一種tft電性量測(cè)方法及裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種TFT電性量測(cè)方法及裝置，其中TFT電性量測(cè)方法包括：提供兩個(gè)分別與源漏極金屬相連的源漏極測(cè)試單元和一個(gè)與柵極金屬相連的柵極測(cè)試單元；在柵極測(cè)試單元上施加第一電壓，在兩源漏極測(cè)試單元兩端施加第二電壓，使與源漏極金屬相接觸的摻雜型非晶硅半導(dǎo)體導(dǎo)通；以及量測(cè)兩源漏極測(cè)試單元之間的電流。實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例，一方面可以方便快捷地得出源漏極金屬與摻雜型非晶硅半導(dǎo)體之間的歐姆接觸電阻，另一方面通過(guò)所量測(cè)的電流變化，可以了解該歐姆接觸電阻的變化，以便于監(jiān)控TFT電性。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種TFT電性量測(cè)方法及裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及圖像顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT電性量測(cè)方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前的薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器(TFT-1XD)陣列設(shè)計(jì)中，在陣列基板外圍會(huì)設(shè)計(jì)測(cè)試器件組TEG (Test Element Group)，用于量測(cè)監(jiān)控TFT電性，包括電阻、電容、TFT
1-V曲線(xiàn)等。其中電阻量測(cè)包括柵極金屬線(xiàn)、源漏極金屬線(xiàn)、氧化銦錫、鈍化層過(guò)孔等電阻，然而，源漏極金屬與摻雜型非晶硅半導(dǎo)體(n+ a-S1:H)的歐姆接觸電阻卻因沒(méi)有相應(yīng)設(shè)計(jì)而無(wú)法實(shí)現(xiàn)量測(cè)及監(jiān)控。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，提供一種可實(shí)現(xiàn)對(duì)源漏極金屬與摻雜型非晶硅半導(dǎo)體的歐姆接觸電阻進(jìn)行量測(cè)及監(jiān)控的TFT電性量測(cè)方法及裝置。
[0004]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種TFT電性量測(cè)方法，包括:
提供兩個(gè)分別與源漏極金屬相連的源漏極測(cè)試單元和一個(gè)與柵極金屬相連的柵極測(cè)試單元；
在柵極測(cè)試單元上施加第一電壓，在兩源漏極測(cè)試單元兩端施加第二電壓，使與源漏極金屬相接觸的摻雜型非晶硅半導(dǎo)體導(dǎo)通；以及量測(cè)兩源漏極測(cè)試單元之間的電流。
[0005]其中，所述源漏極測(cè)試單元和柵極測(cè)試單元均為金屬薄片。
[0006]其中，所述源漏極測(cè)試單元通過(guò)金屬測(cè)試線(xiàn)與源漏極金屬相連，所述柵極測(cè)試單元通過(guò)金屬測(cè)試線(xiàn)與柵極金屬相連。
[0007]其中，所述第一電壓為使源漏極導(dǎo)通的高電壓，所述第二電壓為已知大小的預(yù)定值。
[0008]本發(fā)明還提供一種TFT電性量測(cè)裝置，包括:
一個(gè)與柵極金屬相連、可被施加第一電壓的柵極測(cè)試單兀；
兩個(gè)分別與源漏極金屬相連、兩端可被施加第二電壓的源漏極測(cè)試單元；
所述第一電壓和第二電壓使與所述源漏極金屬相接觸的摻雜型非晶硅半導(dǎo)體導(dǎo)通；
用于量測(cè)所述兩源漏極測(cè)試單元之間的電流的量測(cè)單元。
[0009]其中，所述源漏極測(cè)試單元和柵極測(cè)試單元均為金屬薄片。
[0010]其中，所述源漏極測(cè)試單元通過(guò)金屬測(cè)試線(xiàn)與所述源漏極金屬相連，所述柵極測(cè)試單元通過(guò)金屬測(cè)試線(xiàn)與所述柵極金屬相連。
[0011]其中，所述第一電壓為使源漏極導(dǎo)通的高電壓，所述第二電壓為已知大小的預(yù)定值。
[0012]實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例，一方面可以方便快捷地得出源漏極金屬與摻雜型非晶硅半導(dǎo)體之間的歐姆接觸電阻，另一方面通過(guò)所量測(cè)的電流變化，可以了解該歐姆接觸電阻的變化，以便于監(jiān)控TFT電性。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0014]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一一種TFT電性量測(cè)方法的流程示意圖。
[0015]圖2是本發(fā)明實(shí)施例種TFT電性量測(cè)方法的原理不意圖。
[0016]圖3是本發(fā)明實(shí)施例二一種TFT電性量測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖4是按圖3中A— A’向截面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面參考附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行描述。
[0019]請(qǐng)參照?qǐng)D1所示，本發(fā)明實(shí)施例一提供一種TFT電性量測(cè)方法，包括:
步驟S1，提供兩個(gè)分別與源漏極金屬相連的源漏極測(cè)試單元和一個(gè)與柵極金屬相連的柵極測(cè)試單元；
步驟S2，在柵極測(cè)試單元上施加第一電壓，在兩源漏極測(cè)試單元兩端施加第二電壓，使與源漏極金屬相接觸的摻雜型非晶硅半導(dǎo)體導(dǎo)通；以及步驟S3，量測(cè)兩源漏極測(cè)試單元之間的電流。
[0020]其中，源漏極測(cè)試單元和柵極測(cè)試單元均為金屬薄片，并且均通過(guò)測(cè)試線(xiàn)(亦為金屬線(xiàn))分別與源漏極金屬和柵極金屬相連。
[0021]本實(shí)施例的TFT電性量測(cè)方法的原理為:在柵極測(cè)試單元上施加第一電壓，該第一電壓為高電壓，大于其導(dǎo)通電壓，可使源極與漏極接通，而對(duì)于TFT器件，其源極和漏極特性一樣，功能可以互換。同時(shí)，在兩源漏極測(cè)試單元兩端施加第二電壓，使與源漏極金屬相接觸的摻雜型非晶娃半導(dǎo)體n+ a-S1:H導(dǎo)通。由于n+ a_S1:H和測(cè)試線(xiàn)以及源漏極金屬的電阻相對(duì)于源漏極金屬與n+ a-S1:H之間的歐姆接觸電阻可以忽略不計(jì)，因此通過(guò)量測(cè)兩源漏極測(cè)試單元兩端的電壓及其之間的電流，即可得出源漏極金屬與n+ a-S1:H之間的歐姆接觸電阻。而兩源漏極測(cè)試單元兩端的電壓即所施加的第二電壓，其為已知大小的預(yù)定值，因此實(shí)際只需量測(cè)兩源漏極測(cè)試單元之間的電流即可。具體請(qǐng)參照?qǐng)D2所示，假設(shè)施加在兩源漏極測(cè)試單元兩端的第二電壓為VSD，量測(cè)兩源漏極測(cè)試單元之間的電流ISD，則源漏極金屬與n+ a-S1:H之間的歐姆接觸電阻另外，圖2也示出了本發(fā)明實(shí)施例的等效電路圖，其中Rlgw、R2gw分別為漏極金屬和源極金屬與n+ a-S1:H之間的歐姆接觸電阻，如前所述，TFT器件的源極和漏極特性相同，功能可互換，因此札_和R2 _是相同
的，R歐姆—Ri歐姆+?歐姆。
[0022]再請(qǐng)參照?qǐng)D3和圖4所示，相應(yīng)于本發(fā)明實(shí)施例一的TFT電性量測(cè)方法，本發(fā)明實(shí)施例二提供一種TFT電性量測(cè)裝`置，包括:
一個(gè)與柵極金屬11相連、可被施加第一電壓的柵極測(cè)試單兀1 ;
兩個(gè)分別與源漏極金屬12相連、兩端可被施加第二電壓的源漏極測(cè)試單元2 ; 所述第一電壓和第二電壓使與源漏極金屬12相接觸的摻雜型非晶硅半導(dǎo)體15導(dǎo)通； 用于量測(cè)兩源漏極測(cè)試單元2之間的電流的量測(cè)單元。
[0023]圖4示出了本實(shí)施例所要量測(cè)的TFT器件的一種典型結(jié)構(gòu)示意圖，其中，柵極金屬11上覆蓋有柵極絕緣層(具體為氮化硅層)13，在柵極絕緣層13上依次形成非晶硅半導(dǎo)體層(a-Si:H) 14和摻雜型非晶硅半導(dǎo)體層(n+ a_S1:H) 15，源漏極金屬12設(shè)置在摻雜型非晶硅半導(dǎo)體層15上。
[0024]本實(shí)施例的TFT電性量測(cè)裝置，提供柵極測(cè)試單元1，通過(guò)金屬線(xiàn)與柵極金屬11相連；提供兩個(gè)源漏極測(cè)試單元2，通過(guò)金屬線(xiàn)分別與源漏極金屬12相連。通過(guò)在柵極測(cè)試單元I上施加第一電壓，該第一電壓大于其導(dǎo)通電壓，使源極與漏極接通；同時(shí)，通過(guò)在兩源漏極測(cè)試單元2兩端施加第二電壓，使與源漏極金屬12相接觸的摻雜型非晶硅半導(dǎo)體15導(dǎo)通。由于摻雜型非晶硅半導(dǎo)體15和測(cè)試線(xiàn)以及源漏極金屬12的電阻相對(duì)于源漏極金屬12與摻雜型非晶硅半導(dǎo)體15之間的歐姆接觸電阻可以忽略不計(jì)，因此通過(guò)量測(cè)兩源漏極測(cè)試單元2兩端的電壓及其之間的電流，即可得出源漏極金屬12與摻雜型非晶硅半導(dǎo)體15之間的歐姆接觸電阻。而兩源漏極測(cè)試單元2兩端的電壓即所施加的第二電壓為已知大小的預(yù)定值，因此實(shí)際只需量測(cè)兩源漏極測(cè)試單元2之間的電流即可。具體的量測(cè)和計(jì)算請(qǐng)參照前述對(duì)圖2的描述。
[0025]本實(shí)施例的TFT電性量測(cè)裝置可通過(guò)光罩上設(shè)計(jì)圖形，按現(xiàn)有工藝即可實(shí)現(xiàn)。其中，源漏極測(cè)試單元2和柵極測(cè)試單元I均為金屬薄片，測(cè)試線(xiàn)均為金屬線(xiàn)。
[0026]實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例，一方面可以方便快捷地得出源漏極金屬與摻雜型非晶硅半導(dǎo)體之間的歐姆接觸電阻，另一方面通過(guò)所量測(cè)的電流變化，可以了解該歐姆接觸電阻的變化，以便于監(jiān)控TFT電性。
[0027]以上所揭露的僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種TFT電性量測(cè)方法，包括:提供兩個(gè)分別與源漏極金屬相連的源漏極測(cè)試單元和一個(gè)與柵極金屬相連的柵極測(cè)試單元；在柵極測(cè)試單元上施加第一電壓，在兩源漏極測(cè)試單元兩端施加第二電壓，使與源漏極金屬相接觸的摻雜型非晶硅半導(dǎo)體導(dǎo)通；以及量測(cè)兩源漏極測(cè)試單元之間的電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT電性量測(cè)方法，其特征在于，所述源漏極測(cè)試單元和柵極測(cè)試單元均為金屬薄片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT電性量測(cè)方法，其特征在于，所述源漏極測(cè)試單元通過(guò)金屬測(cè)試線(xiàn)與源漏極金屬相連，所述柵極測(cè)試單元通過(guò)金屬測(cè)試線(xiàn)與柵極金屬相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT電性量測(cè)方法，其特征在于，所述第一電壓為使源漏極導(dǎo)通的高電壓，所述第二電壓為已知大小的預(yù)定值。
5.一種TFT電性量測(cè)裝置，其特征在于，包括:一個(gè)與柵極金屬(11)相連、可被施加第一電壓的柵極測(cè)試單元(1);兩個(gè)分別與源漏極金屬(12)相連、兩端可被施加第二電壓的源漏極測(cè)試單元(2)；所述第一電壓和第二電壓使與所述源漏極金屬(12)相接觸的摻雜型非晶硅半導(dǎo)體(15)導(dǎo)通；用于量測(cè)所述兩源漏極測(cè)試單元(2)之間的電流的量測(cè)單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT電性量測(cè)裝置，其特征在于，所述源漏極測(cè)試單元(2)和柵極測(cè)試單元(1)均為金屬薄片。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的TFT電性量測(cè)裝置，其特征在于，所述源漏極測(cè)試單元(2)通過(guò)金屬測(cè)試線(xiàn)與所述源漏極金屬(12)相連，所述柵極測(cè)試單元(1)通過(guò)金屬測(cè)試線(xiàn)與所述柵極金屬(11)相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT電性量測(cè)裝置，其特征在于，所述第一電壓為使源漏極導(dǎo)通的高電壓，所述第二電壓為已知大小的預(yù)定值。
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK103730384SQ201310680830
【公開(kāi)日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2013年12月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月13日
【發(fā)明者】付延峰 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司