所述的源極、漏極分別與有源區(qū)相連，所述的漏極與柵極同層設(shè)置。
[0010]本發(fā)明的另一個目的是提供一種陣列基板，包括襯底以及設(shè)置在襯底上的薄膜晶體管，所述的薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極、有源區(qū)，所述的源極、漏極分別與有源區(qū)相連，所述的源極連接數(shù)據(jù)線，其特征在于，所述的漏極與柵極同層設(shè)置。[0011]優(yōu)選的是，所述漏極與柵極間的連線平行于數(shù)據(jù)線。
[0012]優(yōu)選的是，在所述的襯底上設(shè)有緩沖層，在所述的緩沖層上設(shè)有有源層，在所述的有源層上設(shè)有柵極絕緣層，在所述的柵極絕緣層上設(shè)有柵極；在所述的柵極上設(shè)有絕緣層，在所述的絕緣層上設(shè)有平坦化層，在所述的平坦化層上設(shè)有板狀電極，在所述的板狀電極上設(shè)有鈍化層，在所述的鈍化層上設(shè)有狹縫電極。
[0013]優(yōu)選的是，所述的板狀電極為像素電極，所述的狹縫電極為公共電極。
[0014]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述的像素電極通過平坦化層中的過孔與漏極連接。
[0015]優(yōu)選的是，所述板狀電極為公共電極，所述的狹縫電極為像素電極。
[0016]進(jìn)一步優(yōu)選的是，還包括與公共電極同層設(shè)置的連接層，所述的連接層通過設(shè)置在絕緣層和平坦化層中的過孔與漏極連接；
[0017]所述的像素電極通過鈍化層中的過孔與連接層連接。
[0018]優(yōu)選的是，在所述的襯底上還設(shè)有與所述有源區(qū)相對應(yīng)的遮光層。
[0019]優(yōu)選的是，所述的陣列基板還包括公共電極和像素電極，在公共電極和像素電極所在的層分別設(shè)置過孔，數(shù)據(jù)信號經(jīng)源/漏極和所述的過孔傳遞到像素電極。
[0020]優(yōu)選的是，在所述的基板上還設(shè)有與所述有源區(qū)相對應(yīng)的遮光層，所述遮光層相對于有源區(qū)更靠近入射光方向。
[0021 ] 優(yōu)選的是，所述公共電極相對于像素電極更靠近入射光方向。
[0022]優(yōu)選的是，所述像素電極相對于公共電極更靠近入射光方向。
[0023]本發(fā)明的一個目的是提供上述陣列基板的制備方法，包括經(jīng)構(gòu)圖工藝同時形成漏極和柵極的步驟。
[0024]優(yōu)選的是，在經(jīng)構(gòu)圖工藝同時形成漏極和柵極的步驟之前還包括通過構(gòu)圖工藝依次形成遮光層、緩沖層、有源層、柵極絕緣層的步驟。
[0025]優(yōu)選的是，在經(jīng)構(gòu)圖工藝同時形成漏極和柵極的步驟之后還包括通過構(gòu)圖工藝依次形成絕緣層、源極、平坦化層、連接部和公共電極、鈍化層、像素電極的步驟。
[0026]優(yōu)選的是，在經(jīng)構(gòu)圖工藝同時形成漏極和柵極的步驟之后還包括通過構(gòu)圖工藝依次形成絕緣層、源極、平坦化層、像素電極、鈍化層、公共電極的步驟。
[0027]本發(fā)明的另一個目的是提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0028]本發(fā)明的薄膜晶體管、陣列基板及其制備方法、顯示裝置，采用了將漏極沿數(shù)據(jù)線方向上與柵極同層設(shè)置，克服了在數(shù)據(jù)線垂直方向上由于曝光分辨率不足無法與數(shù)據(jù)線同層制作漏極的現(xiàn)象。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的俯視圖。
[0030]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的A-A向剖視圖。
[0031]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的C-C向剖視圖。
[0032]圖4為本發(fā)明實施I中薄膜晶體管剖視圖。
[0033]圖5為本發(fā)明實施2中陣列基板的俯視圖，其中，板狀電極為公共電極，狹縫電極為像素電極。
[0034]圖6為本發(fā)明實施2中陣列基板的俯視圖，其中，板狀電極為像素電極，狹縫電極為公共電極。
[0035]圖7為圖5中陣列基板的B-B向剖視圖。
[0036]圖8為圖6中陣列基板的Bl-Bl向剖視圖。
[0037]圖9為圖5中陣列基板的D-D向剖視圖。
[0038]圖10為圖6中陣列基板的E-E向剖視圖。
[0039]其中:
[0040]1.柵極；2.數(shù)據(jù)線；3.像素電極；4.公共電極；5.有源層；6.源極；7.漏極；71.漏極；8.過孔；81.連接部；9.過孔；10.玻璃基板；11.緩沖層；12.柵極絕緣層；13.絕緣層；14.平坦化層；15.鈍化層；16.遮光層。
【具體實施方式】
[0041]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0042]實施例1
[0043]如圖4所示，本實施例提供一種薄膜晶體管，包括柵極1、源極6、漏極71、有源區(qū)5，所述的源極6、漏極71分別與有源區(qū)5相連，漏極71與柵極I同層設(shè)置，柵極絕緣層12將柵極I和有源層5絕緣，源極6設(shè)置與絕緣層13上。
[0044]實施例2
[0045]如圖5-10所示，本實施例提供一種陣列基板。
[0046]如圖5、圖6所示，陣列基板包括多個長條形像素單元，數(shù)據(jù)線2位于像素單元的橫向的兩側(cè)，像素單元的縱向一端設(shè)有板狀電極和狹縫電極，另一端設(shè)有柵極I和連接線；其中，與有源區(qū)5連接的漏極71位于有源區(qū)5靠近板狀電極的一端；柵極I和漏極71之間的距離為D2，現(xiàn)有技術(shù)中如圖1、2所示的漏極7與數(shù)據(jù)線2的之間的距離為D1，由于像素單元通常為長條形的，故其縱向尺寸大于橫向尺寸，因此D2大于D1。如圖6所示，由于將漏極71沿數(shù)據(jù)線2方向上與柵極I同層設(shè)置，避免了在與數(shù)據(jù)線2垂直方向上由于曝光分辨率不足無法與數(shù)據(jù)線2同層制作漏極71的現(xiàn)象。
[0047]圖5和圖6區(qū)別在于，圖5中板狀電極為公共電極4，狹縫電極為像素電極3 ;圖6中板狀電極為像素電極3，狹縫電極為公共電極4。
[0048]圖5中的陣列基板的各功能層在剖面上的分布如圖7所示，陣列基板包括玻璃基板10，在玻璃基板10設(shè)有緩沖層11，在緩沖層11上方設(shè)有源層5，有源層5 —端連接源極6，另一端連接漏極71 ；
[0049]在有源層5上設(shè)有柵極絕緣層12，在柵極絕緣層12上設(shè)有柵極I ;柵極I上設(shè)有絕緣層13 ;在絕緣層13上設(shè)有數(shù)據(jù)線2，數(shù)據(jù)線2與源極6相連；在數(shù)據(jù)線2上設(shè)有平坦化層14，在平坦化層14上設(shè)有公共電極4，公共電極4上設(shè)有鈍化層15，在鈍化層15上設(shè)有像素電極3 ；
[0050]其中，源極6與數(shù)據(jù)線2同層設(shè)置，漏極71與柵極I同層設(shè)置。在鈍化層15上設(shè)有過孔9，填充過孔9的材料與像素電極3的材料相同，并與像素電極3同時形成；
[0051]連接部81與公共電極4同層設(shè)置，連接部81的材料與公共電極4的材料相同，并與公共電極4同時形成，但連接部81不與公共電極4連接；[0052]連接部81通過絕緣層13和平坦化層14的過孔與漏極71連接；同時，連接部81通過過孔9與像素電極3連接。
[0053]這樣數(shù)據(jù)信號依次經(jīng)源極6，有源區(qū)5，漏極71，連接部81，過孔9傳至像素電極3。
[0054]優(yōu)選的，陣列基板還可以在玻璃基板10上設(shè)有與有源區(qū)5相對應(yīng)的遮光層16，如圖7所示。遮光層16用于遮擋入射光照射于有源層5產(chǎn)生漏電流。
[0055]圖6中的陣列基板的各功能層在剖面上的分布如圖8所示。圖8所示，板狀電極為像素電極3，狹縫電極為公共電極4，此時圖8和圖7的區(qū)別在于，板狀電極(像素電極3)與連接部81相連。
[0056]為了更加清楚的介紹本發(fā)明，本實施例給出位于像素單元一端的板狀電極和狹縫電極的剖面圖，如圖9所示，狹縫電極為像素電極3，板狀電極為公共電極4。如圖10所示，狹縫電極為公共電極4，板狀電極為像素電極3。
[0057]實施例3
[0058]本實施提供一種上述的陣列基板的制備方法，包括以下制備步驟:
[0059]SI)在玻璃基板10，通過構(gòu)圖工藝依次形成遮光層16、緩沖層11、有源層5，柵極絕緣層12。
[0060]S2)在柵極絕緣層12上經(jīng)構(gòu)圖工藝同時形成漏極71和柵極1，即漏極71和柵極I同層設(shè)置。
[0061]S3)在漏極71上經(jīng)構(gòu)圖工藝依次形成絕緣層13、源極6、平坦化層14、連接部81和公共電極4、鈍化層15、像素電極3的步驟。
[0062]當(dāng)然，也可以將公共電極4后于像素電極3形成，則在漏極71上經(jīng)構(gòu)圖工藝依次形成絕緣層13、源極6、平坦化層14、像素電極3、鈍化層15、公共電極4的步驟。
[0063]應(yīng)當(dāng)理解的是，通過構(gòu)圖工藝形成功能層是現(xiàn)有技術(shù)范疇，在此不再一一贅述。
[0064]實施例4
[0065]本實施提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的陣列基板。
[0066]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管，包括柵極、源極、漏極、有源區(qū)，所述的源極、漏極分別與有源區(qū)相連，其特征在于，所述的漏極與柵極同層設(shè)置。
2.一種陣列基板，包括襯底以及設(shè)置在襯底上的薄膜晶體管，所述的薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極、有源區(qū)，所述的源極、漏極分別與有源區(qū)相連，所述的源極連接數(shù)據(jù)線，其特征在于，所述的漏極與柵極同層設(shè)置。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述漏極與柵極間的連線平行于數(shù)據(jù)線。
4.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，在所述的襯底上設(shè)有緩沖層，在所述的緩沖層上設(shè)有有源層，在所述的有源層上設(shè)有柵極絕緣層，在所述的柵極絕緣層上設(shè)有柵極；在所述的柵極上設(shè)有絕緣層，在所述的絕緣層上設(shè)有平坦化層，在所述的平坦化層上設(shè)有板狀電極，在所述的板狀電極上設(shè)有鈍化層，在所述的鈍化層上設(shè)有狹縫電極。
5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述的板狀電極為像素電極，所述的狹縫電極為公共電極。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述的像素電極通過平坦化層中的過孔與漏極連接。
7.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述板狀電極為公共電極，所述的狹縫電極為像素電極。
8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，還包括與公共電極同層設(shè)置的連接層，所述的連接層通過設(shè)置在絕緣層和平坦化層中的過孔與漏極連接； 所述的像素電極通過鈍化層中的過孔與連接層連接。
9.如權(quán)利要求1-8任一所述的陣列基板，其特征在于，在所述的襯底上還設(shè)有與所述有源區(qū)相對應(yīng)的遮光層。
10.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括經(jīng)構(gòu)圖工藝同時形成漏極和柵極的步驟。
11.如權(quán)利要求10所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在經(jīng)構(gòu)圖工藝同時形成漏極和柵極的步驟之前還包括通過構(gòu)圖工藝依次形成遮光層、緩沖層、有源層、柵極絕緣層的步驟。
12.如權(quán)利要求10所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在經(jīng)構(gòu)圖工藝同時形成漏極和柵極的步驟之后還包括通過構(gòu)圖工藝依次形成絕緣層、源極、平坦化層、連接部和公共電極、鈍化層、像素電極的步驟。
13.如權(quán)利要求10所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在經(jīng)構(gòu)圖工藝同時形成漏極和柵極的步驟之后還包括通過構(gòu)圖工藝依次形成絕緣層、源極、平坦化層、像素電極、鈍化層、公共電極的步驟。
14.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求2-9任一所述陣列基板。
【文檔編號】H01L27/12GK103762245SQ201310683598
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2013年12月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月13日
【發(fā)明者】孫建, 陳鵬駿, 李成, 安星俊 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司