Led芯片制備方法及l(fā)ed芯片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種LED芯片制備方法及LED芯片。本發(fā)明提供的LED芯片制備方法，包括：在襯底上依次生長(zhǎng)N型氮化鎵層、發(fā)光層和P型氮化鎵層；去除部分P型氮化鎵層和部分發(fā)光層，露出部分N型氮化鎵層；在所述P型氮化鎵層和所述露出的N型氮化鎵層的表面同時(shí)形成擴(kuò)展電極層。本發(fā)明提供的方法解決現(xiàn)有技術(shù)在制備LED芯片的過程中，光刻工藝層次較多而導(dǎo)致生成工藝復(fù)雜的問題，提高了LED芯片的生產(chǎn)良率，并且降低了生產(chǎn)成本。
【專利說明】LED芯片制備方法及LED芯片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及芯片制造技術(shù)，尤其涉及一種LED芯片制備方法及LED芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,簡(jiǎn)稱:LED)技術(shù)的發(fā)展,采用LED技術(shù)的光源已廣泛使用在日常照明設(shè)備中，是繼白熾燈，熒光燈之后的新一代“綠色照明”光源。
[0003]LED光源的核心部分即是LED芯片，目前廣泛用于日常照明的LED芯片主要是采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,簡(jiǎn)稱為:M0CVD)的方式在藍(lán)寶石或者SiC襯底上生長(zhǎng)氮化鎵。以在藍(lán)寶石襯底上制備的LED芯片為例進(jìn)行說明，目前，已普遍采用的倒裝芯片的方式雖然可以克服正裝芯片中電極擋光和散熱較差的問題，但是在該LED芯片的制備過程中，通常在芯片的P型區(qū)和N型區(qū)分別形成擴(kuò)展電極層，并需要在歐姆接觸層上制備反光鏡結(jié)構(gòu)。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)在制備LED芯片的過程中，光刻層次較多，通常需要經(jīng)過六次曝光及刻蝕，導(dǎo)致生成工藝復(fù)雜，降低了 LED芯片的生產(chǎn)良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種LED芯片制備方法及LED芯片，以解決現(xiàn)有技術(shù)在制備LED芯片的過程中，光刻工藝層次較多而導(dǎo)致生成工藝復(fù)雜的問題。
[0006]本發(fā)明提供一種LED芯片制備方法，包括:
[0007]在襯底上依次生長(zhǎng)N型氮化鎵層、發(fā)光層和P型氮化鎵層；
[0008]去除部分P型氮化鎵層和部分發(fā)光層，露出部分N型氮化鎵層；
[0009]在所述P型氮化鎵層和所述露出的N型氮化鎵層的表面同時(shí)形成擴(kuò)展電極層。
[0010]如上所示的方法，其中，所述在所述P型氮化鎵層和所述露出的N型氮化鎵層的表面生成擴(kuò)展電極層，包括:
[0011]在所述P型氮化鎵層和所述露出的N型氮化鎵層的表面生長(zhǎng)用于形成所述擴(kuò)展電極層的膜質(zhì)；
[0012]去除部分所述用于形成擴(kuò)展電極層的膜質(zhì)，以同時(shí)形成覆蓋于所述P型氮化鎵層和覆蓋于所述露出的N型氮化鎵層上的彼此隔離的擴(kuò)展電極層，其中，所述P型氮化鎵層上的擴(kuò)展電極層為歐姆接觸層。
[0013]如上所示的方法，其中，，所述在襯底上依次生長(zhǎng)N型氮化鎵層、發(fā)光層和P型氮化鎵層之前，還包括:
[0014]在所述襯底上生長(zhǎng)緩沖層；
[0015]所述在襯底上依次生長(zhǎng)N型氮化鎵層、發(fā)光層和P型氮化鎵層，包括:
[0016]在所述已生長(zhǎng)的緩沖層上依次生長(zhǎng)所述N型氮化鎵層、所述發(fā)光層和所述P型氮
化鎵層。
[0017]如上所示的方法，其中，還包括:[0018]在所述擴(kuò)展電極層上形成分布式布拉格反射鏡DBR層；
[0019]生長(zhǎng)金屬電極層并制作焊接電極，所述焊接電極分別與所述P型氮化鎵層上的擴(kuò)展電極層和所述N型氮化鎵層接觸。
[0020]如上所示的方法，其中，所述擴(kuò)展電極層為透射型電極層；則所述用于形成所述擴(kuò)展電極層的膜質(zhì)包括ITO膜、ZnO膜或Ni/Au膜，所述膜質(zhì)的厚度為120nm。
[0021]如上所示的方法，其中，所述在所述擴(kuò)展電極層上形成分布式布拉格反射鏡DBR層，包括:
[0022]交替生長(zhǎng)Ti3O5 和 SiO2 ；
[0023]去除部分所述交替生長(zhǎng)的Ti3O5和SiO2，以露出所述P型氮化鎵層上的部分透射型電極層和部分N型氮化鎵層。
[0024]如上所示的方法，其中，所述擴(kuò)展電極層為反射型電極層；則所述用于形成所述擴(kuò)展電極層的膜質(zhì)包括Ni/Ag膜，所述膜質(zhì)的厚度為60nm。
[0025]如上所示的方法，其中，所述在所述擴(kuò)展電極層上形成分布式布拉格反射鏡DBR層，包括:
[0026]交替生長(zhǎng)TiO2 和 Al2O3 ；
[0027]去除部分所述交替生長(zhǎng)的1102和Al2O3，以露出所述P型氮化鎵層上的部分反射型電極層和部分N型氮化鎵層。
[0028]本發(fā)明提供還一種LED芯片，所述LED芯片采用本發(fā)明提供的LED芯片制備方法制得。
[0029]本實(shí)施例所提供的LED芯片制備方法及LED芯片，通過在襯底上依次生長(zhǎng)N型氮化鎵層、發(fā)光層和P型氮化鎵層，并去除部分P型氮化鎵層和發(fā)光層，直至露出部分N型氮化鎵層，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了在LED芯片的P型氮化鎵層和該露出的N型氮化鎵層的表面同時(shí)形成擴(kuò)展電極層，解決了現(xiàn)有技術(shù)在制備LED芯片的過程中，光刻工藝層次較多而導(dǎo)致生成工藝復(fù)雜的問題，提高了 LED芯片的生產(chǎn)良率，并且降低了生產(chǎn)成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0031]圖1為本發(fā)明提供的一種LED芯片制備方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖；
[0032]圖2為圖1所示實(shí)施例提供的一種LED芯片制備方法的過程中的芯片結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖3為圖1所示實(shí)施例提供的一種LED芯片制備方法的過程中的芯片結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖4為圖1所示實(shí)施例提供的一種LED芯片制備方法的過程中的芯片結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖5為圖1所示實(shí)施例提供的另一種LED芯片制備方法的過程中的芯片結(jié)構(gòu)示意圖；[0036]圖6為本發(fā)明提供的一種LED芯片制備方法的另一個(gè)實(shí)施例的流程圖；
[0037]圖7為圖6所示實(shí)施例提供的一種LED芯片制備方法的過程中的芯片結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖8為圖6所示實(shí)施例提供的一種LED芯片制備方法的過程中的芯片結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0039]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0040]圖1為本發(fā)明提供的一種LED芯片制備方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。如圖1所示，本實(shí)施例的方法可以包括:
[0041 ] S110，在襯底上依次生長(zhǎng)N型氮化鎵層、發(fā)光層和P型氮化鎵層。
[0042]在芯片制備的過程中，通常使用半導(dǎo)體晶片作為襯底材料，本實(shí)施例在制備LED芯片時(shí)，以目前通常采用的藍(lán)寶石作為襯底材料為例進(jìn)行說明，如圖2所示，為圖1所示實(shí)施例提供的一種LED芯片制備方法的過程中的芯片結(jié)構(gòu)示意圖，在該襯底11上依次生長(zhǎng)N型氮化鎵層12、發(fā)光層13和P型氮化鎵層14 ;需要說明的是，本實(shí)施例制備的LED芯片具體為倒裝LED芯片，因此可以生長(zhǎng)發(fā)光層13 ;采用正裝結(jié)構(gòu)的LED芯片在N型氮化鎵層12和P型氮化鎵層14之間不需要生長(zhǎng)該發(fā)光層13。
[0043]S120,去除部分P型氮化鎵層和部分發(fā)光層，露出部分N型氮化鎵層。
[0044]LED芯片的制備即是要形成PN結(jié)，并且在P型區(qū)和N型區(qū)，即本實(shí)施例中的N型氮化鎵層12和P型氮化鎵層14上分別作金屬接觸電極，因此，在本實(shí)施例中，通過光刻工藝制作光刻膠掩膜圖形，進(jìn)而使用電感稱合等離子體(Inductively Couple Plasma,簡(jiǎn)稱為:ICP)刻蝕設(shè)備對(duì)該掩膜圖形上預(yù)置的窗口區(qū)中的P型氮化鎵層14和發(fā)光層13進(jìn)行選擇性刻蝕，在該工藝層通常使用的刻蝕氣體為Cl2和BCl3,因此，可以露出部分N型氮化鎵層12，即掩膜圖形上預(yù)置的窗口區(qū)位置的N型氮化鎵層12，如圖3所示，為圖1所示實(shí)施例提供的一種LED芯片制備方法的過程中的芯片結(jié)構(gòu)示意圖。
[0045]S130,在該P(yáng)型氮化鎵層和該露出的N型氮化鎵層的表面同時(shí)形成擴(kuò)展電極層。
[0046]在本實(shí)施例中，可以采用真空電子束蒸發(fā)鍍膜的方式在上述圖3所示結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上生長(zhǎng)用于形成擴(kuò)展電極層的膜質(zhì)，如圖4所示，為圖1所示實(shí)施例提供的一種LED芯片制備方法的過程中的芯片結(jié)構(gòu)示意圖；通常地，本實(shí)施例中S130可以包括:在該P(yáng)型氮化鎵層14和該露出的N型氮化鎵層12的表面生長(zhǎng)用于形成該擴(kuò)展電極層15的膜質(zhì)；去除部分該用于形成擴(kuò)展電極層15的膜質(zhì)，以同時(shí)形成覆蓋于該P(yáng)型氮化鎵層14和覆蓋于該露出的N型氮化鎵層12上的彼此隔離的擴(kuò)展電極層15，其中，該P(yáng)型氮化鎵層14上的擴(kuò)展電極層15為歐姆接觸層。類似地，可以通過光刻工藝制作光刻膠掩膜圖形，該步驟可以采用濕法刻蝕，即混合溶劑的刻蝕的方式去除掩膜圖形上預(yù)置的窗口區(qū)的膜質(zhì)，使得作為N型氮化鎵層12和P型氮化鎵層14上的擴(kuò)展電極層15彼此分離，以同時(shí)在N型氮化鎵層12和P型氮化鎵層14上形成擴(kuò)展電極層15 ;本實(shí)施例中形成N型氮化鎵層12和P型氮化鎵層14上的擴(kuò)展電極層15僅進(jìn)行了一次光刻工藝，相對(duì)與現(xiàn)有技術(shù)來說減少了工藝層次，現(xiàn)有技術(shù)在LED芯片的制備過程中通常需要采用六次光刻工藝和相應(yīng)的刻蝕工藝，進(jìn)而可以提
聞廣品良率。
[0047]需要說明的是，本實(shí)施例中不同工藝步驟中的掩膜圖形上預(yù)置的窗口區(qū)通常是不同的，是根據(jù)LED芯片的結(jié)構(gòu)確定的，在進(jìn)行工藝生產(chǎn)前先行制備該掩膜圖形。
[0048]本實(shí)施例所提供的LED芯片制備方法，通過在襯底上依次生長(zhǎng)N型氮化鎵層、發(fā)光層和P型氮化鎵層，并去除部分P型氮化鎵層和發(fā)光層，直至露出部分N型氮化鎵層，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了在LED芯片的P型氮化鎵層和該露出的N型氮化鎵層的表面同時(shí)形成擴(kuò)展電極層，解決了現(xiàn)有技術(shù)在制備LED芯片的過程中，光刻工藝層次較多而導(dǎo)致生成工藝復(fù)雜的問題，提高了 LED芯片的生產(chǎn)良率，并且降低了生產(chǎn)成本。
[0049]可選地，在本實(shí)施例中，SllO之前還包括:在襯底上生長(zhǎng)緩沖層；相應(yīng)地，SllO替換為:在已生長(zhǎng)的緩沖層上依次生長(zhǎng)該N型氮化鎵層、該發(fā)光層和該P(yáng)型氮化鎵層；如圖5所示，為圖1所示實(shí)施例提供的另一種LED芯片制備方法的過程中的芯片結(jié)構(gòu)示意圖，在本實(shí)施例中，襯底11上生長(zhǎng)的緩沖層16是為了避免異質(zhì)外延帶來的應(yīng)力而生長(zhǎng)的膜層。
[0050]進(jìn)一步地，本實(shí)施例中P型氮化鎵層14上的擴(kuò)展電極層15可以直接作為歐姆接觸層，相比于現(xiàn)有技術(shù)中在擴(kuò)展電極層上制備反光鏡結(jié)構(gòu)的工藝方式，工藝更簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)并且可以進(jìn)一步地降低生產(chǎn)成本。
[0051]圖6為本發(fā)明提供的一種LED芯片制備方法的另一個(gè)實(shí)施例的流程圖。如圖6所示，本實(shí)施例的方法可以包括:
[0052]S200，在襯底上生長(zhǎng)緩沖層。
[0053]S210，在已生長(zhǎng)的 緩沖層上依次生長(zhǎng)N型氮化鎵層、發(fā)光層和P型氮化鎵層。
[0054]S220,去除部分P型氮化鎵層和部分發(fā)光層，露出部分N型氮化鎵層。
[0055]S230,在該P(yáng)型氮化鎵層和該露出的N型氮化鎵層的表面同時(shí)形成擴(kuò)展電極層；本實(shí)施例在具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，S230可以包括:S231，在該P(yáng)型氮化鎵層和該露出的N型氮化鎵層的表面生長(zhǎng)用于形成該擴(kuò)展電極層的膜質(zhì)；S232，去除部分該用于形成擴(kuò)展電極層的膜質(zhì)，以同時(shí)形成覆蓋于該P(yáng)型氮化鎵層和覆蓋于該露出的N型氮化鎵層上的彼此隔離的擴(kuò)展電極層，其中，該P(yáng)型氮化鎵層上的擴(kuò)展電極層為歐姆接觸層。
[0056]具體地，S230的實(shí)現(xiàn)方式參考圖1所示實(shí)施例中的S130。
[0057]S240,在該擴(kuò)展電極層上形成分布式布拉格反射鏡(Distributed BraggReflection,簡(jiǎn)稱為:DBR)層。
[0058]在本實(shí)施例中，如圖7所示，為圖6所示實(shí)施例提供的一種LED芯片制備方法的過程中的芯片結(jié)構(gòu)示意圖；DBR層17是生長(zhǎng)的具有反射效果的膜質(zhì)，進(jìn)而通過光刻工藝制作光刻膠掩膜圖形，并通過刻蝕工藝去除掩膜圖形上窗口區(qū)的DBR層17，該DBR層17的材料可以包括Si02、Ti305、Ti02、A1203、Zr02、Ta205中的兩種或三種，以兩種材料為例進(jìn)行說明，通常采用真空電子束蒸發(fā)鍍膜的方式蒸鍍以生成該DBR層17，該DBR層17為交替蒸鍍兩種材料的方式生成的，例如該兩種材料分別以A和B代表，該DBR層17的膜質(zhì)結(jié)構(gòu)為ABAB……AB，一般AB交替的結(jié)構(gòu)可以為3到15對(duì)，以該結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)的DBR層17具有良好的反射光源的效果；需要說明的是，在本實(shí)施中，該DBR層17還可以用于覆蓋LED芯片表面作為鈍化層，以保護(hù)LED芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。[0059]S250,生長(zhǎng)金屬電極層并制作焊接電極，該焊接電極分別與該P(yáng)型氮化鎵層上的擴(kuò)展電極層和該N型氮化鎵層接觸。
[0060]在本實(shí)施例中，LED芯片的結(jié)構(gòu)制作完成之后，可以在該LED芯片的P型區(qū)和N型區(qū)中分別制作焊接電極，即在P型氮化鎵層14上的擴(kuò)展電極層15和N型氮化鎵層12上制作焊接電極18，該P(yáng)型氮化鎵層14上的擴(kuò)展電極層15作為歐姆接觸層，而該N型氮化鎵層12可以直接作為歐姆接觸層；類似地，如圖8所示，為圖6所示實(shí)施例提供的一種LED芯片制備方法的過程中的芯片結(jié)構(gòu)示意圖，在已制備的LED芯片上生成金屬電極層18，并通過光刻工藝制作光刻膠掩膜圖形使得P型區(qū)和N型區(qū)上的金屬電極層18彼此隔離，因此，該焊接電極，即彼此分離的金屬電極層18分別與該P(yáng)型氮化鎵層14上的擴(kuò)展電極層15和該N型氮化鎵層12接觸。
[0061 ] 本實(shí)施例所提供的LED芯片制備方法，通過在襯底上依次生長(zhǎng)N型氮化鎵層、發(fā)光層和P型氮化鎵層，并去除部分P型氮化鎵層和發(fā)光層，直至露出部分N型氮化鎵層，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了在LED芯片的P型氮化鎵層和該露出的N型氮化鎵層的表面同時(shí)形成擴(kuò)展電極層，解決了現(xiàn)有技術(shù)在制備LED芯片的過程中，光刻工藝層次較多而導(dǎo)致生成工藝復(fù)雜的問題，提高了 LED芯片的生產(chǎn)良率，并且降低了生產(chǎn)成本。另外，本實(shí)施例提供的方法中提供DBR層的制備方式，該DBR層具有良好的反射光源的效果，并且還用于覆蓋LED芯片表面作為鈍化層。
[0062]可選地，在本實(shí)施例提供的LED芯片制備方法中，擴(kuò)展電極層15可以為透射型電極層；則用于形成該擴(kuò)展電極層15，即透射型電極層的膜質(zhì)可以包括ITO膜、ZnO膜或Ni/Au膜，該膜質(zhì)的厚度通常可以為120nm;在具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，當(dāng)該透射型電極層的膜質(zhì)為ITO膜時(shí)，可以采用FeCl3和HCl混合溶液作為刻蝕溶劑以去除部分ITO膜，使得作為N型氮化鎵層12和P型氮化鎵層14上的透射型電極層彼此分離開；當(dāng)該透射型電極層的膜質(zhì)為ZnO膜或Ni/Au膜時(shí)，可以采用FeCl3和HCl混合溶液、王水、CH3COOH和王水混合溶液、I2和KI混合溶液、HF和NH4F混合溶液中的任意一種作為刻蝕溶劑。通常地，形成擴(kuò)展電極層15后的芯片還可以放入退火爐中完成合金工藝。
[0063]相應(yīng)地，在該透射型電極層上形成DBR層17，可以包括:交替生長(zhǎng)Ti3O5和SiO2;去除部分該交替生長(zhǎng)的Ti3O5和SiO2,以露出該P(yáng)型氮化鎵層14上的部分透射型電極層和部分N型氮化鎵層12 ;需要說明的是，透射型電極層用于反射和絕緣，該透射型電極層的反射位置具體在DBR層17上，一般需要較好的反射效果，因此，該透射型電極層上交替生長(zhǎng)的Ti3O5和SiO2通常可以為10對(duì)，以使該DBR層17具有較好的反射效果。
[0064]在本實(shí)施例提供的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，擴(kuò)展電極層15還可以為反射型電極層；則該用于形成該擴(kuò)展電極層15，即反射型電極層的膜質(zhì)包括Ni/Ag膜，該膜質(zhì)的厚度通?？梢詾?0nm ;在具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，可以采用HNO3和HAc混合溶液去除部分Ni/Ag膜，使得作為N型氮化鎵層12和P型氮化鎵層14上的反射型電極層彼此分離開。類似地，本實(shí)施例中形成擴(kuò)展電極層15后的芯片也可以放入退火爐中完成合金工藝。
[0065]相應(yīng)地，在該反射型電極層上形成DBR層17，可以包括:交替生長(zhǎng)TiO2和Al2O3 ;去除部分該交替生長(zhǎng)的TiO2和Al2O3,以露出該P(yáng)型氮化鎵層14上的部分反射型電極層和部分N型氮化鎵層12 ;需要說明的是，反射型電極層僅用于絕緣，該反射型電極層的反射位置具體在擴(kuò)展電極層15上，也就是在該反射型電極層上反射，該反射型電極層上交替生長(zhǎng)的TiO2和Al2O3通常可以為3對(duì)。
[0066]進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，生長(zhǎng)金屬電極層18的材料可以采用反射率高的金屬材料或者金屬材料的組合，這樣可以與DBR層17結(jié)合,形成全方位反射鏡(Omn1-DirectionalReflector，簡(jiǎn)稱為:0DR)結(jié)構(gòu)得以進(jìn)一步提高反射層反射率；在具體實(shí)現(xiàn)中，組合材料的金屬電極層中，底部金屬材料可以為Ag、Al、TiAg、CrAg> TiAl或CrAl中的任意一種,頂部金屬材料可以為Au、NiAu、AuSn、CrAu或PtAu中的任意一種。
[0067]如圖8所示，也為本發(fā)明提供的一種LED芯片的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例所提供的LED芯片采用本發(fā)明任意實(shí)施例所述的方法制得，需要說明的是，本實(shí)施例提供的LED芯片在封裝后采用倒裝安裝的方法制備LED照明燈，具體地，焊接電極，即LED芯片發(fā)光部分與支架連接，襯底向上，即在照明燈的上方，電極發(fā)光后透過襯底，因此通常采用透光率較高的藍(lán)寶石襯底制備LED芯片。
[0068]最后應(yīng)說明的是:以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種LED芯片制備方法，其特征在于，包括: 在襯底上依次生長(zhǎng)N型氮化鎵層、發(fā)光層和P型氮化鎵層； 去除部分P型氮化鎵層和部分發(fā)光層，露出部分N型氮化鎵層； 在所述P型氮化鎵層和所述露出的N型氮化鎵層的表面同時(shí)形成擴(kuò)展電極層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述P型氮化鎵層和所述露出的N型氮化鎵層的表面生成擴(kuò)展電極層，包括: 在所述P型氮化鎵層和所述露出的N型氮化鎵層的表面生長(zhǎng)用于形成所述擴(kuò)展電極層的膜質(zhì)； 去除部分所述用于形成擴(kuò)展電極層的膜質(zhì)，以同時(shí)形成覆蓋于所述P型氮化鎵層和覆蓋于所述露出的N型氮化鎵層上的彼此隔離的擴(kuò)展電極層，其中，所述P型氮化鎵層上的擴(kuò)展電極層為歐姆接觸層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在襯底上依次生長(zhǎng)N型氮化鎵層、發(fā)光層和P型氮化鎵層之前，還包括: 在所述襯底上生長(zhǎng)緩沖層； 所述在襯底上依次生長(zhǎng)N型氮化鎵層、發(fā)光層和P型氮化鎵層，包括: 在所述已生長(zhǎng)的緩沖層上依次生長(zhǎng)所述N型氮化鎵層、所述發(fā)光層和所述P型氮化鎵層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，還包括: 在所述擴(kuò)展電極層上形成分布式布拉格反射鏡DBR層； 生長(zhǎng)金屬電極層并制作焊接電極，所述焊接電極分別與所述P型氮化鎵層上的擴(kuò)展電極層和所述N型氮化鎵層接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述擴(kuò)展電極層為透射型電極層；則所述用于形成所述擴(kuò)展電極層的膜質(zhì)包括ITO膜、ZnO膜或Ni/Au膜，所述膜質(zhì)的厚度為120nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述擴(kuò)展電極層上形成分布式布拉格反射鏡DBR層，包括: 交替生長(zhǎng)Ti3O5和SiO2 ； 去除部分所述交替生長(zhǎng)的Ti3O5和SiO2，以露出所述P型氮化鎵層上的部分透射型電極層和部分N型氮化鎵層。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述擴(kuò)展電極層為反射型電極層；則所述用于形成所述擴(kuò)展電極層的膜質(zhì)包括Ni/Ag膜，所述膜質(zhì)的厚度為60nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述擴(kuò)展電極層上形成分布式布拉格反射鏡DBR層，包括: 交替生長(zhǎng)TiO2和Al2O3 ； 去除部分所述交替生長(zhǎng)的TiO2和Al2O3，以露出所述P型氮化鎵層上的部分反射型電極層和部分N型氮化鎵層。
9.一種LED芯片，其特征在于，所述LED芯片采用如權(quán)利要求1?8中任一項(xiàng)所述的方法制得。
【文檔編號(hào)】H01L33/02GK103681995SQ201310669763
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年12月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月10日
【發(fā)明者】鄭遠(yuǎn)志, 盛成功, 陳向東, 康建, 梁旭東 申請(qǐng)人:圓融光電科技有限公司