有機發(fā)光顯示裝置及制造該有機發(fā)光顯示裝置的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種有機發(fā)光顯示裝置及制造該有機發(fā)光顯示裝置的方法。有機發(fā)光顯示裝置包括：包括多個區(qū)域的基板、分別設置在基板的多個區(qū)域上的多個第一電極、設置在第一電極上的第二電極、和設置在第一電極和第二電極之間的多個發(fā)光層。發(fā)光層中的至少兩個被設置在所有區(qū)域上。
【專利說明】有機發(fā)光顯示裝置及制造該有機發(fā)光顯示裝置的方法

【技術領域】
[0001] 本公開涉及有機發(fā)光顯示裝置及制造該有機發(fā)光顯示裝置的方法。

【背景技術】
[0002] 有機發(fā)光顯示裝置通常包括像素電極、共用電極以及插入在像素電極和共用電極 之間的有機層。有機層包括例如至少發(fā)光層（EML)，并且還可以包括空穴注入層（HIL)、空 穴傳輸層（HTL)、電子傳輸層（ETL)和電子注入層（EIL)。在有機發(fā)光顯示裝置中，由像素電 極和共用電極產(chǎn)生的空穴和電子可以在有機層中，例如在發(fā)光層中，結合以形成激子。當激 子的能級從激發(fā)態(tài)改變到基態(tài)時，發(fā)光層可以發(fā)出對應于改變的能級的顏色的光。
[0003] 為了實現(xiàn)全彩色有機發(fā)光顯示裝置，上述有機層需要被圖案化。為了圖案化有機 層，可以利用使用掩模的沉積法。使用掩模的沉積法是一種已經(jīng)被使用并且能保證高效率 和穩(wěn)定性的常規(guī)方法。
[0004] 最近，圖案化有機層的圖案的尺寸減小，以得到高分辨率的有機發(fā)光顯示裝置。因 此，已經(jīng)難以制造包括對應于圖案的開口的掩模。即使可以制造掩模，在開始沉積工藝之 后，掩模的開口就可能被立即堵塞。
[0005] 因此，正在使用利用激光的轉(zhuǎn)印方法來圖案化有機層。通過使用激光的轉(zhuǎn)印方法， 可以相對容易地形成精細圖案。
[0006] 然而，在使用激光的轉(zhuǎn)印方法中，從激光束產(chǎn)生的熱可直接影響被轉(zhuǎn)印的層(例如 發(fā)光層)，從而減少有機發(fā)光顯示裝置的壽命。特別是，發(fā)綠光的發(fā)光層的壽命可能會最顯 著地減少。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明的示例性實施例提供了一種具有延長的壽命的有機發(fā)光顯示裝置，其中多 個發(fā)光層中的至少兩個被共同形成在基板的整個表面。
[0008] 本發(fā)明的示例性實施例還提供了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，其中多個發(fā) 光層中的至少兩個由沉積工藝被共同形成在基板的整個表面。
[0009] 根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例，所提供的有機發(fā)光顯示裝置包括：包括多個區(qū) 域的基板、分別設置在基板的多個區(qū)域上的多個第一電極、設置在第一電極上的第二電極、 和設置在第一電極和第二電極之間的多個發(fā)光層。發(fā)光層中的至少兩個被設置在所有區(qū)域 上。
[0010] 根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例，所提供的有機發(fā)光顯示裝置包括：包括第一區(qū) 域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的基板；設置在基板的第一區(qū)域上的第一電極；設置在第一電極 上的第二電極；和位于第一區(qū)域中并設置在第一電極和第二電極之間的第一輔助層和多個 發(fā)光層。發(fā)光層包括設置在第一輔助層和第二電極之間的第一發(fā)光層、設置在第一發(fā)光層 和第二電極之間的第二發(fā)光層、和設置在第一電極和第一輔助層之間的第三發(fā)光層。
[0011] 根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例，提供了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。該 方法包括：分別在基板的多個區(qū)域上形成多個第一電極；在第一電極上形成多個發(fā)光層和 多個輔助層；和在發(fā)光層和輔助層上形成第二電極。發(fā)光層中的至少兩個由沉積工藝形成， 輔助層由轉(zhuǎn)印工藝形成。
[0012] 根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例，提供了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。該 方法包括：在包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的基板上形成多個第一電極，其中第一電 極使用沉積工藝形成在基板的第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域上；使用沉積工藝在第一區(qū) 域、第二區(qū)域和第三區(qū)域中的第一電極上形成第一介質(zhì)層；將具有開口的掩模對準在第一 介質(zhì)層上；通過使用面對第一介質(zhì)層的表面的沉積源經(jīng)由掩模中的開口沉積有機材料在第 一介質(zhì)層上進行沉積工藝，從而在第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域中的第一介質(zhì)層上形成 第一發(fā)光層；通過使用第一供體基板由轉(zhuǎn)印工藝在第一區(qū)域中的第一發(fā)光層上同時形成第 一輔助層和第二發(fā)光層；通過使用第二供體基板經(jīng)由轉(zhuǎn)印工藝在第二區(qū)域的第一發(fā)光層上 形成第二輔助層；將具有開口的掩模對準在第二發(fā)光層、第二輔助層和第一發(fā)光層上。
[0013] 另外，該方法進一步包括通過使用面對第二發(fā)光層、第二輔助層和第一發(fā)光層的 各自表面的沉積源經(jīng)由掩模中的開口沉積有機材料在第二發(fā)光層、第二輔助層和第一發(fā)光 層上進行沉積工藝，從而在第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域中并且在第二發(fā)光層、第二輔助 層和第一發(fā)光層的各自表面上形成第三發(fā)光層，并且使用沉積工藝在第三發(fā)光層上順序堆 疊第二介質(zhì)層、第二電極和鈍化層。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014] 本發(fā)明的示例性實施例將從結合附圖進行的下述詳細說明變得更容易理解，附圖 中：
[0015] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的有機發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖；
[0016] 圖2是示出了在制造圖1的有機發(fā)光顯示裝置的方法中形成基板、第一電極和第 一介質(zhì)層的層疊結構的操作的剖視圖；
[0017] 圖3是示出了在制造圖1的有機發(fā)光顯示裝置的方法中在層疊結構上形成第三發(fā) 光層的操作的剖視圖；
[0018] 圖4是示出了在制造圖1的有機發(fā)光顯示裝置的方法中在第三發(fā)光層上形成第一 輔助層和第一發(fā)光層的操作的剖視圖；
[0019] 圖5是示出了在制造圖1的有機發(fā)光顯示裝置的方法中在第三發(fā)光層上形成第二 輔助層的操作的剖視圖；
[0020] 圖6是示出了在制造圖1的有機發(fā)光顯示裝置的方法中在第三發(fā)光層上形成第二 發(fā)光層的操作的剖視圖；
[0021] 圖7是示出了在制造圖1的有機發(fā)光顯示裝置的方法中在第二發(fā)光層上形成第二 介質(zhì)層、第二電極和鈍化層的操作的剖視圖；
[0022] 圖8是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的有機發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖；
[0023] 圖9是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的有機發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖；
[0024] 圖10是示出了根據(jù)示例1制造的有機發(fā)光顯示裝置的隨著時間推移的亮度降低 率的曲線圖；和
[0025] 圖11是示出了根據(jù)比較例1制造的有機發(fā)光顯示裝置的隨著時間推移的亮度降 低率的曲線圖。

【具體實施方式】
[0026] 然而，本發(fā)明的示例性實施例可以通過多種不同形式實施，不應當被理解為局限 于這里提出的示例性實施例。相同的附圖標記用于相同的元件。在圖中，為了清楚起見可 能對層的厚度和區(qū)域進行了放大。
[0027] 可以理解，當元件或?qū)颖环Q為在另一個元件或?qū)?上"或者"連接到"另一個元件 或?qū)訒r，元件或?qū)涌梢灾苯游挥诹硪粋€元件或?qū)由匣蛘咧苯舆B接到另一個元件或?qū)樱部?以存在中間元件或中間層。如這里所使用的，術語"和/或"包括相關聯(lián)列出項目的一個或 更多中的任意一個和所有組合。并且，如這里所使用的，單數(shù)形式的"一個"、"該"意在也包 括復數(shù)形式，除非上下文有明確的相反指示。
[0028] 下面將參考附圖描述本發(fā)明的實施例。
[0029] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的有機發(fā)光顯示裝置100的示意性剖視圖。參照 圖1，根據(jù)當前實施例的有機發(fā)光顯示裝置1〇〇可以包括，例如，基板110、第一電極112、第 一介質(zhì)層114、多個發(fā)光層118、122、126、多個輔助層120、124、第二介質(zhì)層130、第二電極 132和鈍化層134。
[0030] 基板110可以是，例如，絕緣基板。絕緣基板可以由包含作為其主要成分的透明 Si02的透明玻璃材料形成。在一個實施例中，絕緣基板可以由，例如，不透明材料或塑料材 料形成。在一個示例性實施例中，絕緣基板110還可以由，例如，陶瓷材料或硅材料形成。此 夕卜，絕緣基板可以是，例如，可以彎曲、折疊或卷繞的柔性基板。用于柔性基板的合適材料包 括，例如，聚醚砜（PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)、聚乙烯（PE)、聚酰亞胺（PI)、聚氯乙烯 (PVC)、聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET)或它們的組合。
[0031] 雖然在圖中未示出，基板110可以進一步包括在絕緣基板上形成的其它結構。這 種結構的示例可以包括但不限于配線、電極和絕緣層。如果根據(jù)當前實施例的有機發(fā)光顯 示裝置100是有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置，基板110可以包括，例如，在絕緣基板上形成的 多個薄膜晶體管（TFT)。每個TFT可以包括，例如，柵電極、源電極和漏電極，以及是溝道區(qū) 的半導體層。半導體層可以由，例如，非晶硅、微晶硅、多晶硅或單晶硅形成。在一個實施例 中，半導體層可替代地可以由，例如，氧化物半導體形成。至少一些TFT的漏電極可以被電 連接到第一電極112。
[0032] 例如，源電極和漏電極可以包括金屬、合金、金屬氮化物、導電性金屬氧化物和/ 或透明導電材料。源電極和漏電極可以包括，例如，鋁、包含鋁的合金、氮化鋁（AINx)、銀 (Ag)、包含銀的合金、鎢（W)、氮化鎢（WNx)、銅（Cu)、包含銅的合金、鎳（Ni)、鉻（Cr)、氮化 鉻（CrNx)、鑰（Mo)、包括鑰的合金、鈦、氮化鈦（TiNx)、鉬（Pt)、鉭（Ta)、氮化鉭（TaNx)、釹 (Nd)、鈧（Sc )、氧化銀釕（SrRuxOy )、氧化鋅（ZnOx )、氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化錫（SnOx )、氧化銦 (InOx)、氧化鎵（GaOx)、氧化銦鋅（ΙΖ0)等。它們可以單獨使用或者以它們的組合使用。源 電極和漏電極的每一個可以具有單層結構或多層結構。
[0033] 基板110可以包括，例如，多個區(qū)域I、II、III?；?10的區(qū)域I、II、III可以 以預定距離彼此分開。區(qū)域I、II、III可以是設置多個像素的地方。在一個示例性實施例 中，區(qū)域I、II、III可以包括第一區(qū)域I、第二區(qū)域II和第三區(qū)域III。第一區(qū)域I、第二區(qū) 域II和第三區(qū)域III可以，例如，分別發(fā)出紅光、綠光和藍光。在一個示例性實施例中，區(qū) 域I、II、III可以另外包括，例如，第四區(qū)域(未示出）。第四區(qū)域可以發(fā)出，例如，白光。
[0034] 第一電極112形成在基板110上。第一電極112可以分別位于基板110的區(qū)域I、 II、III上。也就是，第一電極112可以分別形成在彼此分開的像素中。在一個示例性實施 例中，第一電極112可以被設置在，例如，基板110的第一區(qū)域I、第二區(qū)域II和第三區(qū)域 III的所有區(qū)域上。第一電極112可以形成在基板110上以直接接觸基板110,或者例如絕 緣層的材料可以被插入在第一電極112和基板110之間。
[0035] 第一電極112可以是，例如，陽極或陰極。如果第一電極112是陽極，第二電極132 可以是陰極。因此，將基于該假設在下面描述本發(fā)明的實施例。然而，可替代地，在一個實 施例中，第一電極112也可以是陰極，第二電極132也可以是陽極。
[0036] 為了被用作陽極，第一電極112可以由，例如，具有高功函數(shù)的導電材料形成。如 果有機發(fā)光顯示裝置100為底部發(fā)射型，第一電極112可以由，例如，諸如氧化銦錫（ΙΤ0)、 氧化銦鋅（ΙΖ0)、氧化鋅（ZnO)或In203的材料形成，或者可以由這些材料的堆疊層形成。如 果有機發(fā)光顯示裝置100為頂部發(fā)射型，第一電極112可以進一步包括，例如，反射層，反射 層由銀（Ag)、鎂（Mg)、鋁（A1)、鉬（Pt)、鈀（Pd)、金（Au)、鎳（Ni)、釹（Nd)、銥（Ir)、鉻（Cr)、 鋰（Li)或鈣（Ca)形成。第一電極112可以以各種方式被修改為具有，例如，由選自上述材 料的兩種或更多不同材料形成的兩層或更多層組成的結構。
[0037] 第一電極112可以具有，例如，約

【權利要求】
1. 一種有機發(fā)光顯示裝置，包括： 包括多個區(qū)域的基板； 分別設置在所述基板的所述多個區(qū)域上的多個第一電極； 設置在所述第一電極上的第二電極；和 設置在所述第一電極和所述第二電極之間的多個發(fā)光層， 其中所述發(fā)光層中的至少兩個被設置在所有所述區(qū)域上。
2. 如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述區(qū)域包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和 第三區(qū)域，其中所述發(fā)光層包括設置在所述第一區(qū)域中的第一發(fā)光層、以及第二發(fā)光層和 第三發(fā)光層，所述第二發(fā)光層和第三發(fā)光層中的每個都設置在所述第一區(qū)域、所述第二區(qū) 域和所述第三區(qū)域上。
3. 如權利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一發(fā)光層被設置在所述第二發(fā) 光層和所述第三發(fā)光層之間，其中所述第二發(fā)光層被設置在所述第一發(fā)光層和所述第二電 極之間，其中所述第三發(fā)光層被設置在所述第一發(fā)光層和所述第一電極之間，并且其中所 述第二發(fā)光層具有電子傳輸能力，所述第三發(fā)光層具有空穴傳輸能力。
4. 如權利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，進一步包括設置在所述第一電極和所述第 二電極之間的多個輔助層，其中所述輔助層進一步被設置在所述第二發(fā)光層和所述第三發(fā) 光層之間， 其中所述輔助層包括第一輔助層、第二輔助層和第三輔助層， 其中所述第一輔助層被設置在所述第一區(qū)域中所述第一發(fā)光層和所述第三發(fā)光層之 間， 所述第二輔助層被設置在所述第二區(qū)域中所述第二發(fā)光層和所述第三發(fā)光層之間，以 及 所述第三輔助層被設置在所述第一輔助層和所述第三發(fā)光層之間和/或所述第二輔 助層和所述第三發(fā)光層之間，其中所述第三輔助層包括P型摻雜劑。
5. 如權利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述第一發(fā)光層被配置為發(fā)出紅光， 其中所述第二發(fā)光層被配置為發(fā)出綠光，其中所述第三發(fā)光層被配置為發(fā)出藍光。
6. 如權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，進一步包括： 設置在所述第一電極和所述發(fā)光層之間的第一介質(zhì)層，其中所述第一介質(zhì)層被配置為 注入或傳輸電子或空穴；和 設置在所述發(fā)光層和所述第二電極之間的第二介質(zhì)層，其中所述第二介質(zhì)層被配置為 注入或傳輸電子或空穴， 其中所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層中的至少一個包括無機材料，并且 其中所述無機材料包括氧化鎢和氧化鎳中的至少一個。
7. -種有機發(fā)光顯示裝置，包括： 包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的基板； 設置在所述基板的所述第一區(qū)域上的第一電極； 設置在所述第一電極上的第二電極；和 位于所述第一區(qū)域中并設置在所述第一電極和所述第二電極之間的第一輔助層和多 個發(fā)光層， 其中所述發(fā)光層包括： 設置在所述第一輔助層和所述第二電極之間的第一發(fā)光層； 設置在所述第一發(fā)光層和所述第二電極之間的第二發(fā)光層；和 設置在所述第一電極和所述第一輔助層之間的第三發(fā)光層。
8. 如權利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，進一步包括位于所述第二區(qū)域中并設置在 所述第二發(fā)光層和所述第三發(fā)光層之間的第二輔助層， 其中所述第一電極被設置在所述基板的所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域 上，其中所述第二發(fā)光層和所述第三發(fā)光層延伸到所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域。
9. 一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，該方法包括： 分別在基板的多個區(qū)域上形成多個第一電極； 在所述第一電極上形成多個發(fā)光層和多個輔助層；和 在所述發(fā)光層和所述輔助層上形成第二電極， 其中所述發(fā)光層中的至少兩個由沉積工藝形成，所述輔助層由轉(zhuǎn)印工藝形成。
10. 如權利要求9所述的方法，其中所述區(qū)域包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域，其 中所述發(fā)光層包括第一發(fā)光層、第二發(fā)光層和第三發(fā)光層，其中所述輔助層包括第一輔助 層和第二輔助層，其中形成多個所述發(fā)光層和多個所述輔助層包括： 使用沉積工藝在所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域的所述第一電極上形成 所述第三發(fā)光層； 使用轉(zhuǎn)印工藝在所述第一區(qū)域的所述第三發(fā)光層上同時形成所述第一輔助層和所述 第一發(fā)光層； 使用轉(zhuǎn)印工藝在所述第二區(qū)域的所述第三發(fā)光層上形成所述第二輔助層；和 使用沉積工藝在所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域的所述第三發(fā)光層、所 述第一輔助層、所述第一發(fā)光層和所述第二輔助層上形成所述第二發(fā)光層。
【文檔編號】H01L51/56GK104218049SQ201310534036
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2013年11月1日 優(yōu)先權日:2013年5月29日
【發(fā)明者】李昌浩, 尹振渓, 申大燁, 孫永睦, 吳一洙, 高熙周, 趙世珍, 李寶羅, 李衍祐, 田坪恩, 崔賢珠, 尹智煥, 金范俊 申請人:三星顯示有限公司