一種tft陣列基板及其制造方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供一種TFT陣列基板及其制造方法、顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】?？梢院喕怪苯Y(jié)構(gòu)TFT的制作工序，減少構(gòu)圖工藝使用次數(shù)。陣列基板包括在基板表面形成的漏電極的圖案，在漏電極的圖案的表面通過半導(dǎo)體化處理形成有半導(dǎo)體有源層的圖案，在該半導(dǎo)體有源層的圖案的表面形成有源電極的圖案，其中漏電極、半導(dǎo)體有源層、源電極的圖案通過一次構(gòu)圖工藝形成。
【專利說明】一種TFT陣列基板及其制造方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種TFT陣列基板及其制造方法、顯示裝置。【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯不技術(shù)的飛速發(fā)展，TFT-LCD(Thin Film Transistor LiquidCrystalDisplay，薄膜晶體管液晶顯示器)作為一種平板顯示裝置，因其具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對(duì)較低等特點(diǎn)，而越來越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。
[0003]TFT-1XD由陣列基板和彩膜基板構(gòu)成。現(xiàn)有技術(shù)中的TFT-1XD的陣列基板通常由矩陣形式排列的多個(gè)像素結(jié)構(gòu)組成，其典型的結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括橫縱交叉的柵線10以及數(shù)據(jù)線11劃分而成的多個(gè)像素單元12，在柵線10與數(shù)據(jù)線11的交叉位置處設(shè)置有薄膜晶體管(TFT)。TFT所在區(qū)域的大小與陣列基板的像素開口率有關(guān)，TFT所在區(qū)域越大，像素開口率就越小，因此會(huì)降低光線的出光率，從而影響顯示器的顯示效果。
[0004]為了提高像素的開口率，現(xiàn)有技術(shù)中可以采用一種頂柵型垂直TFT結(jié)構(gòu)，如圖2所示。這樣一種結(jié)構(gòu)的TFT，其漏電極13和源電極14采用重疊的方式制作，因此與具有平行的源、漏電極的TFT相比較，該頂柵型垂直結(jié)構(gòu)的TFT區(qū)域相對(duì)較小，從而可以使得像素區(qū)域能夠得到較大的開口面積，從而提高像素開口率。
[0005]然而現(xiàn)有技術(shù)中，如圖2所示，在制作頂柵型垂直結(jié)構(gòu)TFT的過程中，首先，在形成有像素電極15圖案的基板表面涂覆一種金屬材料再通過構(gòu)圖工藝形成漏電極13的圖案，然后在形成有上述圖案的基板表面沉積半導(dǎo)體材料，從而通過構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體有源層16的圖案；之后在形成有半導(dǎo)體有源層16圖案的基板表面再次涂覆另一種金屬材料，從而通過構(gòu)圖工藝形成源電級(jí)14的圖案；接下來在形成有源電極14圖案的基板表面通過構(gòu)圖工藝依次形成柵極17、鈍化層18以及公共電極19的圖案。這樣一來，在制作過程中由于多次采用涂覆或沉積工藝使得制作加工工序復(fù)雜，導(dǎo)致生產(chǎn)效率低，生產(chǎn)成本提高。并且多次構(gòu)圖工藝的使用會(huì)導(dǎo)致加工誤差的疊加，從而降低了產(chǎn)品質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種TFT陣列基板及其制造方法、顯示裝置。可以簡化垂直結(jié)構(gòu)TFT的制作工序，減少構(gòu)圖工藝使用次數(shù)。
[0007]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0008]本發(fā)明實(shí)施例的一方面提供一種TFT陣列基板的制造方法，包括:
[0009]在基板表面形成第一金屬層；
[0010]在所述第一金屬層的表面通過半導(dǎo)體化處理形成半導(dǎo)體有源層；
[0011]在所述半導(dǎo)體有源層的表面形成第二金屬層；
[0012]通過構(gòu)圖工藝形成包括漏電極、所述半導(dǎo)體有源層、源電極的圖案。
[0013]本發(fā)明實(shí)施例的另一方面提供一種TFT陣列基板，包括:
[0014]形成在基板表面的漏電極的圖案；[0015]所述漏電極的圖案的表面通過半導(dǎo)體化處理形成有半導(dǎo)體有源層的圖案；
[0016]所述半導(dǎo)體有源層的圖案的表面形成有源電極的圖案。
[0017]本發(fā)明實(shí)施例的又一方面提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種TFT陣列基板。
[0018]本發(fā)明提供一種TFT陣列基板及其制造方法、顯示裝置。該方法包括在基板表面形成漏電極的圖案，在漏電極的圖案的表面通過半導(dǎo)體化處理形成半導(dǎo)體有源層的圖案，在該半導(dǎo)體有源層的圖案的表面形成源電極的圖案，其中漏電極、半導(dǎo)體有源層、源電極的圖案通過一次構(gòu)圖工藝形成。這樣一來，可以簡化制作工序，減少制作工藝。從而提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種TFT陣列基板結(jié)構(gòu)俯視圖；
[0021]圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種TFT陣列基板結(jié)構(gòu)不意圖；
[0022]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT陣列基板的制造方法流程圖；
[0023]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)及制造方法示意圖；
[0024]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT陣列基板的制造方法示意圖；
[0025]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0028]本發(fā)明實(shí)施例提供一種TFT陣列基板的制造方法，如圖3、圖4所示，包括:
[0029]S101、在基板01表面形成第一金屬層03。其中，基板01為透明基板,可以米用透明玻璃或者透明樹脂材料制成。
[0030]S102、在第一金屬層03的表面通過半導(dǎo)體化處理形成半導(dǎo)體有源層16。
[0031]S103、在半導(dǎo)體有源層16的表面形成第二金屬層04。
[0032]S104、通過構(gòu)圖工藝形成包括漏電極13、半導(dǎo)體有源層16、源電極14的圖案。
[0033]需要說明的是，在本發(fā)明中，構(gòu)圖工藝可指包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時(shí)還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機(jī)等形成圖形的工藝。可根據(jù)本發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。
[0034]本發(fā)明提供一種TFT陣列基板的制造方法。該方法包括在基板表面形成漏電極的圖案，在漏電極的圖案的表面通過半導(dǎo)體化處理形成半導(dǎo)體有源層的圖案，在該半導(dǎo)體有源層的圖案的表面形成源電極的圖案，其中漏電極、半導(dǎo)體有源層、源電極的圖案通過一次構(gòu)圖工藝形成。這樣一來，可以簡化制作工序，減少制作工藝。從而提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。
[0035]進(jìn)一步地，上述半導(dǎo)體化處理可以包括:
[0036]通過氧化工藝對(duì)第一金屬層03進(jìn)行氧化形成具有半導(dǎo)體特性的金屬氧化層。
[0037]其中，所述氧化工藝包括離子注入方式或者電化學(xué)方式。優(yōu)選的，第一金屬層03和第二金屬層04均可以采用金屬銅構(gòu)成。通過對(duì)金屬銅進(jìn)行氧化形成氧化亞銅半導(dǎo)體薄膜，因此半導(dǎo)體有源層16可以為上述氧化亞銅半導(dǎo)體薄膜。
[0038]具體的，當(dāng)?shù)谝唤饘賹?3和第二金屬層04采用金屬銅構(gòu)成時(shí)，可以在第一金屬層03表面通過離子注入方式使其轉(zhuǎn)變?yōu)檠趸瘉嗐~納米薄膜；或者，將第一金屬層03置于高溫的氧氣環(huán)境中使得第一金屬層03的表面形成氧化亞銅納米薄膜；又或者，將第一金屬層03置于乙醇環(huán)境下使得第一金屬層03的表面形成氧化亞銅納米薄膜。然后將上述氧化亞銅納米薄膜作為半導(dǎo)體有源層16。再在上述半導(dǎo)體有源層16的表面再沉積一層金屬銅形成第二金屬層04。這樣一來，只要提供可以對(duì)第一金屬層03進(jìn)行氧化的加工條件，就可以形成上述銅-氧化亞銅薄膜-銅的結(jié)構(gòu)，而無需多次通過涂覆、濺射或者沉積等工藝來形成上述結(jié)構(gòu)。從而簡化制作工藝，降低加工難度和生產(chǎn)成本。當(dāng)然，上述僅僅對(duì)第一金屬層進(jìn)行半導(dǎo)體化處理的舉例說明，其他方式在這里不再一一舉例說明，但都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0039]需要說明的是，金屬銅的氧化物可以為氧化銅和氧化亞銅，它們具有半導(dǎo)體特性，即在常溫下其導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間。本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選氧化亞銅作為構(gòu)成半導(dǎo)體有源層16的圖案。當(dāng)然，在本發(fā)明實(shí)施例中，以金屬銅為例對(duì)第一金屬層03、半導(dǎo)體有源層16以及第二金屬層04進(jìn)行舉例說明，其它具有半導(dǎo)體特性的氧化物所對(duì)應(yīng)的金屬在這里不再一一舉例，但都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0040]進(jìn)一步地，上述構(gòu)圖工藝可以包括:
[0041]在基板01與第一金屬層03之間形成電極層02。
[0042]采用半色調(diào)掩膜板通過掩膜曝光工藝依次形成包括第一透明電極20、漏電極13、半導(dǎo)體有源層16、源電極14圖案的階梯狀堆疊結(jié)構(gòu)。
[0043]其中，漏電極13、半導(dǎo)體有源層16以及源電極14圖案的面積小于第一透明電極20圖案的面積。
[0044]具體的，如圖5所示，在依次形成有電極層02、第一金屬層03、半導(dǎo)體有源層16、第二金屬層04的基板表面涂覆光刻膠05，通過半色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠05進(jìn)行曝光處理，形成未曝光區(qū)域P1、半曝光區(qū)域P2以及全曝光區(qū)域P3。然后對(duì)光刻膠05進(jìn)行顯影，將位于曝光區(qū)域Pl的光刻膠完全保留；將位于半曝光區(qū)域P2的光刻膠部分去除；將位于全曝光區(qū)域P3的光刻膠完全去除。其中如圖5所示，未曝光區(qū)域Pl與漏電極13、半導(dǎo)體有源層16、源電極14所在區(qū)域的位置相對(duì)應(yīng)；半曝光區(qū)域與第一透明電極20所在區(qū)域的位置相對(duì)應(yīng)；基板上其余部分與全曝光區(qū)域的位置相對(duì)應(yīng)。
[0045]在對(duì)光刻膠進(jìn)行掩膜曝光后，先通過刻蝕工藝去除與完全曝光區(qū)域P3相應(yīng)的電極層02、第一金屬層03、半導(dǎo)體有源層16、第二金屬層04 ;對(duì)光刻膠05進(jìn)行灰化處理，以去除半曝光區(qū)域P2的所有光刻膠05以及未曝光區(qū)域Pl的部分光刻膠，然后通過刻蝕工藝去除半曝光區(qū)域P2相應(yīng)的第一金屬層03、半導(dǎo)體有源層16、第二金屬層04 ;最后將未曝光區(qū)域Pl的光刻膠完全去除，在基板01上形成包括第一透明電極20、漏電極13、半導(dǎo)體有源層
16、源電極14的圖案。這樣一來，采用半色調(diào)掩模板可以實(shí)現(xiàn)通過一次構(gòu)圖工藝在基板01上依次形成包括第一透明電極20、漏電極13、半導(dǎo)體有源層16、源電極14的圖案。
[0046]進(jìn)一步地，如圖6所示，該方法還可以包括:
[0047]在形成源電極14圖案的基板表面通過構(gòu)圖工藝依次形成柵極絕緣層21、柵極17的圖案。從而完成TFT陣列基板的制作。
[0048]具體的，柵極17的圖案與半導(dǎo)體有源層16的圖案分別位于柵極絕緣層21圖案的兩側(cè)。并且柵極17的圖案位于遠(yuǎn)離基板01的一側(cè)，漏電極13、有源層16、源電極14以及柵極17依次沿垂直于基板01的方向堆疊而成。這樣一來，就可以形成頂柵型垂直結(jié)構(gòu)的TFT陣列基板。這樣一種結(jié)構(gòu)的TFT，其漏電極13和源電極14采用重疊的方式制作，因此與傳統(tǒng)的具有溝道的TFT結(jié)構(gòu)相比較，該頂柵型垂直結(jié)構(gòu)的TFT區(qū)域相對(duì)較小，從而可以使得像素區(qū)域能夠得到較大的開口面積，從而提高像素開口率。
[0049]進(jìn)一步地，如圖7所示，在形成半導(dǎo)體有源層16圖案的步驟之前還包括:
[0050]形成反射電極22的圖案；反射電極22與漏電極13同層同材料。
[0051]其中，反射電極22的面積小于第一透明電極20的面積。即，該反射電極22不能完全覆蓋在第一透明電極20上。例如，對(duì)于半反半透結(jié)構(gòu)的陣列基板而言，反射電極22構(gòu)成的反射區(qū)域的面積為像素區(qū)域的一部分，而像素區(qū)域的另一部分為上述反射電極22未覆蓋的第一透明電極20構(gòu)成的透射區(qū)域。
[0052]具體的，可以此采用前述的掩膜曝光工藝在基板上形成漏電極13的同時(shí)形成與該漏電極13同層同材料的反射電極22。這樣一來，就可以完成半透半反式陣列基板的制作。無需額外增加制作反射電極的工藝，從而簡化加工工序，提高生產(chǎn)率。
[0053]需要說明的是，采用這種半反半透式的陣列基板加工而成的顯示器在其透光區(qū)域可以以背光源發(fā)出的光線作為光源進(jìn)行顯示，而反射區(qū)域可以以將射入顯示器自然光反射后作為光源進(jìn)行顯示。這樣一來，半透半反式顯示器即可以節(jié)省電力又可以在夜晚或微光環(huán)境下使用。
[0054]進(jìn)一步地，如圖7所示，該TFT陣列基板的制造方法還可以包括:
[0055]在形成有柵極絕緣層21、柵極17圖案的基板表面通過構(gòu)圖工藝依次形成鈍化層18、第二透明電極23的圖案。
[0056]需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板可以適用于TN (Twist Nematic,扭曲向列)型、AD-SDS (Advanced-Super Dimensional Switching,簡稱為 ADS,高級(jí)超維場開關(guān))型、IPS (In Plane Switch,橫向電場效應(yīng))型等類型的液晶顯示裝置的生產(chǎn)。無論上述哪種液晶顯示裝置都包括對(duì)盒成形的彩膜基板和陣列基板。不同的是，TN型顯示裝置的公共電極設(shè)置在彩膜基板上，像素電極設(shè)置在陣列基板上；ADS型顯示裝置和IPS型顯示裝置的公共電極和像素電極均設(shè)置在陣列基板上。
[0057]如圖7所示，第一透明電極20與第二透明電極23均設(shè)置在陣列基板上。可選的，第一透明電極20為像素電極，第二透明電極23為公共電極；或，
[0058]第一透明電極20還可以為公共電極，第二透明電極23還可以為像素電極。具體的，可以通過對(duì)電極層02進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，同時(shí)形成第一透明電極20和導(dǎo)電電極結(jié)構(gòu)，其中第一透明電極20和導(dǎo)電電極并不電連接，該導(dǎo)電電極與漏電極13相連接。當(dāng)?shù)谝煌该麟姌O20為公共電極，第二透明電極23為像素電極時(shí)，該像素電極可以通過位于柵極絕緣層21和鈍化層18上的過孔與漏電極13 (或者導(dǎo)電電極)電連接。當(dāng)然，以上也僅是對(duì)本發(fā)明中具體電極結(jié)構(gòu)的舉例說明，而并非對(duì)本發(fā)明所做的限制。
[0059]具體的，第一透明電極20可以為面狀結(jié)構(gòu)，第二透明電極23可以為相互間隔的狹縫結(jié)構(gòu)；或，第一透明電極20和第二透明電極23均可以為狹縫結(jié)構(gòu)。
[0060]例如，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板可以適用于AD-SDS (Advanced-SuperDimensional Switching,簡稱為ADS,高級(jí)超維場開關(guān))型的液晶顯示裝置的生產(chǎn)。以第一透明電極20和第二透明電極23均為間隔設(shè)置的狹縫結(jié)構(gòu)的電極為例，這樣一種結(jié)構(gòu)的陣列基板通常被用作ADS型液晶顯示裝置的生產(chǎn)，ADS技術(shù)通過同一平面內(nèi)像素電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場以及像素電極層與公共電極層間產(chǎn)生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)像素電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，與其他類型的顯示裝置相比，ADS型液晶顯示裝置進(jìn)一步提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。
[0061]在ADS型顯示裝置的陣列基板中，公共電極和像素電極可以異層設(shè)置，其中位于上層的電極包含多個(gè)狹縫型電極，位于下層的電極包含多個(gè)狹縫型電極或?yàn)槠桨逍坞姌O。
[0062]異層設(shè)置是針對(duì)至少兩種圖案而言的，至少兩種圖案異層設(shè)置是指，分別將至少兩層薄膜通過構(gòu)圖工藝形成至少兩種圖案。對(duì)于兩種圖案異層設(shè)置是指，通過構(gòu)圖工藝，由兩層薄膜各形成一種圖案。例如，公共電極和像素電極異層設(shè)置是指:由第一層透明導(dǎo)電薄膜通過構(gòu)圖工藝形成下層電極，由第二層透明導(dǎo)電薄膜通過構(gòu)圖工藝形成上層電極，其中，下層電極為公共電極(或像素電極)，上層電極為像素電極(或公共電極)。
[0063]在IPS型顯示裝置的陣列基板中，公共電極和像素電極同層設(shè)置，公共電極包含多個(gè)狹縫型電極，像素電極包含多個(gè)狹縫型電極，多個(gè)狹縫型電極之間間隔設(shè)置。
[0064]同層設(shè)置是針對(duì)至少兩種圖案而言的；至少兩種圖案同層設(shè)置是指:將同一薄膜通過構(gòu)圖工藝形成至少兩種圖案。例如，公共電極和像素電極同層設(shè)置是指:由同一透明導(dǎo)電薄膜通過構(gòu)圖工藝形成像素電極和公共電極。其中，像素電極是指通過開關(guān)單元(例如，可以是薄膜晶體管)與數(shù)據(jù)線電連接的電極，公共電極是指和公共電極線電連接的電極。
[0065]本發(fā)明實(shí)施例提供一種TFT陣列基板，如圖4所示，包括:
[0066]形成在基板01表面的漏電極13的圖案。其中，基板01為透明基板，可以采用透明玻璃或者透明樹脂材料制成。
[0067]漏電極13的圖案的表面通過半導(dǎo)體化處理形成有半導(dǎo)體有源層16的圖案。
[0068]半導(dǎo)體有源層16的圖案的表面形成有源電極14的圖案。
[0069]需要說明的是，在本發(fā)明中，構(gòu)圖工藝可指包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時(shí)還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機(jī)等形成圖形的工藝?？筛鶕?jù)本發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。
[0070]需要說明的是，上述半導(dǎo)體化處理可以包括:
[0071]通過氧化工藝對(duì)第一金屬層03進(jìn)行氧化形成具有半導(dǎo)體特性的金屬氧化層。
[0072]其中，所述氧化工藝包括離子注入方式或者電化學(xué)方式。優(yōu)選的，第一金屬層03和第二金屬層04均可以采用金屬銅構(gòu)成。通過對(duì)金屬銅進(jìn)行氧化形成氧化亞銅半導(dǎo)體薄膜，因此半導(dǎo)體有源層16可以為上述氧化亞銅半導(dǎo)體薄膜。
[0073]具體的，當(dāng)?shù)谝唤饘賹?3和第二金屬層04采用金屬銅構(gòu)成時(shí)，可以在第一金屬層03表面通過離子注入方式使其轉(zhuǎn)變?yōu)檠趸瘉嗐~納米薄膜；或者，將第一金屬層03置于高溫的氧氣環(huán)境中形成氧化亞銅納米薄膜；又或者，將第一金屬層03置于乙醇環(huán)境下從而形成氧化亞銅納米薄膜。然后將上述氧化亞銅納米薄膜作為半導(dǎo)體有源層16。再在上述半導(dǎo)體有源層16的表面再沉積一層金屬銅形成第二金屬層04。這樣一來，只要提供可以對(duì)第一金屬層03進(jìn)行氧化的加工條件，就可以形成上述銅-氧化亞銅薄膜-銅的結(jié)構(gòu)，而無需多次通過涂覆、濺射或者沉積等工藝來形成上述結(jié)構(gòu)。從而簡化制作工藝，降低加工難度和生產(chǎn)成本。當(dāng)然，上述僅僅對(duì)第一金屬層進(jìn)行半導(dǎo)體化處理的舉例說明，其他方式在這里不再一一舉例說明，但都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0074]需要說明的是，金屬銅的氧化物可以為氧化銅和氧化亞銅，它們具有半導(dǎo)體特性，即在常溫下其導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間。本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選氧化亞銅作為構(gòu)成半導(dǎo)體有源層16的圖案。當(dāng)然，在本發(fā)明實(shí)施例中，以金屬銅為例對(duì)第一金屬層03、半導(dǎo)體有源層16以及第二金屬層04進(jìn)行舉例說明，其它具有半導(dǎo)體特性的氧化物所對(duì)應(yīng)的金屬在這里不再一一舉例，但都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0075]本發(fā)明提供一種TFT陣列基板。該陣列基板包括在基板表面形成的漏電極的圖案，在漏電極的圖案的表面通過半導(dǎo)體化處理形成有半導(dǎo)體有源層的圖案，在該半導(dǎo)體有源層的圖案的表面形成有源電極的圖案，其中漏電極、半導(dǎo)體有源層、源電極的圖案通過一次構(gòu)圖工藝形成。這樣一來，可以簡化制作工序，減少制作工藝。從而提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。
[0076]進(jìn)一步地，如圖4所示，基板01與漏電極13之間形成有第一透明電極20。
[0077]第一透明電極20、漏電極13、半導(dǎo)體有源層16、源電極14圖案為階梯狀堆疊結(jié)構(gòu)。
[0078]其中，漏電極13、半導(dǎo)體有源層16以及源電極14圖案的面積小于第一透明電極20圖案的面積。上述階梯狀堆疊結(jié)構(gòu)可以采用半色調(diào)掩膜板通過一次構(gòu)圖工藝形成，從而可以減少制作陣列基板的構(gòu)圖工藝。
[0079]進(jìn)一步地,如圖6所示,該TFT陣列基板還包括:
[0080]源電極14圖案的表面形成有柵極絕緣層21的圖案；
[0081]柵極絕緣層圖案21的表面形成有柵極17的圖案。
[0082]其中，柵極17的圖案與半導(dǎo)體有源層16的圖案分別位于柵極絕緣層21圖案的兩偵U。這樣一來，就可以形成頂柵型垂直結(jié)構(gòu)的TFT陣列基板。這樣一種結(jié)構(gòu)的TFT，其漏電極13和源電極14采用重疊的方式制作，因此與傳統(tǒng)的具有溝道的TFT結(jié)構(gòu)相比較，該頂柵型垂直結(jié)構(gòu)的TFT區(qū)域相對(duì)較小，從而可以使得像素區(qū)域能夠得到較大的開口面積，從而提高像素開口率。
[0083]本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種TFT陣列基板。具有與本發(fā)明前述實(shí)施例提供的陣列基板相同的有益效果，由于陣列基板在前述實(shí)施例中已經(jīng)進(jìn)行了詳細(xì)說明，此處不再贅述。
[0084]該顯示裝置具體可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的液晶顯示產(chǎn)品或者部件。[0085]本發(fā)明提供一種顯示裝置。該顯示裝置包括TFT陣列基板。該TFT陣列基板包括在基板表面形成的漏電極的圖案，在漏電極的圖案的表面通過半導(dǎo)體化處理形成有半導(dǎo)體有源層的圖案，在該半導(dǎo)體有源層的圖案的表面形成有源電極的圖案，其中漏電極、半導(dǎo)體有源層、源電極的圖案通過一次構(gòu)圖工藝形成。這樣一來，可以簡化制作工序，減少制作工藝。從而提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。
[0086]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，包括: 在基板表面形成第一金屬層； 在所述第一金屬層的表面通過半導(dǎo)體化處理形成半導(dǎo)體有源層； 在所述半導(dǎo)體有源層的表面形成第二金屬層； 通過構(gòu)圖工藝形成包括漏電極、所述半導(dǎo)體有源層、源電極的圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的 TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，半導(dǎo)體化處理包括: 通過氧化工藝對(duì)第一金屬層進(jìn)行氧化形成具有半導(dǎo)體特性的金屬氧化層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于， 所述第一金屬層和所述第二金屬層均采用金屬銅制成； 所述半導(dǎo)體有源層為氧化亞銅半導(dǎo)體薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述構(gòu)圖工藝包括: 在所述基板與所述第一金屬層之間形成電極層； 采用半色調(diào)掩膜板通過掩膜曝光工藝依次形成包括第一透明電極、所述漏電極、所述半導(dǎo)體有源層、所述源電極圖案的階梯狀堆疊結(jié)構(gòu)； 其中，所述漏電極、所述半導(dǎo)體有源層以及所述源電極圖案的面積小于所述第一透明電極圖案的面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法還包括: 在形成源電極圖案的基板表面通過構(gòu)圖工藝依次形成柵極絕緣層、柵極的圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述柵極的圖案與所述半導(dǎo)體有源層的圖案分別位于所述柵極絕緣層圖案的兩側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成所述半導(dǎo)體有源層圖案的步驟之前還包括: 形成反射電極的圖案；所述反射電極與所述漏電極同層同材料； 其中，所述反射電極的面積小于所述第一透明電極的面積。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括: 在形成有所述柵極絕緣層、所述柵極圖案的基板表面通過構(gòu)圖工藝依次形成鈍化層、第二透明電極的圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于， 所述第一透明電極為像素電極，第二透明電極為公共電極；或， 所述第一透明電極為公共電極；第二透明電極為像素電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述氧化工藝包括:離子注入方式或電化學(xué)方式。
11.一種TFT陣列基板，其特征在于，包括: 形成在基板表面的漏電極的圖案； 所述漏電極的圖案的表面通過半導(dǎo)體化處理形成有半導(dǎo)體有源層的圖案； 所述半導(dǎo)體有源層的圖案的表面形成有源電極的圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述基板與所述漏電極之間形成有第一透明電極； 所述第一透明電極、所述漏電極、所述半導(dǎo)體有源層、所述源電極圖案為階梯狀堆疊結(jié)構(gòu)； 其中，所述漏電極、所述半導(dǎo)體有源層以及所述源電極圖案的面積小于所述第一透明電極圖案的面積。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的TFT陣列基板，其特征在于，還包括: 所述源電極圖案的表面形成有柵極絕緣層的圖案； 所述柵極絕緣層圖案的表面形成有柵極的圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的TFT陣列基板，其特征在于，還包括: 所述柵極的圖案與所述半導(dǎo)體有源層的圖案分別位于所述柵極絕緣層圖案的兩側(cè)。
15.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求11-14任一項(xiàng)所述的TFT陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L21/28GK103560114SQ201310573218
【公開日】2014年2月5日 申請(qǐng)日期:2013年11月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月15日
【發(fā)明者】孔祥春, 曹占鋒 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司