一種等離子體處理裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種等離子體處理裝置，其包括：真空處理腔室；第一電極，位于所述真空處理腔室內(nèi)，所述第一電極上方安裝有放置待處理晶圓的平臺(tái)，所述第一電極與兩個(gè)射頻電源電連接；非電介質(zhì)材料層，位于所述第一電極與放置待處理晶圓的平臺(tái)之間，所述非電介質(zhì)材料層的電阻率大于所述第一電極的電阻率；第二電極，位于真空處理腔內(nèi)的與第一電極相對(duì)設(shè)置的位置；所述非電介質(zhì)材料層的材質(zhì)為半導(dǎo)體材質(zhì)或金屬，所述半導(dǎo)體材質(zhì)為硅、鍺、鍺硅、碳化硅中的一種或其中的組合，所述非電介質(zhì)材料層位于所述第一電極的表面上，所述非電介質(zhì)材料層的電阻率范圍為70歐姆/厘米到90歐姆/厘米。
【專利說明】一種等離子體處理裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種等離子體處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，人們生產(chǎn)生活水平的不斷提高，人類對(duì)電子產(chǎn)品的精細(xì)度的要求日益增加，但是電子產(chǎn)品的制造過程中還存在一些問題或缺陷，例如目前在對(duì)半導(dǎo)體器件等的制造過程中，通常使用電容耦合式的等離子體處理裝置產(chǎn)生氣體的等離子體與晶圓表面進(jìn)行反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓進(jìn)行相應(yīng)工藝，但是在實(shí)踐制造過程中發(fā)現(xiàn)，采用現(xiàn)有的等離子體處理裝置處理后晶圓的均勻度不能滿足工藝要求，迫切需要一種具有較長(zhǎng)使用壽命的電池。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種等離子體處理裝置，其包括:
真空處理腔室；
第一電極，位于所述真空處理腔室內(nèi)，所述第一電極上方安裝有放置待處理晶圓的平臺(tái)，所述第一電極與兩個(gè)射頻電源電連接，所述第一電極為圓柱形，所述第一射頻電源的頻率大于45MHz，第二射頻源頻率小于25MHz ；
非電介質(zhì)材料層，位于所述第一電極與放置待處理晶圓的平臺(tái)之間，所述非電介質(zhì)材料層的電阻率大于所述第一電極的電阻率；
第二電極，位于真空處理腔內(nèi)的與第一電極相對(duì)設(shè)置的位置；
其中所述非電介質(zhì)材料層的材質(zhì)為半`導(dǎo)體材質(zhì)或金屬，所述半導(dǎo)體材質(zhì)為硅、鍺、鍺娃、碳化娃中的一種或其中的組合，所述非電介質(zhì)材料層位于所述第一電極的表面上，所述非電介質(zhì)材料層的電阻率范圍為70歐姆/厘米到90歐姆/厘米，所述放置待處理晶圓的平臺(tái)包括:靜電吸盤，與所述第一電極的形成有所述非電介質(zhì)材料層的一側(cè)的表面相對(duì)設(shè)置，所述靜電吸盤用于放置待處理晶圓，所述靜電吸盤的遠(yuǎn)離所述等離子體一側(cè)的形狀和大小與所述非電介質(zhì)材料層的大小和形狀對(duì)應(yīng)。
[0004]另外，所述等離子處理裝置為等離子體刻蝕設(shè)備或等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
【具體實(shí)施方式】
[0005]下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明作各種改動(dòng)或修改，這些等價(jià)形式同樣落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求書所限定的范圍。
[0006]實(shí)施例1
該等離子體處理裝置，其包括:真空處理腔室；第一電極，位于所述真空處理腔室內(nèi)，所述第一電極上方安裝有放置待處理晶圓的平臺(tái)，所述第一電極與兩個(gè)射頻電源電連接，所述第一電極為圓柱形，所述第一射頻電源的頻率大于48MHz，第二射頻源頻率小于24MHz ;非電介質(zhì)材料層，位于所述第一電極與放置待處理晶圓的平臺(tái)之間，所述非電介質(zhì)材料層的電阻率大于所述第一電極的電阻率；第二電極，位于真空處理腔內(nèi)的與第一電極相對(duì)設(shè)置的位置；其中所述非電介質(zhì)材料層的材質(zhì)為半導(dǎo)體材質(zhì)或金屬，所述半導(dǎo)體材質(zhì)為硅，所述非電介質(zhì)材料層位于所述第一電極的表面上，所述非電介質(zhì)材料層的電阻率范圍為70歐姆/厘米，所述放置待處理晶圓的平臺(tái)包括:靜電吸盤，與所述第一電極的形成有所述非電介質(zhì)材料層的一側(cè)的表面相對(duì)設(shè)置，所述靜電吸盤用于放置待處理晶圓，所述靜電吸盤的遠(yuǎn)離所述等離子體一側(cè)的形狀和大小與所述非電介質(zhì)材料層的大小和形狀對(duì)應(yīng)，所述等離子處理裝置為等離子體刻蝕設(shè)備。
[0007]實(shí)施例2
該等離子體處理裝置，其包括:真空處理腔室；第一電極，位于所述真空處理腔室內(nèi)，所述第一電極上方安裝有放置待處理晶圓的平臺(tái)，所述第一電極與兩個(gè)射頻電源電連接，所述第一電極為圓柱形，所述第一射頻電源的頻率大于52MHz，第二射頻源頻率小于21MHz ;非電介質(zhì)材料層，位于所述第一電極與放置待處理晶圓的平臺(tái)之間，所述非電介質(zhì)材料層的電阻率大于所述第一電極的電阻率；第二電極，位于真空處理腔內(nèi)的與第一電極相對(duì)設(shè)置的位置；其中所述非電介質(zhì)材料層的材質(zhì)為半導(dǎo)體材質(zhì)或金屬，所述半導(dǎo)體材質(zhì)為鍺，所述非電介質(zhì)材料層位于所述第一電極的表面上，所述非電介質(zhì)材料層的電阻率范圍為90歐姆/厘米，所述放置待處理晶圓的平臺(tái)包括:靜電吸盤，與所述第一電極的形成有所述非電介質(zhì)材料層的一側(cè)的表面相對(duì)設(shè)置，所述靜電吸盤用于放置待處理晶圓，所述靜電吸盤的遠(yuǎn)離所述等離子體一側(cè)的形狀和大小與所述非電介質(zhì)材料層的大小和形狀對(duì)應(yīng)，所述等離子處理裝置為等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
[0008]實(shí)施例3
該等離子體處理裝置，其包括:真空處理腔室；第一電極，位于所述真空處理腔室內(nèi)，所述第一電極上方安裝有放置待處理晶圓的平臺(tái)，所述第一電極與兩個(gè)射頻電源電連接，所述第一電極為圓柱形，所述第一射頻電源的頻率大于55MHz，第二射頻源頻率小于18MHz ;非電介質(zhì)材料層，位于所述第一電極與放置待處理晶圓的平臺(tái)之間，所述非電介質(zhì)材料層的電阻率大于所述第一電極的電阻率；第二電極，位于真空處理腔內(nèi)的與第一電極相對(duì)設(shè)置的位置；其中所述非電介質(zhì)材料層的材質(zhì)為半導(dǎo)體材質(zhì)或金屬，所述半導(dǎo)體材質(zhì)為碳化娃，所述非電介質(zhì)材料層位于所述第一電極的表面上，所述非電介質(zhì)材料層的電阻率范圍為80歐姆/厘米，所述放置待處理晶圓的平臺(tái)包括:靜電吸盤，與所述第一電極的形成有所述非電介質(zhì)材料層的一側(cè)的表面相對(duì)設(shè)置，所述靜電吸盤用于放置待處理晶圓，所述靜電吸盤的遠(yuǎn)離所述等離子體一側(cè)的形狀和大小與所述非電介質(zhì)材料層的大小和形狀對(duì)應(yīng)，所述等離子處理裝置為等離子體刻蝕設(shè)備。
[0009]實(shí)施例4
該等離子體處理裝置，其包括:真空處理腔室；第一電極，位于所述真空處理腔室內(nèi)，所述第一電極上方安裝有放置待處理晶圓的平臺(tái)，所述第一電極與兩個(gè)射頻電源電連接，所述第一電極為圓柱形，所述第一射頻電源的頻率大于60MHz，第二射頻源頻率小于15MHz ;非電介質(zhì)材料層，位于所述第一電極與放置待處理晶圓的平臺(tái)之間，所述非電介質(zhì)材料層的電阻率大于所述第一電極的電阻率；第二電極，位于真空處理腔內(nèi)的與第一電極相對(duì)設(shè)置的位置；其中所述非電介質(zhì)材料層的材質(zhì)為半導(dǎo)體材質(zhì)或金屬，所述半導(dǎo)體材質(zhì)為硅、鍺、鍺硅、碳化硅的組合，所述非電介質(zhì)材料層位于所述第一電極的表面上，所述非電介質(zhì)材料層的電阻率范圍為85歐姆/厘米，所述放置待處理晶圓的平臺(tái)包括:靜電吸盤，與所述第一電極的形成有所述非電介質(zhì)材料層的一側(cè)的表面相對(duì)設(shè)置，所述靜電吸盤用于放置待處理晶圓，所述靜電吸盤的遠(yuǎn)離所述等離子體一側(cè)的形狀和大小與所述非電介質(zhì)材料層的大小和形狀對(duì)應(yīng)，所述等離子處理裝置為等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
【權(quán)利要求】
1.一種等離子體處理裝置，其包括: 真空處理腔室； 第一電極，位于所述真空處理腔室內(nèi)，所述第一電極上方安裝有放置待處理晶圓的平臺(tái)，所述第一電極與兩個(gè)射頻電源電連接，所述第一電極為圓柱形，所述第一射頻電源的頻率大于45MHz，第二射頻源頻率小于25MHz ； 非電介質(zhì)材料層，位于所述第一電極與放置待處理晶圓的平臺(tái)之間，所述非電介質(zhì)材料層的電阻率大于所述第一電極的電阻率； 第二電極，位于真空處理腔內(nèi)的與第一電極相對(duì)設(shè)置的位置； 其中所述非電介質(zhì)材料層的材質(zhì)為半導(dǎo)體材質(zhì)或金屬，所述半導(dǎo)體材質(zhì)為硅、鍺、鍺娃、碳化娃中的一種或其中的組合，所述非電介質(zhì)材料層位于所述第一電極的表面上，所述非電介質(zhì)材料層的電阻率范圍為70歐姆/厘米到90歐姆/厘米，所述放置待處理晶圓的平臺(tái)包括:靜電吸盤，與所述第一電極的形成有所述非電介質(zhì)材料層的一側(cè)的表面相對(duì)設(shè)置，所述靜電吸盤用于放置待處理晶圓，所述靜電吸盤的遠(yuǎn)離所述等離子體一側(cè)的形狀和大小與所述非電介質(zhì)材料層的大小和形狀對(duì)應(yīng)。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其為等離子體刻蝕設(shè)備或等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
【文檔編號(hào)】H01L21/67GK103794461SQ201310630699
【公開日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2013年12月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月2日
【發(fā)明者】王秀珍 申請(qǐng)人:青島藍(lán)圖文化傳播有限公司市南分公司