像素陣列基板及有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法
【專利摘要】一種像素陣列基板及有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，包括第一基板、多個(gè)像素單元、多條數(shù)據(jù)線、多條掃描線、多條固定電壓線、固定電壓源、固定電壓接墊及導(dǎo)電圖案。第一基板具有多個(gè)像素區(qū)及環(huán)繞像素區(qū)的周邊區(qū)。導(dǎo)電圖案包括彼此交錯(cuò)成網(wǎng)狀的多條導(dǎo)線及環(huán)繞且電性耦接至多條導(dǎo)線的導(dǎo)電框。導(dǎo)電框在周邊區(qū)內(nèi)與固定電壓接墊電性接觸。每一像素區(qū)被相鄰二條掃描線及相鄰二條數(shù)據(jù)線定義出。被每一像素區(qū)涵蓋的固定電壓線的局部在此像素區(qū)內(nèi)與其中一條導(dǎo)線電性接觸。此外，包括上述像素陣列基板的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器以及另一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器亦被提出。
【專利說明】像素陣列基板及有機(jī)發(fā)光二極管顯示器【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種像素陣列基板及顯示器，且特別是有關(guān)于一種用于有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的像素陣列基板及有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]目前顯示器的種類有等離子體顯示器、液晶顯示器、無機(jī)電激發(fā)光顯示器、有機(jī)發(fā)光二極管顯示器、場致發(fā)射顯示器以及電變色顯示器等。相較于其它顯示器，有機(jī)發(fā)光顯示器具有自發(fā)光、無視角限制、省電、操作溫度范圍廣、高應(yīng)答速度以及全彩化等優(yōu)點(diǎn)，可望成為下一代顯示器的主流。
[0003]公知的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括位于基板各處的多個(gè)像素單元。每一像素單元包括開關(guān)晶體管、與開關(guān)晶體管電性耦接的驅(qū)動(dòng)晶體管以及與驅(qū)動(dòng)晶體管電性耦接的像素電極。固定電壓線將固定電壓傳輸至每一像素單元的驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極，以使驅(qū)動(dòng)晶體管工作于放大區(qū)。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管穩(wěn)定地工作于放大區(qū)時(shí)，方可提供穩(wěn)定的電流至有機(jī)發(fā)光二極管層，進(jìn)而使每一像素單元顯示正確的亮度。
[0004]然而，由位于基板各處的多個(gè)像素單元至固定電壓源間的距離不一致，而導(dǎo)致多個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極與固定電壓源之間的電阻值亦不一致。當(dāng)多個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極與固定電壓源之間的電阻值不一致時(shí)，傳遞至多個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極的固定電壓值便不相同，而使有機(jī)發(fā)光二極管顯示器產(chǎn)生顯示不良的問題。
[0005]此外，公知的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可利用共享電極層與驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極構(gòu)成像素儲(chǔ)存電容。但由于共享電極層與驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極之間的距離過長，而使得像素儲(chǔ)存電容值偏低，進(jìn)而影響有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供一 種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及像素陣列基板，可降低各處驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極至固定電壓源間的電阻差異，進(jìn)而具有良好的顯示能力。
[0007]本發(fā)明提供另一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，可提升像素儲(chǔ)存電容值，進(jìn)而具有良好的顯示效果。
[0008]本發(fā)明的像素陣列基板，包括第一基板、多個(gè)像素單元、多條數(shù)據(jù)線、多條掃描線、多條固定電壓線、固定電壓源、固定電壓接墊以及導(dǎo)電圖案。第一基板具有陣列排列的多個(gè)像素區(qū)以及環(huán)繞像素區(qū)的周邊區(qū)。多個(gè)像素單元配置于像素區(qū)內(nèi)。每一像素單元包括具有輸入電極、控制電極以及輸出電極的開關(guān)晶體管、具有輸入電極、控制電極以及輸出電極的驅(qū)動(dòng)晶體管以及像素電極。開關(guān)晶體管的輸出電極電性耦接至驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極。像素電極電性耦接至驅(qū)動(dòng)晶體管的輸出電極。多條數(shù)據(jù)線配置于第一基板上且電性耦接至開關(guān)晶體管的輸入電極。多條掃描線配置于第一基板上、與數(shù)據(jù)線交錯(cuò)且電性耦接至開關(guān)晶體管的控制電極。多條固定電壓線配置于第一基板上且電性耦接至驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極。固定電壓源配置于第一基板的周邊區(qū)上且提供固定電壓至固定電壓線。固定電壓接墊配置于第一基板的周邊區(qū)上且輸出固定電壓。導(dǎo)電圖案配置于第一基板上。導(dǎo)電圖案包括多條導(dǎo)線以及導(dǎo)電框。多條導(dǎo)線彼此交錯(cuò)成網(wǎng)狀且配置于第一基板的像素區(qū)上。導(dǎo)電框配置于第一基板的周邊區(qū)上、環(huán)繞且電性耦接導(dǎo)線。導(dǎo)電框在周邊區(qū)內(nèi)與固定電壓接墊電性接觸。每一像素區(qū)被相鄰的二條掃描線以及相鄰的二條數(shù)據(jù)線定義出。每一像素區(qū)涵蓋至少一個(gè)像素單元以及其中一條固定電壓線的局部。被每一像素區(qū)涵蓋的固定電壓線的局部在此像素區(qū)內(nèi)與導(dǎo)電圖案的其中一條導(dǎo)線電性接觸。
[0009]本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，包括上述像素陣列基板、相對(duì)于第一基板的第二基板、配置于像素電極與第二基板之間的有機(jī)發(fā)光二極管層以及配置于第二基板與有機(jī)發(fā)光二極管層之間的共享電極層。
[0010]本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，包括像素陣列基板、相對(duì)于第一基板的第二基板、配置于像素電極與第二基板之間的有機(jī)發(fā)光二極管層、配置于第二基板與有機(jī)發(fā)光二極管層之間的共享電極層。像素陣列基板包括第一基板、多個(gè)像素單元、多條數(shù)據(jù)線、多條掃描線、多條固定電壓線、固定電壓源以及導(dǎo)電圖案。第一基板具有陣列排列的多個(gè)像素區(qū)以及環(huán)繞像素區(qū)的周邊區(qū)。多個(gè)像素單元配置于像素區(qū)內(nèi)。每一像素單元包括具有輸入電極、控制電極以及輸出電極的開關(guān)晶體管、具有輸入電極、控制電極以及輸出電極的驅(qū)動(dòng)晶體管以及像素電極。開關(guān)晶體管的輸出電極電性耦接至驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極。像素電極電性耦接至驅(qū)動(dòng)晶體管的輸出電極。多條數(shù)據(jù)線配置于第一基板上且電性耦接至開關(guān)晶體管的輸入電極。多條掃描線配置于第一基板上且電性耦接至開關(guān)晶體管的控制電極。多條固定電壓線配置于第一基板上且電性耦接至驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極。固定電壓源配置于第一基板的周邊區(qū)上且提供固定電壓至固定電壓線。導(dǎo)電圖案配置于第一基板上且與每一驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極重迭。共享電極層與驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極重迭。每一驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極所屬膜層位于驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極所屬膜層與第一基板之間。驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極所屬膜層位于導(dǎo)電圖案所屬膜層與驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極所屬膜層之間。導(dǎo)電圖案所屬膜層位于有機(jī)發(fā)光二極管層與驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極所屬膜層之間。導(dǎo)電圖案與共享電極層電性接觸。
[0011]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的導(dǎo)電圖案的導(dǎo)線與固定電壓線重迭。
[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的導(dǎo)線分為與固定電壓線的延伸方向平行的多條第一導(dǎo)線以及與第一導(dǎo)線交錯(cuò)的多條第二導(dǎo)線，而固定電壓線涵蓋第一導(dǎo)線。
[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第二導(dǎo)線與驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極以及數(shù)據(jù)線重迭。
[0014]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的固定電壓線與像素單元的驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極重迭，以構(gòu)成第一儲(chǔ)存電容。導(dǎo)線與像素單元的驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極重迭，以構(gòu)成第二儲(chǔ)存電容。第一儲(chǔ)存電容與第二儲(chǔ)存電容并聯(lián)，以構(gòu)成像素單元的像素儲(chǔ)存電容。
[0015]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的導(dǎo)電圖案所屬膜層不同于驅(qū)動(dòng)晶體管的輸出電極、驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極、驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極以及像素電極所屬膜層。
[0016]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極所屬膜層位于驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極所屬膜層與第一基板之間。驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極所屬膜層位于導(dǎo)電圖案所屬膜層與驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極所屬膜層之間。
[0017]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的導(dǎo)電圖案所屬膜層位于驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極所屬膜層與第一基板之間。驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極所屬膜層位于驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極所屬膜層與導(dǎo)電圖案所屬膜層之間。
[0018]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的像素陣列基板還包括多個(gè)遮光圖案。遮光圖案分別遮蔽開關(guān)晶體管的信道以及驅(qū)動(dòng)晶體管的信道。
[0019]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的共享電極層與像素單元的驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極重迭，以構(gòu)成第一儲(chǔ)存電容。部分的導(dǎo)電圖案與像素單元的驅(qū)動(dòng)晶體管的控制電極重迭，以構(gòu)成第二儲(chǔ)存電容。第一儲(chǔ)存電容與第二儲(chǔ)存電容并聯(lián)，以構(gòu)成像素單元的像素儲(chǔ)存電容。
[0020]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的導(dǎo)電圖案包括多條導(dǎo)線以及導(dǎo)電框。多條導(dǎo)線彼此交錯(cuò)成網(wǎng)狀且配置于第一基板的像素區(qū)上。導(dǎo)電框配置于第一基板的周邊區(qū)上、環(huán)繞且電性耦接至導(dǎo)線。
[0021]基于上述，在本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其像素陣列基板中，透過網(wǎng)狀的導(dǎo)電圖案，位于第一基板各處的驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極至固定電壓源的電阻差異可降低，而使輸入至每一驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極的固定電壓值接近。如此一來，公知技術(shù)中由于各處驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極至固定電壓源的電阻差異大而造成的顯示不良問題便可
獲得改善。
[0022]在本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管中，透過與共享電極電性接觸且與每一像素單元的控制電極重迭的導(dǎo)電圖案，每一像素單元的像素儲(chǔ)存電容值可提升，進(jìn)而使有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的顯示效果佳。
[0023]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素陣列基板的示意圖；
圖2示出本發(fā)明第一實(shí)施例的像素陣列基板的其中一個(gè)像素區(qū)以及部分的周邊區(qū)；
圖3示出圖2中除了導(dǎo)電圖案所屬膜層以外的其它膜層；
圖4示出圖2的導(dǎo)電圖案所屬膜層；
圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素陣列基板沿圖2的剖線A-A’、B-B’、C-C’、D-D’所繪的剖面示意圖；
圖6為本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的剖面示意圖；
圖7為本發(fā)明第二實(shí)施例的像素陣列基板的示意圖；
圖8示出本發(fā)明第二實(shí)施例的像素陣列基板的其中一個(gè)像素區(qū)以及部分的周邊區(qū)；
圖9示出圖8中除了導(dǎo)電圖案所屬膜層以外的其它膜層；
圖10示出圖8的導(dǎo)電圖案所屬膜層；
圖11為本發(fā)明第二實(shí)施例的像素陣列基板沿圖8的剖線A-A’、B-B’、C-C’、D-D’所繪的剖面示意圖；
圖12為本發(fā)明第二實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的剖面示意圖；
圖13為本發(fā)明第三實(shí)施例的像素陣列基板的示意圖；
圖14示出本發(fā)明第三實(shí)施例的像素陣列基板的其中一個(gè)像素區(qū)以及部分的周邊區(qū)； 圖15示出圖14中除了導(dǎo)電圖案所屬膜層以外的其它膜層；圖16不出圖14的導(dǎo)電圖案所屬膜層； 圖17為本發(fā)明第三實(shí)施例的像素陣列基板沿圖14的剖線A-A’、B-B’、C_C’、D-D’所繪的剖面示意圖； 圖18為本發(fā)明第三實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的剖面示意圖。
[0025]【主要組件符號(hào)說明】
1000、1000’、1000A:有機(jī)發(fā)光二極管顯示器
100、100’、100A:像素陣列基板
110:第一基板
IlOa:像素區(qū)
110b、110b’:周邊區(qū)
120:像素單元
130:固定電壓源
132:固定電壓接墊
140U40M40A:導(dǎo)電圖案
142、142’、142A、142a、142b:導(dǎo)線
144U44M44A:導(dǎo)電框
146:遮光圖案
200:第二基板
300、300A:共享電極層
A-A，、B-B、C-C，、D-D，:剖線
CSl:第一儲(chǔ)存電容
CS2:第二儲(chǔ)存電容
CHs、CHd:信道
d:方向
DL:數(shù)據(jù)線
DTFT、DTFT ’:驅(qū)動(dòng)晶體管 G1、GI1、GI2、GI3:絕緣層 Gs、Gd:控制電極 Η lΗ4:開口 Is、Id:輸入電極 L:光束
Os、Od:輸出電極 OLED:有機(jī)發(fā)光二極管層 PE:像素電極 SL:掃描線
STFT、STFT ’:開關(guān)晶體管 VL:固定電壓線。
【具體實(shí)施方式】[0026]第一實(shí)施例
圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素陣列基板的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，本實(shí)施例的像素陣列基板100包括第一基板110、多個(gè)像素單元120、多條數(shù)據(jù)線DL、與數(shù)據(jù)線DL交錯(cuò)的多條掃描線SL、多條固定電壓線VL、固定電壓源130以及固定電壓接墊132。第一基板110具有陣列排列的多個(gè)像素區(qū)IlOa以及環(huán)繞這些像素區(qū)IlOa的周邊區(qū)110b。每一像素區(qū)IlOa被相鄰的二條掃描線SL以及相鄰的二條數(shù)據(jù)線DL定義出。換言之，每一像素區(qū)IlOa包括相鄰二條掃描線SL與相鄰二條數(shù)據(jù)線DL圍出的區(qū)域以及與此區(qū)域緊鄰的二條掃描線SL的局部以及二條數(shù)據(jù)線DL的局部。多個(gè)像素單元120配置于多個(gè)像素區(qū)IlOa內(nèi)。詳言之，每一像素區(qū)I IOa涵蓋至少一個(gè)像素單元120。在本實(shí)施例中，每一像素區(qū)I IOa可涵蓋二個(gè)像素單元120。然而，本發(fā)明不限于此，在其它實(shí)施例中，每一像素區(qū)IlOa亦可只涵蓋一個(gè)像素單元110a。
[0027]每一像素單元120包括具有輸入電極Is、控制電極Gs以及輸出電極Os的一個(gè)開關(guān)晶體管STFT、具有輸入電極Id、控制電極Gd以及輸出電極Od的一個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT以及一個(gè)像素電極PE。在每一像素單元120中，開關(guān)晶體管STFT的輸出電極Os電性耦接至驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制電極Gd，而像素電極PE電性耦接至驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸出電極Od0多條數(shù)據(jù)線DL配置于第一基板110上且電性耦接至多個(gè)開關(guān)晶體管STFT的輸入電極Is。多條掃描線SL配置于第一基板110上且電性耦接至多個(gè)開關(guān)晶體管STFT的控制電極Gs。多條固定電壓線VL電性耦接至多個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸入電極Id。在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線DL的延伸方向可垂直于掃描線SL的延伸方向，而固定電壓線VL的延伸方向可平行于數(shù)據(jù)線DL的延伸方向。但本發(fā)明不以此為限，數(shù)據(jù)線DL、掃描線SL及固定電壓線VL亦可以其它適當(dāng)方式配置。
[0028]固定電壓源130配置于第一基板110的周邊區(qū)IlOb且提供固定電壓至固定電壓線VL。固定電壓接墊132配置于第一基板110的周邊區(qū)IlOb上且輸出固定電壓源130提供的固定電壓。在本實(shí)施例中，固定電壓接墊132可為與固定電壓線VL分離的導(dǎo)電物。然而，本發(fā)明不限于此，在其它實(shí)施例中，固定電壓接墊132亦可為固定電壓線VL中向固定電壓源130延伸且位于周邊區(qū)IlOb的部份。
[0029]像素陣列基板100還包括配置于第一基板110上的導(dǎo)電圖案140。導(dǎo)電圖案140包括彼此交錯(cuò)成網(wǎng)狀且配置于多個(gè)像素區(qū)IlOa的多條導(dǎo)線142以及配置于周邊區(qū)IlOb的導(dǎo)電框144。導(dǎo)電框144環(huán)繞且電性耦接所有導(dǎo)線142。進(jìn)一步而言，導(dǎo)電框144可與所有導(dǎo)線142電性接觸而具有相同的電位。在本實(shí)施例中，導(dǎo)線142與導(dǎo)電框144可屬于同一膜層。但本發(fā)明不以此為限。
[0030]值得注意的是，導(dǎo)電框144在周邊區(qū)IlOb內(nèi)與固定電壓接墊132電性接觸，而被每一像素區(qū)IlOa涵蓋的至少一條固定電壓線VL的局部在此像素區(qū)IlOa內(nèi)與至少一條導(dǎo)線142電性接觸。在本實(shí)施例中，每一像素區(qū)IlOa可涵蓋交錯(cuò)的一條第一導(dǎo)線142a以及第二導(dǎo)線142b，而被像素區(qū)IlOa涵蓋的至少一條固定電壓線VL的局部在此像素區(qū)IlOa內(nèi)可與第一導(dǎo)線142a、第二導(dǎo)線142b或其組合電性接觸。在圖1中，被像素區(qū)IlOa涵蓋的至少一條固定電壓線VL的局部在此像素區(qū)IlOa內(nèi)是與第一導(dǎo)線142a電性接觸。然而，本發(fā)明不限于此，在其它實(shí)施例中，被像素區(qū)IlOa涵蓋的至少一條固定電壓線VL的局部亦可在此像素區(qū)IlOa內(nèi)與第二導(dǎo)線142b電性接觸，或者同時(shí)與第一導(dǎo)線142a以及第二導(dǎo)線142b電性接觸。
[0031]在上述的電性連接關(guān)系下，網(wǎng)狀的導(dǎo)電圖案140可使位于第一基板110各處的驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸入電極Od至固定電壓源130間的電阻差異降低，進(jìn)而使輸入至每一驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸入電極Od的固定電壓值接近。如此一來，在公知技術(shù)中，由于各處驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極至固定電壓源間的電阻差異大而造成的顯示不良問題便可改善。
[0032]圖2示出本發(fā)明第一實(shí)施例的像素陣列基板的其中一個(gè)像素區(qū)以及部分的周邊區(qū)。特別是，圖2所示的像素區(qū)IlOa是對(duì)應(yīng)于圖1中用虛線框出的像素區(qū)110a，圖2所示的部分的周邊區(qū)110b’是對(duì)應(yīng)于圖1中用虛線框出的周邊區(qū)110b’。圖3示出圖2中除了導(dǎo)電圖案所屬膜層以外的其它膜層。圖4示出圖2的導(dǎo)電圖案所屬膜層。需說明的是，圖1主要是用以說明像素陣列基板各構(gòu)件間的電性關(guān)系，而像素陣列基板各構(gòu)件的具體結(jié)構(gòu)是以圖2、圖3、圖4為準(zhǔn)。以下利用圖2、圖3及圖4說明像素陣列基板各構(gòu)件的具體結(jié)構(gòu)。
[0033]請(qǐng)參照?qǐng)D2、圖3及圖4，在本實(shí)施例中，導(dǎo)電圖案140的導(dǎo)線142可與固定電壓線VL重迭。詳言之，導(dǎo)線142可分為與固定電壓線VL的延伸方向d平行的第一導(dǎo)線142a以及與第一導(dǎo)線142a交錯(cuò)的第二導(dǎo)線142b。固定電壓線VL可涵蓋第一導(dǎo)線142a。第二導(dǎo)線142b可與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制電極Gd以及數(shù)據(jù)線DL重迭。簡言之，導(dǎo)電圖案140的大部分面積是與固定電壓線VL以及控制電極Gd重迭。因此，導(dǎo)電圖案140在改善上述顯示不良問題的同時(shí)，并不會(huì)對(duì)像素陣列基板100的開口率造成過度的不良影響。
[0034]在本實(shí)施例中，固定電壓線VL與像素單元120的驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制電極Gd重迭，以構(gòu)成第一儲(chǔ)存電容CSl (標(biāo)示于圖5)。導(dǎo)電圖案140的導(dǎo)線142與像素單元120的驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制電極Gd重迭，以構(gòu)成第二儲(chǔ)存電容CS2 (標(biāo)示于圖5)。第一儲(chǔ)存電容CSl與第二儲(chǔ)存電容CS2共享同一個(gè)電容電極(即驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制電極Gd)，且第一儲(chǔ)存電容CSl的另一電容電極(即固定電壓線VL)與第二儲(chǔ)存電容CS2的另一電容電極(即導(dǎo)線142)等電位。因此，第一儲(chǔ)存電容CSl與第二儲(chǔ)存電容CS2為并聯(lián)，而構(gòu)成像素單元120的像素儲(chǔ)存電容。意即，像素單元120的像素儲(chǔ)存電容值是由第一儲(chǔ)存電容值與第二儲(chǔ)存電容值相加而得。換言之，導(dǎo)電圖案140(即第二儲(chǔ)存電容的一個(gè)電容電極)除了能夠改善上述顯示不良問題外，還可提升像素單元120的像素儲(chǔ)存電容值，進(jìn)而使像素陣列基板100的性能更佳。
[0035]圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素陣列基板的剖面示意圖。特別是，圖5是對(duì)應(yīng)于圖2的剖線A-A’、B-B’、C-C’及D-D’。以下利用圖2及圖5說明像素陣列基板各構(gòu)件所屬膜層間的關(guān)系。
[0036]請(qǐng)參照?qǐng)D2及圖5，在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制電極Gd、開關(guān)晶體管STFT的控制電極Gs以及掃描線SL可屬于同一膜層。本實(shí)施例的像素陣列基板100還包括覆蓋控制電極GcUGs以及掃描線SL的絕緣層GI (GIl)(繪于圖5)?？刂齐姌OGd所屬膜層位于絕緣層GI (GIl)與第一基板110之間。驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT還包括與控制電極Gd重迭的信道CHd。開關(guān)晶體管STFT還包括與控制電極Gs重迭的信道CHs。驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的信道CHd與開關(guān)晶體管STFT的信道CHs可屬于同一膜層。絕緣層GI (GIl)可位于信道CHd所屬膜層與控制電極Gd所屬膜層之間。
[0037]在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸入電極Id、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸出電極0d、開關(guān)晶體管STFT的輸入電極Is、開關(guān)晶體管STFT的輸出電極Os、數(shù)據(jù)線DL、固定電壓線VL以及固定電壓接墊132可屬于同一膜層。驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的信道CHd所屬膜層可位于驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸入電極Id所屬膜層與絕緣層GIl之間。然而，本發(fā)明不限于此，在其它實(shí)施例中，固定電壓接墊132亦可與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制電極Gd或其它構(gòu)件屬于同
一膜層。
[0038]本實(shí)施例的像素陣列基板100還包括覆蓋驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT、開關(guān)晶體管STFT、數(shù)據(jù)線DL以及固定電壓線VL的絕緣層GI (GI2)(繪于圖5)。驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸入電極Id所屬膜層可位于絕緣層GI (GI2)與信道CHd所屬膜層之間。在每一像素區(qū)IlOa內(nèi)的部份絕緣層GI(GI2)具有多個(gè)開口 Η1?Η3。導(dǎo)電圖案140的導(dǎo)線142填入其中一個(gè)開口 Hl而與固定電壓線VL電性接觸。像素電極PE填入另一開口 H2而與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸出電極Od電性接觸。在周邊區(qū)IlOb的部份絕緣層GI(GI2)具有開口 H3。導(dǎo)電圖案140的導(dǎo)電框144填入開口 H3而與輸出固定電壓的接墊132電性接觸。
[0039]在本實(shí)施例中，導(dǎo)電圖案140所屬膜層不同于驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸出電極0d、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸入電極Id、驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制電極Gd以及像素電極PE所屬膜層。詳言之，絕緣層GI (GI2)所屬膜層可位于導(dǎo)電圖案140所屬膜層與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸入電極Id所屬膜層之間。
[0040]本實(shí)施例的像素陣列基板100還包括遮光圖案146。遮光圖案146分別遮蔽開關(guān)晶體管STFT的信道CHs以及DTFT驅(qū)動(dòng)晶體管的信道CHd。在本實(shí)施例中，遮光圖案146與導(dǎo)電圖案140可屬于同一膜層。如圖5所不,遮光圖案146可遮蔽來自于像素電極PE上方的光束L。意即，當(dāng)像素陣列基板100用以組成有機(jī)發(fā)光二極管顯示器時(shí)，遮光圖案146可遮蔽來自于有機(jī)發(fā)光二極管層的光束L，進(jìn)而使采用像素陣列基板100的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器性能更佳。
[0041]本實(shí)施例的像素陣列基板100還包括覆蓋導(dǎo)電圖案140及遮光圖案146的絕緣層GI (GI3)。導(dǎo)電圖案140所屬膜層位于絕緣層GI (GI3)與絕緣層GI (GI2)之間。絕緣層GKGI3)位于像素電極PE所屬膜層與導(dǎo)電圖案140所屬膜層之間。像素電極PE填入絕緣層絕緣層GI (GI2)、GI (GI3)的開口 H2、H4與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸出電極Od電性接觸。
[0042]在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制電極Gd所屬膜層位于驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸入電極Id所屬膜層與第一基板110之間，而驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸入電極Id所屬膜層位于導(dǎo)電圖案140所屬膜層與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制電極Gd所屬膜層之間。換言之，本實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT可為底棚極(Bottom gate)型晶體管。本實(shí)施例的開關(guān)晶體管STFT各構(gòu)件的膜層與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT各構(gòu)件的膜層相同。開關(guān)晶體管STFT亦可為底部柵極型晶體管。然而，本發(fā)明不限于此，在其它實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT、開關(guān)晶體管STFT亦可為其它形式。
[0043]圖6為本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D6，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000包括像素陣列基板100、相對(duì)于第一基板110的第二基板200、配置于像素電極PE與第二基板200之間的有機(jī)發(fā)光二極管層OLED以及配置于第二基板200與有機(jī)發(fā)光二極管層OLED之間的共享電極層300。由于有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000采用像素陣列基板100，因此有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000亦可改善公知技術(shù)中因各處驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極至固定電壓源之間的電阻差異大而造成的顯示不良問題。
[0044]第二實(shí)施例 圖7為本發(fā)明第二實(shí)施例的像素陣列基板的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D7，本實(shí)施例的像素陣列基板100’與第一實(shí)施例的像素陣列基板100類似，因此相同的構(gòu)件以相同的標(biāo)號(hào)表示，相對(duì)應(yīng)的構(gòu)件以相對(duì)應(yīng)的標(biāo)號(hào)表示。像素陣列基板100’與像素陣列基板100的差異在于:像素陣列基板100’的驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT’及開關(guān)晶體管STFT’的形式與像素陣列基板100的驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT及開關(guān)晶體管STFT的形式不同，導(dǎo)電圖案140’與其它膜層的相對(duì)關(guān)系和導(dǎo)電圖案140與其它膜層的相對(duì)關(guān)系不同。以下就此差異處做說明，二者相同處便不再重述。
[0045]請(qǐng)參照?qǐng)D7，與第一實(shí)施例類似地，像素陣列基板100’包括第一基板110、多個(gè)像素單元120、多條數(shù)據(jù)線DL、多條掃描線SL、多條固定電壓線VL、固定電壓源130以及固定電壓接墊132。第一基板110具有陣列排列的多個(gè)像素區(qū)IlOa以及環(huán)繞像素區(qū)IlOa的周邊區(qū)110b。多個(gè)像素單元120配置于像素區(qū)IlOa內(nèi)。每一像素單元120包括具有輸入電極Is、控制電極Gs以及輸出電極Os的開關(guān)晶體管STFT、具有輸入電極Id、控制電極Gd以及輸出電極Od的驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT以及像素電極PE。開關(guān)晶體管STFT的輸出電極Os電性耦接至驅(qū)動(dòng)晶體管STFT的控制電極Gs。像素電極PE電性耦接至驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸出電極0d。多條數(shù)據(jù)線DL配置于第一基板110上且電性耦接至開關(guān)晶體管STFT的輸入電極Is0多條掃描線SL配置于第一基板110上、與數(shù)據(jù)線DL交錯(cuò)且與電性耦接至開關(guān)晶體管STFT的控制電極Gs。多條固定電壓線VL配置于第一基板110上且電性耦接至驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸入電極Id。固定電壓源130配置于第一基板110的周邊區(qū)IlOb且提供固定電壓至固定電壓線VL。固定電壓接墊132配置于第一基板110的周邊區(qū)IlOb上且輸出固定電壓源130提供的固定電壓。
[0046]像素陣列基板100’亦包括配置于第一基板110上的導(dǎo)電圖案140’。導(dǎo)電圖案140’包括彼此交錯(cuò)成網(wǎng)狀且配置于像素區(qū)IlOb上的多條導(dǎo)線142’以及配置于周邊區(qū)110b、環(huán)繞且電性耦接所有導(dǎo)線142’的導(dǎo)電框144’。導(dǎo)電框144’在周邊區(qū)IlOb內(nèi)與固定電壓接墊132電性接觸。每一像素區(qū)IlOa被相鄰二條掃描線SL以及相鄰二條數(shù)據(jù)線DL定義出。每一像素區(qū)IlOa涵蓋至少一個(gè)像素單元120以及至少一條固定電壓線VL的局部。被每一像素區(qū)IlOa涵蓋的固定電壓線VL的局部在此像素區(qū)IlOa內(nèi)與至少一條導(dǎo)線142’電性接觸。
[0047]圖8示出本發(fā)明第二實(shí)施例的像素陣列基板的其中一個(gè)像素區(qū)以及部分的周邊區(qū)。特別是，圖8所示的像素區(qū)IlOa是對(duì)應(yīng)于圖7中用虛線框出的像素區(qū)110a，圖8所示的部分的周邊區(qū)110b’是對(duì)應(yīng)于圖1中用虛線框出的周邊區(qū)110b’。圖9示出圖8中除了導(dǎo)電圖案所屬膜層以外的其它膜層。圖10示出圖8的導(dǎo)電圖案所屬膜層。圖11為本發(fā)明第二實(shí)施例的像素陣列基板的剖面示意圖。特別是，圖11是對(duì)應(yīng)于圖8的剖線A-A’、B-B’、C-C’及D-D’。需說明的是，圖7主要是用以說明像素陣列基板各構(gòu)件間的電性關(guān)系，而像素陣列基板各構(gòu)件的具體結(jié)構(gòu)是以圖8、圖9、圖10為準(zhǔn)。以下利用圖8、圖9、圖10及圖11說明像素陣列基板各構(gòu)件的具體結(jié)構(gòu)。
[0048]與第一實(shí)施例不同的是，在本實(shí)施例中，導(dǎo)電圖案140’所屬膜層位于驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT’的輸入電極Id所屬膜層與第一基板110之間，而驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT’的輸入電極Id所屬膜層位于驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT’的控制電極Gd所屬膜層與導(dǎo)電圖案140’所屬膜層之間。換目之，本實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT’可為頂棚極(top gate)型晶體管。本實(shí)施例的開關(guān)晶體管STFT’各構(gòu)件的膜層與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT’各構(gòu)件的膜層相同。開關(guān)晶體管STFT’亦可為頂柵極型晶體管。
[0049]圖12為本發(fā)明第二實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D12，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000’包括像素陣列基板100’、相對(duì)于第一基板110的第二基板200、配置于像素電極PE與第二基板200之間的有機(jī)發(fā)光二極管層OLED以及配置于第二基板200與有機(jī)發(fā)光二極管層OLED之間的共享電極層300。本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000’及像素陣列基板100’具有與有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000及其像素陣列基板100類似的功效及優(yōu)點(diǎn)，于此亦不再重述。
[0050]第三實(shí)施例
圖13為本發(fā)明第三實(shí)施例的像素陣列基板的示意圖。圖14示出本發(fā)明第三實(shí)施例的像素陣列基板的其中一個(gè)像素區(qū)以及部分的周邊區(qū)。特別是，圖14所示的像素區(qū)IlOa是對(duì)應(yīng)于圖13中用虛線框出的像素區(qū)110a，圖14所示的部分的周邊區(qū)110b’是對(duì)應(yīng)于圖13中用虛線框出的周邊區(qū)110b’。圖15示出圖14中除了導(dǎo)電圖案所屬膜層以外的其它膜層。圖16示出圖14的導(dǎo)電圖案所屬膜層。圖17為本發(fā)明第三實(shí)施例的像素陣列基板的剖面示意圖。特別是，圖17是對(duì)應(yīng)于圖14的剖線六4’、8-8’、(:-(:’及0-0’。需說明的是，圖13主要是用以說明像素陣列基板各構(gòu)件間的電性關(guān)系，而像素陣列基板各構(gòu)件的具體結(jié)構(gòu)是以圖14、圖15、圖16、圖17為準(zhǔn)。
[0051]請(qǐng)參照?qǐng)D13、圖14、圖15、圖16及圖17，本實(shí)施例的像素陣列基板100A與第一實(shí)施例的像素陣列基板100類似，因此相同的構(gòu)件以相同的標(biāo)號(hào)表示，相對(duì)應(yīng)的構(gòu)件以相對(duì)應(yīng)的標(biāo)號(hào)表示。像素陣列基板100A與像素陣列基板100的差異在于:在像素陣列基板100A中，導(dǎo)電圖案140A與固定電壓線VL是電性絕緣的。以下就此差異處做說明，二者相同處便不再重述。
[0052]本實(shí)施例的像素陣列基板100A包括第一基板110、配置于第一基板110上的多個(gè)像素單元120、配置于第一基板110上的多條數(shù)據(jù)線DL、配置于第一基板110上且與多條數(shù)據(jù)線DL交錯(cuò)的多條掃描線SL、配置于第一基板110上且與多條掃描線SL交錯(cuò)的多條固定電壓線VL以及配置于第一基板110的周邊區(qū)IlOb上且提供固定電壓至固定電壓線VL的固定電壓源130以及導(dǎo)電圖案140A。
[0053]第一基板110具有陣列排列的多個(gè)像素區(qū)IlOa以及環(huán)繞像素區(qū)IlOa的周邊區(qū)IlObo多個(gè)像素單元120配置于像素區(qū)IlOa內(nèi)。每一像素區(qū)IlOa被相鄰的二條掃描線SL以及與這二條掃描線SL交錯(cuò)的相鄰二條數(shù)據(jù)線DL定義出。多個(gè)像素單元120配置于多個(gè)像素區(qū)IlOa內(nèi)。每一個(gè)像素區(qū)IlOa涵蓋至少一個(gè)像素單元120。每一像素單元120包括具有輸入電極Is、控制電極Gs以及輸出電極Os的一個(gè)開關(guān)晶體管STFT、具有輸入電極Id、控制電極Gd以及輸出電極Od的一個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT以及像素電極PE。開關(guān)晶體管STFT的輸出電極Os電性耦接至驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制電極Gd。像素電極PE電性耦接至驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸出電極0d。多條數(shù)據(jù)線DL電性耦接至多個(gè)開關(guān)晶體管STFT的輸入電極Is。多條掃描線SL電性耦接至多個(gè)開關(guān)晶體管STFT的控制電極Gs。多條固定電壓線VL電性耦接至驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸入電極0d。
[0054]導(dǎo)電圖案140A與第一實(shí)施例的導(dǎo)電圖案140類似。詳言之，朝著與第一基板110垂直的方向看去，導(dǎo)電圖案140A與像素陣列基板100A其它構(gòu)件的相對(duì)位置與導(dǎo)電圖案140與像素陣列基板100其它構(gòu)件的相對(duì)位置相同。導(dǎo)電圖案140A與像素陣列基板100A其它構(gòu)件的膜層順序與導(dǎo)電圖案140與像素陣列基板100其它構(gòu)件的膜層順序相同。導(dǎo)電圖案140A與導(dǎo)電圖案140的差異在于:導(dǎo)電圖案140A未如導(dǎo)電圖案140般與固定電壓線VL電性接觸。詳言之，導(dǎo)電圖案140A亦包括導(dǎo)電框144A與導(dǎo)線142A。本實(shí)施例的導(dǎo)電框144A與第一實(shí)施例的導(dǎo)電框144差異在于:導(dǎo)電框144A不與固定電壓線VL、固定電壓源130電性連接。本實(shí)施例的導(dǎo)線142A與第一實(shí)施例的導(dǎo)線142差異在于:導(dǎo)線142A不與固定電壓線VL、固定電壓源130電性連接。
[0055]圖18為本發(fā)明第三實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D18，有機(jī)發(fā)光二極管顯不器1000A包括圖17的像素陣列基板100A、相對(duì)于第一基板110的第二基板200、配置于像素電極PE與第二基板200之間的有機(jī)發(fā)光二極管層OLED以及配置于第二基板200與有機(jī)發(fā)光二極管層OLED之間的共享電極層300A。
[0056]共享電極層300A與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制電極Gd重迭。每一驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制電極Gd所屬膜層位于驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸入電極Id所屬膜層與第一基板110之間。驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸入電極Id所屬膜層位于導(dǎo)電圖案140A所屬膜層與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制電極Gd所屬膜層之間。導(dǎo)電圖案140A所屬膜層位于有機(jī)發(fā)光二極管層OLED與驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的輸入電極Id所屬膜層之間。
[0057]值得注意的是，導(dǎo)電圖案140A與共享電極層300A電性接觸。共享電極層300A與其中一個(gè)像素單元120的驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制電極Gd重迭，以構(gòu)成第一儲(chǔ)存電容。部分的導(dǎo)電圖案140與像素單元120的驅(qū)動(dòng)晶體管D的控制電極Gd重迭(繪于圖14)，以構(gòu)成第二儲(chǔ)存電容。第一儲(chǔ)存電容與第二儲(chǔ)存電容共享同一個(gè)電容電極(即驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的控制電極Gd)，且第一儲(chǔ)存電容的另一電容電極(即共享電極層300)與第二儲(chǔ)存電容的另一電容電極(即導(dǎo)電圖案140A)等電位。因此，第一儲(chǔ)存電容與第二儲(chǔ)存電容為并聯(lián)，而構(gòu)成像素單元120的像素儲(chǔ)存電容。意即，像素單元120的像素儲(chǔ)存電容值是由第一儲(chǔ)存電容值與第二儲(chǔ)存電容值相加而得。由于導(dǎo)電圖案140A(第二儲(chǔ)存電容的一個(gè)電容電極)的加入，像素單元120的像素儲(chǔ)存電容值能夠提升，進(jìn)而使有機(jī)發(fā)光二極管顯示器1000A的顯示效果佳。更進(jìn)一步地說，由于導(dǎo)電圖案140A與控制電極Gd之間的距離小于共享電極層300A與控制電極Gd之間的距離，因此由導(dǎo)電圖案140A構(gòu)成的第二儲(chǔ)存電容值可大于由共享電極層300A構(gòu)成的第一儲(chǔ)存電容值，而使像素儲(chǔ)存電容值大幅提升，而改善公知技術(shù)中因共享電極層距離控制電極Gd較遠(yuǎn)而造成的像素儲(chǔ)存電容不足的問題。
[0058]綜上所述，在本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其像素陣列基板中，透過網(wǎng)狀的導(dǎo)電圖案，位于第一基板各處的驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極至固定電壓源的電阻差異可降低，而使輸入至每一驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極的固定電壓值接近。如此一來，公知技術(shù)中由于各處驅(qū)動(dòng)晶體管的輸入電極至固定電壓源的電阻差異大而造成的顯示不良問題便可獲得改善。
[0059]在本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管中，透過與共享電極電性接觸且與每一像素單元的控制電極重迭的導(dǎo)電圖案，每一像素單元的像素儲(chǔ)存電容值可提升，進(jìn)而使有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的顯示效果佳。
[0060]雖然本發(fā)明已以實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視前述的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種像素陣列基板，包括: 一第一基板，具有陣列排列的多個(gè)像素區(qū)以及環(huán)繞該些像素區(qū)的一周邊區(qū)； 多個(gè)像素單元，配置于該些像素區(qū)內(nèi)，每一該像素單元包括: 一開關(guān)晶體管，具有一輸入電極、一控制電極以及一輸出電極； 一驅(qū)動(dòng)晶體管，具有一輸入電極、一控制電極以及一輸出電極，其中該開關(guān)晶體管的該輸出電極電性耦接至該驅(qū)動(dòng)晶體管的該控制電極；以及一像素電極，電性耦接至該驅(qū)動(dòng)晶體管的該輸出電極； 多條數(shù)據(jù)線，配置于該第一基板上且電性耦接至該些開關(guān)晶體管的該些輸入電極；多條掃描線，配置于該第一基板上、與該些數(shù)據(jù)線交錯(cuò)且電性耦接至該些開關(guān)晶體管的該些控制電極； 多條固定電壓線，配置于該第一基板上且電性耦接至該些驅(qū)動(dòng)晶體管的該些輸入電極； 一固定電壓源，配置于該第一基板的該周邊區(qū)上且提供一固定電壓至該些固定電壓線.一固定電壓接墊，配置于該第一基板的該周邊區(qū)上且輸出該固定電壓；以及 一導(dǎo)電圖案，配置于該第一基板上，該導(dǎo)電圖案包括: 多條導(dǎo)線，彼此交錯(cuò)成網(wǎng)狀且配置于該第一基板的該些像素區(qū)上；以及一導(dǎo)電框，配置于該第一基板的該周邊區(qū)上、環(huán)繞且電性耦接該些導(dǎo)線，該導(dǎo)電框在該周邊區(qū)內(nèi)與該固定電壓接墊電性接觸，每一該像素區(qū)被相鄰的二該些掃描線以及相鄰的二該些數(shù)據(jù)線定義出，每一該像素區(qū)涵蓋至少一該像素單元以及其中一該固定電壓線的局部，被每一該像素區(qū)涵蓋的該固定電壓線的局部在該像素區(qū)內(nèi)與該導(dǎo)電圖案的其中一該導(dǎo)線電性接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的像素陣列基板，其特征在于，該導(dǎo)電圖案的該些導(dǎo)線與該些固定電壓線重迭。
3.如權(quán)利要求2所述的像素陣列基板，其特征在于，該些導(dǎo)線分為與該些固定電壓線的延伸方向平行的多條第一導(dǎo)線以及與該些第一導(dǎo)線交錯(cuò)的多條第二導(dǎo)線，而該些固定電壓線涵蓋該些第一導(dǎo)線。
4.如權(quán)利要求3所述的像素陣列基板，其特征在于，該些第二導(dǎo)線與該些驅(qū)動(dòng)晶體管的該些控制電極以及該些數(shù)據(jù)線重迭。
5.如權(quán)利要求1所述的像素陣列基板，其特征在于，該固定電壓線與該像素單元的該驅(qū)動(dòng)晶體管的該控制電極重迭以構(gòu)成一第一儲(chǔ)存電容，其中一該導(dǎo)線與該像素單元的該驅(qū)動(dòng)晶體管的該控制電極重迭以構(gòu)成一第二儲(chǔ)存電容，而該第一儲(chǔ)存電容與該第二儲(chǔ)存電容并聯(lián)以構(gòu)成該像素單元的一像素儲(chǔ)存電容。
6.如權(quán)利要求1所述的像素陣列基板，其特征在于，該導(dǎo)電圖案所屬膜層不同于該驅(qū)動(dòng)晶體管的該輸出電極、該驅(qū)動(dòng)晶體管的該輸入電極、該驅(qū)動(dòng)晶體管的該控制電極以及該像素電極所屬膜層。
7.如權(quán)利要求1所述的像素陣列基板，其特征在于，該驅(qū)動(dòng)晶體管的該控制電極所屬膜層位于該驅(qū)動(dòng)晶體管的該輸入電極所屬膜層與該第一基板之間，而該驅(qū)動(dòng)晶體管的該輸入電極所屬膜層位于該導(dǎo)電圖案所屬膜層與該驅(qū)動(dòng)晶體管的該控制電極所屬膜層之間。
8. 如權(quán)利要求1所述的像素陣列基板，其特征在于，該導(dǎo)電圖案所屬膜層位于該驅(qū)動(dòng)晶體管的該輸入電極所屬膜層與該第一基板之間，而該驅(qū)動(dòng)晶體管的該輸入電極所屬膜層位于該驅(qū)動(dòng)晶體管的該控制電極所屬膜層與該導(dǎo)電圖案所屬膜層之間。
9.如權(quán)利要求1所述的像素陣列基板，其特征在于，還包括:多個(gè)遮光圖案，分別遮蔽該些開關(guān)晶體管的多個(gè)信道以及該些驅(qū)動(dòng)晶體管的多個(gè)信道。
10.如權(quán)利要求9所述的像素陣列基板，其特征在于，該些遮光圖案與該導(dǎo)電圖案屬于同一膜層。
11.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯不器，包括: 如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的該像素陣列基板； 一第二基板，相對(duì)于該第一基板； 一有機(jī)發(fā)光二極管層，配置于該些像素電極與該第二基板之間；以及 一共享電極層，配置于該第二基板與該有機(jī)發(fā)光二極管層之間。
12.—種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，包括: 一像素陣列基板，包括: 一第一基板，具有陣列排列的多個(gè)像素區(qū)以及環(huán)繞該些像素區(qū)的一周邊區(qū)； 多個(gè)像素單元，配置于該些像素區(qū)內(nèi)，每一該像素單元包括: 一開關(guān)晶體管，具有一輸入電極、一控制電極以及一輸出電極； 一驅(qū)動(dòng)晶體管，具有一輸入電極、一控制電極以及一輸出電極，其中該開關(guān)晶體管的該輸出電極電性耦接至該驅(qū)動(dòng)晶體管的該控制電極；以及一像素電極，電性耦接至該驅(qū)動(dòng)晶體管的該輸出電極； 多條數(shù)據(jù)線，配置于該第一基板上且電性耦接至該些開關(guān)晶體管的該些輸入電極； 多條掃描線，配置于該第一基板上且電性耦接至該些開關(guān)晶體管的該些控制電極； 多條固定電壓線，配置于該第一基板上且電性耦接至該些驅(qū)動(dòng)晶體管的該些輸入電極； 一固定電壓源，配置于該第一基板的該周邊區(qū)上且提供一固定電壓至該些固定電壓線；以及 一導(dǎo)電圖案，配置于該第一基板上且與每一該驅(qū)動(dòng)晶體管的該控制電極重迭； 一第二基板，相對(duì)于該第一基板； 一有機(jī)發(fā)光二極管層，配置于該些像素電極與該第二基板之間；以及一共享電極層，配置于該第二基板與該有機(jī)發(fā)光二極管層之間且與該些驅(qū)動(dòng)晶體管的該些控制電極重迭，其中每一該驅(qū)動(dòng)晶體管的該控制電極所屬膜層位于該驅(qū)動(dòng)晶體管的該輸入電極所屬膜層與該第一基板之間，該驅(qū)動(dòng)晶體管的該輸入電極所屬膜層位于該導(dǎo)電圖案所屬膜層與該驅(qū)動(dòng)晶體管的該控制電極所屬膜層之間，該導(dǎo)電圖案所屬膜層位于該有機(jī)發(fā)光二極管層與該驅(qū)動(dòng)晶體管的該輸入電極所屬膜層之間，而該導(dǎo)電圖案與該共享電極層電性接觸。
13.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，該共享電極層與其中一該像素單元的該驅(qū)動(dòng)晶體管的該控制電極重迭以構(gòu)成一第一儲(chǔ)存電容，部分的該導(dǎo)電圖案與該像素單元的該驅(qū)動(dòng)晶體管的該控制電極重迭以構(gòu)成一第二儲(chǔ)存電容，而該第一儲(chǔ)存電容與該第二儲(chǔ)存電容并聯(lián)以構(gòu)成該像素單元的一像素儲(chǔ)存電容。
14.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，該導(dǎo)電圖案包括: 多條導(dǎo)線，彼此交錯(cuò)成網(wǎng)狀且配置于該第一基板的該些像素區(qū)上；以及 一導(dǎo)電框，配置于該第一基板的該周邊區(qū)上、環(huán)繞且電性耦接至該些導(dǎo)線。
15.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，該導(dǎo)電圖案的該些導(dǎo)線與該些固定電壓線重迭。
16.如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，該些導(dǎo)線分為與該些固定電壓線的延伸方向平行的多條第一導(dǎo)線以及與該些第一導(dǎo)線交錯(cuò)的多條第二導(dǎo)線，而該些固定電壓線涵蓋該些第一導(dǎo)線。
17.如權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，該些第二導(dǎo)線與該些驅(qū)動(dòng)晶體管的該些控制電極以及該些數(shù)據(jù)線重迭。
18.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，該像素陣列基板還包括:多個(gè)遮光圖案，分別遮蔽該些開關(guān)晶體管的多個(gè)信道以及該些驅(qū)動(dòng)晶體管的多個(gè)信道。
19.如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，該些遮光圖案與該導(dǎo)電圖案屬于同一膜層。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK103633100SQ201310559165
【公開日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2013年11月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月12日
【發(fā)明者】黃思齊, 黃金海, 孫伯彰 申請(qǐng)人:華映視訊（吳江）有限公司, 中華映管股份有限公司